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Contribution A Letude De La Diffusion Dimpuretes Dans Le Silicium Sous Oxydation
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Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation by : Emmanuel Scheid
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation written by Emmanuel Scheid and published by . This book was released on 1987 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DES INSUFFISANCES DES THEORIES RELATIVES A LA DIFFUSION DES IMPURETES ET A L'EVOLUTION DES DEFAUTS D'EMPILEMENT SOUS CONTRAINTE. L'INTRODUCTION DE LA DIFFUSION COUPLEE DES DEFAUTS PONCTUELS PERMET DE DECRIRE L'EXPANSION 3D DE L'EFFET D'OED-ORD
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium by : Pascal Normand
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
Book Synopsis Contribution a l'etude de la diffusion des impuretes dopantes dans le silicium : diffusion des impuretes dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues by : Pascal Normand
Download or read book Contribution a l'etude de la diffusion des impuretes dopantes dans le silicium : diffusion des impuretes dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des dopants dans le silicium by : Daniel Mathiot
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des dopants dans le silicium written by Daniel Mathiot and published by . This book was released on 1983 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PRINCIPAUX POINTS DU MODELE DEVELOPPES SONT LES SUIVANTS: LA DIFFUSION EST ASSISTEE PAR LES DEUX TYPES DE DEFAUTS PONCTUELS INTRINSEQUES (LACUNES ET AUTOINTERSTITIELS), PAR L'INTERMEDIAIRE DE PAIRES IMPURETE-DEFAUT EN EQUILIBRE LOCAL AVEC LES IMPURETES ET DEFAUTS ISOLES; POUR UNE CONCENTRATION EN DONNEURS SUPERIEURE A 10**(20) CM**(-3), UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION A LIEU A CAUSE DE LA PERCOLATION DES LACUNES DANS LES AMAS D'IMPURETES EN POSITION DE 5EME VOISINS DANS SI; POUR LES FORTES CONCENTRATIONS DE B ET AS, LA DIFFUSION EST FREINEE PAR LA PRESENCE DE COMPLEXES NEUTRES ET IMMOBILES; LES RECOMBINAISONS BIMOLECULAIRES ENTRE DEFAUTS ONT LIEU PAR REACTION DIRECTE ENTRE LACUNES ET AUTOINTERSTITIELS, ET PAR L'INTERMEDIAIRE DES PAIRES IMPURETE-DEFAUT. CE MODELE PERMET DES SIMULATIONS NUMERIQUES PRECISES AUSSI BIEN EN ATMOSPHERE NEUTRE QUE POUR DES RECUITS OXYDANTS
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION PAR RECUL DANS LE SILICIUM by : MOHAMMED NADJIB.. MESLI
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION PAR RECUL DANS LE SILICIUM written by MOHAMMED NADJIB.. MESLI and published by . This book was released on 1983 with total page 72 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU RENDEMENT DE RECUL, SOIT LE NOMBRE D'IMPURETES INTRODUITES DANS SI PAR ION INCIDENT, ET LA DISTRIBUTION SPATIALE DES ATOMES DE RECUL. DEVELOPPEMENT D'UN MODELE SEMI-EMPIRIQUE POUR ESTIMER LES RENDEMENTS DE RECUL POUR DIFFERENTES COMBINAISONS PROJECTILE-DOPANTS (BI, SB, AG, GA, B). UTILISATION DE TRAITEMENTS THERMIQUES POUR OBTENIR DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES INTERESSANTES DANS LE CAS D'IMPURETES A GRANDE SOLUBILITE
Book Synopsis Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en régime Fowler-Nordheim by : Abdellah Mir
Download or read book Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en régime Fowler-Nordheim written by Abdellah Mir and published by . This book was released on 1993 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. REALISATION DE COUCHES D'OXYDE MINCES ET ULTRA-MINCES POUR DES APPLICATIONS EN MOCROELECTRONIQUE by : AOMAR.. HALIMAOUI
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. REALISATION DE COUCHES D'OXYDE MINCES ET ULTRA-MINCES POUR DES APPLICATIONS EN MOCROELECTRONIQUE written by AOMAR.. HALIMAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE
Book Synopsis Contribution a l'etude des mecanismes de degradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en regime Fowler-Nordheim by : Abdellah Mir
Download or read book Contribution a l'etude des mecanismes de degradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en regime Fowler-Nordheim written by Abdellah Mir and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des anomalies de diffusion dans le Silicium by : Elchuri Rao
Download or read book Contribution à l'étude des anomalies de diffusion dans le Silicium written by Elchuri Rao and published by . This book was released on 1972 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium by : Jean Bodinaud
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium written by Jean Bodinaud and published by . This book was released on 1972 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Procédés thermiques rapides by : Francois Marou
Download or read book Procédés thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitutionnelles dans le silicium by : Jean-Claude Pfister
Download or read book Contribution à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitutionnelles dans le silicium written by Jean-Claude Pfister and published by . This book was released on 1967 with total page 39 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la dégradation des couches d'oxyde de silicium ultra-minces, sous contraintes électriques by : Damien Zander
Download or read book Contribution à l'étude de la dégradation des couches d'oxyde de silicium ultra-minces, sous contraintes électriques written by Damien Zander and published by . This book was released on 2002 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intégration de plus en plus importante des composants exige une diminution de l'épaisseur d'oxyde qui est à l'origine de courants de fuite de grille entraînant la dégradation des technologies CMOS. Nous touchons actuellement aux limites physiques des couches de silice, alors que les matériaux susceptibles de remplacer la silice ne sont toujours pas opérationnels, il est donc capital de mettre en évidence et de caractériser les processus de dégradation mis en jeu lors de l'utilisation même des composants. Sur des structures MOS d'épaisseur d'oxyde inférieure à 3nm, nous avons suivi la dégradation du courant de fuite de grille (LVSILC) et de l'interface Si/SiO2, sous différentes contraintes électriques. A partir de nos résultats, nous avons montré que l'augmentation du LVSILC n'était pas due simplement à l'augmentation des états d'interface mais qu'il pouvait y avoir une contribution de pièges dans l'oxyde, induit par la libération d'espèces hydrogénées dans le volume de l'oxyde.
Book Synopsis GRAIN BOUNDARY STRUDIES IN SILICON by : JEAN-LUC.. MAURICE
Download or read book GRAIN BOUNDARY STRUDIES IN SILICON written by JEAN-LUC.. MAURICE and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES JOINTS DE GRAINS, DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, SONT TRES SENSIBLES A LA NATURE DES MICROPRECIPITES D'IMPURETES QU'ILS CONTIENNENT. CES PRECIPITES FORMENT DEUX CLASSES BIEN DISTINCTES: I) LES PRECIPITES METALLIQUES, FORMES DE SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION (FE, NI, CU), QUI ONT UNE INFLUENCE DETERMINANTE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE JOINTS, ET II) LES PRECIPITES ISOLANTS, A BASE D'OXYDE OU D'OXYNITRURE DE SILICIUM, QUI ONT UNE INFLUENCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE
Book Synopsis Oxydation du silicium stimulée par bombardement électronique by : Philippe Collot
Download or read book Oxydation du silicium stimulée par bombardement électronique written by Philippe Collot and published by . This book was released on 1985 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Influence de paramètres de dépôt comme l'énergie du bombardement électronique, la température de croissance sur le processus de croissance. Caractérisation physico-chimique associée à des mesures électriques permettant de considérer la nature des oxydes ultraminces
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion dans les systèmes ternaires Molybdène-Silicium-Carbone et Molybdène-Silicium-Germanium by : Pierre Steinmetz
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion dans les systèmes ternaires Molybdène-Silicium-Carbone et Molybdène-Silicium-Germanium written by Pierre Steinmetz and published by . This book was released on 1977 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La siliciuration superficielle est une méthode intéressante de protection du molybdène et de ses alliages contre l'oxydation à chaud. En effet, le traitement est facile à réaliser et les revêtements du disiliciure MoSi2 sont passivés dans un large domaine de température et de pression d'oxygène, grâce à la formation d'un film de silice. Si l'on excepte les risques d'accidents mécaniques provoquant la fissuration ou le décollement des revêtements, ce système de protection présente toutefois deux inconvénients : - il est thermodynamiquement instable et évolue par diffusion à l'état solide avec formation de composés intermédiaires [...] qui sont beaucoup plus oxydables que le disiliciure [...] ; - il résiste moins bien aux cycles thermiques qu'aux chauffages isothermes, probablement à cause de la différence entre les coefficients de dilatation du disiliciure et de la silice [...]. C'est en vue d'atténuer ces défauts que nous avons étudié des revêtements ternaires associant le silicium au carbone et au germanium.
Book Synopsis Contribution à l'étude du silicium poreux by : Ahmad Bsiesy
Download or read book Contribution à l'étude du silicium poreux written by Ahmad Bsiesy and published by . This book was released on 1991 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES DE TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN SILICE PAR VOIE ANODIQUE ONT ETE ETUDIES. LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES CORRESPONDANTES, ET LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES POREUSES OXYDEES ANODIQUEMENT ONT ETE ANALYSEES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QU'EN MODE INTENTIOSTATIQUE ET POUR DES FAIBLES COURANTS D'OXYDATION LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SE TROUVENT EN DEPLETION ET L'ECHANGE DES TROUS N'EST DONC POSSIBLE QU'AU FOND DES PORES OU L'OXYDATION AURA PRINCIPALEMENT LIEU. POUR DES COURANTS PLUS FORTS, LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SONT DANS UN ETAT DE DEPLETION MOINS PROFOND, VOIRE EN ACCUMULATION, ET L'OXYDATION AURA LIEU A LA FOIS AU FOND DES PORES ET SUR LES FLANCS DE CEUX-CI. UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS PRELIMINAIRES ONT MONTRE QUE LE SILICIUM POREUX PEUT, DANS CERTAINES CONDITIONS, EMETTRE DE LA LUMIERE VISIBLE: LORSQUE LES DIMENSIONS DES FILAMENTS DE SILICIUM CONSTITUANT LE SILICIUM POREUX DEVIENNENT SUFFISAMMENT FINS, LES EFFETS DE CONFINEMENT QUANTIQUE DEPLACENT LES NIVEAUX ELECTRONIQUES ET FONT APPARAITRE UNE LUMINESCENCE DANS LA REGION CORRESPONDANT AUX LONGUEURS D'ONDE VISIBLES
