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Etude Des Phenomenes De Transport Electronique Dans Le Silicium De Type N En Regimes Stationnaires Et Non Stationnaires Par La Methode De Monte Carlo
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Book Synopsis Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo by : Jacques Zimmermann (docteur en science physique.)
Download or read book Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo written by Jacques Zimmermann (docteur en science physique.) and published by . This book was released on 1980 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Quantum Transport in Semiconductor Nanostrucures by : Renaud Leturcq
Download or read book Quantum Transport in Semiconductor Nanostrucures written by Renaud Leturcq and published by . This book was released on 2011 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le fil directeur de mes travaux de recherche est l'étude des propriétés électroniques de systèmes de taille nanométrique réalisés dans les semiconducteurs. Leur caractère commun est que, à suffisamment basse température, leur propriétés de transport sont dominées par la nature quantique des électrons. Outre l'intérêt fondamental de l'étude du transport électronique dans la limite quantique, les nouvelles fonctionnalités ouvertes par ces études pourraient avoir des applications dans des domaines tels que la détection et la métrologie, ou comme base pour le traitement quantique de l'information. L'utilisation de telles nanostructures nécessite cependant de mieux comprendre leurs propriétés de transport, notamment concernant le transport cohérent hors équilibre, ou à l'échelle de l'électron ou du spin individuels. Les travaux que j'ai réalisés en post-doctorat à l'ETH Zürich, et que j'ai entamé à l'IEMN, visent à mieux comprendre ces phénomènes. Ils comprennent principalement trois parties, dont les principaux résultats sont détaillés ci-dessous. Peu d'études se sont intéressées aux propriétés des systèmes nanométriques hors équilibre, qui entrent en jeux dans de nombreuses mesures expérimentales, mais qui sont difficiles à prendre en compte dans des modèles théoriques. La mesure d'une boîte quantique à trois terminaux a permis de mettre en évidence expérimentalement la séparation du pic de densité d'état dans le régime Kondo, résultat important pour comprendre le comportement d'un système d'électrons fortement corrélés hors équilibre. Dans un anneau quantique, nous avons observé l'asymétrie en champ magnétique de la conductance non-linéaire, prédite théoriquement pour des systèmes d'électrons en interaction.
Book Synopsis Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation by : Réza Ardebili
Download or read book Etude par simulation numérique des phénomènes de transport dans les semiconducteurs à relaxation written by Réza Ardebili and published by . This book was released on 1992 with total page 303 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EQUATIONS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUE (L'EQUATION DE POISSON ET LES DEUX EQUATIONS DE CONSERVATION DES PARTICULES ELECTRONS ET TROUS PLUS DEUX EQUATIONS DEFINISSANT LES CINETIQUES D'ECHANGE DE DEUX CENTRES PROFONDS DANS LA BANDE INTERDITE) SONT RESOLUES DANS LE CAS D'UN MECANISME DE CONDUCTION AMBIPOLAIRE EN PRESENCE DE PIEGES ET DANS LE CAS DES TRES FAIBLES DUREES DE VIE. LA METHODE DE RESOLUTION CONSISTE EN UNE LINEARISATION DES EQUATIONS DE TRANSPORT PAR LA METHODE DES DIFFERENCES FINIES. LE SYSTEME EST ENSUITE RESOLU PAR UN ALGORITHME COUPLE DU TYPE NEWTON. LES RESULTATS SONT OBTENUS, EN REGIME STATIONNAIRE, POUR DEUX STRUCTURES DU TYPE P-V ET P-V-N, EN FAISANT VARIER LA DUREE DE VIE AMBIPOLAIRE DE FACON A PASSER D'UN SEMICONDUCTEUR DU TYPE A RELAXATION A UN SEMICONDUCTEUR A DUREE DE VIE. LA SIMULATION, EN REGIME STATIONNAIRE DES STRUCTURES: DIODES P-I-N, SCHOTTKY ET MESFET, PERMET D'ILLUSTRER L'INFLUENCE DE LA PRESENCE DE CENTRES PROFONDS SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES COMPOSANTS. ENFIN, UNE ETUDE DU COMPORTEMENT, EN REGIME TRANSITOIRE, PAR SIMULATION NUMERIQUE, (EXPERIENCE DE HAYNES-SHOCKLEY) MET EN EVIDENCE UN COMPORTEMENT TOTALEMENT DIFFERENT ENTRE UN SEMICONDUCTEUR A DUREE DE VIE ET UN SEMICONDUCTEUR A RELAXATION
Book Synopsis Interplay of Frustration and Geometry in Josephson Junction Arrays on a Dice Lattice by :
Download or read book Interplay of Frustration and Geometry in Josephson Junction Arrays on a Dice Lattice written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est dédiée aux effets de compétition entre le champ magnétique appliqué et la géométrie du pavage de réseaux de jonctions Josephson dans le cas particulier d'un pavage T3 ("dice"). Il s'agit en fait de l'étude d'un système modèle dans des conditions réelles. Le comportement des réseaux de jonctions classiques a été étudié en fonction du champ magnétique appliqué, de la température et de la fréquence avec laquelle le système est excité. Les propriétés de transport des réseaux de jonctions Josephson réalisées par effet de proximité sont mises en évidence par des mesures de l'impédance de surface effectuées au moyen d'une technique inductive qui distingue les travaux de recherche menés au sein du groupe. Selon la valeur du champ magnétique appliqué, il sera impossible pour le réseau de jonctions de se placer dans un minimum absolu d'énergie. Le système doit alors trouver un compromis entre les différentes contraintes liées à la fois au champ magnétique appliqué et à la géométrie du réseau. C'est dans une telle situation que le système est dit frustré. Le comportement est radicalement différent selon l'état de frustration, i.e. selon le champ magnétique appliqué. La particularité du pavage T3, composé de losanges orientés selon trois directions différentes, se manifeste lorsque le champ appliqué est tel que chaque losange du réseau est traversé par un demi quantum de flux. Dans ce cas la cohérence de phase, et par conséquent la supraconductivité, dans l'échantillon est presque supprimée et la dissipation est plus importante que pour n'importe quelle autre valeur de champ magnétique. Une comparaison entre cet état dit totalement frustré et un état qui au contraire présente une forte cohérence de phase a permis de révéler une riche variété de phénomènes. Les propriétés liées au modèle de mécanique statistique étudié, le modèle "XY", appliqué à cette géométrie particulière permettent de comprendre une partie seulement des observations. Il a donc été nécessaire.
Book Synopsis Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells by : Renaud Varache
Download or read book Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.
Book Synopsis Study of III-V nanostructures on GaP for lasing emission on Si by : Cédric Robert
Download or read book Study of III-V nanostructures on GaP for lasing emission on Si written by Cédric Robert and published by . This book was released on 2013 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur l’étude de nanostructures semi- conductrices III-V pour le développement d’émetteurs laser sur silicium dans une approche pseudomorphique. Une croissance en accord de maille d’alliages à base de GaP ou plus précisément de nitrures dilués GaPN doit garantir une faible densité de défauts cristallins. Le modèle des liaisons fortes à base étendue est tout d’abord présenté afin de simuler les propriétés électroniques et optiques de structures semi-conductrices sur substrats de GaP ou Si. Les propriétés des alliages massifs GaPN et GaAsPN sont étudiées par des expériences de photoluminescence continue en fonction de la température et de photoluminescence résolue en temps. Les potentialités des puits quantiques GaAsPN/GaP en tant que zone active sont étudiées théoriquement par le modèle des liaisons fortes et expérimentalement en spectroscopie de photoluminescence en température et résolue en temps. Les effets de désordre engendrés par l’incorporation d’azote sont notamment mis en évidence. L’alliage AlGaP est ensuite proposé pour les couches de confinement optique des structures laser. Un contraste d’indice optique entre AlGaP et GaP est mesuré par ellipsométrie spectroscopique. Ce contraste doit permettre un confinement efficace du mode optique. Le problème de l’alignement des bandes en présence d’aluminium est ensuite évoqué. L’utilisation de l’alliage quaternaire GaAsPN est proposée pour résoudre ce problème. Enfin, les boites quantiques InGaAs/GaP sont étudiées en tant qu’alternative aux puits quantiques GaAsPN/GaP dans la zone active. Une forte densité de boites quantiques et une émission de photoluminescence à température ambiante sont ainsi obtenues pour ce système. Les états électroniques des boîtes quantiques sont simulés par la technique des liaisons fortes et la méthode k.p. La photoluminescence résolue en temps couplée à des expériences de photoluminescence continue sous pression hydrostatique, permet de montrer que la transition fondamentale de ces boîtes implique majoritairement des états de conduction de type X.
Book Synopsis Etude du transport électronique dans un nanofil de silicium by : Emmanuelle Sarrazin
Download or read book Etude du transport électronique dans un nanofil de silicium written by Emmanuelle Sarrazin and published by . This book was released on 2009 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nanofils semi-conducteurs sont devenus en quelques années un intense sujet de recherche. Ces structures uni-dimensionnelles sont considérées comme des briques élémentaires pour les nanodispositifs en raison de leurs intéressantes propriétés électroniques, optiques et thermiques. La connaissance des propriétés de transport est essentielle pour déterminer les performances de ces futurs dispositifs à base de nanofils. Ce travail de thèse a pour objectif de modéliser la mobilité des électrons dans un nanofil de silicium. Il s’articule autour de trois points : la structure de bandes, les mécanismes d’interaction et le transport des porteurs. La structure électronique est tout d’abord calculée à partir de la résolution auto-cohérente des équations de Poisson et de Schrödinger. L’approximation de la masse effective a été utilisée et comparée à la méthode des liaisons fortes afin de discuter de sa validité. Puis, les interactions avec les phonons et la rugosité de surface sont décrites à l’aide de la règle d’or de Fermi. Enfin, la vitesse moyenne des électrons et leur mobilité sont calculées à partir de simulations particulaires de type Monte-Carlo permettant de résoudre l’équation de transport de Boltzmann. Cette approche permet de comprendre l’influence du confinement des électrons et des phonons sur les propriétés de transport et d’évaluer l’effet de l’interaction électron-phonon et de la rugosité de surface sur la mobilité. L’étude de l’influence de la section et de la tension de grille montre une réduction de la mobilité avec la diminution de la section et/ou avec l’augmentation de la tension de grille quels que soient les interactions prises en compte.
Book Synopsis Étude du régime de porteurs chauds dans le silicium de type p by : Jean-Claude Vaissière
Download or read book Étude du régime de porteurs chauds dans le silicium de type p written by Jean-Claude Vaissière and published by . This book was released on 1986 with total page 286 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PROPOSITION DE DEUX MODELES SIMPLIFIES DE LA BANDE DE VALENCE DU SILICIUM UTILISES POUR RESOUDRE L'EQUATION DE BOLTZMANN EN REGIME STATIONNAIRE ET TRANSITOIRE. MISE EN OEUVRE DE DIVERSES TECHNIQUES : METHODE ITERATIVE, METHODE MATRICIELLE, METHODE MONTECARLO, EQUATION DE RELAXATION, ETC... UNE ETUDE EXPERIMENTALE DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT ENTRE 77 ET 300 K A ETE EFFECTUEE. LE COEFFICIENT DE DIFFUSION EN REGIME DE PORTEURS CHAUDS, LA FRACTION DE PORTEURS IONISES ET LA MOBILITE EN PRESENCE DE BRUIT DE GENERATION-RECOMBINAISON ONT ETE OBTENUS A PARTIR DE MESURES DE BRUIT EN IMPULSION
Book Synopsis Etude des phénomènes de transport au voisinage d'une surface ou d'un interface by : Mohamed Charef (Electronicien).)
Download or read book Etude des phénomènes de transport au voisinage d'une surface ou d'un interface written by Mohamed Charef (Electronicien).) and published by . This book was released on 1983 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Pour étudier les propriétés et prévoir les performances d'un composant il est nécessaire d'en posséder un modèle théorique qui décrive son comportement le plus précisément possible et qui permette une meilleure compréhension des phénomènes physiques qui régissent son fonctionnement. La méthode utilisée est celle de Monte Carlo où le comportement des porteurs soumis aux champs électriques appliqués et recréé sur l'ordinateur à l'aide de tirages de nombres pseudo-aléatoires. Le composant considéré est un transistor MOS en régime d'inversion. Dans l'étape de mise au point, nous nous sommes intéressés à l'influence d'une surface limitant le matériau semiconducteur sur le comportement des porteurs dans un champ électrique parallèle à cette surface. Ensuite, nous avons considéré l'influence du champ électrique transversal nécessaire à créer l'inversion. Pour celà nous proposons trois modèles de dynamique électronique. L'un tient compte du caractère quantique du mouvement des électrons perpendiculairement à l'interface. Un second modèle, classique, considère l'interface comme un miroir parfait sur lequel les électrons se réfléchissent de façon spéculaire ou diffuse. Un troisième modèle, classique également, tient compte de la structure de l'interface de façon plus réaliste que le modèle précédent par la présence d'une couche nonstoechismétrique dans l'interface Si/SiOx/SiO2 où 0
Book Synopsis Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux by : Gabriel Mawawa
Download or read book Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux written by Gabriel Mawawa and published by . This book was released on 1988 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE METHODE UTILISE DEUX FAISCEAUX: UN FAISCEAU POMPE STATIONNAIRE D'ENERGIE SUPERIEURE A LA BANDE INTERDITE OPTIQUE ET UN FAISCEAU MODULE MONOCHROMATIQUE D'ENERGIE VARIABLE. LE FAISCEAU DE POMPE CREE DES ELECTRONS ET DES TROUS LIBRES QUI PEUPLENT LES ETATS DE BANDE TANDIS QUE LE FAISCEAU MODULE INDUIT UNE FAIBLE PERTURBATION DE L'ETAT STATIONNAIRE CREE PAR LA POMPE. L'EXPERIENCE REVELE LA PRESENCE DE DEUX GROUPES D'ELECTRONS PIEGES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE NON DOPE, QUI PROVIENNENT DE LA LIAISON DISPONIBLE DU SILICIUM CHARGEE NEGATIVEMENT ET DE LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION
Book Synopsis Etude des phénomènes de transport dans les matériaux semiconducteurs par les méthodes de Monte Carlo by : Anne Kaszynski
Download or read book Etude des phénomènes de transport dans les matériaux semiconducteurs par les méthodes de Monte Carlo written by Anne Kaszynski and published by . This book was released on 1979 with total page 102 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : Christophe Longeaud
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by Christophe Longeaud and published by . This book was released on 1982 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Book Synopsis Etude du transport dans un composant unidimensionnel par la méthode des paquets répartis by : Patrice Houlet
Download or read book Etude du transport dans un composant unidimensionnel par la méthode des paquets répartis written by Patrice Houlet and published by . This book was released on 1995 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EVOLUTION DE LA MICROELECTRONIQUE MODERNE VERS UNE LARGE INTEGRATION (DIMENSIONS ULTRA-SUBMICRONIQUES) ET VERS DES FREQUENCES D'UTILISATION ELEVEES (TERAHERTZ) NECESSITE UNE COMPREHENSION DE PLUS EN PLUS APPROFONDIE DES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT SUR CES ECHELLES DE TEMPS ET DE DISTANCE. LES METHODES DE SIMULATION DU TRANSPORT DANS LES SEMICONDUCTEURS EXISTANTES (MONTE CARLO, RESOLUTION DIRECTE DE L'EQUATION DE BOLTZMANN (EB), ETC.) ONT DES AVANTAGES MAIS AUSSI DES INCONVENIENTS. L'EQUIPE AU SEIN DE LAQUELLE J'AI EFFECTUE CETTE THESE A DEVELOPPE UNE NOUVELLE METHODE DETERMINISTE DE RESOLUTION DE L'EB (METHODE DES PAQUETS REPARTIS) PERMETTANT DE SURMONTER PLUSIEURS DE CES OBSTACLES DANS LE MATERIAU. L'OBJET DE CETTE THESE A ETE DE DEVELOPPER CETTE METHODE, QUI SIMULE LES TRAJECTOIRES DES PARTICULES CHARGEES SOUS L'EFFET DU CHAMP ELECTRIQUE ET DES COLLISIONS, DANS LES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS SUBMICRONIQUES UNIDIMENSIONNELS ET DE L'APPLIQUER A L'ETUDE DU REGIME PETIT-SIGNAL DANS LES COMPOSANTS SILICIUM DE TYPE P+PP+. NOUS AVONS DONNE UNE FORMULATION LOCALE DE L'EB PERMETTANT DE SIMPLIFIER LE CALCUL ET L'UTILISATION DES OPERATEURS DU MOUVEMENT DANS L'ESPACE DES PHASES. LES RESULTATS ONT MONTRE UNE BONNE PRECISION SUR LES FONCTIONS DE DISTRIBUTION DES PORTEURS ET SUR LES PARAMETRES DE TRANSPORT EN REGIME TRANSITOIRE, DUS A LA NATURE DETERMINISTE DE LA METHODE. UNE ETUDE PARTICULIERE A ETE CONSACREE AUX MODELES DE CONTACTS. L'ALGORITHME DE LA METHODE A ENSUITE ETE ADAPTE POUR LE CALCUL DES COEFFICIENTS PETITS-SIGNAUX. NOUS AVONS PRESENTE DEUX METHODES DE REPONSE LINEAIRE POUR LE CALCUL DE LA MOBILITE DIFFERENTIELLE DANS LE MATERIAU. DANS LE COMPOSANT, NOUS AVONS MIS AU POINT ET VALIDE PLUSIEURS TECHNIQUES DE REPONSE A TENSION OU COURANT CONSTANT PERMETTANT LE CALCUL DU CHAMP D'IMPEDANCE DIFFERENTIEL ET LE SPECTRE DE L'IMPEDANCE DIFFERENTIELLE. NOUS AVONS DONNE UNE TECHNIQUE DE CALCUL DE L'INFLUENCE D'UNE PERTURBATION LOCALE SUR LES ELECTRODES DU COMPOSANT. CETTE METHODE, BASEE SUR LE PRINCIPE DE LA REPONSE IMPULSIONNELLE, PERMET LE CALCUL DU CHAMP D'IMPEDANCE
Book Synopsis Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V by : Olivier Mouton
Download or read book Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 1996 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN CHAMP FORT DANS LES MATERIAUX TROIS-CINQ, A L'AIDE D'UN MODELE ORIGINAL DE LA STRUCTURE DE BANDE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES REND COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE REELLE AVEC SUFFISAMMENT DE PRECISION, TOUT EN NE NECESSITANT PAS UN IMPORTANT VOLUME DE CALCUL. DANS LE PREMIER CHAPITRE APRES AVOIR RAPPELE LES ASPECTS THEORIQUES FONDAMENTAUX DU TRANSPORT ELECTRONIQUE, NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX MODELES DE STRUCTURE DE BANDE. PUIS NOUS RAPPELONS SOMMAIREMENT LES PRINCIPAUX MECANISMES D'INTERACTIONS DANS LE MATERIAU MASSIF. L'IONISATION PAR CHOC, PHENOMENE IMPORTANT EN CHAMP FORT, EST PARTICULIEREMENT DECRITE. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU DEVELOPPEMENT DU MODELE DES VALLEES ETENDUES. LE MODELE PREND AUSSI BIEN EN COMPTE LA PREMIERE BANDE DE CONDUCTION QUE LA SECONDE BANDE. IL DECRIT CORRECTEMENT LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES DIRECTIONS PRINCIPALES ET AU VOISINAGE DES PRINCIPAUX MINIMA ET MAXIMA D'ENERGIE. LA DENSITE D'ETATS QUI EN DECOULE PERMET D'EN DEDUIRE DES PROBABILITES D'INTERACTION REALISTES SUR TOUTE LA GAMME D'ENERGIE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES EST ENSUITE MIS EN UVRE DANS LA METHODE MONTE-CARLO AFIN DE PROCEDER A LA SIMULATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE LE TRANSPORT DANS LES MATERIAUX GAAS ET INP, CE QUI PERMET DE PRESENTER DES GRANDEURS IMPORTANTES COMME L'ENERGIE MOYENNE, LA VITESSE DE DERIVE STATIONNAIRE, LE LIBRE PARCOURS MOYEN, ET LE COEFFICIENT D'IONISATION PAR CHOC. L'IONISATION PAR CHOC EST DETAILLEE, ET LE ROLE DE LA DEUXIEME BANDE CONDUCTION DANS CE PHENOMENE EST VERIFIE
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : OLIVIER.. GLODT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Book Synopsis Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V by : Olivier Mouton
Download or read book Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail presente une etude theorique du transport electronique en champ fort dans les materiaux trois-cinq, a l'aide d'un modele original de la structure de bande. Le modele des vallees etendues rend compte de la structure de bande reelle avec suffisamment de precision, tout en ne necessitant pas un important volume de calcul. Dans le premier chapitre apres avoir rappele les aspects theoriques fondamentaux du transport electronique, nous presentons les principaux modeles de structure de bande. Puis nous rappelons sommairement les principaux mecanismes d'interactions dans le materiau massif. L'ionisation par choc, phenomene important en champ fort, est particulierement decrite. Le deuxieme chapitre est consacre au developpement du modele des vallees etendues. Le modele prend aussi bien en compte la premiere bande de conduction que la seconde bande. Il decrit correctement la structure de bande dans les directions principales et au voisinage des principaux minima et maxima d'energie. La densite d'etats qui en decoule permet d'en deduire des probabilites d'interaction realistes sur toute la gamme d'energie. Le modele des vallees etendues est ensuite mis en uvre dans la methode monte-carlo afin de proceder a la simulation du transport electronique. Le troisieme chapitre etudie le transport dans les materiaux gaas et inp, ce qui permet de presenter des grandeurs importantes comme l'energie moyenne, la vitesse de derive stationnaire, le libre parcours moyen, et le coefficient d'ionisation par choc. L'ionisation par choc est detaillee, et le role de la deuxieme bande conduction dans ce phenomene est verifie.
Book Synopsis Simulation des mécanismes de transport quantique dans les nanocomposants sur Silicium by : Adel Bouazra
Download or read book Simulation des mécanismes de transport quantique dans les nanocomposants sur Silicium written by Adel Bouazra and published by . This book was released on 2010 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction de la taille des composants électroniques a entrainé des effets quantiques inévitables, à l’image du confinement quantique et l’effet tunnel. Nous avons essayé de mettre à profit ces phénomènes, pour l’étude du transport quantique à travers des oxydes ultras minces. En effet nous avons commencé par l’étude du transport quantique sur des structures 1D par la résolution des équations de Schrödinger-Poisson couplées. Un oxyde parfait n’existe pas et tenir compte des pièges est indispensable, c’est pourquoi nous les avons modélisé par un puit de potentiel, au niveau d’un oxyde et à l’interface entre deux diélectriques. La modélisation 1D ne suffit plus pour expliquer tous les phénomènes quantiques, c’est pourquoi l’étude et la modélisation des inclusions nanométriques, présentant un confinement bidimensionnel pour les fils et tridimensionnel pour les boites quantiques est primordiale. Pour ce faire, nous avons résolu les équations de Schrödinger en 2D et en 3D. l’étude du phénomène du transport à travers des boites quantiques, passe par la résolution des équations de Schrödinger-Poisson 3D. Nous nous sommes confrontés principalement à deux problèmes, techniquement très difficile à résoudre, qui se résume sur l’énorme temps de calcul machine et l’espace mémoire pris pour la résolution des problèmes à valeurs propres. L’approximation qui a été réalisée est de calculer l’équation de Poisson 3D en fixant à chaque fois le niveau de Fermi
