Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Contribution A Letude Des Defauts De Linterface Silicium Isolant Dans Les Transistors Mos Avances
Download Contribution A Letude Des Defauts De Linterface Silicium Isolant Dans Les Transistors Mos Avances full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Contribution A Letude Des Defauts De Linterface Silicium Isolant Dans Les Transistors Mos Avances ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés by : Fayçal Rahmoune
Download or read book Contribution à l'étude des défauts de l'interface silicium/isolant dans les transistors MOS avancés written by Fayçal Rahmoune and published by . This book was released on 2004 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE MEMOIRE EST L'ETUDE DES DEFAUTS (ETATS RAPIDES ET ETATS LENTS) DE L'INTERFACE SILICIUM/ISOLANT. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST LA SUITE D'UN TRAVAIL DE THESE SUR L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES DEFAUTS DE L'INTERFACE SI-SIO2 PAR LA TECHNIQUE DU POMPAGE DE CHARGES. DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROFIL DE PIEGES OBTENU PAR CETTE TECHNIQUE EST DU A UNE DISTRIBUTION DE CONSTANTES DE TEMPS DE CAPTURE ET NON A UNE DISTRIBUTION EN ENERGIE DES VALEURS DE SECTION DE CAPTURE. NOUS AVONS TROUVE AUSSI QUE LES FLUCTUATIONS DE POTENTIEL DE SURFACE CONTRIBUENT A L'ELARGISSEMENT DU PIC DU PROFIL BRUT SIMULE CE QUI EST EN TRES BON ACCORD AVEC LE PROFIL BRUT MESURE. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS AVONS COMPARE LES DEUX MODELES DE CAPTURE PAR EFFET TUNNEL PUR ET DE CAPTURE ACTIVEE THERMIQUEMENT. LE PREMIER EST PLUS FAVORABLE POUR EXPLIQUER LA PARTIE DU PLATEAU TANDIS QUE LE SECOND EST PLUS ADAPTE POUR LA PARTIE EXPONENTIELLE DU PROFIL. ENFIN NOUS AVONS COMPARE LES PROFILS MESURES PAR POMPAGE DE CHARGES AVEC CEUX OBTENUS PAR LA TECHNIQUE DE TANNER ET AL. DANS LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS PRESENTE DEUX TECHNIQUES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-SIO2 DANS LES MOSFET'S A OXYDE ULTRA MINCE. L'UNE EST BASEE SUR L'APPROCHE SILC, L'AUTRE SUR LE POMPAGE DE CHARGES. CES DEUX TECHNIQUES ONT ETE UTILISEES POUR ETUDIER L'EVOLUTION DE LA DENSITE DE DEFAUTS AVEC LE STRESS ELECTRIQUE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CINETIQUE DE GENERATION DE DEFAUTS OBTENUE PAR POMPAGE DE CHARGES EST INFERIEURE A CELLE OBTENUE PAR L'APPROCHE SILC POUR DES EPAISSEURS D'OXYDE ENTRE 1.2 NM ET 2.3 NM.
Book Synopsis CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DE NOUVELLES TECHNIQUES DE POMPAGE DE CHARGE POUR L'ETUDE DES DEFAUTS D'INTERFACE DANS LES TRANSISTORS MOS SILICIUM SUBMICRONIQUES by : 1969-.... Autran
Download or read book CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DE NOUVELLES TECHNIQUES DE POMPAGE DE CHARGE POUR L'ETUDE DES DEFAUTS D'INTERFACE DANS LES TRANSISTORS MOS SILICIUM SUBMICRONIQUES written by 1969-.... Autran and published by . This book was released on 1994 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOTRE CONTRIBUTION PORTE SUR L'ETUDE DES DEFAUTS PONCTUELS AUX INTERFACES ISOLANT-SEMICONDUCTEUR. NOUS AVONS DEVELOPPE, SUR LE PLAN EXPERIMENTAL, DIFFERENTES APPROCHES DE LA TECHNIQUE DU POMPAGE DE CHARGE (A TROIS NIVEAUX, SPECTROSCOPIQUE, A BASSE FREQUENCE) DANS LE BUT D'ETUDIER, DANS DES TRANSISTORS MOS SILICIUM DE PETITES GEOMETRIES, LES PRINCIPALES PROPRIETES DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS A L'INTERFACE OXYDE-SEMICONDUCTEUR. LA PREMIERE PARTIE DE NOTRE TRAVAIL A CONSISTE A DEVELOPPER UNE INSTRUMENTATION PERFORMANTE DE CET ENSEMBLE DE TECHNIQUES ET A EVALUER CES METHODES EN LES COMPARANT AUX TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE SPECTROSCOPIE ELECTRIQUE. EN PARTICULIER, NOUS MONTRONS QU'IL EST POSSIBLE DE DETERMINER, GRACE AU POMPAGE DE CHARGE A TROIS NIVEAUX, LA DISTRIBUTION ENERGETIQUE DES PARAMETRES DES PIEGES D'INTERFACE DANS LA QUASI-TOTALITE DE LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR POUR DES STRUCTURES FORTEMENT SUBMICRONIQUES DONT L'AIRE DE GRILLE N'EXCEDE PAS QUELQUES MICRONS CARRES. CES NOUVELLES TECHNIQUES SONT MISES A PROFIT DANS LA DEUXIEME PARTIE DE NOTRE TRAVAIL, POUR ETUDIER LA PHYSIQUE DES DEFAUTS DU SYSTEME SI-SIO#2 (100). LE CAS DES OXYDES NITRURES MINCES (8 NM) A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE PARTICULIERE TOUT COMME LA CARACTERISATION DE DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES D'UNE FILIERE CMOS SUBMICRONIQUE. ENFIN, L'INFLUENCE DES RAYONNEMENTS IONISANTS (RAYONNEMENTS GAMMA) ET D'UNE INJECTION FOWLER-NORDHEIM SUR LA REPONSE EN POMPAGE DE CHARGE DU SYSTEME SI-SIO#2 A ETE ANALYSEE POUR PRECISER LA NOTION D'ETATS RAPIDES ET D'ETATS LENTS. DANS LE CADRE DE CETTE ETUDE, NOUS PROPOSONS UNE NOUVELLE METHODE DE POMPAGE DE CHARGE POUR CARACTERISER, D'UN POINT DE VUE SPECTROSCOPIQUE, LES PIEGES D'OXYDE PROCHES DE L'INTERFACE (QUELQUES MANOMETRES) QUI INTERAGISSENT ELECTRIQUEMENT AVEC LE SEMICONDUCTEUR, VIA UN MECANISME D'EFFET TUNNEL
Book Synopsis Etude des défauts de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS conventionnels et de ceux de la couche interfaciale des transistors MOS avec HfO2 comme diélectrique de grille by : Oussama Ghobar
Download or read book Etude des défauts de l'interface Si/SiO2 des transistors MOS conventionnels et de ceux de la couche interfaciale des transistors MOS avec HfO2 comme diélectrique de grille written by Oussama Ghobar and published by . This book was released on 2008 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire porte sur la caractérisation des défauts dans les isolants de transistors MOS, soit conventionnels, c'est à dire avec Si02 seul, soit avec Hf O2 comme oxyde de grille, en utilisant la technique de pompage de charges. Concernant les dispositifs avec Si02, il s'est agi de caractériser les défauts de l'interface Si/Si02 dans les transistors complètement « processés », défauts dont la nature était inconnue jusqu'à récemment, et plus précisément de vérifier un modèle dans lequel ces défauts sont des états donneurs et accepteurs, en fait ceux de centres PbO. Pour les transistors avec Hf O2, l'attention s'est portée sur la caractérisation et l'identification des défauts de la couche interfaciale de Si02 qui croît entre le substrat et le Hf 02. A l'interface avec le silicium, il s'agit à nouveau des centres PbO mais qui ont là des caractéristiques différentes de ceux rencontrés avec du Si02 massif. En direction du Hf O2, les défauts résultent probablement de lacunes d'oxygène (centres E')
Book Synopsis ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) by : FEDERICO.. FACCIO
Download or read book ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) written by FEDERICO.. FACCIO and published by . This book was released on 1997 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE LA PERFORMANCE ANALOGIQUE ET LE COMPORTEMENT EN ENVIRONNEMENT RADIATIF DE LA TECHNOLOGIE DURCIE HSOI3-HD EN VUE D'APPLICATIONS POUR L'ELECTRONIQUE DU LHC, FUTUR ACCELERATEUR DE PARTICULES DU CERN. CETTE TECHNOLOGIE CMOS SUR SOI N'EST PAS SENSIBLE AU LATCH-UP ET SON SEUIL DE SENSIBILITE POUR L'ALEA LOGIQUE (SEU) EST TRES ELEVE. NOUS AVONS MESURE ET ANALYSE LES EFFETS DE LA DOSE INTEGREE SUR LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES TRANSISTORS, ET VERIFIE QUE LE DURCISSEMENT JUSQU'A 25 MRAD EST SATISFAISANT POUR LES APPLICATIONS VISEES. LES EFFETS DES IRRADIATIONS AVEC PROTONS ET NEUTRONS ONT ETE MESURES, ET MONTRENT QUE LES EFFETS D'IONISATION DOMINENT SUR LES EFFETS DE DEPLACEMENT PROVOQUES PAR CES PARTICULES. LORS DE L'ETUDE DU BRUIT, NOUS AVONS OBSERVE UNE COMPOSANTE ADDITIONNELLE QUI APPARAIT DANS LE SPECTRE ET SE SUPERPOSE AUX SOURCES DE BRUIT 1/F ET BLANC. CETTE COMPOSANTE SE PRESENTE COMME UNE BOSSE QUI SE DEPLACE EN AMPLITUDE ET FREQUENCE EN FONCTION DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT ET DU FILM (BODY). LE MODELE QUE NOUS PROPOSONS SUR SON ORIGINE MET EN JEU LA RESISTANCE DU FILM, QUI GENERE UN BRUIT BLANC FILTRE PAR LA CAPACITE CONSTITUEE PAR LES GRILLES DE FACE AVANT ET DE FACE ARRIERE DU TRANSISTOR. LE BRUIT DE LA RESISTANCE EST TRANSMIS EN COURANT AU DRAIN, ET ATTENUE A PARTIR DE LA FREQUENCE DE COUPURE DU FILTRE. NOUS PRESENTONS UNE SERIE DE VERIFICATIONS EXPERIMENTALES DE CE MODELE, REALISEES SUR DES STRUCTURES SPECIALEMENT CONCUES. UN CIRCUIT CONVERTISSEUR NON LINEAIRE A 11 BITS DE DYNAMIQUE, FONCTIONNANT A 5 MHZ AVEC UNE CONSOMMATION INFERIEURE A 50 MW, A ETE CONCU ET FABRIQUE. L'IRRADIATION A 10 MRAD A COMPROMIS LE FONCTIONNEMENT CORRECT DU CIRCUIT, CE QUI N'EST PAS EXPLICABLE A PARTIR DES MESURES STATISTIQUES SUR LES TRANSISTORS FABRIQUES EN MEME TEMPS. IL SEMBLE DONC NECESSAIRE, DANS L'EVALUATION DU DURCISSEMENT D'UNE TCHNOLOGIE, DE PASSER PAR UNE PHASE DE QUALIFICATION DES CIRCUITS TYPIQUES DE L'APPLICATION SOUHAITEE.
Book Synopsis Contribution au developpement de nouvelles techniques de pompage de charge pour l'etude des defauts d'interface dans les transistors MOS silicium submicroniques by : Jean-Luc Autran
Download or read book Contribution au developpement de nouvelles techniques de pompage de charge pour l'etude des defauts d'interface dans les transistors MOS silicium submicroniques written by Jean-Luc Autran and published by . This book was released on 1994 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en régime Fowler-Nordheim by : Abdellah Mir
Download or read book Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en régime Fowler-Nordheim written by Abdellah Mir and published by . This book was released on 1993 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant by : Eric Mazaleyrat
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant written by Eric Mazaleyrat and published by . This book was released on 1988 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DISPOSITIFS MOS AU SUBSTRAT ISOLANT. APRES UNE ANALYSE DES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DE CETTE TECHNOLOGIE PAR RAPPORT A CELLES SUR SUBSTRAT MASSIF, L'AUTEUR ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATEURS NUMERIQUES, LE COMPORTEMENT INTERNE DE LA STRUCTURE A DESERTION PROFONDE. UNE COMPARAISON ENTRE LE SOI DE TYPE SIMOX ET LE SOS EST DEVELOPPEE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES ENTRANT EN JEU DANS LES DIODES CONTROLLEES PAR GRILLE, PERMET D'ELABORER UN MODELE PRECIS DE TRANSISTOR MOS
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors MOS by : Mario Zamorano (auteur d'une thèse de sciences.)
Download or read book Contribution à l'étude des transistors MOS written by Mario Zamorano (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT DES TECHNOLOGIES DE CONCEPTION ADAPTEES A LA REALISATION DE STRUCTURES A DOUBLE GRILLE UTILISABLES DANS LE DOMAINE U.H.F. ETABLISSEMENT DES MODELES MATHEMATIQUES ET SCHEMAS EQUIVALENTS DE CES STRUCTURES A PARTIR DES PHENOMENES PHYSIQUES DONT ELLE EST LE SIEGE, DEFINITION DES TECHNIQUES DE DETERMINATION DES PARAMETRES DE CES MODELES POUR DES MESURES ADAPTEES ET PROPOSITION SUR LA BASE DE CRITERES DEFINIS, DE QUELQUES METHODES D'EVALUATIONS DE PERFORMANCES PLUS SPECIFIQUES. LES 2 TYPES DE TRANSISTORS ETUDIES DANS LA 1ERE PARTIE SONT DES TETRODES SUR SILICIUM MASSIF ET SUR SILICIUM SUR ISOLANT. DANS LA 2EME PARTIE ON APPORTE UNE CONTRIBUTION A L'ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR DE PUISSANCE A CANAL VERTICAL, ET ON MET EN EVIDENCE SES PROPRIETES ACTUELLES POUR L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN by : FRANCIS.. PETINOT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN written by FRANCIS.. PETINOT and published by . This book was released on 1998 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONTRIBUE A LA COMPREHENSION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT) EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN VUE DE LEUR INTEGRATION DANS UNE MATRICE ACTIVE D'ECRAN LCD. DEUX POINTS SONT PARTICULIEREMENT ETUDIES : L'HYDROGENATION DES TFTS ET LES MECANISMES DE DEGRADATION DE CE COMPOSANT. APRES AVOIR EXPOSE LE CONTEXTE INDUSTRIEL DE L'ETUDE, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DU TFT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN SONT PRESENTEES. L'INFLUENCE DE LA DENSITE D'ETATS DE VOLUME DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR Y EST ETUDIEE. ON DEVELOPPE ENSUITE L'ETAPE DE POST-HYDROGENATION DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN. APRES UNE OPTIMISATION DE CETTE ETAPE PAR PLASMA (RADIOFREQUENCE OU MICROONDE) ET DES RAPPELS SUR L'INTERACTION DE L'HYDROGENE AVEC LES DEFAUTS DANS LE SILICIUM, LE MECANISME DE DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LA STRUCTURE DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN EST DEVELOPPE EN CORRELANT DES ANALYSES SIMS ET DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS DE GEOMETRIES ET DE NATURES DIFFERENTES. L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN REGIME SATURE, EST INTRODUITE PAR UNE ANALOGIE COMPORTEMENTALE AVEC LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN. APRES AVOIR PRESENTE DEUX MODELES RELATIFS A LA DEGRADATION DANS LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN ET A L'EFFET KINK DANS LES STRUCTURES MOS SUR ISOLANT, L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES DU TRANSISTOR (HYDROGENATION, LONGUEUR DE GRILLE, TYPE DU TRANSISTOR, PRESENCE DE LDD ET CRISTALLINITE DE LA COUCHE ACTIVE) SUR SA STABILITE ELECTRIQUE Y EST DEVELOPPEE. LES CONDITIONS DE POLARISATION DES TFTS POUR OBTENIR UN FONCTIONNEMENT STABLE SONT PRESENTEES POUR LES DIFFERENTS TYPES DE TFT.
Book Synopsis Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS by : Yazid Derouiche
Download or read book Étude expérimentale des dégradations des transistors N-MOS written by Yazid Derouiche and published by Editions Universitaires Europeennes. This book was released on 2019-01-21 with total page 160 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que: les variations de la tension de seuil ΔVth, de la tension de bandes plates ΔVfb, de la densité des états d'interface moyenne Δ Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Δσ;σ = σn.σ p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2μm a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.
Book Synopsis Caractérisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec contrôle du potentiel par une grille arrière by : Francis Balestra
Download or read book Caractérisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec contrôle du potentiel par une grille arrière written by Francis Balestra and published by . This book was released on 1985 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-ISOLANT. REALISATION D'UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE, BASE SUR UNE METHODE AUX DIFFERENCES FINIES, QUI PERMET DE CONNAITRE LA REPARTITION DE POTENTIEL DANS DE TELLES STRUCTURES CONTROLEES PAR DEUX GRILLES. CE PROGRAMME EST APPLIQUEE AU CAS DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-SAPHIR (SOS), DONT LE SAPHIR A ETE AMINCI PAR USINAGE ULTRASONORE POUR FACILITER LES MESURES A L'AIDE D'UNE GRILLE ARRIERE. DANS BEAUCOUP DE CAS, LA SIMULATION NUMERIQUE EST INDISPENSABLE POUR INTERPRETER CONVENABLEMENT LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DE TELS DISPOSITIFS. ON A PU, PAR AILLEURS, CONNAITRE PRECISEMENT L'EFFET DE CHAQUE PARAMETRE DE CES STRUCTURES (DOPAGE DU SILICIUM, EPAISSEURS DES DIFFERENTES COUCHES, CHARGES AUX INTERFACES...) SUR LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EN OUTRE, IL A ETE EXAMINE, A L'AIDE DU PROGRAMME, LES DOMAINES DE VALIDITE ET LES LIMITES DES MODELES ANALYTIQUES EXISTANT DANS LA LITTERATURE
Book Synopsis Etude des défauts induits par recuit laser excimère dans le silicium by : Richard Monflier
Download or read book Etude des défauts induits par recuit laser excimère dans le silicium written by Richard Monflier and published by . This book was released on 2019 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.
Book Synopsis CONTRIBUTION A LA MISE AU POINT DE METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM-CORINDON by : CHOUJAA ABDELKRIM.
Download or read book CONTRIBUTION A LA MISE AU POINT DE METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM-CORINDON written by CHOUJAA ABDELKRIM. and published by . This book was released on 1977 with total page 61 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'IDEE DE REALISER DES CIRCUITS RAPIDES SUR FILM MINCE DE SILICIUM SUR SUBSTRAT ISOLANT (CORINDON OU SPINELLE) EST TRES ANCIENNE. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE DETERMINER DES METHODES NOUVELLES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-CORINDON: PRINCIPALES DIFFICULTES RENCONTREES DANS LA CARACTERISATION DE LA COUCHE MINCE DE SI EPITAXIE SUR CORINDON ET DE L'INTERFACE SI-CORINDON, METHODE (IV) HAUTE TENSION ADAPTEE AUX STRUCTURES METAL-CORINDON-SILICIUM, METHODE NOUVELLE DE CARACTERISATION FONDEE SUR L'ETUDE DES PHENOMENES DE FLUCTUATION DANS LES TRANSISTORS MOS/CORINDON. ON PRECISE LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI JOUENT LE ROLE FONDAMENTAL DANS LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SI-CORINDON.
Book Synopsis Contribution a l'etude des mecanismes de degradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en regime Fowler-Nordheim by : Abdellah Mir
Download or read book Contribution a l'etude des mecanismes de degradation de l'interface silicium-oxyde de silicium sous l'effet d'injection de porteurs en regime Fowler-Nordheim written by Abdellah Mir and published by . This book was released on 1993 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'avalanche à l'interface silice - silicium by : Daniel Woerhn
Download or read book Contribution à l'étude de l'avalanche à l'interface silice - silicium written by Daniel Woerhn and published by . This book was released on 1970 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude et à la mise au point d'une technologie pour le transistor DMOS canal N sur silicium sur corindon by : Agustin Monroy-Aguirre
Download or read book Contribution à l'étude et à la mise au point d'une technologie pour le transistor DMOS canal N sur silicium sur corindon written by Agustin Monroy-Aguirre and published by . This book was released on 1980 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ADAPTATION DU TRANSISTOR DMOS A UN NOUVEAU SUBSTRAT: LE SILICIUM SUR ISOLANT, ET ETUDE DES CONSEQUENCES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES. ANALYSE DU TRANSISTOR DMOS AFIN DE METTRE EN EVIDENCE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES INHERENTES A SA STRUCTURE. MISE AU POINT D'UNE TECHNOLOGIE POUR LA FABRICATION DES TRANSISTORS DMOS A CANAUX TRES COURTS (0,6 MU M) SUR SILICIUM SUR CORINDON. CARACTERISATION ELECTRIQUE DU DMOS ET DES DISPOSITIFS DE TEST. MODELISATION DU TRANSISTOR DMOS. DETERMINATION DE LA VITESSE LIMITE DES PORTEURS DANS LE CANAL DU DMOS
Book Synopsis Analyse électrique des dégradations induites par radiations ionisantes sur des transistors MOS by : Valérie Berland
Download or read book Analyse électrique des dégradations induites par radiations ionisantes sur des transistors MOS written by Valérie Berland and published by . This book was released on 1992 with total page 322 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EFFETS DES RAYONS X SUR LES STRUCTURES MOS SE MATERIALISENT PAR LA CREATION DE CHARGES DANS L'OXYDE ET DE DEFAUTS D'INTERFACE. CES DEGRADATIONS SONT EVALUEES SUR DES TRANSISTORS MOS DE TECHNOLOGIE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI/SIMOX) ET SILICIUM MASSIF, PAR LES DERIVES DES PARAMETRES ELECTRIQUES A SAVOIR LA TENSION DE SEUIL ET LE BRUIT BASSES FREQUENCES DU CANAL EN REGIME LINEAIRE. A PARTIR DE CES VARIATIONS, ON EN DEDUIT DES INDICATEURS DE DEGRADATIONS: L'EFFICACITE DE PIEGEAGE ET UNE CONSTANTE ASSOCIEE AU BRUIT EN EXCES. POUR DIFFERENTES GAMMES DE DOSES CUMULEES, IL A ETE MIS EN EVIDENCE DES CORRELATIONS ENTRE CES DERIVES ET LA NATURE AINSI QUE LES DENSITES DES DEFAUTS CREES. L'EVOLUTION DE CES GRANDEURS APRES IRRADIATION CONFIRME LA CORRELATION ENTRE LES DERIVES DE LA TENSION DE SEUIL ET L'AUGMENTATION DU BRUIT DU CANAL
