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Modelisation Et Caracterisation Des Transistors Soi
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Book Synopsis Modelisation et caracterisation des transistors SOI : du pseudo-MOSFET au MOSFET submicronique ultre-mince by : Daniela Munteanu
Download or read book Modelisation et caracterisation des transistors SOI : du pseudo-MOSFET au MOSFET submicronique ultre-mince written by Daniela Munteanu and published by . This book was released on 1999 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Modélisation et caractérisation des transistors SOI by : Daniela Munteanu
Download or read book Modélisation et caractérisation des transistors SOI written by Daniela Munteanu and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST DE CONTRIBUER A L'ANALYSE ET A L'OPTIMISATION DES MATERIAUX SOI ET AU DEVELOPPEMENT DE MODELES PHYSIQUES ET DE METHODES DE CARACTERISATION ADAPTEES AUX DISPOSITIFS SOI. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS L'INTERET DE LA TECHNOLOGIE SOI, SES AVANTAGES ET SES INCONVENIENTS PAR RAPPORT A LA TECHNOLOGIE SI MASSIF. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DU MATERIAU, EN UTILISANT LA TECHNIQUE -MOSFET, METHODE TRES APPROPRIEE POUR COMPARER LA QUALITE ET LES PARAMETRES ELECTRIQUES DES DIFFERENTES STRUCTURES SOI. UNE ANALYSE APPROFONDIE DE LA VALIDITE DE CETTE TECHNIQUE EST REALISEE PAR SIMULATION NUMERIQUE. LA TECHNIQUE -MOSFET EST ENSUITE APPLIQUEE A L'ANALYSE DE PLUSIEURS MATERIAUX SOI ET DE CERTAINS PROCEDES TECHNOLOGIQUES. LE TROISIEME CHAPITRE PORTE SUR LA CARACTERISATION DES DISPOSITIFS SOI FINIS, AVEC UNE ETUDE DETAILLEE DU FONCTIONNEMENT EN HAUTE ET BASSE TEMPERATURE. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DE TRANSISTORS SOI ULTIMES : (A) LE FONCTIONNEMENT EN BASSE TEMPERATURE DU DT-MOS EST ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET SES AVANTAGES PAR RAPPORT AUX STRUCTURES CLASSIQUES SONT MIS EN EVIDENCE ; (B) DES MESURES SUR DES TMOS ULTRA-MINCES DEMONTRENT LEUR FONCTIONNALITE AINSI QUE L'IMPACT DE MECANISMES PHYSIQUES PARTICULIERS (INVERSION VOLUMIQUE, FORT COUPLAGE DES INTERFACES, EFFETS QUANTIQUES). LE QUATRIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DES MECANISMES TRANSITOIRES DANS LES TMOS/SOI. DIFFERENTS TYPES DE TRANSITOIRES DU COURANT DE DRAIN (OVERSHOOT ET UNDERSHOOT, SIMPLE ET DOUBLE GRILLE) SONT MESURES ET SIMULES AVEC ATLAS ET SOI-SPICE. CES PHENOMENES SONT UTILISES A L'EXTRACTION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS, PARAMETRE ESSENTIEL QUI REFLETE LA QUALITE DU FILM SOI.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation des transistors MOS sur substrat SOI pour des applications micro-ondes by : Alexandre Bracale
Download or read book Caractérisation et modélisation des transistors MOS sur substrat SOI pour des applications micro-ondes written by Alexandre Bracale and published by . This book was released on 2001 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Transistor SOI à quatre grilles by : Kerem Akarvardar
Download or read book Transistor SOI à quatre grilles written by Kerem Akarvardar and published by . This book was released on 2006 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce travail, nous présentons une étude approfondie du transistor SOI à quatre grilles, le G4-FET. Le G4-FET dispose de quatre grilles indépendantes qui maximisent la fonctionnalité en combinant les effets MaS et JFET simultanément, dans une même région du semiconducteur (le "body"). Notre analyse repose sur la distinction entre les modes de conduction surfacique et volumique du G4-FET et comporte trois parties: caractérisation, modélisation et applications. Dans la première partie, nous introduisons les caractéristiques statiques, les mesures de bruit basse fréquence, d'irradiation et de basse température. A partir des résultats expérimentaux, nous démontrons qu'en mode volumique, le G4-FET présente un potentiel considérable pour les applications analogiques, notamment à faible bruit. Ensuite, la comparaison in situ des caractéristiques de bruit pour différents modes de conduction nous permet de contribuer au "débat éternel" sur l'origine du bruit en 1/f. Finalement, à partir des caractéristiques d'irradiation du G4-FET nous mettons en évidence, pour la première fois, la neutralisation des accepteurs induite par l'irradiation dans les transistors MaS SOI à canal n partiellement désertés. Dans la deuxième partie, nous modélisons la distribution de potentiel 2-D du body, qui constituera la base pour nos modèles de tension de seuil, pente sous le seuil et courant de drain. Le modèle de potentiel et les équations de couplage qui en résultent sont applicables aux transistors MaS SOI complètement désertés à canal court et aux transistors à triple-grille. La troisième partie est consacrée aux circuits analogiques et numériques innovants à base de G4-FETs : multiplieur analogique, dispositif à résistance différentielle négative commandé en tension, oscillateur LC, trigger de Schmitt, inverseur G4-FET, porte logique reconfigurable et cellule à gain DRAM.
Book Synopsis Caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés by : Myriam Assous
Download or read book Caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés written by Myriam Assous and published by . This book was released on 1999 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne la caractérisation de transistors 1 bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH SiGe). Mon rôle a été d'étudier certaines spécificités du comportement électrique du TBH SiGe liées à la présence d'une base épitaxiée, et de mettre ainsi en évidence ce qui apparaissait comme atypique dans le fonctionnement de ce dispositif par rapport au transistor bipolaire silicium actuel. Dans ce contexte, nous avons porté une attention particulière à l'étude du courant de fuite de la jonction base-collecteur et à l'étude de la recombinaison en base neutre. Nous nous sommes attachés à corréler nos mesures électriques à la technologie. Nous avons ainsi contribué a l'amélioration du nettoyage avant l'épitaxie et de la qualité cristalline du matériau SiGe. Nos analyses électriques de la recombinaison en base neutre nous : ont permis de mettre au point une méthode d'extraction de la durée de vie apparente des électrons dans la base neutre. Cette méthode apporte les 1 éléments de base pour formuler une modélisation du courant de recombinaison en base neutre qui peut être intégrée dans un modèle compact de TBH (utilisable pour la simulation de circuits). Enfin, nous avons fourni les grandeurs électriques de TBH SiGe pour évaluer par la simulation de circuits le gain en performances apporté par ce dispositif pour des applications radiofréquences.
Book Synopsis MODELISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, SUR MATERIAUX 3-5, POUR APPLICATIONS MICRO-OPTOELECTRONIQUES by : PHILIPPE.. CARER
Download or read book MODELISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP, SUR MATERIAUX 3-5, POUR APPLICATIONS MICRO-OPTOELECTRONIQUES written by PHILIPPE.. CARER and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET) INGAAS POUR INTEGRATION MONOLITHIQUE AVEC UNE PHOTODIODE PIN DANS LE PHOTORECEPTEUR PIN-FET. APRES UNE PRESENTATION DES PRINCIPALES STRUCTURES DE FET DEVELOPPEES SUR INGAAS, DE LEURS DOMAINES D'APPLICATION ET PLUS PARTICULIEREMENT DE L'INTEGRATION OPTO-ELECTRONIQUE DU PHOTORECEPTEUR PIN-FET, NOUS RAPPELONS LES PROPRIETES PHYSIQUES ET DE TRANSPORT DES MATERIAUX 3-5 EN INSISTANT SUR LES VALEURS DES COEFFICIENTS D'IONISATION D'INGAAS. DIFFERENTS MODELES UNIDIMENSIONNELS DE TRANSISTORS FET S'APPUYANT SUR DES RESOLUTIONS ANALYTIQUES OU NUMERIQUES DES EQUATIONS REGISSANT LA PHYSIQUE DES SEMICONDUCTEURS, ET LES MODELES C.A.O. SONT PRESENTES. LES METHODES DE CARACTERISATION STATIQUE ET DYNAMIQUE SONT EXPLICITEES AU CHAPITRE SUIVANT. NOUS ETUDIONS ENSUITE L'EXCES DE COURANT DE FUITE DE GRILLE DES TRANSISTORS INGAAS ET SES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE. UNE COMPARAISON DE CE PHENOMENE ENTRE LES TRANSISTORS FET INGAAS ET SILICIUM EST EFFECTUEE. CE PHENOMENE PARASITE EST MODELISE A L'AIDE D'UN MODELE DISTRIBUE POUR LES FET, INCLUANT L'HYPOTHESE D'IONISATION PAR IMPACT DE PAIRES ELECTRON-TROU DANS LE CANAL DU TRANSISTOR. PUIS LES PROPRIETES DE BRUIT DES FET INGAAS SONT ETUDIEES ET COMPAREES A CELLES DE FET GAAS EQUIVALENTS. LES PARAMETRES DE BRUIT DU FET INGAAS SONT DEDUITS DES MESURES. ENFIN LES REPERCUSSIONS DE CES PHENOMENES PARASITES (EXCES DE COURANT DE GRILLE ET DE BRUIT DES FET INGAAS) SUR LES PERFORMANCES DU PIN-FET SONT ANALYSEES
Book Synopsis Caractérisation, Modélisation Et Simulation Des Transistors SOI MOSFET Décananométriques by : Noel Rodriguez Santiago
Download or read book Caractérisation, Modélisation Et Simulation Des Transistors SOI MOSFET Décananométriques written by Noel Rodriguez Santiago and published by . This book was released on 2008 with total page 201 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ln this work, the impact and challenges of the decananometric miniaturization of today shrinking CM OS devices, fabricated on SOI and bulk Si, are investigated. The inclusion of quantum effects to accurately describe the behavior of the MOS transistors with single or multiple gates is studied. Poisson and SchrOdinger equations are self-consistently solved in several cases of interest showing the consequences of the physical mechanisms when the decananometric limit is achieved. Among various effects, the carrier quantization, charge centroids, darks spaces, polysilicon depletion, remote scattering mechanisms effects... are reported and modeled. The electrical characterization techniques both at the wafer level and device level are revisited and studied in the framework of today 4Snm technological node. Recent results, obtained using the pseudo-MOSFET characterization technique on as-fabricated wafers, are explained by means of numerical simulations. The reliable Y-function is extended for double channel devices and used ta reveal the beneficial effect of volume inversion, for the first time from usual static characteristics. For many years, the mobility has been a hot issue surrounded by a lot of research effort. This struggle has continued until nowadays when the technology is approaching the end of the Roadmap. ln this work, two conventional technology-compatible techniques are exploited as mobility boosters through Monte Carlo simulation: alternative crystallographic orientations for the device architecture and the use of strained silicon as channel material. This synopsis of the Ph.D. dissertation is not a closed work, since it rather establishes some of the guidelines and problems ta deal with in a short term future.
Book Synopsis Caractérisation Électrique Et Modélisation Des Transistors FDSOI Sub-22nm by : Minju Shin
Download or read book Caractérisation Électrique Et Modélisation Des Transistors FDSOI Sub-22nm written by Minju Shin and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Silicon on insulator (SOI) transistors are among the best candidates for sub-22nm technology nodes. At this scale, the devices integrate extremely thin buried oxide layers (BOX) and body. They also integrate advanced high-k dielectric / metal gate stacks and strain engineering is used to improve transport properties with, for instance, the use of SiGe alloys in the channel of p-type MOS transistors. The optimization of such a technology requires precise and non-destructive experimental techniques able to provide information about the quality of electron transport and interface quality, as well as about the real values of physical parameters (dimensions and doping level) at the end of the process. Techniques for parameter extraction from electrical characteristics have been developed over time. The aim of this thesis work is to reconsider these methods and to further develop them to account for the extremely small dimensions used for sub-22nm SOI generations. The work is based on extended characterization and modelling in support. Among the original results obtained during this thesis, special notice should be put on the adaptation of the complete split CV method which is now able to extract the characteristic parameters for the entire stack, from the substrate and its doping level to the gate stack, as well as an extremely detailed analysis of electron transport based on low temperature characterization in back-gate electrostatic coupling conditions or the exploitation of channel magnetoresistance from the linear regime of operation to saturation. Finally, a detailed analysis of low-frequency noise closes this study.
Book Synopsis Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés by : Emmanuel Rauly
Download or read book Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés written by Emmanuel Rauly and published by . This book was released on 1999 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE A POUR BUT DE METTRE EN EVIDENCE ET DE MIEUX COMPRENDRE A L'AIDE DE LA SIMULATION NUMERIQUE ET DE LA MODELISATION ANALYTIQUE LES PRINCIPAUX PHENOMENES PHYSIQUES POUVANT SE PRODUIRE DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI SUB-0.1 M. LE PREMIER CHAPITRE EST UNE INTRODUCTION SUR LES PHENOMENES EXISTANT DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI PARTIELLEMENT ET COMPLETEMENT DESERTES ET/OU A FILM EXTREMEMENT MINCE DE SILICIUM. DANS CE CHAPITRE, ON DETAILLE AUSSI LE FONCTIONNEMENT DU LOGICIEL (ATLAS) AINSI QUE LES DIFFERENTS MODELES EXISTANTS. LE DEUXIEME CHAPITRE EST UNE ETUDE APPROFONDIE DES EFFETS LIES A L'INTRODUCTION DE L'OXYDE ENTERRE (EFFETS D'AUTO-ECHAUFFEMENT, KINK ET TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE). PAR AILLEURS, UN MODELE D'AUTO-ECHAUFFEMENT, VALIDE PAR L'EXPERIENCE, EST PROPOSE POUR LES TRANSISTORS MOS-SOI PARTIELLEMENT ET COMPLETEMENT DESERTES. LE CHAPITRE 3 DONNE DES SOLUTIONS POUR MINIMISER LES EFFETS DE CANAUX COURTS (DIBL ET PARTAGE DE CHARGES) ET LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI DESCENDANT JUSQU'A 0.05 M DE LONGUEUR DE GRILLE. ENFIN, L'OPTIMISATION DES PERFORMANCES DES TRANSISTORS MOS-SOI SUB-0.1 M EST EFFECTUEE DANS LE CHAPITRE 4. LA TENSION DE SEUIL EST AMELIOREE EN UTILISANT UNE GRILLE MID-GAP. PAR AILLEURS, LE FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS SOI A FILM ULTRA-MINCE DE SILICIUM ET/OU FAIBLEMENT DOPE EST ETUDIE. L'ACCUMULATION DE L'INTERFACE ARRIERE PERMET AUSSI D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES TELS QUE LA PENTE EN FAIBLE INVERSION OU L'EFFET DIBL. FINALEMENT, LE COMPOSANT DONNANT LES MEILLEURES PROPRIETES ELECTRIQUES DANS LE DOMAINE SUB-0.1 M (PENTE SOUS LE SEUIL IDEALE, COURANT DE FUITE REDUIT, COURANT DE FONCTIONNEMENT IMPORTANT, EFFETS DE CANAUX COURTS ET DE PORTEURS CHAUDS REDUITS,) EST LE TRANSISTOR MOS-SOI A DOUBLE GRILLE A INVERSION VOLUMIQUE.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis Modèle facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en électronique de puissance by : Khadidja Benchaib
Download or read book Modèle facile d'emploi de transistor bipolaire pour la CAO en électronique de puissance written by Khadidja Benchaib and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE. UN NOUVEAU MODELE UNIDIMENSIONNEL ET A CONSTANTE LOCALISEE DE TYPE COMPACT EST PROPOSE POUR SIMULER LE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE. CE MODELE EST A LA FOIS SIMPLE ET FACILE A METTRE EN UVRE PAR UN CONCEPTEUR DE CIRCUIT. SON UTILISATION EST TRES AVANTAGEUSE, CAR IL NE FAIT INTERVENIR QUE PEU DE PARAMETRES QUI PEUVENT, AVEC DES MOYENS INFORMTIQUES LEGERS, FACILEMENT ETRE IDENTIFIES A PARTIR DES FEUILLES DE SPECIFICATION DES FABRICANTS DE COMPOSANTS. LE DIMENSIONNEMENT DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT SIMPLIFIE STATIQUE EST REALISE A PARTIR DE L'EXPRESSION DU GAIN EN COURANT COLLECTEUR. EN FONCTIONNEMENT DYNAMIQUE, LE MODELE EST COMPLETE PAR UNE CAPACITE BASE-EMETTEUR EQUIVALENTE, REPRESENTANT LA CHARGE STOCKEE DANS LA BASE ELECTRIQUE. LE MODELE FINAL, EST ALORS BIEN ADAPTE A L'ETUDE ET A LA CARACTERISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE ET PERMET D'EN SIMULER LE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION. LA BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COMPORTEMENTS MESURES ET SIMULES DES ECHANTILLONS TESTES, JUSTIFIE L'APPROCHE CHOISIE
Book Synopsis Contribution à la modélisation et à la caractérisation des transistors bipolaires de puissance by : Michel Bousquet
Download or read book Contribution à la modélisation et à la caractérisation des transistors bipolaires de puissance written by Michel Bousquet and published by . This book was released on 1974 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors organiques by : Amina Belkhir
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors organiques written by Amina Belkhir and published by . This book was released on 2009 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l’étude de la modélisation du transistor organique ainsi que son implémentation numérique. L’objectif est la prise en compte des spécificités des matériaux organiques dans le calcul des caractéristiques courant-tension du transistor, de manière à permettre une analyse physique du comportement des transistors, et par suite de pouvoir agir sur les paramètres technologiques de fabrication, et améliorer les performances des composants et des circuits. Dans un premier temps, un modèle semi-analytique 1D a été développé, sur la base du modèle du transistor MOS silicium en prenant en compte un certain nombre d’effets parasites (résistances ohmiques des contacts, injection non linéaire au contact source). L’impact des phénomènes d’injection sur l’extraction des paramètres essentiels du transistor (mobilité effective et tension de seuil) ont pu être clairement soulignés. De plus, l’existence de champs électriques très élevés au contact injectant a été mise en évidence. Ensuite, il est apparu utile de développer un modèle numérique du calcul du courant drain pour prendre en compte d’avantage de spécificités des matériaux organiques (densités d’états, autres modèles d’injection, profils de mobilités, etc.). Ce modèle est basé sur le calcul distribué du potentiel dans le canal. Dans un premier temps, la résolution numérique de l’équation de Poisson a été implémentée pour calculer la charge accumulée. Cela a également permis de souligner clairement les différences entre la tension de seuil effective UT-eff et la tension UONSET. Ce travail préliminaire pose les bases nécessaires à la poursuite de l’analyse physique de la caractéristique courant-tension
Book Synopsis Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique by : Dae-Young Jeon
Download or read book Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique written by Dae-Young Jeon and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS), la longueur physique de la grille, a diminué à un rythme régulier. Cette évolution, motivée par des raisons économiques, a été anticipée par G. Moore, et est de ce fait connue sous le nom de "loi de Moore". La dimension de grille a d'ores et déjà été réduite de plus de 2 ordres de grandeur et, dans son édition2012, l'association ITRS prédit qu'elle décroîtra encore, de 22nm en 2011 à environ 6nm en 2026 [1].Toutefois, cette réduction des dimensions fait apparaître un certain nombre d'effets secondaires qui altèrent le fonctionnement idéal des transistors MOS [2].
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis Modélisation du transistor V.DMOS pour simulation de circuits en électronique de puissance by : Malgorzata Napieralska
Download or read book Modélisation du transistor V.DMOS pour simulation de circuits en électronique de puissance written by Malgorzata Napieralska and published by . This book was released on 1991 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR V.DMOS DE PUISSANCE A CANAL COURT DONT LES ELEMENTS NE DEPENDENT QUE DES DONNEES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU COMPOSANT EST PRESENTE. PAR ANALYSE DES REGIONS ACTIVES DE LA STRUCTURE DU COMPOSANT EN VUE DE L'ETUDE DES REGIMES DE COMMUTATION, CE MODELE EST SIMPLIFIE JUSQU'A UNE TOPOLOGIE COMPATIBLE AVEC LE SIMULATEUR SPICE. LES PROCEDURES D'ACQUISITION DE SES PARAMETRES SONT PRECISEES AINSI QUE LES TESTS DE VALIDATION. UNE BIBLIOTHEQUE INFORMATIQUE D'INTERRUPTEURS DE PUISSANCE MOS, DESTINEE A LA CONCEPTION DES CIRCUITS DE PUISSANCE EST CREE PAR CARACTERISATION DES TRANSISTORS (CANAL N ET P) COUVRANT LES GAMMES DE TENSION 50V-1000V ET DE COURANT 2A-50A. UN MODELE UNIFIE DU V.DMOS EST ENSUITE PROPOSE, QUI NECESSITE POUR UNE TECHNOLOGIE DONNEE DEUX PARAMETRES: CALIBRE EN TENSION ET SURFACE DE PUCE DU SILICIUM. UN PROGRAMME ETABLI, BASE SUR L'ENVIRONNEMENT HYPERCARD (MACINTOSH) ET COUPLE AVEC SPICE PERMET D'ETABLIR LES MODELES DE PRODUITS CATALOGUE ET CREER UN MODELE POUR DE NOUVEAUX COMPOSANTS. CETTE MODELISATION EST COMPLETEE PAR LA PRISE EN COMPTE DE LA TEMPERATURE DE CRISTAL AINSI QUE DIVERSES CONFIGURATIONS DE TEST. UN MACROMODELE DESTINE A RENDRE COMPTE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE SOUS CONTRAINTES RADIATIVES DES V.DMOS EST AUSSI ETABLI ET VALIDE PAR COMPARAISON ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LA SIMULATION. L'ELABORATION D'UN MONTAGE DE BRAS DE PONT A BASE DE TRANSISTORS MOS, ET SA SIMULATION PAR SPICE PERMET ENFIN DE METTRE EN EVIDENCE LA VALIDITE DU MODELE DANS CE TYPE D'APPLICATION EN PRENANT EN COMPTE DES PROBLEMES LIES A L'EXISTENCE DES ELEMENTS PARASITES DANS LES CIRCUITS DE L'ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Book Synopsis MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE by : AHMED.. BIRAFANE
Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
