Mesure de déformation à l'échelle nanométrique par microscopie électronique en transmission

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Book Synopsis Mesure de déformation à l'échelle nanométrique par microscopie électronique en transmission by : Armand Béché

Download or read book Mesure de déformation à l'échelle nanométrique par microscopie électronique en transmission written by Armand Béché and published by . This book was released on 2009 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse est basé sur l'étude des déformations dans les matériaux à l'échelle nanométrique. En effet, depuis une dizaine voire une quinzaine d'années, le développement de nouveaux matériaux structuraux ou destinés à l'industrie de la microélectronique nécessite la maîtrise des phénomènes de déformation à une telle échelle. La demande de caractérisation se trouve donc en forte croissance, avec des contraintes de plus en plus forte en termes de résolution spatiale et de sensibilité en déformation. La mise au point et/ou l'amélioration de techniques repondant à ces critères est donc nécessaire. Le microscope électronique en transmission étant l'un des seuls instruments capables de mesurer quantitativement des déformations à l'échelle nanométrique, quatre différentes techniques liées à cet appareil ont été étudiées : la technique des moirés, la diffraction en faisceau convergent, la nanodiffraction et l'holographie en champ sombre. La disponibilité du microscope de dernière génération FEI Titan a permis d'obtenir des résultats marquants pour chacune de ces techniques. Les quatre techniques étudiées font l'objet d'une étude poussée sur leur résolution, leur sensibilité en déformation, leurs limites d'utilisation, leur mode d'acquisition et les contraintes qu'elles imposent dans la préparation d'échantillons. Ainsi, la technique des moirés possède une résolution de l'ordre de la vingtaine de nanomètre avec une sensibilité de 4.10^-4 mais nécessite des échantillons particuliers. La diffraction en faisceau convergent est la technique possédant la meilleure résolution spatiale (1 à 2 nm) combinée à une excellente sensibilité en déformation (2.10^-4). Cependant, l'inhomogénéité du champ de déplacement dans l'épaisseur de l'échantillon, phénomène très présent dans les lames minces, rend cette méthode difficile à utiliser de façon courante. La nanodiffraction est probablement la technique la plus facile à mettre en place et s'applique à la plus grande partie des matériaux ou objets. Elle possède une résolution intéressante (jusqu'à 3 nm) mais une sensibilité en déformation limitée à 6.10^-4 dans le meilleur des cas. Pour finir, l'holographie en champ sombre, technique très récente, offre une bonne résolution (autour de 4 ou 5 nm) avec une excellente sensibilité en déformation (2.10^-4). Ces quatre techniques sont comparées entre elles sur des échantillons le permettant.

Développement de Techniques Avancées de Microscopie Électronique À Transmission Pour la Cartographie À L'échelle Nanométrique

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Book Synopsis Développement de Techniques Avancées de Microscopie Électronique À Transmission Pour la Cartographie À L'échelle Nanométrique by : Raghda Makarem

Download or read book Développement de Techniques Avancées de Microscopie Électronique À Transmission Pour la Cartographie À L'échelle Nanométrique written by Raghda Makarem and published by . This book was released on 2019 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'un des problèmes clés pour la miniaturisation des nanodispositifs à semi - conducteurs est le contrôle précis de leur dopage. Dans les dispositifs de nouvelle génération, la distribution spatiale du dopage doit être contrôlée avec une précision supérieure à 1 nm, tandis que les concentrations atomiques inférieures à 1% doivent être mesurées. Cela nécessite l'utilisation de techniques de haute résolution. La microscopie électronique à balayage en transmission (STEM) associée à la spectroscopie par rayons X à dispersion d'énergie (EDX) est un excellent candidat en raison de sa polyvalence (presque tous les éléments du tableau périodique peuvent être cartographiés) et de sa haute résolution spatiale. D'autre part, l'analyse quantitative du dopage par STEM/EDX est compliquée par la présence d'artefacts de mesure qui peuvent être ignorés sans risque pour les impuretés à haute concentration, mais deviennent critiques pour les impuretés à faible concentration. Dans cette thèse, une nouvelle méthode basée sur la méthode de de Cliff-Lorimer(C-L) a été développée pour la mesure quantitative de la distribution de dopant dans un dispositif à l'échelle nanométrique. La méthode a été appliquée sur des échantillons préparés par faisceau ionique focalisé, afin de réduire l'influence des rayons X secondaires produits par fluorescence ou par électrons rétrodiffusés, et est basée sur la correction itérative des effets d'absorption des rayons X dans l'échantillon. Afin d'obtenir des résultats fiables, les coefficients de C-L ont été étalonnés à l'aide de la mesure de Rutherford Back Scattering (RBS) et l'erreur expérimentale totale a été calculée à l'aide de techniques de propagation d'erreur standard. Les résultats obtenus sur une structure de test FinFET et sur un substrat de SiGe ayant subi des recuits laser montrent l'applicabilité de cette technique aux dispositifs à l'échelle nanométrique et avec des impuretés à faible concentration.

ANALYSE QUANTITATIVE DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES A L'ECHELLE ATOMIQUE, PAR TRAITEMENT D'IMAGES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE HAUTE RESOLUTION, DANS DES HETEROSTRUCTURES QUANTIQUES III-V ET II-VI FORTEMENT DESADAPTEES

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Book Synopsis ANALYSE QUANTITATIVE DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES A L'ECHELLE ATOMIQUE, PAR TRAITEMENT D'IMAGES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE HAUTE RESOLUTION, DANS DES HETEROSTRUCTURES QUANTIQUES III-V ET II-VI FORTEMENT DESADAPTEES by : SLAWOMIR.. KRET

Download or read book ANALYSE QUANTITATIVE DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES A L'ECHELLE ATOMIQUE, PAR TRAITEMENT D'IMAGES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE HAUTE RESOLUTION, DANS DES HETEROSTRUCTURES QUANTIQUES III-V ET II-VI FORTEMENT DESADAPTEES written by SLAWOMIR.. KRET and published by . This book was released on 1998 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS UNE ETUDE QUANTITATIVE DE LA RELAXATION DES CONTRAINTES QUI EST GENEREE AU COURS DE LA CROISSANCE D'HETEROSTRUCTURES CONTRAINTES III-V ET II-VI, PAR RESPECTIVEMENT LA CREATION D'ILOTS COHERENTS ET LA FORMATION DE DEFAUTS STRUCTURAUX. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODOLOGIE DE MESURE DES FAIBLES CHAMPS DE DEPLACEMENT ET DE DEFORMATION A L'ECHELLE ATOMIQUE PAR TRAITEMENT D'IMAGES DE MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION A HAUTE RESOLUTION (HR). NOUS PROPOSONS UNE METHODE EFFICACE D'ELIMINATION DU BRUIT, RESPONSABLE DU DEPLACEMENT ALEATOIRE DES MAXIMA DE CONTRASTE, TOUJOURS PRESENT DANS LES IMAGES HR, EN APPLIQUANT SUCCESSIVEMENT UN FILTRAGE DE TYPE WIENER DANS L'ESPACE DE FOURIER ET UN MOYENNAGE LOCAL DANS L'ESPACE DIRECT. DES CARTES 2D DE DEFORMATION DANS DES ILOTS COHERENTS GAAS/GAINAS SONT PRESENTES POUR LA PREMIERE FOIS AVEC UNE RESOLUTION SPATIALE INFERIEURE A 1NM ET UNE LIMITE DE DETECTION 0.2%. NOUS COMPARONS NOS RESULTATS A CEUX OBTENUS SUR LES MEMES IMAGES HR, PAR LA METHODE DES PHASES GEOMETRIQUES. D'AUTRE PART, LA COMPARAISON DES CHAMPS DE DEFORMATION MESURES EXPERIMENTALEMENT ET CALCULES PAR LA METHODE DES ELEMENTS FINIS NOUS PERMET DE FAIRE L'HYPOTHESE QU'IL EXISTE UNE SEGREGATION D'INDIUM A L'INTERIEUR DES ILOTS. CES RESULTATS SONT COMPATIBLES AVEC LES MODELES THEORIQUES, THERMODYNAMIQUE ET CINETIQUE, DE COUPLAGE D'INSTABILITE MORPHOLOGIQUE ET COMPOSITIONNELLE ETABLIS RECEMMENT DANS LE CAS DE LA TRANSITION 2D-3D DU MODE DE CROISSANCE D'HETEROSTRUCTURES CONTRAINTES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LA COMPOSITION CHIMIQUE DANS DES PUITS QUANTIQUES CDTE/CDMNTE ELABORES PAR LA METHODE DIGITALE DE CROISSANCE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES AVEC DES PROFILS TRAPEZOIDAUX DE COMPOSITION DE MN. NOTRE METHODE, COUPLEE A LA METHODE DES PHASES GEOMETRIQUES, POURRAIT ETRE APPLIQUEE A D'AUTRES SYSTEMES ET A D'AUTRES STRUCTURES.

Mesures de déformations dans des dispositifs de la microélectronique par microscopie électronique en transmission en haute résolution et holographie en champ sombre

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Book Synopsis Mesures de déformations dans des dispositifs de la microélectronique par microscopie électronique en transmission en haute résolution et holographie en champ sombre by : Florian Hüe

Download or read book Mesures de déformations dans des dispositifs de la microélectronique par microscopie électronique en transmission en haute résolution et holographie en champ sombre written by Florian Hüe and published by . This book was released on 2008 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les matériaux cristallins sous contrainte font aujourd'hui partie intégrante des dispositifs de la microélectronique car ils offrent une amélioration considérable de la mobilité des porteurs dans les zones actives. Dans un premier temps, nous avons développé l'analyse de phases géométriques (GPA) d'images en haute résolution (HREM), en étudiant des couches minces de silicium en contrainte biaxiale sur des pseudo-substrats de SiGe. Les résultats obtenus pour différentes gammes de Si1-xGex et différentes épaisseurs de films minces, comparés à des simulations par éléments finis (FEM), ont permis d'optimiser cette méthode. La précision sur la mesure des déformations atteint 0,2% et le champ de vue 200 nm x 200 nm. Mesures expérimentales et simulations FEM ont également permis de quantifier l'effet de relaxation des lames minces de microscopie. L'étude d'un système plus complexe, un p-MOSFET, a montré la possibilité de cartographier pour la première fois les champs de déformations en deux dimensions avec une résolution spatiale pouvant atteindre 2 nm. Cette thèse présente également, dans un second temps, une nouvelle méthode développée au sein du CEMES-CNRS : l'holographie en champ sombre. Cette technique, nécessitant un canon à émission de champ et un biprisme électrostatique, permet de réaliser des franges d'interférences, entre une onde diffractée par un réseau cristallin parfait et une onde diffractée par un réseau déformé. Ainsi, il devient possible de cartographier les déformations sur un très large champ de vue (500 nm x 2 μm) avec une meilleure précision qu'en haute résolution : 0,02%.

Etude par AFM et TEM des premiers stades de plasticité induits par un essai de nanoindentation sur une face (001) d'un monocristal d'oxyde de magnésium

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Book Synopsis Etude par AFM et TEM des premiers stades de plasticité induits par un essai de nanoindentation sur une face (001) d'un monocristal d'oxyde de magnésium by : Christophe Tromas

Download or read book Etude par AFM et TEM des premiers stades de plasticité induits par un essai de nanoindentation sur une face (001) d'un monocristal d'oxyde de magnésium written by Christophe Tromas and published by . This book was released on 2000 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE A POUR BUT DE CONTRIBUER A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES DE DEFORMATION ELEMENTAIRE ABOUTISSANT A LA FORMATION D'UNE EMPREINTE LORS D'UN ESSAI DE NANOINDENTATION. DES EMPREINTES DE NANOINDENTATION ONT ETE EFFECTUEES SUR UNE FACE CLIVEE (001) DE MGO. LES DEFORMATIONS DE SURFACE AUTOUR DES EMPREINTES, ET EN PARTICULIER LES LIGNES DE GLISSEMENT, ONT ETE OBSERVEES A L'ECHELLE NANOMETRIQUE PAR AFM (MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE). CETTE ETUDE DE SURFACE A ETE COMPLETEE PAR TEM (MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION) AFIN DE PRECISER LA NATURE DES DISLOCATIONS ET LEUR REPARTITION EN VOLUME. UNE SYNTHESE BIBLIOGRAPHIQUE CONCERNANT LA STRUCTURE DE MGO AINSI QUE LES PRINCIPAUX RESULTATS DES PRECEDENTES ETUDES PAR MICROINDENTATION EST TOUT D'ABORD PROPOSEE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT ENSUITE PRESENTES. LES DIFFERENTS STADES DE DEFORMATION, IDENTIFIES SUR LES COURBES DE CHARGE, SONT DETAILLES ET NOTAMMENT LE DECLENCHEMENT DE LA PLASTICITE PAR UN PHENOMENE DE POP-IN, AINSI QUE LA POURSUITE DE LA DEFORMATION ELASTOPLASTIQUE. LES DEFORMATIONS DE SURFACE AUTOUR DES EMPREINTES AINSI QUE LES DISTRIBUTIONS DE DISLOCATIONS, ASSOCIEES A CES DIFFERENTS REGIMES, SONT ENSUITE DETAILLES. CES RESULTATS SONT RAPPROCHES DE CEUX OBTENUS PAR MICROINDENTATION SOUS PLUS FORTE CHARGE TANT DANS LE CADRE DE CETTE ETUDE QUE DANS LA LITTERATURE. ENFIN, UNE DISCUSSION SUR L'ORIGINE DES DEFORMATIONS ET SUR LE MECANISME DE FORMATION DES EMPREINTES FAIT L'OBJET DE LA DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL. UN MODELE A TROIS DIMENSIONS EST PROPOSE POUR RENDRE COMPTE DU PHENOMENE DE POP-IN PAR NUCLEATION DE BOUCLES DE DISLOCATIONS INTERSTITIELLES SOUS L'INDENTEUR. PLUSIEURS MECANISMES DETAILLES, PRENANT EN COMPTE LES REACTIONS ENTRE LES DISLOCATIONS REPARTIES AUTOUR DES EMPREINTES, ET METTANT EN JEU UN SYSTEME DE GLISSEMENT INHABITUEL, SONT EXPOSES POUR RENDRE COMPTE DE LA POURSUITE DE LA DEFORMATION.

Caractérisation microstructurale des matériaux

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Book Synopsis Caractérisation microstructurale des matériaux by : Damien Jacob

Download or read book Caractérisation microstructurale des matériaux written by Damien Jacob and published by . This book was released on 2010 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La microscopie électronique en transmission (MET) est un outil puissant et polyvalent pour les analyses microstructurales des matériaux à l’échelle nanométrique. Sur la même zone d’observation, on peut réaliser une image de la microstructure et de ses défauts, en faire une analyse chimique et une détermination structurale en diffraction. Mon activité de recherche porte sur le développement de méthodes de caractérisation par diffraction électronique quantitative. Par « quantitative », nous entendons la mesure absolue ou relative des intensités diffractées et leur comparaison à des grandeurs simulées. Concernant les matériaux semiconducteurs, mes recherches ont porté sur la mesure des déformations dans les nanostructures épitaxiées. Dans ces systèmes, les champs de déformation jouent un rôle prépondérant sur les propriétés de maintien (mécanique) et sur les propriétés d’usage (opto-électroniques, transport). Il est donc important de les caractériser avec précision. Nous avons développé des méthodes de mesure originales basées sur l’analyse des intensités électroniques recueillies en diffraction en faisceau convergent conventionnel et à grand angle (CBED et LACBED). Les développements récents portent sur la caractérisation des phases cristallines et de leurs défauts structuraux dans les minéraux. Dans ces matériaux, de cristallochimie souvent complexe, l’analyse quantitative des intensités diffractées permet notamment de discerner des phases cristallographiquement proches ou de révéler les relations d’orientation existant entre des domaines voisins. Ceci est essentiel aux analyses microstructurales locales et à leur interprétation en vue de déterminer les conditions de pression et de température ayant prévalu à leur formation. Mon apport dans le domaine est essentiellement basé sur l’utilisation de la précession électronique. Dans le domaine de la minéralogie, un autre type d’étude a été mené parallèlement aux précédentes. Il s’agit de l’analyse des échantillons cométaires provenant de la mission « Stardust » de la NASA. Pour ces études, on utilise toutes les techniques de MET disponibles pour révéler la nature et les mécanismes possibles de formation des échantillons observés: micro-analyse X, imagerie conventionnelle et haute résolution, diffraction. Ma contribution a essentiellement porté sur l’analyse de la microstructure des pyroxènes, qui sont en général des traceurs fiables pour rendre compte du passé thermique et mécanique des minéraux.

Scanning Microscopy for Nanotechnology

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Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 0387396209
Total Pages : 533 pages
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Book Synopsis Scanning Microscopy for Nanotechnology by : Weilie Zhou

Download or read book Scanning Microscopy for Nanotechnology written by Weilie Zhou and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2007-03-09 with total page 533 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book presents scanning electron microscopy (SEM) fundamentals and applications for nanotechnology. It includes integrated fabrication techniques using the SEM, such as e-beam and FIB, and it covers in-situ nanomanipulation of materials. The book is written by international experts from the top nano-research groups that specialize in nanomaterials characterization. The book will appeal to nanomaterials researchers, and to SEM development specialists.

Mise en forme des polymères (4e éd.) : Approche thermomécanique de la plasturgie

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Publisher : Lavoisier
ISBN 13 : 2743065494
Total Pages : 884 pages
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Book Synopsis Mise en forme des polymères (4e éd.) : Approche thermomécanique de la plasturgie by : AGASSANT Jean-François

Download or read book Mise en forme des polymères (4e éd.) : Approche thermomécanique de la plasturgie written by AGASSANT Jean-François and published by Lavoisier. This book was released on 2014-03-05 with total page 884 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Développement et application d'une méthode à haute résolution angulaire pour la mesure des gradients d'orientation et des déformations élastiques par microscopie électronique à balayage

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Book Synopsis Développement et application d'une méthode à haute résolution angulaire pour la mesure des gradients d'orientation et des déformations élastiques par microscopie électronique à balayage by : Clément Ernould

Download or read book Développement et application d'une méthode à haute résolution angulaire pour la mesure des gradients d'orientation et des déformations élastiques par microscopie électronique à balayage written by Clément Ernould and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La compréhension des mécanismes de déformation dans les matériaux cristallins passe par la caractérisation fine des microstructures. Dans le cadre de la microscopie électronique à balayage, la mesure précise des gradients d'orientation et des déformations élastiques du cristal est l'objectif des méthodes dites à haute résolution angulaire. Pour cela, elles emploient des techniques de corrélation d'images numériques afin de recaler les clichés de diffraction électronique. Cette thèse propose une méthode de recalage originale. Le champ de déplacement à l'échelle du scintillateur est décrit par une homographie linéaire. Il s'agit d'une transformation géométrique largement utilisée en vision par ordinateur pour modéliser les projections. L'homographie entre deux clichés est mesurée à partir d'une grande et unique région d'intérêt en utilisant un algorithme de Gauss-Newton par composition inverse numériquement efficace. Une correction des distorsions optiques causées par les lentilles de la caméra lui est intégrée et sa convergence est assurée par un pré-recalage des clichés. Ce dernier repose sur des algorithmes de corrélation croisée globale basés sur les transformées de Fourier-Mellin et de Fourier. Il permet de rendre compte des rotations allant jusqu'à une dizaine de degrés avec une précision comprise typiquement entre 0,1 et 0,5°. La détermination de l'homographie est indépendante de la géométrie de projection. Cette dernière n'est considérée qu'à l'issue du recalage pour déduire analytiquement les rotations et les déformations élastiques. La méthode est validée numériquement sur des clichés simulés distordus optiquement, désorientés jusqu'à 14° et présentant des déformations élastiques équivalentes jusqu'à 5×10−2. Cette étude montre que la mesure précise de déformations élastiques comprises entre 1×10−4 et 2×10−3 nécessite de corriger la distorsion optique radiale, même lorsque la désorientation est faible. Finalement, la méthode est appliquée à des clichés acquis par diffraction des électrons rétrodiffusés (EBSD) et en transmission en utilisant la nouvelle configuration TKD on-axis (transmission Kikuchi diffraction). Des métaux polycristallins déformés plastiquement ainsi que des semi-conducteurs sont caractérisés. La méthode retranscrit des détails fins de la microstructure d'un acier martensitique trempé et revenu et d'un acier sans interstitiels déformé de 15% en traction, malgré la détérioration du contraste de diffraction induit par la déformation plastique. Les structures de déformation sont également analysées dans de l'aluminium nanostructuré obtenu par déformation plastique sévère grâce au couplage de la méthode de recalage et de la configuration TKD on-axis. Ce couplage permet d'atteindre simultanément une haute résolution spatiale (3 à 10 nm) et une haute résolution angulaire (0,01 à 0,05°). Des cartes de déformation élastiques sont obtenues à l'échelle de quelques nanomètres dans une lame mince de SiGe et les densités de dislocations dans un monocristal de GaN sont déterminées avec une résolution voisine de 2,5×10−3 μm−1 (soit 8×1012 m−2).

Etude par microscopie électronique en transmission de la déformation de l'aluminium et de quelques-uns de ses alliages

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ISBN 13 :
Total Pages : 96 pages
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Book Synopsis Etude par microscopie électronique en transmission de la déformation de l'aluminium et de quelques-uns de ses alliages by : Claude Rzepski

Download or read book Etude par microscopie électronique en transmission de la déformation de l'aluminium et de quelques-uns de ses alliages written by Claude Rzepski and published by . This book was released on 1964 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Journal de Physique

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Total Pages : 260 pages
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Book Synopsis Journal de Physique by :

Download or read book Journal de Physique written by and published by . This book was released on 1991 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Principles and Practice of Variable Pressure / Environmental Scanning Electron Microscopy (VP-ESEM)

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Publisher : John Wiley & Sons
ISBN 13 : 0470065400
Total Pages : 247 pages
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Book Synopsis Principles and Practice of Variable Pressure / Environmental Scanning Electron Microscopy (VP-ESEM) by : Debbie Stokes

Download or read book Principles and Practice of Variable Pressure / Environmental Scanning Electron Microscopy (VP-ESEM) written by Debbie Stokes and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2008-12-22 with total page 247 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Offers a simple starting point to VPSEM, especially for new users, technicians and students containing clear, concise explanations Crucially, the principles and applications outlined in this book are completely generic: i.e. applicable to all types of VPSEM, irrespective of manufacturer. Information presented will enable reader to turn principles into practice Published in association with the Royal Microscopical Society (RMS) -www.rms.org.uk

Multicouches métalliques

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ISBN 13 :
Total Pages : 256 pages
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Book Synopsis Multicouches métalliques by : Institut national des sciences et techniques nucléaires (France)

Download or read book Multicouches métalliques written by Institut national des sciences et techniques nucléaires (France) and published by . This book was released on 1997 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI

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Publisher : CRC Press
ISBN 13 : 1482232812
Total Pages : 432 pages
Book Rating : 4.4/5 (822 download)

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Book Synopsis Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI by : Golla Eranna

Download or read book Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI written by Golla Eranna and published by CRC Press. This book was released on 2014-12-08 with total page 432 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.

Terra 2008

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Publisher : Getty Publications
ISBN 13 : 1606060430
Total Pages : 438 pages
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Book Synopsis Terra 2008 by : Leslie Rainer

Download or read book Terra 2008 written by Leslie Rainer and published by Getty Publications. This book was released on 2011-06-14 with total page 438 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Earthen architecture constitutes one of the most diverse forms of cultural heritage and one of the most challenging to preserve. It dates from all periods and is found on all continents but is particularly prevalent in Africa, where it has been a building tradition for centuries. Sites range from ancestral cities in Mali to the palaces of Abomey in Benin, from monuments and mosques in Iran and Buddhist temples on the Silk Road to Spanish missions in California. This volume's sixty-four papers address such themes as earthen architecture in Mali, the conservation of living sites, local knowledge systems and intangible aspects, seismic and other natural forces, the conservation and management of archaeological sites, research advances, and training.

Scanning Probe Microscopy

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Publisher : Springer Nature
ISBN 13 : 3030370895
Total Pages : 330 pages
Book Rating : 4.0/5 (33 download)

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Book Synopsis Scanning Probe Microscopy by : Ernst Meyer

Download or read book Scanning Probe Microscopy written by Ernst Meyer and published by Springer Nature. This book was released on 2021-05-31 with total page 330 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Written by three leading experts in the field, this textbook describes and explains all aspects of the scanning probe microscopy. Emphasis is placed on the experimental design and procedures required to optimize the performance of the various methods. Scanning Probe Microscopy covers not only the physical principles behind scanning probe microscopy but also questions of instrumental designs, basic features of the different imaging modes, and recurring artifacts. The intention is to provide a general textbook for all types of classes that address scanning probe microscopy. Third year undergraduates and beyond should be able to use it for self-study or as textbook to accompany a course on probe microscopy. Furthermore, it will be valuable as reference book in any scanning probe microscopy laboratory. Novel applications and the latest important results are also presented, and the book closes with a look at the future prospects of scanning probe microscopy, also discussing related techniques in nanoscience. Ideally suited as an introduction for graduate students, the book will also serve as a valuable reference for practising researchers developing and using scanning probe techniques.

Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy

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Publisher : John Wiley & Sons
ISBN 13 : 047124824X
Total Pages : 520 pages
Book Rating : 4.4/5 (712 download)

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Book Synopsis Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy by : Dawn Bonnell

Download or read book Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy written by Dawn Bonnell and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2000-12-05 with total page 520 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A practical introduction to basic theory and contemporary applications across a wide range of research disciplines Over the past two decades, scanning probe microscopies and spectroscopies have gained acceptance as indispensable characterization tools for an array of disciplines. This book provides novices and experienced researchers with a highly accessible treatment of basic theory, alongside detailed examples of current applications of both scanning tunneling and force microscopies and spectroscopies. Like its popular predecessor, Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Second Edition features contributions from distinguished scientists working in a wide range of specialties at university, commercial, and government research labs around the world. Chapters have been edited for clarity, conciseness, and uniformity of presentation to provide professionals with a concise working reference to scanning probe microscopic and spectroscopic principles, techniques, and practices. This Second Edition has been substantially revised and expanded to reflect important advances and new applications. In addition to numerous examples, the Second Edition features expanded coverage of electrostatic and magnetic force microscopies, near-field optical microscopies, and new applications of buried interfaces in nanomechanics, electrochemistry, and biology. Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Second Edition is an indispensable working resource for surface scientists, microscopists, and spectroscopists in materials science, chemistry, engineering, biochemistry, physics, and the life sciences. It is also an unparalleled reference text for advanced undergraduates and graduate students in those fields.