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Etude Du Transport Des Charges Dans Le Silicium Amorphe Hydrogene A Laide Dune Technique De Photoconductivite Modulee A Deux Faisceaux
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Book Synopsis Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux by : Gabriel Mawawa
Download or read book Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux written by Gabriel Mawawa and published by . This book was released on 1988 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE METHODE UTILISE DEUX FAISCEAUX: UN FAISCEAU POMPE STATIONNAIRE D'ENERGIE SUPERIEURE A LA BANDE INTERDITE OPTIQUE ET UN FAISCEAU MODULE MONOCHROMATIQUE D'ENERGIE VARIABLE. LE FAISCEAU DE POMPE CREE DES ELECTRONS ET DES TROUS LIBRES QUI PEUPLENT LES ETATS DE BANDE TANDIS QUE LE FAISCEAU MODULE INDUIT UNE FAIBLE PERTURBATION DE L'ETAT STATIONNAIRE CREE PAR LA POMPE. L'EXPERIENCE REVELE LA PRESENCE DE DEUX GROUPES D'ELECTRONS PIEGES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE NON DOPE, QUI PROVIENNENT DE LA LIAISON DISPONIBLE DU SILICIUM CHARGEE NEGATIVEMENT ET DE LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION
Book Synopsis ETUDE DES PROPRIETES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR LA TECHNIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE MODULEE A DEUX FAISCEAUX by : YOUSSEF.. AL MERIOUH
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR LA TECHNIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE MODULEE A DEUX FAISCEAUX written by YOUSSEF.. AL MERIOUH and published by . This book was released on 1994 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL LA PHOTOCONDUCTIVITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EST DECRITE COMME ETANT LE RESULTAT DE TROIS PROCESSUS DIFFERENTS QUI ONT ETE IDENTIFIES EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE MODULEE A DEUX FAISCEAUX: L'EMISSION DES ELECTRONS PIEGES SOIT DANS LES LIAISONS BRISEES CHARGEES NEGATIVEMENT (CENTRES D#-) OU DANS LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION, ET UN PROCESSUS D'EXTINCTION LIE A LA RECOMBINAISON. CHAQUE PROCESSUS SUIT SA PROPRE LOI DE VARIATION EN FONCTION DE LA VITESSE DE PHOTOGENERATION. UN MODELE A ETE ETABLI DANS LEQUEL LA SOMME ALGEBRIQUE DES TROIS PROCESSUS CORRESPOND A LA PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE OBSERVEE. LES CONTRIBUTIONS RELATIVES DE CES PROCESSUS ONT ETE DETERMINEES DANS UN LARGE DOMAINE DE TEMPERATURE ET DE FLUX LUMINEUX. ELLES NOUS ONT CONDUIT A MONTRER PREMIEREMENT QUE L'EMISSION THERMIQUE DES ELECTRONS A PARTIR DES ETATS DE LA BANDE INTERDITE, QUE CELA SOIT A PARTIR DES CENTRES D#- OU A PARTIR DE LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION, RESTE UN PROCESSUS IMPORTANT JUSQU'A 77 K, DEUXIEMENENT QUE LES CONTRIBUTIONS RELATIVES DES CENTRES D#- ET DES ETATS DE QUEUE DE BANDE CHANGENT BRUTALEMENT AUTOUR DE 165 K, C'EST A DIRE QUAND LE QUASI-NIVEAU DE FERMI EST LOCALISE A PEU PRES A 0,3 EV AU DESSOUS DU SEUIL DE MOBILITE, TROISIEMEMENT QU'A BASSE TEMPERATURE LA PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE EST NETTEMENT SUPERIEURE A LA SOMME DES TROIS PROCESSUS EVOQUES ET QUE LE TRANSPORT PAR SAUT ASSISTE THERMIQUEMENT DES ELECTRONS DANS LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION DOIT ETRE PRIS EN COMPTE, SA CONTRIBUTION A LA PHOTOCONDUCTIVITE ETANT DE L'ORDRE DE 50% A 77 K
Book Synopsis ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : RACHID.. AMOKRANE
Download or read book ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by RACHID.. AMOKRANE and published by . This book was released on 1993 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CET OUVRAGE TRAITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE DIODE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H). SOUS POLARISATION INVERSE, NOUS ANALYSONS LA RELAXATION DES PORTEURS DE CHARGES A PARTIR DE L'ETUDE DE PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES A L'EXTINCTION. CETTE ETUDE CONCERNE LES CIBLES PHOTOCONDUCTRICES EN A-SI:H DES TUBES VIDICON, QUI CONVERTISSENT UNE IMAGE OPTIQUE EN UN SIGNAL ELECTRIQUE. LA RELAXATION DES PORTEURS S'Y TRADUIT EN TERME DE REMANENCE, CELLE-CI REPRESENTE LE SOUVENIR QUE CONSERVE LE DISPOSITIF D'UNE IMAGE ANTERIEURE. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EN DETERMINER LA NATURE. NOUS MONTRONS QUE POUR LES STRUCTURES ETUDIEES, ELLE PROVIENT DES INTERFACES. NOS MESURES DES GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU TRANSPORT DE CHARGES S'INTERPRETENT PAR LE MODELE DECRIVANT LE TRANSPORT DANS CE MATERIAU. NOUS OBTENONS UNE STRUCTURE DE CIBLE DETENANT UNE REMANENCE INFERIEURE A 2%. EN APPLIQUANT UNE POLARISATION DIRECTE A NOTRE DIODE N-I-P NOUS ETUDIONS LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGES. POUR DES NIVEAUX D'INJECTION ELEVES, NOUS ATTEIGNONS LE REGIME DIT DE DOUBLE INJECTION DANS LEQUEL LA RECOMBINAISON CONTROLE LE COURANT, NOUS EXPLORONS LA DUREE DE VIE SUR UN VASTE DOMAINE D'INJECTION. NOUS MESURONS DES GAINS DE DOUBLE INJECTION ET DE PHOTOCONDUCTION S'EXPRIMANT AU PREMIER ORDRE COMME LE RAPPORT DE LA DUREE DE VIE SUR LE TEMPS DE TRANSIT. NOUS MONTRONS QUE, POUR LE A-SI:H, LE GAIN DE DOUBLE INJECTION, CONTRAIREMENT AU GAIN DE PHOTOCONDUCTION, N'EST PAS UNE BONNE MESURE DE LA DUREE DE VIE. NOUS OBTENONS DES GAINS DE PHOTOCONDUCTION DE L'ORDRE DE 800. NOUS MONTRONS LE ROLE ESSENTIEL DES INTERFACES SUR LA LIMITATION DU COURANT ELECTRIQUE. NOUS ETUDIONS EGALEMENT, DANS CE REGIME, LA DEGRADATION, PAR EXPOSITION DE LUMIERE PROLONGEE, DU TRANSPORT DE CHARGES. NOUS CONSTATONS UNE DIMINUTION DU PHOTOCOURANT ET DU COURANT D'OBSCURITE COMPATIBLE AVEC UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS PROFONDS
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : JEAN-PIERRE.. PEYRE
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by JEAN-PIERRE.. PEYRE and published by . This book was released on 1980 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : OLIVIER.. GLODT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Book Synopsis Transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). by :
Download or read book Transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H). written by and published by . This book was released on 1999 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné by : Karima Haddab
Download or read book Propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogéné written by Karima Haddab and published by . This book was released on 1988 with total page 136 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les propriétés électroniques du silicium amorphe hydrogène sont déterminés par la densité d’états dans la bande interdite. A partir de la méthode des courants limités par charge d’espace (CLCE) sous excitation lumineuse, nous avons pu déterminer cette densité d’états dans un domaine d’énergie situé au-dessus du niveau de Fermi.Nous avons obtenu une densité d’états exponentielle de température caractéristique de l’order de 1000k. Nous proposons une discussion sur la différence dans les pentes de densité d’états déterminées à partir de la méthode précédente, de la méthode CLCE à l’obscurité et à partir des mesures de photoconductivité. Dans une deuxième partie nous avons fait des mesures de rendement et du temps de réponse de la photoconductivité dans un large domaine de flux. La comparaison du rapport d’électrons piégés aux électrons libres obtenu expérimentalement avec le même rapport obtenu à partir d’un calcul a permis de montrer la validité des densités d’états obtenues par CLCE sous excitation lumineuse.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : Christophe Longeaud
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by Christophe Longeaud and published by . This book was released on 1982 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Book Synopsis Conductivité et photoconductivité du silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation réactive by : Mohamed-El-Bachir Semmache
Download or read book Conductivité et photoconductivité du silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation réactive written by Mohamed-El-Bachir Semmache and published by . This book was released on 1983 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PRESENTATION DE LA METHODE DE PREPARATION DES ECHANTILLONS ET DES PARAMETRES CARACTERISANT LE DEPOT. ETUDE DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE PERMETTANT DE CARACTERISER LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE ET LES DIFFERENTS MODES DE TRANSPORT ET DE RECOMBINAISON DE PORTEURS DE CHARGE. LES RESULTATS SONT ANALYSES EN TENANT COMPTE DU BOMBARDEMENT DES COUCHES ET DES DEFAUTS INDUITS PAR CE BOMBARDEMENT
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L'APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES by : Hassen Dahman
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L'APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by Hassen Dahman and published by . This book was released on 1986 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR UNE TECHNIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITE, DE L'INFLUENCE DU DOPAGE PAR P SUR LE PRODUIT MOBILITE-DUREE DE VIE DES ELECTRONS ET SUR LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DE S-SI: H PREPARE PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. ETUDE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA MOBILITE PAR UNE METHODE DE TEMPS DE VOL; MISE EN EVIDENCE DE L'ACTIVATION THERMIQUE DE LA MOBILITE DANS UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURES. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR UN MODELE DE CONDUCTION, BASE SUR L'EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL
Book Synopsis La photoconductivité transitoire dans le silicium amorphe hydrogéné by : Patrice Pipoz
Download or read book La photoconductivité transitoire dans le silicium amorphe hydrogéné written by Patrice Pipoz and published by . This book was released on 1996 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Caractérisation structurale et optique du silicium amorphe hydrogène et des oxydes de silicium photoluminescents élaborés par évaporation by : Hervé Rinnert
Download or read book Caractérisation structurale et optique du silicium amorphe hydrogène et des oxydes de silicium photoluminescents élaborés par évaporation written by Hervé Rinnert and published by . This book was released on 1999 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail concerne l'étude de couches minces de silicium amorphe hydrogène et d'oxyde de silicium préparées par évaporation sous vide. Ces matériaux sont respectivement élaborés par évaporation de silicium sous un flux d'ions hydrogène et par évaporation de poudre de SiO. La méthode de préparation du silicium amorphe hydrogène permet de contrôler de nombreux paramètres de dépôt. La température du substrat, l'énergie des ions hydrogène et la composition du plasma sont étudiées. La stabilité et la localisation de l'hydrogène sont respectivement étudiées par spectrométrie de désorption thermique et par spectrométrie d'absorption infrarouge. La température du substrat modifie considérablement la nature des liaisons silicium hydrogène et l'énergie des ions est un facteur important permettant de densifier la structure du matériau. Les matériaux obtenus sont photoconducteurs et la photoconductivité sous un éclairement prolongé est très stable dans le cas des matériaux ayant une structure dense dans laquelle l'hydrogène, lié sous forme de mono hydrides, est très stable. Les films d'oxyde de silicium présentent le phénomène de photoluminescence dans le domaine spectral visible. La caractérisation structurale et optique de ces matériaux est effectuée afin d'expliquer l'émission de photons. L’influence de la stœchiométrie et des recuits thermiques est étudiée. La spectrométrie d'absorption infrarouge ainsi que l'effet Raman permettent de mettre en évidence l'existence de grains de silicium dans une matrice d'oxyde de silicium. Les mesures optiques sont interprétées en considérant l'existence de deux phases distinctes. L’énergie des photons émis ainsi que celle du gap optique sont des fonctions décroissantes de la fraction volumique de silicium pur présent dans le matériau. Le modèle du confinement quantique des porteurs dans des grains de silicium amorphe ayant une dimension caractéristique égale à quelques dizaines d'angströms permet d'expliquer les résultats obtenus.
Book Synopsis Contribution à l'étude de la localisation et de la stabilité de l'hydrogène dans le silicium amorphe et le silicium poreux by : Nasreddine Hadj Zoubir
Download or read book Contribution à l'étude de la localisation et de la stabilité de l'hydrogène dans le silicium amorphe et le silicium poreux written by Nasreddine Hadj Zoubir and published by . This book was released on 1995 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à l'étude des liaisons Si-H dans le silicium amorphe hydrogéné et le silicium poreux à l'aide de la spectrométrie de désorption thermique (TDS) et de la spectrométrie d'absorption infrarouge. Le silicium amorphe est préparé par évaporation réactive en présence d'un plasma ECR d'hydrogène. Pour des températures de substrat Ts inferieures à 120°C, les couches amorphes sont poreuses et incorporent une quantité importante d'oxygène. La structure de ces couches devient plus dense à mesure que la température de substrat augmente: pour Ts égal à 360°C, la contamination par l'oxygène est éliminée et l'hydrogène est lié aux atomes de Si dans les seuls groupesSiH. Un phénomène de densification apparaît également dans des couches préparées en présence d'ions deutérium accélérés par une DDP de 235V. Le silicium poreux est préparé par trempage chimique dans une solution de type NaNO2/HF. L'analyse TDS de ce matériau montre que la désorption de SiH3 et SiF3, avant celle de H2, permet d'expliquer pourquoi la photoluminescence se dégrade aux faibles températures de recuit. Une étude du vieillissement à l'air de ces couches montre une augmentation de l'intensité du signal de photoluminescence en raison d'une meilleure passivation des liaisons pendantes en surface par O2 et H2O.
Book Synopsis Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells by : Olga Maslova
Download or read book Capacitance spectroscopy in hydrogenated amorphous silicon Schottky diodes and high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Olga Maslova and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux développés dans cette thèse sont dédiés à l'étude des propriétés électroniques de diodes Schottky de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et d'hétérojonctions entre silicium amorphe hydrogéné et silicium cristallin, a-Si:H/c-Si au moyen de spectroscopies de capacité de jonctions.Lors de la fabrication des cellules solaires à haut rendement plusieurs paramètres d'une hétérojonction a-Si:H/c-Si doivent être considérés. Premièrement, la densité d'états dans le gap du a-Si:H est d'une grande importance car il s'agit de défauts qui favorisent le piégeage et la recombinaison de porteurs. Deuxièmement, la détermination des désaccords des bandes entre la couche amorphe et la couche cristalline est indispensable puisque ceux-ci contrôlent le transport à travers la jonction et déterminent la courbure des bandes dans c-Si, ce qui va notamment influencer la recombinaison des porteurs sous lumière, donc la tension de circuit ouvert des cellules. Cette thèse a pour but d'étudier la spectroscopie de capacité comme technique d'analyse de paramètres clés pour les dispositifs à hétérojonctions de silicium : la densité d'états dans le a-Si:H et les désaccords des bandes entre a-Si:H et c-Si.La première partie est dédiée à l'étude de la capacité de diodes Schottky. Nous nous concentrons sur un traitement simplifié de la capacité en fonction de la température et de la fréquence reposant sur une expression analytique obtenue par une résolution approchée de l'équation de Poisson. Ce traitement permet en principe d'extraire la densité d'états au niveau de Fermi dans le a-Si:H et la fréquence de saut des électrons depuis un état localisé au niveau de Fermi vers la bande de conduction. En appliquant ce traitement simplifié à la capacité calculée sans approximation à l'aide de deux logiciels de simulation numérique, nous montrons que sa fiabilité et sa validité dépendent fortement de la distribution des états localisés dans la bande interdite du a-Si:H et de la position du niveau de Fermi. Puis nous abordons l'étude de la capacité des hétérojonctions entre a-Si:H de type p et c-Si de type n, et nous mettons particulièrement en avant l'existence d'une couche d'inversion forte à l'interface dans le c-Si, formant un gaz bidimensionnel de trous. Dans une première partie, nous présentons une étude par simulation numérique de la dépendance de la capacité en fonction de la température, pour laquelle un ou deux échelons peuvent être mis en évidence à basse température. Leur analyse montre qu'un des ces échelons est attribué à l'activation de la réponse de la charge dans le a-Si:H, alors que l'autre, présentant une énergie d'activation plus grande, est lié à la modulation de la concentration des trous dans la couche d'inversion forte, lorsque celle-ci existe. On présente ensuite une discussion de résultats expérimentaux. Le régime quasi-statique de la capacité fait ainsi l'objet d'une discussion. Nous mettons en relief le fait que l'approximation de la zone de déplétion ne permet pas de reproduire cette augmentation de la capacité en fonction de la température. Du fait de l'existence de la couche d'inversion forte, la chute de potentiel dans la zone de déplétion du c-Si est plus faible que la valeur déterminée par le calcul attribuant toute la chute de potentiel à la zone de déplétion. Par conséquent, cette approximation conduit à sous-estimer la capacité ainsi que son augmentation avec la température. Nous présentons alors un calcul analytique complet qui tient compte à la fois de la distribution particulière du potentiel dans le a-Si:H, et des trous dans le c-Si dont la contribution à la concentration totale de charges n'est pas négligeable dans la couche d'inversion forte. Le calcul analytique complet permet de bien reproduire les résultats expérimentaux de capacité en fonction de la température; ceci confirme la présence de la couche d'inversion forte dans les échantillons étudiés.
Book Synopsis Études des propriétés structurales, optoélectroniques et de la métastabilité d'un nouveau matériau by : Raphae͏̈l Butté
Download or read book Études des propriétés structurales, optoélectroniques et de la métastabilité d'un nouveau matériau written by Raphae͏̈l Butté and published by . This book was released on 2000 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail consistait à caractériser un nouveau matériau appelé silicium polymorphe hydrogéné (pm-Si:H) aux excellentes propriétés optoélectroniques et de transport comparé au silicium amorphe hydrogéné conventionnel (a-Si:H). Ce matériau est obtenu par PECVD à partir d'un mélange silane/hydrogène dans un régime proche de la formation des poudres. Nous avons comparé les propriétés de ce matériau à celles de films de a-Si:H standard optimisés. Ainsi, la photoconductivité normalisée du pm-Si:H est plus de deux ordres de grandeur (plus d'un ordre de grandeur) plus élevée que dans a-Si:H pour les films déposés à 250°C (150°C). Après dégradation sous lumière, la photoconductivité normalisée des films de pm-Si:H est aussi bonne que celle du a-Si:H dans son état non dégradé. La densité d'état au niveau de Ferni et la section efficace de capture des défauts sont respectivement 10 fois et 5 fois plus faible que dans le a-Si:H. Ainsi, l'amélioration de la photoconductivité normalisée résulte d'une augmentation de la durée de vie des porteurs. Des mesures du pouvoir thermoélectrique ont révélé que les électrons sont les porteurs majoritaires. L'analyse de mesures de conductivité et de pouvoir thermoélectrique suggère la présence de fluctuations de potentiels à longue portée importantes. L'analyse structurale de ces couches par MET et par spectroscopie Raman a révélé la présence de cristallites de silicium de l'ordre de 4nm isolées dans une matrice de silicium amorphe. Les mesures de spectroscopie optique indiquent que les couches de pm-Si:H présentent un ordre amélioré. La spectroscopie infrarouge a révélé une incorporation particulière de l'hydrogène (plaquette d'hydrogène et/ou hydrogène saturant la surface des cristallites). La diminution de la section efficace de capture des défauts s'expliquerait soit par un effet de confinement quantique (pour des liaisons pendantes situées en surface des cristallites) soit par la relaxation des contraintes dans la matrice amorphe.
Book Synopsis Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné by : Jean Dijon
Download or read book Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
Book Synopsis Etude du silicium polymorphe hydrogéné en couches minces pour applications photovoltaïques by : Ouafa Saadane
Download or read book Etude du silicium polymorphe hydrogéné en couches minces pour applications photovoltaïques written by Ouafa Saadane and published by . This book was released on 2003 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The work presented in this thesis is devoted to the study of the metastability in the hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H). The pm-Si:H films deposited in a plasma regime close to the powder formation, which promoted the incorporation of nanocrystallites and/or clusters in amorphous matrix of the layers. Previous results have shown the promising potentiality of the pm-Si:H for photovoltaic conversion. The aim of this study is to bring a better comprehension between the structural and optoelectronic properties of pm-Si:H films prepared under different deposition conditions. We used various methods of characterizations, and in particular some electrical techniques of characterizations: measurements of conductivity and photoconductivity (constant photocourant method, modulated photocurrent, steady state photocarrier gratings)), which we coupled with methods of structural characterizations (Fourier transform infrared spectroscopy and hydrogen effusion experiments). We particularly studied the metastability of the pm-Si:H. After a systematic study of a large number of pm-Si:H films, we highlighted the deposition conditions which lead to films with good properties transport (high deposition rate, high and excellent stability of the ambipolar diffusion length of the minority carriers, better efficiency of the solar cells). A link between hydrogen bonding and transport properties is made that shows that to exhibit good transport properties the material has to present a peculiar microstructure revealed by the hydrogen bonding. However, the hydrogen bonding and/or content in this structure has to be adjusted via the deposition conditions to reach an optimum hydrogen incorporation leading to the best layers and the best solar cell devices.
