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Etude Des Defauts Apres Implantation Ionique De Loxygene Dans Le Silicium
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Book Synopsis ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L'OXYGENE DANS LE SILICIUM by : DANIEL.. BERTRAND
Download or read book ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L'OXYGENE DANS LE SILICIUM written by DANIEL.. BERTRAND and published by . This book was released on 1981 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
Book Synopsis ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D'OXYGENE DANS LE SILICIUM by : Philippe Thevenin
Download or read book ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D'OXYGENE DANS LE SILICIUM written by Philippe Thevenin and published by . This book was released on 1991 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Book Synopsis Etude du comportement de l'oxygène dans le silicium et dans l'oxyde de silicium sous bombardement par des électrons de quelques Kev by : Pierre Juliet
Download or read book Etude du comportement de l'oxygène dans le silicium et dans l'oxyde de silicium sous bombardement par des électrons de quelques Kev written by Pierre Juliet and published by . This book was released on 1984 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE
Book Synopsis Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium by : Philippe Vendange (auteur en microélectronique).)
Download or read book Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium written by Philippe Vendange (auteur en microélectronique).) and published by . This book was released on 1987 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat
Book Synopsis Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène by : Colonel Chomard (manager des Forbans).)
Download or read book Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène written by Colonel Chomard (manager des Forbans).) and published by . This book was released on 1976 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium by : Philippe Vendange
Download or read book Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium written by Philippe Vendange and published by . This book was released on 1987 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT
Book Synopsis Étude des défauts liés à l'oxygène dans le silicium Czochralski destiné aux cellules solaires photovoltaïques – Influence des impuretés isovalentes by : Florent Tanay
Download or read book Étude des défauts liés à l'oxygène dans le silicium Czochralski destiné aux cellules solaires photovoltaïques – Influence des impuretés isovalentes written by Florent Tanay and published by . This book was released on 2013 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.
Book Synopsis Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène by : Colonel Chomard
Download or read book Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène written by Colonel Chomard and published by . This book was released on 1975 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Développement des techniques de caractérisation capacitives by : Boudjemaa Remaki
Download or read book Développement des techniques de caractérisation capacitives written by Boudjemaa Remaki and published by . This book was released on 1985 with total page 106 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude de l'influence du recul de l'oxygène sur le silicium implanté à travers oxyde by : Béatrice Biasse
Download or read book Etude de l'influence du recul de l'oxygène sur le silicium implanté à travers oxyde written by Béatrice Biasse and published by . This book was released on 1981 with total page 116 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS
Book Synopsis Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium (traité EGEM) by : Baudrant
Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium (traité EGEM) written by Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on with total page 371 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI by : Jean-Pierre Brevignon
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI written by Jean-Pierre Brevignon and published by . This book was released on 1976 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL PENDANT UN TRAITEMENT THERMIQUE ET CARACTERISATION PAR TOPOGRAPHIE RX ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS PROFONDS DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM IMPLANTE EN OXYGENE ET EN SILICIUM, PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE by : ZOHEIR.. GUENNOUNI
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS PROFONDS DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM IMPLANTE EN OXYGENE ET EN SILICIUM, PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE written by ZOHEIR.. GUENNOUNI and published by . This book was released on 1991 with total page 194 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE LA COMPENSATION DES PORTEURS LIBRES ET DES CENTRES PROFONDS DANS LES ECHANTILLONS DE GAAS IMPLANTES OU CO-IMPLANTES EN OXYGENE ET EN SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE CAPACITIVE. LES PRINCIPES DES METHODES CLASSIQUES DLTS DE CARACTERISATION DES DEFAUTS ONT ETE DEVELOPPES ET PRESENTES. ON DECRIT EGALEMENT LA NOUVELLE METHODE FTDLTS (DLTS UTILISANT UNE TRANSFORMEE DE FOURIER) QUI PRESENTE UN MEILLEUR POUVOIR SEPARATEUR PERMETTANT DE MIEUX CARACTERISER LES DEFAUTS AYANT DES CONSTANTES DE TEMPS VOISINES. EN CE QUI CONCERNE LA COMPENSATION, ON MONTRE QUE CELLE-CI N'EST PAS DUE SEULEMENT A L'OXYGENE, QU'ELLE DIMINUE EN PRESENCE DE SILICIUM CO-IMPLANTE LORSQUE LE RECUIT EST EFFECTUE A HAUTE TEMPERATURE ET QU'ELLE NE SEMBLE PAS LIEE NON PLUS AUX DEFAUTS DU TYPE EL2. EN CE QUI CONCERNE LES CENTRES PROFONDS, DEUX GROUPES DE DEFAUTS ONT ETE MIS EN EVIDENCE. LE PREMIER GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 220-280 K OU QUATRE DEFAUTS U1, U2, U3 ET U4 DONT LES ENERGIES D'ACTIVATION DES TAUX D'EMISSION SONT CENTREES SUR CELLE DU NIVEAU EL3 ONT ETE CARACTERISES. CES DEFAUTS SEMBLENT ETRE LIES AU DESORDRE DU RESEAU CRISTALLIN DU SUBSTRAT. LE DEUXIEME GROUPE DANS LE DOMAINE DE TEMPERATURES 280-450 K OU LES SIGNATURES DES TROIS DEFAUTS E1, E2, ET E3 DE LA FAMILLE DE DEFAUTS EL2 DU GAAS ONT PU ETRE EVALUEES. LE DEFAUT E1 SEMBLE ETRE UN COMPLEXE DONT FAIT PARTIE L'OXYGENE IMPLANTE, LE DEFAUT E2 EST LIE AUX CONDITIONS DE PREPARATION DU SUBSTRAT ET LE DEFAUT E3 CORRESPOND PROBABLEMENT A EL2
Book Synopsis PIEGEAGE ET NEUTRALISATION DES DEFAUTS DANS LE SILICIUM. EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES CONVENTIONNELS ET RAPIDES. INFLUENCE DE L'OXYGENE ET DU CARBONE by : KHALID.. MAHFOUD
Download or read book PIEGEAGE ET NEUTRALISATION DES DEFAUTS DANS LE SILICIUM. EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES CONVENTIONNELS ET RAPIDES. INFLUENCE DE L'OXYGENE ET DU CARBONE written by KHALID.. MAHFOUD and published by . This book was released on 1996 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MATERIAUX CRISTALLINS DE SILICIUM SONT TRES DIFFERENTS LES UNS PAR RAPPORT AUX AUTRES, EN RAISON DE LA GRANDE VARIETE DES PROCESSUS DE CROISSANCE ADOPTES PAR LES DIVERS FABRICANTS. LA STRUCTURE CRISTALLINE ET LA TENEUR EN IMPURETES RESIDUELLES VARIENT SUIVANT LE TYPE DE CROISSANCE, LE TYPE DE CREUSET ET DE L'ATMOSPHERE. EN PARTICULIER, LA CONTAMINATION PAR LE CARBONE ET L'OXYGENE SERA TRES DIFFERENTE D'UN MATERIAU A L'AUTRE. L'ETUDE DE L'EVOLUTION DE LA CONCENTRATION DE CES IMPURETES ET DES DUREES DE VIE DES PHOTOPORTEURS, EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA DUREE DE RECUIT, DES DIFFERENTS CYCLES THERMIQUES, EN FOUR CONVENTIONNEL OU EN FOUR A LAMPES, MONTRE QUE LES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES (EN PARTICULIER, LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES L#D), DEPENDENT FORTEMENT DE L'INTERACTION ENTRE LE COUPLE C-O (CARBONE-OXYGENE), LES METAUX DE TRANSITION ET LES DEFAUTS ETENDUS, QUI SONT, EN GRANDE PARTIE RESPONSABLES DE LA RECOMBINAISON. IL VA DE SOI QUE CET EQUILIBRE SERA MODIFIE LORS DES PROCESSUS THERMIQUES INHERENTS A LA FABRICATION DU DISPOSITIF (TRAITEMENT DE GETTERING, FORMATION DE JONCTION, DU CHAMP ARRIERE, PASSIVATION, ETC)
Book Synopsis ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION DANS LE SILICIUM by : OLUSEYI.. ADEKOYA
Download or read book ETUDE DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION DANS LE SILICIUM written by OLUSEYI.. ADEKOYA and published by . This book was released on 1987 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE
Book Synopsis IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION by : Dirk Christoph Schmidt
Download or read book IMPLANTATION INDUCED DEFECTS IN SILICON AND THEIR INFLUENCE ON PLATINUM DIFFUSION written by Dirk Christoph Schmidt and published by . This book was released on 1998 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES RECHERCHES CONCERNANT LE TRAVAIL PRESENTE DANS CETTE THESE D'UNIVERSITE ONT ETE EFFECTUEES DANS TROIS PAYS DIFFERENTS DE LA COMMUNAUTE EUROPEENNE ; AU LABORATOIRE DE METALLURGIE PHYSIQUE DE L'UNIVERSITE DE POITIERS, AU LABORATOIRE DU IV. PHYSIKALISCHES INSTITUT DE L'UNIVERSITE DE GOTTINGEN (ALLEMAGNE) ET AU LABORATOIRE D'ELECTRONIQUE DE L'ETAT SOLIDE A L'INSTITUT ROYAL DE TECHNOLOGIE DE STOCKHOLM (SUEDE). L'OR ET LE PLATINE SONT DES IMPURETES METALLIQUES COURAMMENT EMPLOYEES DANS L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE POUR CONTROLER LA DUREE DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES DANS LES DISPOSITIFS DE PUISSANCE A FAIBLE TEMPS DE COMMUTATION. RECEMMENT, L'IMPLANTATION AUX IONS LEGERS A MONTRE QU'ELLE POUVAIT ETRE UTILISEE COMME METHODE DE SUBSTITUTION A LA DIFFUSION DES IMPURETES EN RAISON DES DIVERS AVANTAGES QU'ELLE PRESENTE COMME PAR EXEMPLE LA REPRODUCTIBILITE, LA POSSIBILITE DE CHANGER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE LA DIODE A LA FIN DES DIFFERENTES ETAPES DE FABRICATION ET LE FAIT QUE LA TEMPERATURE DE LA DIODE EST BEAUCOUP PLUS BASSE DURANT L'IMPLANTATION QUE PENDANT LA DIFFUSION THERMIQUE. LA COMBINAISON IMPLANTATION-DIFFUSION EST EGALEMENT PROPOSEE COMME UNE METHODE ALTERNATIVE CAR ELLE PERMET DE REDUIRE DE FACON NOTABLE LA TEMPERATURE DE DIFFUSION DES IMPURETES ET DE CONTROLER PRECISEMENT LA POSITION ET LA CONCENTRATION DES CENTRES DE RECOMBINAISON. DANS CETTE THESE, L'INFLUENCE DES DEFAUTS, INTRODUITS PAR IMPLANTATION IONIQUE OU IRRADIATION AUX ELECTRONS, SUR LA DIFFUSION DU PLATINE A ETE ETUDIE. LA PRINCIPALE METHODE DE CARACTERISATION UTILISEE EST LA SPECTROSCOPIE TRANSITOIRE DES NIVEAUX PROFONDS OU DLTS (DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY). CETTE METHODE PERMET DE DETERMINER LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DEFAUTS AINSI CREES ET DU PLATINE DIFFUSE. ON OBSERVE QUE LES DEFAUTS, PRODUITS PAR L'IRRADIATION AUX ELECTRONS OU PAR IMPLANTATION IONIQUE DE PROTONS OU DE PARTICULES ALPHA, SONT DECORES PAR LE PLATINE. CE RESULTAT PEUT ETRE EXPLIQUE EN INVOQUANT LES MECANISMES DE DIFFUSION DE TYPE KICK-OUT ET DE FRANK-TURNBULL. AU-DESSOUS D'UNE TEMPERATURE DE DIFFUSION DE 600C ON NE DETECTE AUCUN ATOME DE PLATINE DIFFUSE. CEPENDANT DE NOUVEAUX DEFAUTS, LIES A LA PRESENCE D'INTERSTITIELS, SURGISSENT DANS LE SPECTRE DLTS. ENFIN DES IMPLANTATIONS DE SILICIUM ET DES IRRADIATIONS AUX ELECTRONS DANS DES SUBSTRATS A TEMPERATURES ELEVES ONT ETE REALISEES AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LA NATURE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION/IRRADIATION.
Book Synopsis Influence des défauts liés au silicium sur les propriétés du monoxyde de silicium en couches minces by : Jacques Pivot
Download or read book Influence des défauts liés au silicium sur les propriétés du monoxyde de silicium en couches minces written by Jacques Pivot and published by . This book was released on 1976 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
