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Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogene Depose Par Pulverisation
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Book Synopsis Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogene Depose Par Pulverisation by : Khelifati Nabil
Download or read book Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogene Depose Par Pulverisation written by Khelifati Nabil and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2013 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des la decouverte du silicium amorphe hydrogene vers la fin des annees soixante, de nombreux efforts de recherche ont ete entrepris sur ce materiau afin d'arriver a mieux comprendre ses proprietes et elargir ses domaines d'application. Le grand avantage que ce materiau procure est la possibilite de le deposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible cout. A cote de ces avantages, la possibilite qu'il soit dope et de changer le type de porteurs ainsi que l'ordre de grandeur de sa conductivite, a permis d'envisager de nombreuses applications concernant la realisation de diverses structures electroniques. Il y a donc eu de rapides progres dans l'etude du silicium amorphe depuis 1975, date a laquelle les premieres experiences de dopage ont ete mentionnees. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilise pour le rendre intrinseque et obtenir une conductivite minimum. Ce materiau est l'element actif de nombreux dispositifs electroniques comme les cellules solaires, les photorecepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages eleves sont necessaires pour realiser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le materiau intrinseque.
Book Synopsis Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene by : Didier Jousse
Download or read book Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné by : Frédéric Vaillant
Download or read book Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné written by Frédéric Vaillant and published by . This book was released on 1987 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EFFET DE L'INTRODUCTION DE DIBORANE ET DE PHOSPHINE DANS LE MELANGE GAZEUX DEPOSE PAR DECHARGE ELECTROLUMINESCENTE A 50 H::(3). CARACTERISATION PAR METHODE OPTIQUE DANS LE VISIBLE ET L'IR, DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE, CONDUCTIVITE ET PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE. VARIATION AVEC LE DOPAGE DE PROPRIETES ELECTRIQUES. PROPOSITION D'UN NOUVEAU MODELE DE RECOMBINAISON
Book Synopsis Conductivité et photoconductivité du silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation réactive by : Mohamed-El-Bachir Semmache
Download or read book Conductivité et photoconductivité du silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation réactive written by Mohamed-El-Bachir Semmache and published by . This book was released on 1983 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: PRESENTATION DE LA METHODE DE PREPARATION DES ECHANTILLONS ET DES PARAMETRES CARACTERISANT LE DEPOT. ETUDE DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE PERMETTANT DE CARACTERISER LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE ET LES DIFFERENTS MODES DE TRANSPORT ET DE RECOMBINAISON DE PORTEURS DE CHARGE. LES RESULTATS SONT ANALYSES EN TENANT COMPTE DU BOMBARDEMENT DES COUCHES ET DES DEFAUTS INDUITS PAR CE BOMBARDEMENT
Book Synopsis Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné by : Didier Jousse
Download or read book Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE
Book Synopsis Etude du silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation réactive by : Jacques Tardy
Download or read book Etude du silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation réactive written by Jacques Tardy and published by . This book was released on 1982 with total page 244 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PROPRIETES PHYSIQUES DE COUCHES MINCES DE SI AMORPHE HYDROGENE PREPAREES PAR PULVERISATION REACTIVE. LES PROPRIETES DES COUCHES SERAIENT REGIES PAR LE BOMBARDEMENT PAR DES IONS ENERGETIQUES, PAR DES NEUTRES ET PAR DES ELECTRONS, EFFECTUE AU COURS DE LA FABRICATION DES COUCHES. ANALYSE DU PLASMA PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. MISE EN EVIDENCE DU ROLE IMPORTANT DU BOMBARDEMENT PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT
Book Synopsis ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE by : Nadjib Hassani
Download or read book ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE written by Nadjib Hassani and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A PARTIR DES MESURES DE LA CAPACITE ET DE LA CONDUCTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE, ON DETERMINE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES AU NIVEAU DE FERMI ET LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE DES ELECTRONS. L'EVOLUTION DE LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE PERMET D'ECARTER LE MECANISME DE L'EMISSION MULTIPHONONIQUE AVEC FAIBLE COUPLAGE COMME PROCESSUS DE CAPTURE POUVANT EXISTER DANS LE MATERIAU A-SI:H ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
Book Synopsis Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique by : Laurent Lusson
Download or read book Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique written by Laurent Lusson and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
