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Contribution A Letude Du Comportement Thermique Et Des Dispersions De Fabrication Des Transistors Bipolaires
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Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement thermique et des dispersions de fabrication des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Daubonne
Download or read book Contribution à l'étude du comportement thermique et des dispersions de fabrication des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Daubonne and published by . This book was released on 1971 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes by : Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.)
Download or read book Contribution à l'étude des effets de surface sur les transistors bipolaires tétrodes written by Michèle Roux-Nogatchewsky (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1979 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE L'INFLUENCE D'UN RAYONNEMENT IONISANT SUR LES PROPRIETES DE BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS. LES PROBLEMES D'IRRADIATION ET DE SURFACE SONT TRES LIES DE SORTE QUE LE RAYONNEMENT CONSTITUE UN OUTIL PERMETTANT DE MIEUX CONNAITRE LES PTES DE SURFACE ET LEUR INFLUENCE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU COMPOSANT. DESCRIPTION DU PROCEDE DE FABRICATION, ET A PARTIR DE L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES EN REGIME STATIQUE ET DU BRUIT DE FOND AUX BF ET MF, IDENTIFICATION DES MECANISMES PHYSIQUES REGISSANT LE COMPORTEMENT DES ZONES SUPERFICIELLES ET ESTIMATION DES PARAMETRES SPECIFIQUES DE LA COUCHE D'OXYDE ET DE L'INTERFACE. INFLUENCE DU RAYONNEMENT, ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION, ETUDE DES VARIATIONS DES PARAMETRES DE SURFACE INFLUENCANT LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR ET IDENTIFICATION DES PHENOMENES PHYSIQUES. MISE EN EVIDENCE DES EFFETS DE RADIATION SUR LES SOURCES DE BRUIT. REGLES DE POLARISATION POUR MINIMISER LES EFFETS DE RAYONNEMENTS SUR LE BRUIT DE FOND
Book Synopsis Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence by : Antonio Muñoz Yagüe
Download or read book Contribution à l'étude du comportement des transistors bipolaires en régime dynamique haute fréquence written by Antonio Muñoz Yagüe and published by . This book was released on 1972 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Le bruit de fond des composants actifs semi-conducteurs by :
Download or read book Le bruit de fond des composants actifs semi-conducteurs written by and published by . This book was released on 1972 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis La diffusion de la lumière par les fluides. Paris, 15-17 juillet 1971 by :
Download or read book La diffusion de la lumière par les fluides. Paris, 15-17 juillet 1971 written by and published by . This book was released on 1972 with total page 886 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis PARTICIPATION A L'ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTROTHERMIQUE DES I.G.B.T. (TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE ISOLEE) by : FRANCIS.. CALMON
Download or read book PARTICIPATION A L'ETUDE DU COMPORTEMENT ELECTROTHERMIQUE DES I.G.B.T. (TRANSISTORS BIPOLAIRES A GRILLE ISOLEE) written by FRANCIS.. CALMON and published by . This book was released on 1995 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE SUR LES MECANISMES PHYSIQUES DE COUPLAGE ENTRE LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, LA TEMPERATURE DE LA PUCE DE SILICIUM ET LA TECHNOLOGIE DE L'IGBT (EPITAXIEE A COUCHE TAMPON ET REDUCTION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS OU A CONTROLE DE L'INJECTION DE CHARGES DITE HOMOGENE). LA COMPLEMENTARITE MESURES ET SIMULATIONS ELECTROTHERMIQUES DEUX DIMENSIONS PERMET D'ANALYSER LA VARIATION DE LA CHUTE DE TENSION STATIQUE AVEC LA TEMPERATURE. LA DEPENDANCE DE LA CHARGE STOCKEE AVEC LA TEMPERATURE EST RELIEE AU COEFFICIENT STATIQUE DE TEMPERATURE (DV#C#E/DT). DANS UN HACHEUR SUR CHARGE INDUCTIVE SANS CIRCUIT D'AIDE A LA COMMUTATION, CETTE ETUDE PERMET AUSSI DE COMPRENDRE LA RELATION ENTRE LA PENTE DE TENSION A L'OUVERTURE (DV/DT), LA STRUCTURE DE L'IGBT ET LES CONDITIONS EXPERIMENTALES: RESISTANCE DE GRILLE, TEMPERATURE, NIVEAU DE COURANT. APRES LA DISPARITION DU COURANT ELECTRONIQUE AMENE PAR LE CANAL, LA MONTEE DE LA TENSION AUX BORNES DU DISPOSITIF GENERE L'ETALEMENT D'UNE ZONE DE CHARGE D'ESPACE DANS LA BASE ET CREE UN COURANT INSTANTANE PAR EVACUATION DE LA CHARGE STOCKEE. LA VALEUR DU DV/DT EST TELLE QUE LE COURANT INSTANTANE SE SUBSTITUE AU COURANT ELECTRONIQUE STATIQUE. EN DERNIER LIEU, LE COMPORTEMENT DES IGBT EN COURT-CIRCUIT EST ABORDE. LE MECANISME DE DESTRUCTION DU COMPOSANT EST DETERMINE GRACE A L'ESTIMATION DE LA TEMPERATURE DU SILICIUM PENDANT LA SURCHARGE. L'INJECTION PAR AVALANCHE POUR LA STRUCTURE EPITAXIEE ET L'EMBALLEMENT THERMIQUE PAR GENERATION EXCESSIVE DE PORTEURS INTRINSEQUES POUR LE COMPOSANT A CONTROLE DE L'INJECTION DE CHARGES SEMBLENT ETRE A L'ORIGINE DE LA DESTRUCTION DES DISPOSITIFS ETUDIES DANS CE MEMOIRE
Book Synopsis Optimisation du comportement électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction HF de puissance by : PATRICE.. SOUVERAIN
Download or read book Optimisation du comportement électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction HF de puissance written by PATRICE.. SOUVERAIN and published by . This book was released on 1999 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION DU COMPORTEMENT ELECTROTHERMIQUE DES TBHS DESTINES A L'AMPLIFICATION R.F DE PUISSANCE. CEUX-CI SOUFFRENT EN EFFET D'UN AUTOECHAUFFEMENT IMPORTANT LIE A LA FAIBLESSE DE LA CONDUCTIVITE THERMIQUE DU GAAS ET NECESSITENT UNE OPTIMISATION SPECIFIQUE. UNE MODELISATION ELECTROTHERMIQUE MONTRE QUE L'ON PEUT ATTENDRE DES DISPOSITIFS ETUDIES UN ACCROISSEMENT DE LA PUISSANCE DYNAMIQUE DE SORTIE DE 50% EN REDUISANT LEUR RESISTANCE THERMIQUE, R T H, D'UN FACTEUR 3. L'ETUDE 3D DE L'ECOULEMENT DE LA CHALEUR DANS CES DISPOSITIFS MET EN EVIDENCE L'INFLUENCE DE LA TOPOLOGIE DE LA SOURCE ET DE LA DENSITE DE PUISSANCE DISSIPEE SUR LA DETERMINATION DE R T H. LE CHOIX D'UNE NOUVELLE TOPOLOGIE D'EMETTEUR (A E = 6 60 M) EST AINSI JUSTIFIE. CETTE ETUDE MONTRE DE PLUS QUE MALGRE LE ROLE ESSENTIEL DES PONTS A AIR DANS L'EVACUATION DE LA CHALEUR (R T H REDUITE DE 37%), LA FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE DU SUBSTRAT EN ASGA RESTE LA CAUSE PRINCIPALE DES FORTES ELEVATIONS DE TEMPERATURE. DANS CES CONDITIONS, LE REMPLACEMENT DU SUBSTRAT GAAS PAR UN MATERIAU DE MEILLEURE CONDUCTIVITE THERMIQUE (SI, ALN, DIAMANT) APPORTE UNE REDUCTION SENSIBLE DE R T H (78% POUR LE DIAMANT). DEUX TYPES DE REPORT DES COUCHES ACTIVES DE TBHS SONT DONC MIS EN UVRE. IL S'AGIT D'UNE PART DU REPORT PAR LIFT OFF EPITAXY (LOE) SUR SUBSTRAT SILICIUM, ET D'AUTRE PART DU REPORT PAR BRASURE DES COUCHES ACTIVES INVERSEES SUR LES SUBSTRATS ALN ET DIAMANT. LE JOINT DE BRASURE EST DE FAIBLE EPAISSEUR (3 M) POUR MINIMISER R T H ET EST REALISE PAR INTERDIFFUSION LIQUIDE-SOLIDE IN-AU A BASSE TEMPERATURE (180\C) AFIN DE REDUIRE LES CONTRAINTES THERMOMECANIQUES. FINALEMENT, LE PROCESSUS DE FABRICATION DES TBHS SUR CES STRUCTURES EST DECRIT ET PRECISE LES ETAPES TECHNOLOGIQUES A OPTIMISER. L'APPORT DU SUBSTRAT ALN EST CONFIRME A L'AIDE D'UN TBH DE 100 100 M 2 CARACTERISE EN REGIME STATIQUE. ENFIN, LA CARACTERISATION ELECTROTHERMIQUE DES TBHS REALISES VALIDE LES RESULTATS DE L'ANALYSE THERMIQUE.
Book Synopsis Études et développement de transistors bipolaires Si/SiGe by : Élodie Canderle
Download or read book Études et développement de transistors bipolaires Si/SiGe written by Élodie Canderle and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail de cette thèse s'inscrit dans le contexte du développement de la technologie BiCMOS055 en plateforme 300 mm, première technologie BiCMOS en nœud 55 nm au monde, avec des fréquences caractéristiques fT / fMAX = 320 / 370 GHz. Une première partie présente l'étude de différentes solutions visant à réduire la résistance de base extrinsèque de l'architecture DPSA-SEG afin d'améliorer la fréquence maximale d'oscillation fMAX. Nous montrons alors que changer la nature des matériaux n'apporte pas d'amélioration, mais que l'ajout de différents recuits après réalisation de la base intrinsèque permet d'augmenter significativement les performances du transistor tout en restant compatible avec les transistors MOS. La seconde partie de ce travail s'est attachée à démontrer les potentialités d'un transistor avec un module collecteur totalement implanté, où couche enterrée et tranchées d'isolation profondes ont été retirées. Les résultats obtenus montrent qu'il est possible, en optimisant le dessin des structures, d'obtenir des fT et fMAX atteignant respectivement 96% et 91% des paramètres de la technologie de référence. Enfin la dernière partie présente l'étude de l'impact des interconnexions métalliques sur les paramètres électriques du transistor sous-jacent. Il en ressort que la contrainte mécanique a un impact significatif, mais que les interconnexions influencent peu le comportement thermique du composant.
Book Synopsis Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.)
Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE FINE DES DIVERS MECANISMES QUI AFFECTENT LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. IDENTIFICATION A PARTIR D'UNE FORMULATION NOUVELLE DES EQUATIONS GENERALES DES SEMICONDUCTEURS, DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR LAMELLAIRE. INFLUENCE DES PHENOMENES DE DEGENERESCENCE SUR LE RDT D'INJECTION DU COMPOSANT. EFFETS DE HAUTE INJECTION. PHENOMENES DE CONDUCTION DANS LA BASE. COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EN REGIME DYNAMIQUE.
Book Synopsis Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires by : Jean-Pierre Bailbé
Download or read book Contribution à l'étude physique des transistors bipolaires written by Jean-Pierre Bailbé and published by . This book was released on 1977 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires by : Michel Thouy
Download or read book Contribution à l'étude de l'efficacité d'injection des transistors bipolaires written by Michel Thouy and published by . This book was released on 1976 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Power Electronics Semiconductor Devices by : Robert Perret
Download or read book Power Electronics Semiconductor Devices written by Robert Perret and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2013-03-01 with total page 381 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DANS UN PROCEDE BICMOS HAUTE-FREQUENCE by : ALAIN.. MORETTO
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DANS UN PROCEDE BICMOS HAUTE-FREQUENCE written by ALAIN.. MORETTO and published by . This book was released on 1996 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TECHNOLOGIE BICMOS COMBINE, SUR UN MEME CRISTAL, DES TRANSISTORS MOS ET BIPOLAIRES DESTINES A DES APPLICATIONS MIXTES NUMERIQUES ET ANALOGIQUES RAPIDES. ELLE FAIT INTERVENIR DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A EMETTEUR POLYCRISTALLIN DONT L'EMETTEUR EST COMPOSE D'UNE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DE CONTACT, D'UNE ZONE ACTIVE MONOCRISTALLINE ET D'UNE COUCHE INTERFACIALE D'OXYDE. NOTRE ETUDE EST AXEE SUR L'IMPORTANCE DE LA MINCE COUCHE D'OXYDE A L'INTERFACE POLY/MONO: SA PRESENCE EST INDISPENSABLE POUR FOURNIR UN PRODUIT GAIN EN COURANT X POTENTIEL DE EARLY PERFORMANT ; EN REVANCHE, SON EPAISSEUR DOIT ETRE LIMITEE POUR EVITER DES CONSEQUENCES NEFASTES (RESISTANCE D'ACCES A L'EMETTEUR TROP ELEVEE, REPONSE EN FREQUENCE TROP LIMITEE). DANS UN PREMIER TEMPS, QUELQUES ELEMENTS DE LA PHYSIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SONT PRESENTES PUIS NOUS RAPPELERONS LES ETAPES TECHNOLOGIQUES DE FABRICATION EN METTANT EN EVIDENCE LES LIENS AVEC LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR SUBMICRONIQUE. L'ETUDE DE LA COUCHE D'OXYDE EST MENEE DE FACON ORIGINALE GRACE A L'UTILISATION DE DIFFERENTES APPROCHES COMPLEMENTAIRES ET CONVERGENTES (MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, MODELISATION ET SIMULATION DE LA RESISTANCE D'EMETTEUR, MESURES STATIQUES, DYNAMIQUES ET EN BRUIT). EN OUTRE, L'ANALYSE DES DIFFERENTES CONTRIBUTIONS AU TEMPS DU VOL DES PORTEURS DANS LE TRANSISTOR PERMET DE MONTRER L'IMPORTANCE RELATIVE DE L'EMETTEUR POLYCRISTALLIN (ENVIRON 30% AVEC UNE EPAISSEUR D'OXYDE AUSSI MINCE QUE 8 A)
Book Synopsis Dictionary of Building and Civil Engineering by : Don Montague
Download or read book Dictionary of Building and Civil Engineering written by Don Montague and published by Taylor & Francis. This book was released on 1996 with total page 472 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.
Book Synopsis A Practical Introduction to Borehole Geophysics by : J. Labo
Download or read book A Practical Introduction to Borehole Geophysics written by J. Labo and published by . This book was released on 1987 with total page 330 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Modern Power Devices by : B. Jayant Baliga
Download or read book Modern Power Devices written by B. Jayant Baliga and published by Wiley-Interscience. This book was released on 1987-03-10 with total page 504 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Written in a tutorial form, the text supplies in-depth the physics, design, and fabrication technology for power devices. Each chapter includes a discussion of the basic concepts of device operation and their electrical characteristics, a detailed analysis of the device physics, and the technology of fabrication. Extensive analytical solutions are used to enable the reader to obtain an understanding of the physics.
Book Synopsis Building Wireless Community Networks by : Rob Flickenger
Download or read book Building Wireless Community Networks written by Rob Flickenger and published by "O'Reilly Media, Inc.". This book was released on 2003 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Building Wireless Community Networks is about getting people online using wireless network technology. The 802.11b standard (also known as WiFi) makes it possible to network towns, schools, neighborhoods, small business, and almost any kind of organization. All that's required is a willingness to cooperate and share resources. The first edition of this book helped thousands of people engage in community networking activities. At the time, it was impossible to predict how quickly and thoroughly WiFi would penetrate the marketplace. Today, with WiFi-enabled computers almost as common as Ethernet, it makes even more sense to take the next step and network your community using nothing but freely available radio spectrum. This book has showed many people how to make their network available, even from the park bench, how to extend high-speed Internet access into the many areas not served by DSL and cable providers, and how to build working communities and a shared though intangible network. All that's required to create an access point for high-speed Internet connection is a gateway or base station. Once that is set up, any computer with a wireless card can log onto the network and share its resources. Rob Flickenger built such a network in northern California, and continues to participate in network-building efforts. His nuts-and-bolts guide covers: Selecting the appropriate equipment Finding antenna sites, and building and installing antennas Protecting your network from inappropriate access New network monitoring tools and techniques (new) Regulations affecting wireless deployment (new) IP network administration, including DNS and IP Tunneling (new) His expertise, as well as his sense of humor and enthusiasm for the topic, makes Building Wireless Community Networks a very useful and readable book for anyone interested in wireless connectivity.
