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Author : Jean-Louis Souchière
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 244 pages
Book Rating : 4.:/5 (94 download)
Download or read book Contribution à l'étude des propriétés dynamiques de la surface du silicium written by Jean-Louis Souchière and published by . This book was released on 1986 with total page 244 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Jacques Pivot
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 110 pages
Book Rating : 4.:/5 (867 download)
Download or read book Contribution à l'étude des propriétés électriques et cristallographiques de l'oxyde de silicium en couches minces written by Jacques Pivot and published by . This book was released on 1969 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Jean-Paul Pialoux
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 47 pages
Book Rating : 4.:/5 (495 download)
Download or read book Contribution à l'étude des propriétés de l'or dans le silicium written by Jean-Paul Pialoux and published by . This book was released on 1969 with total page 47 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Charles Bedel
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 77 pages
Book Rating : 4.:/5 (223 download)
Download or read book Contribution à l'étude de quelques propriétés physiques du silicium et des ferrosiliciums written by Charles Bedel and published by . This book was released on 1933 with total page 77 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : FRANCIS.. RINGEISEN
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 238 pages
Book Rating : 4.:/5 (863 download)
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE D'INTERFACES METAUX NOBLES (CU, AU, AG)/SILICIUM ET DE LEURS PROPRIETES D'OXYDATION written by FRANCIS.. RINGEISEN and published by . This book was released on 1984 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTOEMISSION X ET UV DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DES ETATS DE COEUR ET DE VALENCE DES INTERFACES METAUX NOBLES CU, AU, AG/SILICIUM(111) 7 X 7 ET DE LEUR PROPRIETES D'OXYDATION. LA STRUCTURE DE CES INTERFACES EST TRES DIFFERENTE SUIVANT LA TEMPERATURE DE FORMATION. A L'AMBIANTE, LA CROISSANCE DES INTERFACES PROCEDE D'UN MECANISME DE FRANK-VAN DER MERWE POUR CU|SI ET AU|SI OU DE STRANSKI-KRASTANOV DANS LE CAS DE AG|SI. A HAUTE TEMPERATURE (400C), LA STRUCTURE DES TROIS INTERFACES EST DU TYPE STRANSKI-KRASTONOV. LES EXPERIENCES D'OXYDATION DES INTERFACES A TEMPERATURE AMBIANTE METTENT EN EVIDENCE UNE ACTION CATALYTIQUE SPECTACULAIRE DU DEPOT METALLIQUE SUR LA REACTIVITE DES ATOMES DE SILICIUM VIS A VIS DE L'OXYGENE. UN RECUIT PREALABLE DES INTERFACES A 400C CONDUIT A UNE PASSIVATION TOTALE DE LA SURFACE DE SILICIUM A L'ACTION DE L'OXYGENE
Author : Charles Bedel
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (458 download)
Download or read book Contribution à l'étude de quelques propriétés physiques du silicium et des ferrosiliciums, par M. Ch. Bedel... written by Charles Bedel and published by . This book was released on 1934 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Golla Eranna
Publisher : CRC Press
ISBN 13 : 1482232812
Total Pages : 432 pages
Book Rating : 4.4/5 (822 download)
Download or read book Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI written by Golla Eranna and published by CRC Press. This book was released on 2014-12-08 with total page 432 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.
Author : Jean-F.. Le Hir
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (495 download)
Download or read book Contribution à l'étude des propriétés électriques du silicium contenant du bore written by Jean-F.. Le Hir and published by . This book was released on 1960 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Adnan Mini
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 209 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Contribution à l'étude du silicium amorphe hydrogéné written by Adnan Mini and published by . This book was released on 1982 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (14 download)
Download or read book Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium fortement dopé written by and published by . This book was released on 1965 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Denis Jerome
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 88 pages
Book Rating : 4.:/5 (246 download)
Download or read book Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium fortement dopé written by Denis Jerome and published by . This book was released on 1966 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Denis Jerome
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 85 pages
Book Rating : 4.:/5 (128 download)
Download or read book Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium dopé written by Denis Jerome and published by . This book was released on 1966 with total page 85 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : ABDELILAH.. SLAOUI
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 123 pages
Book Rating : 4.:/5 (636 download)
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU SILICIUM HYPERDOPE OBTENU PAR IMPLANTATION ET RECUIT PAR LASER PULSE written by ABDELILAH.. SLAOUI and published by . This book was released on 1984 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE QUELQUES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES SUR DU SILICIUM AINSI PREPARE AFIN DE SEPARER LES EFFETS DUS AU FORT DOPAGE DE CEUX RESULTANT DES DEFAUTS OU DES PRECIPITES. ETUDE DES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DES CELLULES SOLAIRES UTILISANT CE MATERIAU MONTRANT QU'ELLES SONT LIMITEES PAR LE COEFFICIENT D'ABSORPTION ELEVE EN SURFACE ET PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LES QUEUES D'IMPLANTATION ET PAR LE RECUIT AU LASER
Author : RAKIA.. ALAMEH
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DE SURFACES DU SILICIUM ET D'INTERFACES ARGENT/SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE written by RAKIA.. ALAMEH and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CROISSANCE DE L'ARGENT SUR LA SURFACE SI(111)-77 A BASSE ET A HAUTE TEMPERATURES ET SUR LA SURFACE SI(100)-21 D'UNE PART, L'ADSORPTION DE L'OXYGENE SUR LA SURFACE SI(111)-77 D'AUTRE PART, ONT ETE ETUDIEES PAR UNE TECHNIQUE OPTIQUE ORIGINALE, LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE, ASSOCIEE A D'AUTRES TECHNIQUES CLASSIQUES DE SURFACE (D.E.L., AUGER). CETTE TECHNIQUE PERMET L'ETUDE DES ETATS ELECTRONIQUES DE SURFACE ET D'INTERFACE DANS LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR; ELLE EST DONC PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'OBSERVATION DES ELECTRONS S APPORTES PAR LE METAL ET PERMET DE DETERMINER LE CARACTERE METALLIQUE OU SEMI-CONDUCTEUR DE L'INTERFACE; ENFIN, ELLE DONNE DES INFORMATIONS PRECISES SUR LA MORPHOLOGIE DES DEPOTS D'ARGENT AINSI QUE SUR LE MODE DE CROISSANCE, PAR SA POSSIBILITE D'EXCITER DES RESONANCES ELECTROMAGNETIQUES DE TYPE PLASMON DANS LES COUCHES MINCES D'ARGENT. EN PARTICULIER, UNE ABSORPTION OPTIQUE A 2,3 EV A ETE OBSERVEE POUR LES TROIS INTERFACES AG/SI(111)-77, AG/SI(100)-21 ET 3-AG/SI(111). ELLE EST DUE AUX TRANSITIONS ENTRE DE NOUVEAUX ETATS ELECTRONIQUES D'INTERFACE, CORRESPONDANT AUX LIAISONS COVALENTES METTANT EN JEU LES ORBITALES DE 5 S DE L'ARGENT ET 3 P DES LIAISONS PENDANTES DU SILICIUM. CETTE ABSORPTION OPTIQUE EST, EN QUELQUE SORTE, LA SIGNATURE DE CETTE LIAISON COVALENTE. ENFIN, LE CARACTERE SEMICONDUCTEUR DE CES TROIS INTERFACES A ETE MIS EN EVIDENCE POUR LES FAIBLES RECOUVREMENTS, ET EST SUIVI PAR L'APPARITION DU CARACTERE METALLIQUE DES DEUX INTERFACES AG/SI(111)-77 ET AG/SI(100)-21 POUR LES RECOUVREMENTS PLUS ELEVES
Author : D.. MENCARAGLIA
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 35 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D'HYDROGENE written by D.. MENCARAGLIA and published by . This book was released on 1978 with total page 35 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.
Author : MATHIEU.. ROY
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 184 pages
Book Rating : 4.:/5 (78 download)
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRONIQUES DES SURFACES DU SILICIUM (HYDROGENATION) ET DE L'INTERFACE SILICIUM/METAL MONOVALENT (K,AG), PAR REFLECTOMETRIE DIFFERENTIELLE SPECTROSCOPIQUE written by MATHIEU.. ROY and published by . This book was released on 1995 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REPONSE OPTIQUE DES SURFACES SI(111)-7X7 ET SI(100) AINSI QUE L'ADSORPTION DE POTASSIUM SUR LA SURFACE SI(100) ET D'ARGENT SUR CES DEUX SURFACES ONT ETE ETUDIEES PAR REFLECTOMETRIE DIFFERENTIELLE SPECTROSCOPIQUE. L'HYDROGENATION DE LA SURFACE SI(111)-7X7 A PERMIS DE DETERMINER LA SIGNATURE OPTIQUE DES DIFFERENTS ETATS DE SURFACE ET DE CARACTERISER EN DETAIL LE PROCESSUS D'ADSORPTION D'HYDROGENE ATOMIQUE SUR CETTE SURFACE. LES RESULTATS CONCERNANT LA SURFACE SI(100) SEMBLENT FAIRE APPARAITRE UN EFFET DE SYMETRISATION DES DIMERES. LES RESULTATS OBTENUS POUR L'INTERFACE K/SI(100) FONT APPARAITRE DEUX ETATS D'EQUILIBRE LORS DU PROCESSUS D'ADSORPTION: UN EQUILIBRE DYNAMIQUE CORRESPONDANT A LA FORMATION D'AMAS 3D DE K EN COURS D'EVAPORATION, ET UN EQUILIBRE STATIQUE LIE A LA DISPARITION DE CES AMAS APRES L'ARRET DE L'EVAPORATION. CET EQUILIBRE STATIQUE INTERVIENT POUR UNE MONOCOUCHE DE SATURATION (MCS). UNE TRANSITION DE PHASE APPARAIT A 0,36 MCS DANS LE PROCESSUS D'ADSORPTION DE K ALORS QUE POUR 1 MCS, LA PRESENCE D'UNE RESONANCE DE PLASMA DANS LA COUCHE D'ALCALIN DEPOSEE TRADUIT LE CARACTERE METALLIQUE DE L'INTERFACE. DES RESONANCES DE PLASMA DANS DES COUCHES MINCES DE POTASSIUM DEPOSEES A FROID ONT EGALEMENT ETE MISES EN EVIDENCE. LES PRINCIPAUX RESULTATS OBTENUS POUR L'INTERFACE AG/SI SONT LA CARACTERISATION D'UNE CROISSANCE COUCHE PAR COUCHE DE L'ARGENT A BASSE TEMPERATURE D'UNE PART, LA MISE EN EVIDENCE DU SEUIL D'APPARITION ET DE LA DISPERSION LINEAIRE DE LA RESONANCE DE PLASMA DANS DES COUCHES MINCES D'AG D'AUTRE PART ET ENFIN, UNE TRANSITION SEMICONDUCTRICE/METALLIQUE DE L'INTERFACE
Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 950 pages
Book Rating : 4.F/5 ( download)
Download or read book Dissertation Abstracts International written by and published by . This book was released on 1998 with total page 950 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
