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Contribution A Letude De La Densite Detats Localises Du Silicium Amorphe Hydrogene
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Book Synopsis Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné by : Jean Dijon
Download or read book Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : OLIVIER.. GLODT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Book Synopsis Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene by : Didier Jousse
Download or read book Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : N'GUESSAN.. KRE
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by N'GUESSAN.. KRE and published by . This book was released on 1993 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DU DESORDRE STRUCTURAL SUR LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE PUR (ASI) ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (ASI:H). POUR CELA, LE COEFFICIENT D'ABSORPTION A ETE DEDUIT DE MESURES DE TRANSMISSION OPTIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). EN OUTRE, DES MESURES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE EGALEMENT UTILISEES. LES FILMS DE ASI ONT ETE OBTENUS PAR EVAPORATION EN ULTRA-VIDE SUR SUBSTRAT DE QUARTZ A LA TEMPERATURE AMBIANTE; ON A FAIT VARIER LE DESORDRE DE CES FILMS PAR RECUIT. POUR LES FILMS DE SSI:H, UNE CELLULE A PLASMA RF A PERMIS DE FAIRE VARIER LA CONCENTRATION D'HYDROGENE, DONC LE DESORDRE DES FILMS. POUR LES FILMS DE ASI, ON A OBTENU UNE DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETATS EN CONSIDERANT DIFFERENTES APPROXIMATIONS TANT SUR LE MODELE DE LA DENSITE D'ETATS QUE SUR LA DEPENDANCE EN ENERGIE DES ELEMENTS DE MATRICE. ON TROUVE QUE LE GAP OPTIQUE ET LA DENSITE DE SPINS (LIAISONS PENDANTES) VARIENT RELATIVEMENT PEU AVEC LE DESORDRE PAR RAPPORT AUX FILMS DE ASI:H. ON TROUVE EGALEMENT QUE LA POSITION EN ENERGIE DES ETATS PARAMAGNETIQUES EST D'ENVIRON 0,9 EV PAR RAPPORT AU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. POUR LES FILMS DE ASI:H, ON A OBTENU DES RESULTATS QUI SONT TRES PROCHES DE CEUX DES FILMS PREPARES PAR DECOMPOSITION DU SILANE. ON A EGALEMENT OBTENU UNE BONNE CORRELATION ENTRE LA DENSITE DE SPINS ET L'ABSORPTION A BASSE ENERGIE. LA FORTE VARIATION RELATIVE DU GAP OPTIQUE AVEC LE DESORDRE STRUCTURAL, COMPAREE A CELLE DE ASI, PERMET DE SUGGERER QUE LA VARIATION DU GAP N'EST PAS SEULEMENT DUE A UN EFFET DU DESORDRE MAIS EGALEMENT A UN EFFET D'ALLIAGE DU SILICIUM AVEC L'HYDROGENE. LA DENSITE DE SPINS DANS LES MEILLEURS FILMS OBTENUS SANS RECUITS (10#1#7 SPINS CM##3) N'EST PAS TRES ELOIGNEE DE CELLE DES MEILLEURS FILMS RECUITS OBTENUS PAR DECOMPOSITION DU SILANE (10#1#6 SPINS CM##3)
Book Synopsis ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE by : Nadjib Hassani
Download or read book ETUDE DE LA DENSITE DES ETATS LOCALISES DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (INTRINSEQUE OU DOPE) A PARTIR DE LA MESURE D'ADMITTANCE DE DIODES SCHOTTKY EN REGIME QUASI-STATIONNAIRE written by Nadjib Hassani and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A PARTIR DES MESURES DE LA CAPACITE ET DE LA CONDUCTANCE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE, ON DETERMINE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES AU NIVEAU DE FERMI ET LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE DES ELECTRONS. L'EVOLUTION DE LA SECTION EFFICACE DE CAPTURE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE PERMET D'ECARTER LE MECANISME DE L'EMISSION MULTIPHONONIQUE AVEC FAIBLE COUPLAGE COMME PROCESSUS DE CAPTURE POUVANT EXISTER DANS LE MATERIAU A-SI:H ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
Book Synopsis CONTRIBUTIONS A L'ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE ET DES PROPRIETES OPTIQUES DU SILICIUM AMORPHE ET MICROCRISTALLIN by : HAMID.. TOUIR
Download or read book CONTRIBUTIONS A L'ETUDE DE LA MICROSTRUCTURE ET DES PROPRIETES OPTIQUES DU SILICIUM AMORPHE ET MICROCRISTALLIN written by HAMID.. TOUIR and published by . This book was released on 1997 with total page 251 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST DE MIEUX COMPRENDRE LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI REGISSENT, D'UNE PART LA MICROSTRUCTURE ET LES PROPRIETES OPTIQUES DU SI TANT AMORPHE (A-SI 1 XH X) QUE MICROCRISTALLIN (C-SI), D'AUTRE PART LA TRANSITION AMORPHE-MICROCRISTAL PAR RECUIT THERMIQUE AINSI QUE L'HYDROGENATION DE LA MATRICE AMORPHE. LES FILMS DE A-SI(: H) ETUDIES DANS CE TRAVAIL, SONT PREPARES PAR PULVERISATION R.F. ASSISTEE PAR MAGNETRON (RF MS). CES FILMS ONT ETE CARACTERISES PAR PLUSIEURS TECHNIQUES : DIFFRACTION DES RAYONS X (XRD), DIFFUSION RAMAN, SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRAROUGE (IR), MESURES OPTIQUES EN TRANSMISSION COMPLETEES PAR LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). POUR LES FILMS DE A-SI NON HYDROGENES DEPOSES ET RECUITS THERMIQUEMENT DANS DES CONDITIONS ORIGINALES UN SPECTRE D'ABSORPTION OPTIQUE VOISIN DE CEUX DE FILMS DE A-SI : H OPTIMISES PREPARES PAR DECOMPOSITION DE SILANE ASSISTEE PAR PLASMA (PECVD) A ETE OBTENUE (600\C, 6 H) : FAIBLE ABSORPTION A BASSE ENERGIE ET BORD EXPONENTIEL BIEN VISIBLE. CECI SUGGERE QUE LE RECUIT DE A-SI PEUT ETRE COMPETITIF PAR RAPPORT = L'HYDROGENATION POUR REDUIRE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES (DEFAUTS) DANS LE GAP. EN ENTRE, LE FAIBLE GAP DE CES FILMS PAR RAPPORT A CELUI DE A-SI : H EST UN AVANTAGE POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUE. DES FAIBLES DENSITES D'ETATS DE DEFAUTS ONT ETE EGALEMENT OBSERVEES DANS DES FILMS DE A-SI : H DEPOSES A GRANDES VITESSES DANS DES CONDITIONS DE VIDE SECONDAIRE ET DEPOSES. CE MATERIAU EST COMPARABLE AU A-SI : H PREPARE PAR PECVD DANS UN ENVIRONNEMENT ULTRAVIDE. CE RESULTAT MONTRE QUE LA RF MS PEUT ETRE UNE TECHNIQUE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR L'OBTENTION DE A-SI : H DE QUALITE ELECTRONIQUE AVEC DES GRANDES VITESSES DE DEPOT. MAIS IL FAUDRAIT POUR CELA UTILISER DES CHAMBRE DE DEPOT EQUIPEES DE LA TECHNOLOGIE ULTRAVIDE. DANS LE CAS DES FILMS DE A-SI 1 XH X, DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ONT ETE DETECTEES PAR DES MESURES DE XRD ET DE DIFFUSION RAMAN. CES DOMAINES DESORDONNES AU VOISINAGES DES CAVITES ONT ETE IDENTIFIES A TRAVERS L'ANALYSE D'UNE PART DU PROFIL DU PREMIER HALO DU SPECTRE DE XRD ET D'AUTRE PART DU DE LA PARTIE BASSES FREQUENCES DU SPECTRE RAMAN. LA DIMINUTION DE CES INHOMOGENEITES, EN FONCTIONS DES CONDITIONS DE PREPARATIONS, SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DES ETATS LOCALISES DANS LE GAP. LORSQU'IL EXISTE EGALEMENT UNE HETEROGENEITE CHIMIQUE MISE EN EVIDENCE PAR LA PRESENCE DES BANDES IR A 2090 ET 2000 CM - 1, ATTRIBUEES RESPECTIVEMENT A H LIE DANS LES GROUPEMENTS (SIH 2) N ET SIH, UNE CORRELATION A ETE ETABLIE ENTRE L'ABSORPTION INTEGREE DE LA COMPOSANTE A 2090 CM - 1 ET LES INHOMOGENEITES STRUCTURALES VUES PAR DIFFUSION RAMAN, CE QUI SUGGERE QUE LES GROUPEMENTS (SIH 2) N SONT LOCALISES DANS CES DOMAINE DESORDONNES. L'EXISTENCE DE FORTES CONCENTRATIONS TOTALES D'HYDROGENE (H LIE ET H 2) DANS LES FILMS DE A-SI : H QUI PRESENTENT CEPENDANT DE NOMBREUSES LIAISONS PENDANTES (DB) LAISSE PENSER QU'IL Y A UN EQUILIBRE ENTRE DB ET H 2. UN MODELE A 2 NIVEAUX, QUI TIENT EN TENANT COMPTE DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES ET CHIMIQUES, A ETE DEVELOPPE POUR EXPLIQUER AUSSI BIEN LE DEGRE DE PASSIVATION DES DB QUE LA STABILITE DE CES FILMS. DANS LE CAS DES FILMS DE C-SI OBTENUS PAR RECUIT DES FILMS PRESENTANT DES INHOMOGENEITES STRUCTURALES (POUR A-SI) ET CHIMIQUES (POUR A-SI : H), UNE BI-DISPERSION DE LA TAILLE DES GRAINS A ETE IDENTIFIEE PAR XRD ET DIFFUSION RAMAN. CETTE BI-DISPERSION RESULTE D'UN EFFET DE MEMOIRE DES INHOMOGENEITES DE LA PHASE AMORPHE DE DEPART. LA DISTORSION MOYENNE DES ANGLES DE LIAISONS, , DANS CES FILMS DE C-SI, A ETE CARACTERISEE PAR DIFFUSION RAMAN. LE DECALAGE DU PIC CRISTALLIN NE PEUT PAS ETRE INTERPRETE COMME DU A L'EFFET DE LA TAILLE DES GRAINS ESTIMEE PAR XRD. IL S'EXPLIQUE PLUTOT PAR L'EFFET DES CONTRAINTES DANS LES JOINTS DE GRAINS ET/OU A L'INTERIEUR DES GRAINS. UN MODELE DEVELOPPE POUR PRENDRE EN COMPTE DE CET EFFET INDIQUE DES VARIATIONS DE DE L'ORDRE DE 1 A 2\. LE CALCUL DE LA DENSITE D'ETATS DE PHONONS INCOMPLETE G Q M A X LIMITEE AU CENTRE DE LA ZONE DE BRILLOUIN (DE RAYON Q M A X) MONTRE QUE LE MAXIMUM DE G Q M A X SE DEPLACE VERS LES BASSES FREQUENCES QUAND Q M A X AUGMENTE. CE RESULTAT PEUT EXPLIQUER LE DEPLACEMENT DU PIC AMORPHE DES SPECTRES RAMAN DU C-SI, PAR RAPPORT A SA POSITION DANS LES FILMS AMORPHES. LE BORD D'ABSORPTION OPTIQUE DES FILMS DU C-SI EST DECALE VERS LES BASSES ENERGIES PAR RAPPORT AU MONOCRISTAL. CE DEPLACEMENT A ETE INTERPRETE PAR UN EFFET DU DESORDRE QUI SE MANIFESTE PAR LA REDUCTION DE LA COHERENCE DES FONCTIONS D'ONDE ELECTRONIQUES ET QUI SE TRADUIT PAR LE BROUILLAGE DES BANDES DE CONDUCTION.
Book Synopsis Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné by : Didier Jousse
Download or read book Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE
Book Synopsis Contribution a l'étude du silicium amorphe évapore en ultra-vide et post-hydrogène by : Jean-Christophe Flachet
Download or read book Contribution a l'étude du silicium amorphe évapore en ultra-vide et post-hydrogène written by Jean-Christophe Flachet and published by . This book was released on 1983 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau
Book Synopsis Contribution à l'étude de la structure électronique du silicium amorphe hydrogéné by : François Boulitrop
Download or read book Contribution à l'étude de la structure électronique du silicium amorphe hydrogéné written by François Boulitrop and published by . This book was released on 1982 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE A-SI:H PAR RPE, PHOTOLUMINESCENCE ET DOUBLE RESONANCE OPTIQUE HERTZIENNE. PROPOSITION D'UN MODELE D'ETATS RADIATIFS DE QUEUES DE BANDE. ESTIMATION DES PROFONDEURS DES QUEUES DE BANDES DE VALENCE ET DE CONDUCTION. ESTIMATION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS PHOTOEXCITES ET DE LEUR LONGUEUR DE DIFFUSION
Book Synopsis ETUDE DES PROPRIETES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR LA TECHNIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE MODULEE A DEUX FAISCEAUX by : YOUSSEF.. AL MERIOUH
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PAR LA TECHNIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE MODULEE A DEUX FAISCEAUX written by YOUSSEF.. AL MERIOUH and published by . This book was released on 1994 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL LA PHOTOCONDUCTIVITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EST DECRITE COMME ETANT LE RESULTAT DE TROIS PROCESSUS DIFFERENTS QUI ONT ETE IDENTIFIES EN UTILISANT LA TECHNIQUE DE LA PHOTOCONDUCTIVITE MODULEE A DEUX FAISCEAUX: L'EMISSION DES ELECTRONS PIEGES SOIT DANS LES LIAISONS BRISEES CHARGEES NEGATIVEMENT (CENTRES D#-) OU DANS LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION, ET UN PROCESSUS D'EXTINCTION LIE A LA RECOMBINAISON. CHAQUE PROCESSUS SUIT SA PROPRE LOI DE VARIATION EN FONCTION DE LA VITESSE DE PHOTOGENERATION. UN MODELE A ETE ETABLI DANS LEQUEL LA SOMME ALGEBRIQUE DES TROIS PROCESSUS CORRESPOND A LA PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE OBSERVEE. LES CONTRIBUTIONS RELATIVES DE CES PROCESSUS ONT ETE DETERMINEES DANS UN LARGE DOMAINE DE TEMPERATURE ET DE FLUX LUMINEUX. ELLES NOUS ONT CONDUIT A MONTRER PREMIEREMENT QUE L'EMISSION THERMIQUE DES ELECTRONS A PARTIR DES ETATS DE LA BANDE INTERDITE, QUE CELA SOIT A PARTIR DES CENTRES D#- OU A PARTIR DE LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION, RESTE UN PROCESSUS IMPORTANT JUSQU'A 77 K, DEUXIEMENENT QUE LES CONTRIBUTIONS RELATIVES DES CENTRES D#- ET DES ETATS DE QUEUE DE BANDE CHANGENT BRUTALEMENT AUTOUR DE 165 K, C'EST A DIRE QUAND LE QUASI-NIVEAU DE FERMI EST LOCALISE A PEU PRES A 0,3 EV AU DESSOUS DU SEUIL DE MOBILITE, TROISIEMEMENT QU'A BASSE TEMPERATURE LA PHOTOCONDUCTIVITE STATIONNAIRE EST NETTEMENT SUPERIEURE A LA SOMME DES TROIS PROCESSUS EVOQUES ET QUE LE TRANSPORT PAR SAUT ASSISTE THERMIQUEMENT DES ELECTRONS DANS LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION DOIT ETRE PRIS EN COMPTE, SA CONTRIBUTION A LA PHOTOCONDUCTIVITE ETANT DE L'ORDRE DE 50% A 77 K
Book Synopsis ANALYSE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DU SILICIUM AMORPHE ET DES ALLIAGES SILICIUM GERMANIUM AMORPHES HYDROGENES PAR MESURES CAPACITIVES DE JONCTIONS SCHOTTKY by : ZAKARIA.. DJEBBOUR
Download or read book ANALYSE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DU SILICIUM AMORPHE ET DES ALLIAGES SILICIUM GERMANIUM AMORPHES HYDROGENES PAR MESURES CAPACITIVES DE JONCTIONS SCHOTTKY written by ZAKARIA.. DJEBBOUR and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE ET PERFECTIONNE L'APPLICATION DE SPECTROSCOPIE DE CHARGE D'ESPACE DE JONCTIONS SCHOTTKY A LA CARACTERISATION DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LES SEMICONDUCTEURS AMORPHES. NOUS NOUS SOMMES TOUT D'ABORD CONCENTRES SUR L'ETABLISSEMENT D'UN CADRE THEORIQUE PRECIS POUR MODELISER LA REPONSE DES ETATS LOCALISES AU SIGNAL ALTERNATIF PERMETTANT DE MESURER L'ADMITTANCE DE LA STRUCTURE. NOUS AVONS ENSUITE POURSUIVI UNE DOUBLE DEMARCHE. D'UNE PART, NOUS AVONS POUSSE AUSSI LOIN QUE POSSIBLE DANS LE CADRE D'HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES, LES CALCULS ANALYTIQUES POUR AVOIR DES EXPRESSIONS EXPLICITES DE L'ADMITTANCE DE LA STRUCTURE SCHOTTKY ET D'AUTRE PART, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE DE SIMULATION NUMERIQUE QUI NOUS A PERMIS DE LEVER CERTAINES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES. CETTE DOUBLE DEMARCHE NOUS A PERMIS EN PARTICULIER DE DEVELOPPER UNE NOUVELLE METHODE DE CARACTERISATION DES STRUCTURES SCHOTTKY A PARTIR DES MESURES DE CAPACITE EN FONCTION DE LA POLARISATION ET D'ETUDIER L'IMPACT DES HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES SUR LES PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU DETERMINES A PARTIR DES EXPRESSIONS ANALYTIQUES DE LA CAPACITE. AINSI, NOUS AVONS PU MESURER AVEC PRECISION POUR NOS MATERIAUX, LA DENSITE D'ETATS AU NIVEAU DE FERMI ET L'INTEGRALE DE LA DENSITE D'ETATS ENTRE LE NIVEAU DE FERMI ET LE MILIEU DE LA BANDE INTERDITE. NOUS AVONS ENFIN APPLIQUE CES TECHNIQUES A L'ETUDE DES ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM AMORPHES. NOUS AVONS OBSERVE POUR CES MATERIAUX UNE FORTE AUGMENTATION DE LA DENSITE D'ETATS AVEC LE TAUX DU GERMANIUM INCORPORE
Book Synopsis Handbook of Soil Analysis by : Marc Pansu
Download or read book Handbook of Soil Analysis written by Marc Pansu and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2007-04-18 with total page 996 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This handbook is a reference guide for selecting and carrying out numerous methods of soil analysis. It is written in accordance with analytical standards and quality control approaches. It covers a large body of technical information including protocols, tables, formulae, spectrum models, chromatograms and additional analytical diagrams. The approaches are diverse, from the simplest tests to the most sophisticated determination methods.
Download or read book Soil Analysis written by J. Gautheyrou and published by CRC Press. This book was released on 2001-01-01 with total page 514 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The objective of this book is to provide a better understanding of tools for soil analysis in order to use them more efficiently. It covers sampling problems as well as difficulties relating to actual analysis and quality control.
Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
Book Synopsis Flexoelectricity in Liquid Crystals by : Agnes Buka
Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
Book Synopsis New Guinea Vegetation by : K. Paijmans
Download or read book New Guinea Vegetation written by K. Paijmans and published by Elsevier Science & Technology. This book was released on 1976 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Sap-sugar Content of Grafted Sugar Maple Trees by : Maurice E. Demeritt
Download or read book Sap-sugar Content of Grafted Sugar Maple Trees written by Maurice E. Demeritt and published by . This book was released on 1985 with total page 8 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
