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Proprietes De Transport De Microstructures Et Nanostructures De Silicium
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Book Synopsis Propriétés de transport de microstructures et nanostructures de silicium by : Nabil Rochdi
Download or read book Propriétés de transport de microstructures et nanostructures de silicium written by Nabil Rochdi and published by . This book was released on 2007 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’étude porte sur le transport, électronique et de spin, dans des microstructures et nanostructures à base de silicium, le matériau phare de l’industrie microélectronique. Nous avons étudié un procédé de lithographie assistée par microscope à force atomique (AFM) pour fabriquer des nanofils sub-100-nm ultraminces (8 à 15 nm) de silicium, connectés à une structure de test sur silicium sur isolant (SOI). Les mesures électriques ont mis en évidence le comportement de transistor à effet de champ (FET) des nanocircuits. Le piégeage des électrons aux défauts d’interfaces et de l’oxyde, est la cause de la déplétion cumulative des fils ultraminces au cours des mesures successives I(V). Le dépiégeage peut être contrôlé par application d’une tension sur la grille du nanofil. Les fils ont ainsi révélé un effet mémoire (écriture/lecture par piégeage/dépiégeage sous tension de grille positive/négative). Nous avons par ailleurs étudié le transport du spin dans un canal de silicium. L’étude théorique a souligné la possibilité d’utiliser un faible champ magnétique pour manipuler le spin en obtenant des longueurs de précession et de diffusion de spin micrométriques, compatibles avec la technologie actuelle. L’injection et la collecte électriques ont été réalisées dans un dispositif mémoire magnétique intégrée sur silicium (MEMIS), similaire à un SpinFET. Néanmoins, la qualité des jonctions hybrides métal ferromagnétique/isolant/silicium (FMIS) conditionnent l’efficacité d’injection et de collecte du spin et de l’effet de magnétorésistance ; dans ce sens, nous avons exploré quelques techniques d’élaboration de jonctions Co/AlO/Si et Co/MgO/Si avec des oxydes minces de l’ordre du nanomètre. Nous avons obtenu des jonctions FMIS avec une injection électrique par tunnel direct, ce qui présente une piste prometteuse pour l’injection cohérente du spin. Nous avons également caractérisé des jonctions redresseur semiconducteur ferromagnétique /semiconducteur (MSS) du type Ge3Mn5/Ge qui se sont avérées très intéressantes pour l’injection du spin.
Book Synopsis Étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport de nanofils semiconducteurs et de plans de graphène by : Aurélien Lherbier
Download or read book Étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport de nanofils semiconducteurs et de plans de graphène written by Aurélien Lherbier and published by . This book was released on 2008 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de théorie et simulation est consacré a l'étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport mésoscopique de nanostructures. Nous utilisons une méthode numérique efficace qui permet le calcul de la conductivité de Kubo-Greenwood dans un formalisme de liaisons fortes. Cette approche offre la possibilité d'étudier avec précision des systèmes de plusieurs millions d'atomes et donc de comprendre les mécanismes de transport mis en ?uvre dans les systèmes désordonnés et de faible dimensionalité. Après une brève description des deux nano-objets auxquels nous nous sommes intéressés, les nanofils de silicium 1D et les plans de graphène 2D, et après un chapitre détaillant la méthodologie numérique et les concepts liés à l'approche de Kubo-Greenwood en espace réel, nous étudions l'impact de la rugosité de surface sur le transport électronique dans les nanofils de silicium. Nous montrons que les performances en terme de transport peuvent être directement reliées a la structure électronique sous-jacente. Nous montrons également qu'en fonction de leur orientation cristallographique, de grandes différences apparaissent dans la structure électronique des nanofils de silicium, ce qui conditionne par la suite les propriétés de transport. Puis nous regardons le cas du dopage des nanofils de silicium et nous discutons des effets d'écrantage électronique. Pour finir, le dernier chapitre est consacré à l'impact du désordre d'Anderson et à l'influence des dopants sur le transport dans les plans de graphène. Nous montrons notamment que l'introduction de dopants brise la symétrie électron-trou initialement présente dans les plans de graphène.
Book Synopsis Etude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique et étude de leur intégration pour des cellules photovoltaïques à haut rendement by : Béchir Rezgui
Download or read book Etude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique et étude de leur intégration pour des cellules photovoltaïques à haut rendement written by Béchir Rezgui and published by . This book was released on 2010 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Outre les applications photoniques et nanoélectroniques, les structures formées de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique pourraient jouer un rôle important dans le développement de concepts innovants de cellules photovoltaïques dits de 3ème génération, permettant d’atteindre des rendements de conversion largement supérieurs à celui des cellules actuelles (31 %). Néanmoins, les propriétés optoélectroniques de ces nanostructures doivent être maîtrisées de manière à obtenir un matériau de bonne qualité pour les applications photovoltaïques. Le présent travail s’inscrit dans le cadre de l’étude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium (Np-Si) immergées dans une matrice d’oxyde ou de nitrure de silicium sous forme de couches minces obtenues par différentes techniques de dépôt. Dans un premier temps, les conditions de formation de ces nanostructures dans des couches de nitrure enrichies en silicium déposées par PECVD sont étudiées afin de trouver les conditions de dépôt optimales permettant d’avoir une forte densité de nanoparticules ainsi qu’une taille contrôlée. L’étude de l’influence d’un traitement thermique sur les caractéristiques des Np-Si sera présentée. Afin de contrôler la taille de Np-Si, des structures en multicouches élaborées en utilisant différents procédures de dépôt sont analysées. Les résultats de photoluminescence obtenus sur les multicouches SiO2/SiOx/SiO2 déposées par pulvérisation magnétron permettent de valider les performances de telles structures. Des structures similaires préparées par PECVD en alternant une couche de nitrure stoechiométrique et une couche de nitrure riche en silicium sont aussi étudiées. L’accent est mis particulièrement sur l’analyse des propriétés d’absorption et de transport de charges dans ces nanostructures afin de tester leur efficacité "photovoltaïque" et évaluer la possibilité de réaliser des cellules multijonctions à base de ces nanomatériaux. La dépendance du coefficient d’absorption et du courant photogénéré en fonction de la taille et la densité des Np-Si est ainsi présentée. Une partie de ce travail est dédiée à l’étude de l’effet de dopage sur les propriétés optiques des couches nanocomposites.
Book Synopsis Transport électronique et thermique dans des nanostructures by : Arthur France-Lanord
Download or read book Transport électronique et thermique dans des nanostructures written by Arthur France-Lanord and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La miniaturisation continue des composants électroniques rend indispensable la connaissance des mécanismes de transport à l'échelle nanométrique. Alors que les processus simples de conduction dans les matériaux homogènes sont bien assimilés, la compréhension du transport à l'échelle nanométrique dans les systèmes hétérogènes reste à améliorer. Par exemple, le couplage entre courant, résistance et flux de chaleur dans des nanostructures doit être clarifié. Dans ce contexte, le sujet de thèse est centré autour du développement et de l'application de méthodes de calcul avancées pour la prédiction des propriétés de transport électronique et thermique à l'échelle nanométrique. Dans une première partie, nous avons paramétré un modèle de potentiel inter-atomique classique adapté à la description de systèmes multicomposants, afin de modéliser les propriétés structurelles, vibratoires et de transport de chaleur de la silice, ainsi que du silicium. Pour ce faire, une approche d'optimisation automatisée et reproductible a été mise en place. En guise d'exemple, nous avons calculé la dépendance en température de la résistance de Kapitza pour le système silice amorphe - silicium cristallin, ce qui a permis de souligner l'importance d'une description structurelle précise de l'interface. Dans une seconde partie, nous avons étudié la décomposition modale de la conductivité thermique du graphène supporté par un substrat de silice amorphe. Plus précisément, l'influence de l'état de surface (hydroxilation, etc) sur le transport thermique a été quantifiée. Le rôle déterminant des excitations collectives de phonons a été mis au jour. Finalement, dans une dernière partie, les propriétés de transport électronique du graphène supporté par une bi-couche de silice, système récemment observé expérimentalement, ont été étudiées. L'influence d'ondulations dans la couche de graphène ou dans le substrat, souvent présentes dans les échantillons réels et dont l'amplitude et la longueur d'onde peuvent être contrôlées, a été dégagée. Nous avons également modélisé le champ électrique généré par une grille, et déterminé son incidence sur le transport électronique.
Book Synopsis Etude du transport électronique dans un nanofil de silicium by : Emmanuelle Sarrazin
Download or read book Etude du transport électronique dans un nanofil de silicium written by Emmanuelle Sarrazin and published by . This book was released on 2009 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nanofils semi-conducteurs sont devenus en quelques années un intense sujet de recherche. Ces structures uni-dimensionnelles sont considérées comme des briques élémentaires pour les nanodispositifs en raison de leurs intéressantes propriétés électroniques, optiques et thermiques. La connaissance des propriétés de transport est essentielle pour déterminer les performances de ces futurs dispositifs à base de nanofils. Ce travail de thèse a pour objectif de modéliser la mobilité des électrons dans un nanofil de silicium. Il s’articule autour de trois points : la structure de bandes, les mécanismes d’interaction et le transport des porteurs. La structure électronique est tout d’abord calculée à partir de la résolution auto-cohérente des équations de Poisson et de Schrödinger. L’approximation de la masse effective a été utilisée et comparée à la méthode des liaisons fortes afin de discuter de sa validité. Puis, les interactions avec les phonons et la rugosité de surface sont décrites à l’aide de la règle d’or de Fermi. Enfin, la vitesse moyenne des électrons et leur mobilité sont calculées à partir de simulations particulaires de type Monte-Carlo permettant de résoudre l’équation de transport de Boltzmann. Cette approche permet de comprendre l’influence du confinement des électrons et des phonons sur les propriétés de transport et d’évaluer l’effet de l’interaction électron-phonon et de la rugosité de surface sur la mobilité. L’étude de l’influence de la section et de la tension de grille montre une réduction de la mobilité avec la diminution de la section et/ou avec l’augmentation de la tension de grille quels que soient les interactions prises en compte.
Book Synopsis Théorie des nanostructures de silicium by : Christophe Delerue
Download or read book Théorie des nanostructures de silicium written by Christophe Delerue and published by . This book was released on 1998 with total page 99 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce manuscrit a pour objet de résumer les travaux théoriques sur les nanostructures de silicium qui sont maintenant fabriquées par différentes techniques. Nous discutons en particulier de l'origine physique de la forte luminescence visible du silicium poreux. Les propriétés électroniques, optiques, diélectriques et de transport électrique sont calculées principalement par une technique semi-empirique de liaisons fortes qui est particulièrement adaptée à l'étude de systèmes contenant plusieurs milliers d'atomes. Des approches "ab-initio" dans l'appproximation de la densité locale sont également décrites. Nous détaillons les effets du confinement quantique sur la structure électonique d'agrégats sphériques, de fils ou de couches nanométriques de silicium. La structure des états de l'exciton est calculée et comparée à l'expérience. La dynamique des porteurs excités est analysée à travers les processus radiatifs et non radiatifs. Le confinement quantique modifie profondément les propriétés diélectriques menant à une amplification des phénomènes de blocage de Coulomb. La conductivité électrique d'un réseau de nanocristaux de silicium est calculée directement à partir de la structure électronique. Nous montrons qu'un tel réseau simule parfaitement la conductivité du silicium poreux.
Book Synopsis Nanocomposites bismuth-silice by : Frédéric Brochin
Download or read book Nanocomposites bismuth-silice written by Frédéric Brochin and published by . This book was released on 2000 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l'influence de nanoinclusions de silice sur les propriétés de transport du bismuth. Une technique de métallurgie de poudre est employée pour la production de poudres nanocomposites Bi-Si02. Des poudres Bi-y % vol. Si02 (0 [inférieur ou égal à] y [inférieur ou égal à] 15) sont élaborées par coévaporation de bismuth et de silice dans un four à arc. Une étude de la microstructure des poudres nanocomposites indique que les grains de bismuth sont systématiquement enrobés d'une couche de silice de quelques nanomètres d'épaisseur. Un mécanisme de formation des poudres à partir de bismuth, d'oxydes de bismuth et de silicium est proposé. Dans les matériaux massifs, la taille de grains est plus faible pour les nanocomposites que pour le bismuth car la silice empêche la diffusion lors du frittage. La résistivité électrique, le pouvoir thermoélectrique et la conductivité thermique de bismuth polycristallin et de nanocomposites sont mesurées entre 65 K et 300 K. La résistivité électrique est gouvernée par une compétition entre la concentration des porteurs et leur mobilité qui résulte soit en un comportement métallique, soit en un comportement semi-conducteur. La concentration de porteurs ainsi que la mobilité sont extraites à partir de mesures de 5 à 300 K du coefficient de Hall et de la magnétorésistance pour des champs allant de 0 à 7 T. Un comportement extrinsèque du bismuth et des nanocomposites est mis en évidence à basse température (T
Book Synopsis Calculs de structure électronique et dynamique des porteurs dans les nanostructures de silicium by : Evelyne Lampin
Download or read book Calculs de structure électronique et dynamique des porteurs dans les nanostructures de silicium written by Evelyne Lampin and published by . This book was released on 1997 with total page 334 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'etude theorique de cristallites de silicium de taille nanometrique est realisee dans le but d'expliquer certaines proprietes du silicium poreux. Pour cela, la structure electronique de ces cristallites est calculee par une technique de liaisons fortes. Les etats propres de l'hamiltonien a un electron sont alors utilises comme base pour determiner le spectre excitonique. La comparaison de l'energie de recombinaison d'un exciton et l'energie d'absorption dans le silicium poreux permet de conclure que la luminescence dans le rouge de ce materiau peut provenir du confinement quantique des porteurs. Cette luminescence est plus efficace que dans le silicium massif ou la bande interdite indirecte rend impossible la transition radiative sans l'aide des phonons. Le calcul de temps de recombinaison radiative montre que la transition est d'autant plus permise que la taille des cristallites est petite. La dependance en temperature du temps de recombinaison radiative d'un exciton est egalement etudiee et le modele d'un spectre excitonique a deux niveaux propose pour expliquer le comportement mesure est discute. Le calcul du temps caracteristique de la recombinaison non-radiative de trois porteurs par effet auger montre l'importance de ce processus tres rapide. L'etude d'un autre processus intervenant dans le temps de vie de la luminescence, la transition d'un porteur vers la cristallite voisine, par effet tunnel assiste par phonons a travers un pont en silicium, est egalement realisee. Ces derniers calculs sont utilises pour etudier le transport par sauts entre les cristallites. Une methode de calcul empruntee aux etudes menees sur le transport par impuretes montre que l'hypothese envisagee est compatible avec des mesures de la conductivite du silicium poreux. L'importance de la notion de percolation pour le transport comme pour les proprietes optiques est deduite de cette etude.
Book Synopsis Fabrication et etude des proprietes physiques des nanostructures Si/SiGe. Application aux nouveaux dispositifs by : Laurent Garchery
Download or read book Fabrication et etude des proprietes physiques des nanostructures Si/SiGe. Application aux nouveaux dispositifs written by Laurent Garchery and published by . This book was released on 1996 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TECHNOLOGIE DE LA MICROELECTRONIQUE SILICIUM BENEFICIE AUJOURD'HUI D'INVESTISSEMENTS MASSIFS ET CONTINUS. TOUT PORTE A CROIRE QUE LES EXCELLENTES PROPRIETES DU SYSTEME SI/SIO#2 ASSURERONT LA PERENNITE DU SI PENDANT ENCORE DE NOMBREUSES ANNEES. LE DEVELOPPEMENT DE NOUVEAUX MATERIAUX POUVANT AMELIORER LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS A BASE DE SI EST DONC ENCOURAGE. EN PARTICULIER, L'HETEROSYSTEME SI/SIGE APPARAIT COMME LE MEILLEUR CANDIDAT POUR LE DEVELOPPEMENT D'UNE TECHNOLOGIE A HETEROJONCTION A BASE DE SI. DE TELS MATERIAUX DOIVENT CEPENDANT ETRE COMPATIBLES AVEC LES TEMPERATURES DE RECUIT UTILISEES DANS LA TECHNOLOGIE SI. LES DEUX PRINCIPAUX DISPOSITIFS ELECTRONIQUES DANS LESQUELS L'UTILISATION DU SIGE EST ENVISAGEE SONT LE TRANSISTOR BIPOLAIRE ET LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP. DANS LE CAS DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, L'INTERET DU SIGE EST D'AMELIORER LES PROPRIETES DE TRANSPORT PARALLELE AU PLAN DES COUCHES. CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE EXPERIMENTALE DE CES PROPRIETES AINSI QU'A L'ANALYSE ET A LA COMPREHENSION DU FONCTIONNEMENT DES HETERONJONCTIONS SI/SIGE. NOUS RAPPELONS TOUT D'ABORD LES PROPRIETES DE STRUCTURE DE BANDES DES HETEROSYSTEMES CONTRAINTS SI/SIGE AINSI QUE LA METHODE DE MESURE PAR EFFET HALL QUE NOUS AVONS UTILISEE. UNE ETUDE DE L'EVOLUTION THERMIQUE DES PROPRIETES DE TRANSPORT ET DE CONFINEMENT DE MODULATIONS DE DOPAGE SI/SIGE DE TYPE P EST ENSUITE PRESENTEE. PUIS, NOUS ANALYSONS LES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DES HETEROSTRUCTURES SI/SIGE ELABOREES SUR UN PSEUDO-SUBSTRAT DE SIGE RELAXE. LE PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT SPECIFIQUE DES DISPOSITIFS MOS A CANAL ENTERRE EN SIGE EST ENSUITE MIS EN EVIDENCE EXPERIMENTALEMENT. NOUS CONSTATERONS FINALEMENT QUE LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES DISPOSITIFS MOS A BASE DE SI PEUVENT ETRE AMELIOREES PAR L'INTRODUCTION D'UN CANAL ENTERRE EN SIGE
Book Synopsis Elaboration et caractérisation de matériaux nanostructurés à base de silicium comme source de lumière pour la photonique by : Pierre-Olivier Noé
Download or read book Elaboration et caractérisation de matériaux nanostructurés à base de silicium comme source de lumière pour la photonique written by Pierre-Olivier Noé and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium est reconnu comme étant un mauvais émetteur de lumière à cause de son gap indirect. Diverses stratégies ont été développées pour améliorer son rendement d'émission, le Si constituant le matériau de choix pour la photonique. Ce manuscrit présente l'élaboration et la caractérisation de matériaux originaux à base de silicium afin de proposer des solutions alternatives pour améliorer les propriétés d'émission de lumière du Si. Ce travail est divisé en 4 parties avec tout d'abord une revue de l'état de l'art de l'émission de lumière dans le Si et les bases sur les mécanismes de recombinaison dans le Si. Une seconde partie se concentre sur l'élaboration et l'étude de dispositifs électroluminescents à base de Si comportant un réseau de dislocations enterrées un niveau d'une jonction PN obtenu par collage moléculaire. L'émission de lumière située vers 1,1 et 1,5 μm (1,1 et 0,8 eV) est attribuée à la recombinaison des porteurs sur les états piège induits par des précipités de bore et d'oxyde dans le voisinage de dislocations (E^phonon_Bore vers 1.1eV et Dp~0.8eV) et des états de défauts localisés à l'intersection du réseau carré de dislocations vis (D1~0.8eV). Une troisième partie traite de l'élaboration et des propriétés optique d'ions Er3 + couplés avec des nanostructures de Si dans des films minces de SRO (Silicon-Rich Oxide) obtenus par co-évaporation de SiO et d'Er. Dans cette matrice, l'efficacité d'excitation indirecte de l'Er à 1,5 μm via les nanostructures est démontrée par la mesure de sections efficaces effectives d'excitation de l'Er entre 2x10-16 cm2 et 5x10-15 cm2 en fonction du flux d'excitation et des paramètres d'élaboration. Le principal résultat est la forte diminution avec la température de recuit de la fraction d'ions Er3+ émetteurs susceptible d'être inversée. Des expériences EXAFS révèlent que ce comportement est en corrélation avec l'évolution de l'ordre chimique local autour des atomes d'Er. Dans une dernière partie est présentée l'élaboration de nanostructures de Si de type nanofils cœur-coquille Si/SiO2. Ces structures cœur-coquille sont obtenues par trois méthodes différentes. Les structures obtenues par dépôt d'oxyde sur la surface de nanofils de silicium CVD catalysées avec de l'Au présentent une émission autour de 500 nm efficace à température ambiante due à la recombinaison des porteurs photo-générés au niveau des états de défauts dans la couche d'oxyde et à l'interface Si/SiO2. L'intensité de PL collectée est de plus d'un ordre de grandeur supérieure à celle mesurée sur des films minces de SiO2 similaires déposés sur des substrats de Si. En outre, la passivation des nanofils de Si CVD par un procédé d'oxydation thermique permet de neutraliser les états de surface qui dominent dans de telles structures. La mesure des vitesses de recombinaison de surface semble indiquer que ces nanofils ainsi passivés présentent des propriétés électroniques de volume similaires à celles du Si standard de microélectronique. Enfin, une nouvelle méthode pour l'élaboration in situ de nanofils cœur-coquille Si/SiO2 basée sur l'évaporation d'une source solide SiO avec l'Au et le Cu comme catalyseurs est détaillée. La croissance des fils catalysés par l'Au se produit dans le mode de croissance VLS (Vapor-Liquid-Solid comme en CVD) donnnat des nanofils présentant un cœur de Si cristallin et une coquille amorphe d'oxyde. En revanche, la croissance des nanofils catalysée par le Cu semble se produire préférentiellement à plus basse température en mode VSS (Vapeur-Solide-Solide) expliquant pourquoi ces NFs présentent une forte densité de défauts cristallins dans la cœur de Si contrairement aux fils catalysés Au.
Book Synopsis DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES by : ISABELLE.. BARBEREAU BRASSAC
Download or read book DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES written by ISABELLE.. BARBEREAU BRASSAC and published by . This book was released on 1999 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE A POUR BUT LA DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM (DIFFUSIVITE THERMIQUE D R, DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE D, VITESSE DE RECOMBINAISON DE SURFACE S O ET TEMPS DE VIE ) PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES. LA PRINCIPALE DIFFICULTE D'INTERPRETATION DES SIGNAUX PHOTOTHERMIQUES DANS LE CAS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR RESIDE DANS LE FAIT QUE LES DIFFERENTES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE ONT UN EFFET CORRELE SUR LE SIGNAL. NOUS NOUS SOMMES DONC EFFORCES A TROUVER DES CONDITIONS EXPERIMENTALES PARTICULIERES POUR CHACUNE DES DEUX EXPERIENCES (EFFET MIRAGE ET PHOTOREFLECTANCE) DANS LE BUT DE DISTINGUER CES PROPRIETES. DANS LE CAS DU MICROSCOPE PHOTOTHERMIQUE, LA MODIFICATION DE L'APPROCHE EXPERIMENTALE ET L'UTILISATION DE HAUTES FREQUENCES DE MODULATION SE SONT SOLDEES PAR LA DETERMINATION SANS AMBIGUITE DE LA DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE INDEPENDAMMENT DES AUTRES PARAMETRES. A PARTIR DE L'EFFET MIRAGE, NOUS AVONS ESTIME LA DIFFUSIVITE THERMIQUE EN TRAVAILLANT A BASSE FREQUENCE DE MODULATION. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE DE DETERMINER LES PROPRIETES DE RECOMBINAISON MEME DANS DE TELLES CONDITIONS EXPERIMENTALES. PAR CONTRE, UNE DETERMINATION INDEPENDANTE DE CES PARAMETRES EST IMPOSSIBLE PUISQUE LEURS EFFETS SUR LE SIGNAL SONT SIMILAIRES. DES METHODES STATISTIQUES SIMPLES ONT ETE ALORS UTILISEES POUR EXTRAIRE LES VALEURS DE CES PARAMETRES LES PLUS PROBABLES. NOUS SOMMES PARVENUS A ESTIMER D'UNE PART, LA VALEUR DU TEMPS DE VIE ET D'AUTRE PART, CELLE DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON DE SURFACE AVEC DES PRECISIONS SATISFAISANTES. CES MEMES METHODES STATISTIQUES APPLIQUEES A L'EXPERIENCE DE PHOTOREFLECTANCE, ONT PERMIS D'AFFINER LA PREMIERE ESTIMATION DE LA VALEUR DE ET DE CONFIRMER CELLE DE S O. LE BANC MIRAGE ET LE MICROSCOPE APPORTENT DONC DES INFORMATIONS A LA FOIS COMMUNES ET COMPLEMENTAIRES ET LE CHOIX DES CONDITIONS EXPERIMENTALES EST CRUCIAL POUR POUVOIR EXTRAIRE DES SIGNAUX L'INFORMATION RECHERCHEE.
Book Synopsis Etude des propriétés de transport dans des couches de silicium désordonnées par implantation ionique à forte dose by : Constantinos Christofides
Download or read book Etude des propriétés de transport dans des couches de silicium désordonnées par implantation ionique à forte dose written by Constantinos Christofides and published by . This book was released on 1986 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE. EFFET DE LA TEMPERATURE DE RECUIT SUR LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE. LES MECANISMES DE COLLISION SONT MODIFIES POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES A 500-600**(O)C. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR DES MODELES BASES SUR L'ORDRE A COURTE ET LONGUE PORTEE
Book Synopsis Properties and Applications of Silicon Carbide by : Rosario Gerhardt
Download or read book Properties and Applications of Silicon Carbide written by Rosario Gerhardt and published by BoD – Books on Demand. This book was released on 2011-04-04 with total page 550 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In this book, we explore an eclectic mix of articles that highlight some new potential applications of SiC and different ways to achieve specific properties. Some articles describe well-established processing methods, while others highlight phase equilibria or machining methods. A resurgence of interest in the structural arena is evident, while new ways to utilize the interesting electromagnetic properties of SiC continue to increase.
Book Synopsis Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI by : Golla Eranna
Download or read book Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI written by Golla Eranna and published by CRC Press. This book was released on 2014-12-08 with total page 432 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.
Book Synopsis Optical Properties of Low Dimensional Silicon Structures by : B. Bensahel
Download or read book Optical Properties of Low Dimensional Silicon Structures written by B. Bensahel and published by Springer. This book was released on 1993-08-31 with total page 239 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The workshop on "Optical Properties of Low Dimensional Silicon sL Structures" was held in Meylan, France on March, I yd, 1993. The workshop took place inside the facilities of France Telecom- CNET. Around 45 leading scientists working on this rapidly moving field were in attendance. Principal support was provided by the Advanced Research Workshop Program of the North Atlantic Treaty Organisation (NATO). French Delegation a l'Armement and CNET gave also a small financial grant, the organisational part being undertaken by the SEE and CNET. There is currently intense research activity worldwide devoted to the optical properties of low dimensional silicon structures. This follow the recent discovery of efficient visible photoluminescence (PL) from highly porous silicon. This workshop was intended to bring together all the leading European scientists and laboratories in order to reveal the state of the art and to open new research fields on this subject. A large number of invited talks took place (12) together with regular contribution (20). The speakers were asked to leave nearly 1/3 of the time to the discussion with the audience, and that promoted both formal and informal discussions between the participants.
Book Synopsis American Doctoral Dissertations by :
Download or read book American Doctoral Dissertations written by and published by . This book was released on 1995 with total page 896 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Silicon written by Paul Siffert and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-03-09 with total page 552 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: With topics ranging from epitaxy through lattice defects and doping to quantum computation, this book provides a personalized survey of the development and use of silicon, the basis for the revolutionary changes in our lives sometimes called "The Silicon Age." Beginning with the very first developments more than 50 years ago, this reports on all aspects of silicon and silicon technology up to its use in exciting new technologies, including a glance at possible future developments.
