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Download Preparation Et Caracterisation Du Silicium Poreux full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Preparation Et Caracterisation Du Silicium Poreux ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Author : Claude Bertrand
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 127 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Préparation et caractérisation du silicium poreux obtenu sur substrats P et N written by Claude Bertrand and published by . This book was released on 1986 with total page 127 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Marie Dominique BRUNI
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 156 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Préparation et caractérisation du silicium poreux written by Marie Dominique BRUNI and published by . This book was released on 1987 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Claude Bertrand
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 127 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Préparation et caractérisation du silicium poreux obtenu sur substrats P et N written by Claude Bertrand and published by . This book was released on 1986 with total page 127 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DU COMPORTEMENT DE L'INTERFACE SI-HF EN SOLUTION DANS DE L'ETHANOL A L'EQUILIBRE ET SOUS POLARISATION ANODIQUE, SUIVIES DE L'ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX SUR DES SUPPORTS P ET N**(+), QUI MONTRE QUE LA FINESSE DE LA STRUCTURE DES COUCHES DEPEND DU SUPPORT
Author :
Publisher : Presses Academiques Francophones
ISBN 13 : 9783841632678
Total Pages : 104 pages
Book Rating : 4.6/5 (326 download)
Download or read book Silicium poreux written by and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2021-02-15 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées: Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation: DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.
Author : M. J. Sailor
Publisher : John Wiley & Sons
ISBN 13 : 3527641912
Total Pages : 214 pages
Book Rating : 4.5/5 (276 download)
Download or read book Porous Silicon in Practice written by M. J. Sailor and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2012-01-09 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: By means of electrochemical treatment, crystalline silicon can be permeated with tiny, nanostructured pores that entirely change the characteristics and properties of the material. One prominent example of this can be seen in the interaction of porous silicon with living cells, which can be totally unwilling to settle on smooth silicon surfaces but readily adhere to porous silicon, giving rise to great hopes for such future applications as programmable drug delivery or advanced, braincontrolled prosthetics. Porous silicon research is active in the fields of sensors, tissue engineering, medical therapeutics and diagnostics, photovoltaics, rechargeable batteries, energetic materials, photonics, and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). Written by an outstanding, well-recognized expert in the field, this book provides detailed, step-by-step instructions to prepare and characterize the major types of porous silicon. It is intended for those new to the fi eld. Sampling of topics covered: * Principles of Etching Porous Silicon * Etch Cell Construction and Considerations * Photonic Crystals, Microcavities, and Bragg Stacks Etched in Silicon * Preparation of Free-standing Films and Particles of Porous Silicon * Preparation of Photoluminescent Nanoparticles from Porous Silicon * Preparation of Silicon Nanowires by Electrochemical Etch of Silicon * Surface Modifi cation Chemistry and Biochemistry * Measurement of Optical Properties * Measurement of Pore Size, Porosity, Thickness, Surface Area The whole is backed by a generous use of color photographs to illustrate the described procedures in detail, plus a bibliography of further literature pertinent to a wide range of application fi elds. For materials scientists, chemists, physicists, optical physicists, biomaterials scientists, neurobiologists, bioengineers, and graduate students in those fields, as well as those working in the semiconductor industry.
Author : Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).)
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (129 download)
Download or read book Etude des mécanismes de formation du silicium poreux written by Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).) and published by . This book was released on 1991 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré essentiellement à l'étude des transferts de charges à l'origine de la dissolution d'une anode de silicium en présence d'une solution électrolytique fortement concentrée en acide fluorhydrique. Les conditions de formation ainsi que les caractéristiques du silicium poreux sont données dans le premier chapitre. La seconde partie est constituée d'une présentation de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Les trois chapitres suivants concernent les résultats expérimentaux et leurs interprétations dont nous donnerons les principales conclusions. Une étude détaillée du comportement électrique de l'interface silicium/électrolyte est présentée sur le silicium de type p. Ces investigations permettent de proposer un modèle qui repose sur le fait que la cinétique de dissolution du silicium est déterminée principalement par la densité de charges positives a l'interface silicium/électrolyte. Ces trous doivent franchir la barrière de Schottky correspondant à la zone de charge d'espace qui existe à l'interface. Un aspect particulièrement intéressant du modèle est qu'il permet de prévoir quantitativement la sélectivité de dissolution du matériau. Sur le silicium de type n l'analyse des caractéristiques i (v) et des mesures d'impédance a conduit à proposer un mécanisme diffèrent ou la cinétique de dissolution est limitée par le transfert d'électrons par effet tunnel à travers la barrière correspondant à la zone de charge d'espace. Enfin, la différence entre le comportement observe lors du premier balayage en potentiel et lors des balayages ultérieurs est étroitement liée à une adsorption de charges positives se produisant à la surface de l'électrode de silicium. Cette adsorption mise en évidence par les mesures d'impédance constitue vraisemblablement le phénomène déclenchant la réaction de dissolution du silicium en milieu acide fluorhydrique
Author : B. Bensahel
Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 9401120927
Total Pages : 245 pages
Book Rating : 4.4/5 (11 download)
Download or read book Optical Properties of Low Dimensional Silicon Structures written by B. Bensahel and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The workshop on "Optical Properties of Low Dimensional Silicon sL Structures" was held in Meylan, France on March, I yd, 1993. The workshop took place inside the facilities of France Telecom- CNET. Around 45 leading scientists working on this rapidly moving field were in attendance. Principal support was provided by the Advanced Research Workshop Program of the North Atlantic Treaty Organisation (NATO). French Delegation a l'Armement and CNET gave also a small financial grant, the organisational part being undertaken by the SEE and CNET. There is currently intense research activity worldwide devoted to the optical properties of low dimensional silicon structures. This follow the recent discovery of efficient visible photoluminescence (PL) from highly porous silicon. This workshop was intended to bring together all the leading European scientists and laboratories in order to reveal the state of the art and to open new research fields on this subject. A large number of invited talks took place (12) together with regular contribution (20). The speakers were asked to leave nearly 1/3 of the time to the discussion with the audience, and that promoted both formal and informal discussions between the participants.
Author : Isabelle Ronga-Lefebvre
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 119 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Etude des mécanismes de formation du silicium poreux written by Isabelle Ronga-Lefebvre and published by . This book was released on 1991 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE ESSENTIELLEMENT A L'ETUDE DES TRANSFERTS DE CHARGES A L'ORIGINE DE LA DISSOLUTION D'UNE ANODE DE SILICIUM EN PRESENCE D'UNE SOLUTION ELECTROLYTIQUE FORTEMENT CONCENTREE EN ACIDE FLUORHYDRIQUE. LES CONDITIONS DE FORMATION AINSI QUE LES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM POREUX SONT DONNEES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LA SECONDE PARTIE EST CONSTITUEE D'UNE PRESENTATION DE L'INTERFACE SEMI-CONDUCTEUR/ELECTROLYTE. LES TROIS CHAPITRES SUIVANTS CONCERNENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LEURS INTERPRETATIONS DONT NOUS DONNERONS LES PRINCIPALES CONCLUSIONS. UNE ETUDE DETAILLEE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE EST PRESENTEE SUR LE SILICIUM DE TYPE P. CES INVESTIGATIONS PERMETTENT DE PROPOSER UN MODELE QUI REPOSE SUR LE FAIT QUE LA CINETIQUE DE DISSOLUTION DU SILICIUM EST DETERMINEE PRINCIPALEMENT PAR LA DENSITE DE CHARGES POSITIVES A L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE. CES TROUS DOIVENT FRANCHIR LA BARRIERE DE SCHOTTKY CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE QUI EXISTE A L'INTERFACE. UN ASPECT PARTICULIEREMENT INTERESSANT DU MODELE EST QU'IL PERMET DE PREVOIR QUANTITATIVEMENT LA SELECTIVITE DE DISSOLUTION DU MATERIAU. SUR LE SILICIUM DE TYPE N L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES I (V) ET DES MESURES D'IMPEDANCE A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DIFFERENT OU LA CINETIQUE DE DISSOLUTION EST LIMITEE PAR LE TRANSFERT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A TRAVERS LA BARRIERE CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE. ENFIN, LA DIFFERENCE ENTRE LE COMPORTEMENT OBSERVE LORS DU PREMIER BALAYAGE EN POTENTIEL ET LORS DES BALAYAGES ULTERIEURS EST ETROITEMENT LIEE A UNE ADSORPTION DE CHARGES POSITIVES SE PRODUISANT A LA SURFACE DE L'ELECTRODE DE SILICIUM. CETTE ADSORPTION MISE EN EVIDENCE PAR LES MESURES D'IMPEDANCE CONSTITUE VRAISEMBLABLEMENT LE PHENOMENE DECLENCHANT LA REACTION DE DISSOLUTION DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE
Author : Julien Bustillo
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (93 download)
Download or read book Caractérisation non destructive du silicium poreux par méthode ultrasonore written by Julien Bustillo and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le silicium poreux est un matériau qui est actuellement utilisé dans de nombreux domaines, tels que la biologie ou la microélectronique, grâce à ses propriétés remarquables. De nombreuses applications sont étudiées au sein du laboratoire GREMAN, telles que la fabrication de vias électrique ou de capacités 3D. Le matériau étudié au sein de cette thèse est du mésoporeux, qui est utilisé comme substrats dans les applications RF. La caractérisation non destructive de ce matériau est encore limitée, soit selon l'épaisseur de la couche poreuse, soit selon la taille des pores. Cela limite ainsi l'industrialisation des procédés de fabrication de silicium poreux. Une technique ultrasonore de caractérisation est proposée dans cette thèse afin de permettre un suivi de la gravure in situ et en temps réel. Ainsi les variations de gravure peuvent être contrôlées.
Author : Vincent Vezin
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 94 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Caractérisation par diffusion centrale des rayons x du silicium poreux written by Vincent Vezin and published by . This book was released on 1991 with total page 94 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS UTILISE LA DIFFUSION CENTRALE DES RAYONS X POUR ETUDIER LA MICROSTRUCTURE DE FILMS DE SILICIUM POREUX OBTENUS PAR ATTAQUE ELECTROCHIMIQUE DE WAFERS DE SILICIUM. EN RAISON DE SES POTENTIALITES DANS LE DOMAINE DE L'ISOLATION DES CIRCUITS INTEGRES, LE SILICIUM POREUX A ETE L'OBJET D'UN NOMBRE APPRECIABLE D'ETUDES DURANT LA DECENNIE 80. CEPENDANT UN CERTAIN NOMBRE DE PARAMETRES STRUCTURAUX RESTAIENT INDETERMINES. NOTRE ETUDE A PORTE SUR DES ECHANTILLONS REALISES SUR DES WAFERS DOPES P, DEGENERES ET NON DEGENERES. LES ECHANTILLONS FORTEMENT DOPES SONT CONSTITUES DE PORES ALLONGES, PERPENDICULAIRES A LA SURFACE DU WAFER. L'EMPLOI D'UN DETECTEUR BIDIMENSIONNEL AU L.U.R.E. NOUS A PERMIS D'OBSERVER L'EVOLUTION DU SPECTRE DE DIFFUSION EN FONCTION DE L'ANGLE D'INCLINAISON DE L'ECHANTILLON PAR RAPPORT AU FAISCEAU X INCIDENT. NOUS AVONS COMPARE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX AVEC UN MODELE SIMPLE DE PORES CYLINDRIQUES. LES ECHANTILLONS FAIBLEMENT DOPES ETUDIES ONT DES POROSITES S'ECHELONNANT ENTRE 55 ET 85 POURCENT. NOUS AVONS PU DEGAGER QUELQUES ELEMENTS CONCERNANT LEUR STRUCTURE: CES ECHANTILLONS SONT ISOTROPES, ON OBSERVE UN ARRANGEMENT VIDE-MATIERE RELATIVEMENT ORDONNE ET CE D'AUTANT PLUS QUE LA POROSITE EST FAIBLE, LE MATERIAU CONSIDERE A UNE ECHELLE GRANDE DEVANT LA TAILLE DES PORES N'EST PAS HOMOGENE. DES PROPRIETES DE PHOTOLUMINESCENCE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE ONT ETE RECEMMENT DECOUVERTES POUR LES ECHANTILLONS DE POROSITE SUPERIEURE A 80 POUR CENT. UNE ANALYSE EN TERME DE LONGUEURS DE CORDE PERMET D'ACCREDITER LA THESE SELON LAQUELLE CETTE PROPRIETE SERAIT DUE A UN EFFET DE TAILLE DU SQUELETTE DE SILICIUM
Author : Yann MONIN
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 108 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Caractérisation du silicium poreux luminescent par micro-spectrométrie Raman et photoluminescence written by Yann MONIN and published by . This book was released on 1995 with total page 108 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Pierre David Szkutnik
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 134 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Réorganisation de surfaces de silicium (111) texturées written by Pierre David Szkutnik and published by . This book was released on 2002 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Julien Garcia
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 155 pages
Book Rating : 4.:/5 (116 download)
Download or read book Préparation de carbure de silicium poreux à partir de précurseurs moléculaires written by Julien Garcia and published by . This book was released on 2008 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les résultats présentés dans ce manuscrit décrivent la préparation de carbure de silicium (SiC) poreux à partir de précurseurs moléculaires. Dans un premier temps, des polymères de type polysilane et polycarbosilane ont été obtenus par polymérisation de précurseurs moléculaires ciblés TSCH et TCDSCB et conduisent par pyrolyse sous atmosphère inerte au SiC. Dans un second temps, la fonctionnalisation du polysilane a été explorée. Les études ont montré que le Cp2Ti(OPh)2 est un catalyseur efficace dans l'obtention en one-pot d'un polysilane fonctionnalisé à partir des précurseurs moléculaires par réaction concomitante d'hydrosilylation et de déshydrocondensation . Enfin, des SiC à porosité contrôlée ont été préparés en utilisant une silice commerciale comme agent structurant
Author : Jean-Christophe Rostaing
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 222 pages
Book Rating : 4.:/5 (863 download)
Download or read book PREPARATION AND PHYSICOCHEMICAL CHARACTERIZATION OF WEAKLY NITRITED SILICON OXIDES PREPARED BY PECVD AT LOW TEMPERATURE written by Jean-Christophe Rostaing and published by . This book was released on 1987 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : ABDELGHANI.. LAGOUBI
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 188 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book ETUDE DU SILICIUM POREUX DE TYPE N OBTENU PAR VOIE PHOTOELECTROCHIMIQUE written by ABDELGHANI.. LAGOUBI and published by . This book was released on 1993 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE REALISEE AU LABORATOIRE DE PHYSIQUE DES SOLIDES DE BELLEVUE EST CENTREE SUR L'OBTENTION ET LA CARACTERISATION DU SILICIUM POREUX DE TYPE N PAR CORROSION PHOTOELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN PRESENCE D'ACIDE FLUORHYDRIQUE. UN RESULTAT MARQUANT DE CES ETUDES EST LA MISE EN EVIDENCE DE DEUX COUCHES DIFFERENTES DE SILICIUM POREUX. LA COUCHE SUPERFICIELLE DITE SILICIUM NANOPOREUX PRESENTANT DES VIDES (PORES) DE L'ORDRE DU MANOMETRE RECOUVRE UNE COUCHE DE SILICIUM MACROPOREUX PRESENTANT DES GRANDS PORES DONT LE DIAMETRE EST DE L'ORDRE DU MICRON. LA COUCHE DE SILICIUM NANOPOREUX EST AISEMENT DISSOUTE EN MILIEU ALCALIN CE QUI A PERMIS D'ETUDIER SEPAREMENT CERTAINES DES PROPRIETES DES DEUX TYPES DE SILICIUM POREUX. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES EXPERIMENTAUX (TAUX DE DOPAGE, ORIENTATION CRISTALLOGRAPHIQUE, INTENSITE LUMINEUSE, CHARGE TRANSFEREE) SUR LA CORROSION PHOTOELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, FAIBLEMENT DOPE (N#D=10#1#5 CM##3) OU FORTEMENT DOPE (N#D=10#1#8 CM##3) D'ORIENTATION (100) OU (111) A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SYSTEMATIQUE. LES PROPRIETES ELECTRONIQUES, PHOTOELECTROCHIMIQUES ET OPTIQUES DES DEUX TYPES DE SILICIUM POREUX ONT ETE CARACTERISEES. L'ETUDE DE LA PHOTOLUMINESCENCE A TEMPERATURE AMBIANTE INDIQUE QUE CELLE-CI EST EXCLUSIVEMENT LIEE A LA COUCHE NANOPOREUSE. LA COUCHE MACROPOREUSE, NOIRE D'ASPECT, APPARAIT COMME UN MATERIAU PRESQUE IDEALEMENT ABSORBANT ET POURRAIT DONNER LIEU A DES APPLICATIONS DANS LE PHOTOVOLTAIQUE
Author : STEPHANE.. BASTIDE
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 193 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN written by STEPHANE.. BASTIDE and published by . This book was released on 1995 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS
Author : Marzouk Kloul
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 164 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Contribution à la mise au point de méthodes de contrôle et de caractérisation de guides d'ondes composites silicium poreux et silice poreuse written by Marzouk Kloul and published by . This book was released on 2005 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nos travaux s’inscrivent dans le cadre du programme de recherche interrégional Bretagne-Pays de la Loire intitulé : « Matériaux composites silicium poreux-polymères présentant des propriétés d'optique non linéaire en vue d'applications en télécommunications et capteurs ». L’objectif de ce programme est l’élaboration et la caractérisation d’un matériau composite silicium poreux-polymère doté de propriétés optiques non-linéaires. L’élaboration des échantillon de silicium poreux a été effectué au Laboratoire d’optronique de Lannion. Les travaux de thèse ont porté sur la caractérisation optique d’échantillons de silicium poreux et de silice poreuse non remplis ainsi que de matériaux composites obtenus en introduisant différents polymères et molécules dans les pores. Les expériences ont été réalisées au sein de deux laboratoires, le Laboratoire de Physique de L’Etat condensé de l’Université du Maine (LPEC) et le Laboratoire des Propriétés Optiques des Matériaux et Applications d’Angers (POMA). Au LPEC, nos études avaient pour but le développement de techniques permettant l’étude du remplissage, la détermination des épaisseurs et les propriétés optiques linéaires des échantillons. Ainsi, l’une des techniques basée sur l’utilisation d’un spectromètre Raman couplé avec un dispositif de translation motorisé, nous a permis d’étudier l’homogénéité du remplissage de monocouches ainsi que de bicouches remplies avec différents polymères et molécules tel que le DR1, et le PPV. Le remplissage avec le DR1 a été effectué à Lannion alors que le remplissage avec le PPV a été réalisé à l’institut des matériaux de Nantes. D’autre part nous avons mis au point une technique interférométrique qui nous a permis de déterminer les l’indices de réfraction, les coefficients d’extinction et les épaisseurs des échantillons précédents avec une grande précision. Pour ce faire, nous avons développé un programme d’analyse qui permet d’effectuer des régressions sur les données expérimentales. Parallèlement, nous avons étudié les propriétés d’optique non-linéaire des échantillons précédents en utilisant la technique de I-Scan mise au point au POMA d’Angers. Cette technique Nous a permis de montrer que les indices non-linéaires des échantillons analysés étaient 103 fois plus grands que celui du silicium massif.
