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Author : David Dousset
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 358 pages
Book Rating : 4.:/5 (532 download)
Download or read book Modélisation petit-signal des transistors bipolaires à hétérojonction written by David Dousset and published by . This book was released on 2003 with total page 358 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Jean-Guy Tartarin
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Caractérisation et modélisation petit signal et en bruit des transistors bipolaires à hétérojonction aux fréquences micro-ondes written by Jean-Guy Tartarin and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Marie Anne Pérez
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 183 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book Modèle électrothermique distribué de transistor bipolaire à hétérojonction written by Marie Anne Pérez and published by . This book was released on 1998 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE.
Author : CHRISTINE.. PALLIER
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 276 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book MODELISATION ET SIMULATION PAR EQUILIBRAGE SPECTRAL DE CIRCUITS MELANGEURS SIMPLE ET EQUILIBRE A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by CHRISTINE.. PALLIER and published by . This book was released on 1995 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UN CALCUL ANALYTIQUE DU GAIN DE CONVERSION DE MELANGEURS REALISES A PARTIR DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. LES AVANTAGES QUE PRESENTE LE TBH POUR LA REALISATION DE CIRCUITS HYPERFREQUENCE RESSORTENT D'UNE ETUDE DES DIVERSES PROPRIETES DU MATERIAU ET DU COMPOSANT, AINSI QUE D'UNE COMPARAISON DE SES PERFORMANCES PAR RAPPORT A SES CONCURRENTS (MESFET GAAS, DIODE SCHOTTKY, TBH SIGE). SON INTERET DANS LA REALISATION DE CIRCUITS NON-LINEAIRES EST PLUS PARTICULIEREMENT PRECISE. LES DIFFERENTES CONFIGURATIONS POSSIBLES DE MELANGEURS SONT ANALYSEES ET COMPAREES ENTRE ELLES. DEUX STRUCTURES SONT RETENUES: UNE STRUCTURE SIMPLE ET UNE STRUCTURE DOUBLE EQUILIBREE (CELLULE DE GILBERT). UN RAPPEL DES PRINCIPAUX MODELES ELECTRIQUES (PETIT SIGNAL ET GRAND SIGNAL) AYANT ETE DEVELOPPES POUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE, ET DES METHODES D'ANALYSE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES, EST EFFECTUE. NOUS PRESENTONS UNE ETUDE EXHAUSTIVE DU GAIN DE CONVERSION D'UN MELANGEUR UNITAIRE A BASE DE TBH. CETTE ETUDE A PERMIS DE DEDUIRE UNE EXPRESSION ANALYTIQUE DU GAIN DE CONVERSION DU MELANGEUR EN FONCTION DE LA FREQUENCE DU SIGNAL D'ENTREE ET DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR. L'INFLUENCE DES DIFFERENTES NON-LINEARITES DU TRANSISTOR A ETE ETUDIEE. CE CALCUL A MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE FREQUENCE DE COUPURE POUR LE GAIN, INTRODUITE PAR LES CAPACITES INTRINSEQUES DU TRANSISTOR. NOUS AVONS EGALEMENT CARACTERISE LE GAIN DE CONVERSION D'UN MELANGEUR EN CELLULE DE GILBERT REALISE A BASE DE TBH. PLUSIEURS FREQUENCES CARACTERISTIQUES ONT ETE EXTRAITES DE L'EXPRESSION LITTERALE DU GAIN DE CONVERSION. CES FREQUENCES PERMETTENT DE CONNAITRE LES PRINCIPAUX PARAMETRES DU TRANSISTOR A OPTIMISER POUR UN MEILLEUR FONCTIONNEMENT DU MELANGEUR A HAUTE FREQUENCE
Author : Madjid Medjnoun
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Modélisation du transistor bipolaire à hétérojonction pour le régime transitoire grand signal written by Madjid Medjnoun and published by . This book was released on 2000 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Madjid Medjnoun
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 129 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Modélisation du transistor bipolaire à hétérojonction pour le régime transitoire grand signal written by Madjid Medjnoun and published by . This book was released on 2000 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Rached Hajji
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 348 pages
Book Rating : 4.:/5 (536 download)
Download or read book Modélisation grand-signal des transistors bipolaires à hétérojonction aux ondes centimétriques et millimétriques written by Rached Hajji and published by . This book was released on 1995 with total page 348 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : AHMED.. BIRAFANE
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 220 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
Author : Fabrice Arlot
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 212 pages
Book Rating : 4.:/5 (799 download)
Download or read book Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction written by Fabrice Arlot and published by . This book was released on 2002 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à la modélisation non-linéaire du TBH, appliquée à la réalisation d'un oscillateur en bande X à faible bruit de phase dans le cadre du projet PHARAO. Ce travail permet de dégager les paramètres influant sur le bruit de phase et établit une méthode de conception permettant d'obtenir le minimum de bruit de phase dans les oscillateurs. Le premier chapitre donne un descriptif du fonctionnement du transistor bipolaire et identifie les avantages et inconvénients des différentes familles de TBH par rapport aux transistors à effet de champ afin de confirmer les potentialités du TBH pour les applications microondes. Le second chapitre est alors consacré à la présentation d'un modèle non-linéaire, non-quasi-statique et électro-thermique du TBH. Les différentes étapes permettant de l'obtenir, ainsi que sa validation à travers plusieurs mesures sont présentées. Dans le troisième chapitre, nous présentons la méthodologie de conception d'un oscillateur TBH à faible bruit de phase. La réalisation d'une maquette d'oscillateur sur table, fonctionnant à 9.2 GHz et s'inscrivant dans le cadre du projet PHARAO financé par le CNES constitue l'aboutissement de ce travail.
Author : Miloud Abboun
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ISBN 13 :
Total Pages : 287 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Author : Alaa Saleh
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 167 pages
Book Rating : 4.:/5 (8 download)
Download or read book Caractérisation en impulsions étroites et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction en technologie InP written by Alaa Saleh and published by . This book was released on 2009 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le premier chapitre propose une description des technologies de composants semi-conducteurs rapides puis s'oriente vers une description plus détaillée de la technologie TBH InP/InGaAs de Alcatel Thales 3-5 Lab utilisée au cours de ces travaux. Le deuxième chapitre est consacré à la description d'un banc de mesure développé à Xlim au cours de cette thèse. Ce banc permet la caractérisation petit signal paramètres [S] jusqu'à une fréquence de 65 Ghz, des caractérisations en fort signal sont également montrées, des mesures de type I/V en impulsions très étroites de 40 ns qui offrent de réelles potentialités pour la caractérisation électrothermique de transistors. La modélisation de TBH InP/InGaAs et quelques étapes de validation du modèle électrothermique est donnée. Le troisième chapitre propose des simulations de principe d'une fonction échantillonneur bloqueur pour montrer l'application possible de l'utilisation de ce modèle.
![Download Modélisation empirique grand-signal et implantation logiciel des transistors bipolaires à hétérojonction incluant les effets Kirk et auto-échauffement [microforme] PDF Online Free](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/ZQJDNwAACAAJ?fife=w200-h370)
Author : Rim Barrak
Publisher : National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN 13 :
Total Pages : 104 pages
Book Rating : 4.:/5 (527 download)
Download or read book Modélisation empirique grand-signal et implantation logiciel des transistors bipolaires à hétérojonction incluant les effets Kirk et auto-échauffement [microforme] written by Rim Barrak and published by National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 2002 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Myriam Assous
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 210 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Caractérisation de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe intégrés written by Myriam Assous and published by . This book was released on 1999 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse concerne la caractérisation de transistors 1 bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe (TBH SiGe). Mon rôle a été d'étudier certaines spécificités du comportement électrique du TBH SiGe liées à la présence d'une base épitaxiée, et de mettre ainsi en évidence ce qui apparaissait comme atypique dans le fonctionnement de ce dispositif par rapport au transistor bipolaire silicium actuel. Dans ce contexte, nous avons porté une attention particulière à l'étude du courant de fuite de la jonction base-collecteur et à l'étude de la recombinaison en base neutre. Nous nous sommes attachés à corréler nos mesures électriques à la technologie. Nous avons ainsi contribué a l'amélioration du nettoyage avant l'épitaxie et de la qualité cristalline du matériau SiGe. Nos analyses électriques de la recombinaison en base neutre nous : ont permis de mettre au point une méthode d'extraction de la durée de vie apparente des électrons dans la base neutre. Cette méthode apporte les 1 éléments de base pour formuler une modélisation du courant de recombinaison en base neutre qui peut être intégrée dans un modèle compact de TBH (utilisable pour la simulation de circuits). Enfin, nous avons fourni les grandeurs électriques de TBH SiGe pour évaluer par la simulation de circuits le gain en performances apporté par ce dispositif pour des applications radiofréquences.
Author : ABDELJALIL.. SOLHI
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 296 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book MODELISATION NUMERIQUE DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELJALIL.. SOLHI and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DONT L'EMETTEUR EST CONSTITUE D'UN MATERIAU EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) MONTRE QUE LE FACTEUR D'IDEALITE DU COURANT DE BASE I#B EST LIE EN GRANDE PARTIE AUX ETATS D'INTERFACE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE. LA QUALITE DE CELLE-CI DETERMINE LES PERFORMANCES DU TRANSISTOR. POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE CONDUCTION MIS EN JEUX DANS CES STRUCTURES, NOUS AVONS D'ABORD DEVELOPPE UN MODELE SEMI-NUMERIQUE QUI NOUS A PERMIS DE RETROUVER LES CARACTERISTIQUES I#B(V#B#E) ET D'ANALYSER L'EFFET D'UN CERTAIN NOMBRE DE PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS REALISES. AFIN D'EVITER LES APPROXIMATIONS QUI ETAIENT A L'ORIGINE DE DISCORDES ENTRE LES COURBES EXPERIMENTALES ET THEORIQUES A FORTS NIVEAUX D'INJECTION, POUR TENIR COMPTE DE TOUS LES PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU A-SI:H ET POUR BATIR UN MODELE PLUS GENERAL ET APPLICABLE A D'AUTRES STRUCTURES, NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE ENTIEREMENT NUMERIQUE DE LA CONDUCTIVITE DE LA COUCHE A-SI:H ET DE LA CONDUCTION ELECTRIQUE DANS L'HETEROJONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS REALISES. A PARTIR DE L'ANALYSE DE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES CE MODELE NOUS A PERMIS DE TROUVER UNE BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COURBES SIMULEES ET EXPERIMENTALES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DES LIAISONS PENDANTES DANS LES MECANISMES DE CONDUCTION DANS LE A-SI:H AINSI QUE LE ROLE NEFASTE JOUE PAR LES ETATS D'INTERFACE SUR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS
Author : Rachid Si Mahfoud
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 220 pages
Book Rating : 4.:/5 (798 download)
Download or read book Modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction pour la réalisation de circuits monolithiques hyperfréquence written by Rachid Si Mahfoud and published by . This book was released on 2001 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Jean-Luc Pelouard
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 209 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Author : Hassène Mnif
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 199 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température written by Hassène Mnif and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à diffférentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation préscise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élevation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
