Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium traité

Download Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium traité PDF Online Free

Author :
Publisher : Lavoisier
ISBN 13 : 9782746231306
Total Pages : 364 pages
Book Rating : 4.2/5 (313 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium traité by : Annie Baudrant

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium traité written by Annie Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on 2011-02-15 with total page 364 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium (traité EGEM)

Download Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium (traité EGEM) PDF Online Free

Author :
Publisher : Lavoisier
ISBN 13 : 2746241552
Total Pages : 371 pages
Book Rating : 4.7/5 (462 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium (traité EGEM) by : Baudrant

Download or read book Implantation ionique et traitements thermiques en technologie silicium (traité EGEM) written by Baudrant and published by Lavoisier. This book was released on with total page 371 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Chimie en microélectronique

Download Chimie en microélectronique PDF Online Free

Author :
Publisher : Lavoisier
ISBN 13 : 2746289180
Total Pages : 386 pages
Book Rating : 4.7/5 (462 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis Chimie en microélectronique by : LE TIEC Yannick

Download or read book Chimie en microélectronique written by LE TIEC Yannick and published by Lavoisier. This book was released on 2013-07-01 with total page 386 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La microélectronique est un monde complexe dans lequel plusieurs sciences comme la physique, l’électronique, l’optique ou la mécanique, contribuent à créer des nano-objets fonctionnels. La chimie est particulièrement impliquée dans de nombreux domaines tels que la synthèse des matériaux, la pureté des fluides, des gaz, des sels, le suivi des réactions chimiques et de leurs équilibres ainsi que la préparation de surfaces optimisées et la gravure sélective de couches spécifiques. Au cours des dernières décennies, la taille des transistors s’est considérablement réduite et la fonctionnalité des circuits électroniques s’est accrue. Cette évolution a conduit à une interpénétration de la chimie et de la microélectronique exposée dans cet ouvrage. Chimie en microélectronique présente les chimies et les séquences utilisées lors des procédés de production de la microélectronique, des nettoyages jusqu’aux gravures des plaquettes de silicium, du rôle et de l’impact de leur niveau de pureté jusqu’aux procédés d’interconnexion des millions de transistors composant un circuit électronique. Afin d’illustrer la convergence avec le domaine de la santé, l’ouvrage expose les nouvelles fonctionnalisations spécifiques, tels que les capteurs biologiques ou les capteurs sur la personne.

Etude des mécanismes de rupture du silicium induits par l'implantation ionique d'hydrogène dans le cadre de la technologie Smart Cut TM

Download Etude des mécanismes de rupture du silicium induits par l'implantation ionique d'hydrogène dans le cadre de la technologie Smart Cut TM PDF Online Free

Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 230 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis Etude des mécanismes de rupture du silicium induits par l'implantation ionique d'hydrogène dans le cadre de la technologie Smart Cut TM by : Sébastien Personnic

Download or read book Etude des mécanismes de rupture du silicium induits par l'implantation ionique d'hydrogène dans le cadre de la technologie Smart Cut TM written by Sébastien Personnic and published by . This book was released on 2007 with total page 230 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie Smart Cut est un procédé d’élaboration de films minces et de substrats SOI basé sur l’implantation ionique d’ions légers dans le matériau (H+). Lors d’un traitement thermique, les défauts étendus hydrogénés nucléés durant l’implantation se développent, conduisant à la formation d’une ligne de fissuration dans le matériau et au transfert du film mince. Les travaux de thèse ont consisté à étudier l’étape de rupture du silicium liée au developpement de ces défauts structuraux sous activation thermique. Les mécanismes physico-chimiques clés impliqués dans la rupture du silicium ont pu être décrits ou quantifiés. Ils ont permis de mettre en évidence un mécanisme global de transfert de films minces et les différents modes de croissance des défauts étendus hydrogénés. Suite à l’analyse du silicium implanté et recuit, des modèles permettant de prévoir le développement des micro-fissures et d’optimiser la technologie Smart Cut ont été proposés.

X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications

Download X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications PDF Online Free

Author :
Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 3540486968
Total Pages : 347 pages
Book Rating : 4.5/5 (44 download)

DOWNLOAD NOW!


Book Synopsis X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications by : Jean Daillant

Download or read book X-Ray and Neutron Reflectivity: Principles and Applications written by Jean Daillant and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2003-07-01 with total page 347 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The reflection of and neutrons from surfaces has existed as an x-rays exp- imental for almost it is in the last technique fifty Nevertheless, only years. decade that these methods have become as of enormously popular probes This the surfaces and interfaces. to be due to of several appears convergence of intense different circumstances. These include the more n- availability be measured orders tron and sources that can over (so reflectivity x-ray many of and the much weaker surface diffuse can now also be magnitude scattering of thin films and studied in some the detail); growing importance multil- basic the realization of the ers in both and technology research; important which in the of surfaces and and role roughness plays properties interfaces; the of statistical models to characterize the of finally development topology its and its characterization from on roughness, dependence growth processes The of and to surface scattering experiments. ability x-rays neutro4s study four five orders of in scale of surfaces over to magnitude length regardless their and also their to ability probe environment, temperature, pressure, etc. , makes these the choice for buried interfaces often probes preferred obtaining information about the microstructure of often in statistical a global surfaces, the local This is manner to complementary imaging microscopy techniques, of such studies in the literature witnessed the veritable by explosion published the last few Thus these lectures will useful for over a resource years.