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Fabrication Et Caracterisation De Couches Minces De Silicium Germanium Polycristallin Deposees Par Lpcvd Application Aux Transistors Films Minces
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Book Synopsis Fabrication et caractérisation de couches minces de silicium-germanium polycristallin déposées par L.P.C.V.D by : Denis Guillet
Download or read book Fabrication et caractérisation de couches minces de silicium-germanium polycristallin déposées par L.P.C.V.D written by Denis Guillet and published by . This book was released on 2000 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis FABRICATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM-GERMANIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD APPLICATION AUX TRANSISTORS FILMS MINCES by : DENIS.. GUILLET
Download or read book FABRICATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM-GERMANIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD APPLICATION AUX TRANSISTORS FILMS MINCES written by DENIS.. GUILLET and published by . This book was released on 2000 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A LA FABRICATION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM NON DOPE DEPOSEES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION). L'OBJECTIF FINAL EST DE SAVOIR SI DE TELLES COUCHES PEUVENT SERVIR DANS LE MONDE DE LA MICROELECTRONIQUE (C'EST-A-DIRE S'INTEGRER DANS DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES EN TANT QUE COUCHES ACTIVES) DANS LE BUT PAR EXEMPLE DE DIMINUER LE BUDGET THERMIQUE. UNE PREMIERE PARTIE EST DONC CONSACREE A LA FABRICATION DES COUCHES EN UTILISANT COMME GAZ DU SILANE ET DU GERMANE DILUE DANS L'HYDROGENE. NOUS AVONS ALORS ETUDIE L'INFLUENCE SUR LES VITESSES DE CROISSANCE AINSI QUE SUR LEUR ENERGIE D'ACTIVATION DES FLUX DE GAZ, DE LA PRESSION TOTALE DANS LE FOUR DE DEPOT, DE LA TEMPERATURE ET DE L'INCORPORATION DE GERMANIUM DANS LES COUCHES. IL S'AVERE QUE LA PRESENCE DE GERMANIUM MODIFIE LES CINETIQUES DE DEPOT ET IL S'ENSUIT, DANS NOTRE GAMME D'ETUDE, QUE LA VITESSE EST MULTIPLIEE PAR UN FACTEUR ALLANT JUSQU'A 5 PAR RAPPORT A DES DEPOTS DE SILICIUM. DANS UNE SECONDE PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS AUX CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE CES COUCHES. LA CRISTALLISATION DES COUCHES DEPOSEES AMORPHES EST D'ABORD ETUDIEE. ENSUITE, L'ETUDE ELECTRIQUE NOUS MONTRE QUE, SELON LES CONDITIONS DE REALISATION DES FILMS, DES RESISTIVITES SUR UNE GAMME DE QUELQUES 10 .CM A 10 5 .CM SONT OBTENUES. ON A CONCLU A LA PRESENCE D'UNE DISTRIBUTION D'ETATS ACCEPTEURS DANS LA BANDE INTERDITE. CETTE DISTRIBUTION, CERTAINEMENT DUE AU GERMANIUM, PROVOQUE UNE DISPERSION SUR LES CARACTERISTIQUES DES FILMS DEPOSES AMORPHES PUIS RECUITES. L'ULTIME PARTIE CONSISTE A FABRIQUER DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES AVEC DU SILICIUM-GERMANIUM COMME COUCHE ACTIVE. IL S'AVERE QUE LES RESULTATS RESTENT INSUFFISANTS PAR RAPPORT A CEUX QUE L'ON
Book Synopsis ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE by : YAHYA.. LAGHLA
Download or read book ELABORATION ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD POUR APPLICATION PHOTOVOLTIQUE written by YAHYA.. LAGHLA and published by . This book was released on 1998 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: COMME L'UTILISATIONS DE L'ENERGIE SOLAIRE EST NOUVELLE PAR RAPPORT AUX ENERGIES TRADITIONNELLES (SURTOUT LES COMBUSTIBLES FOSSILES), SA RECHERCHE ET SON DEVELOPPEMENT SONT GUIDES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES PHYSIQUES ET PAR LES ASPECTS ECONOMIQUES, POLITIQUES ET SOCIAUX. LE DEVELOPPEMENT EST UNE RENCONTRE D'UN PRODUIT ET D'UN MARCHE. NOTRE TRAVAIL EST AINSI SEPARE EN 3 PARTIES : UNE PARTIE DITE DE RECHERCHE HORIZONTALE CONCERNANT L'ETUDE PHYSIQUE DU MATERIAU TELLES LES CARACTERISTIQUES OPTIQUES, DONT NOUS AVONS ETUDIE LES PRINCIPALES METHODES DE DETERMINATION DES CONSTANTES OPTIQUES. DANS CETTE PARTIE, NOUS AVONS DETAILLE LES DEUX METHODES D'OBTENTION DE L'EPAISSEUR, DE L'INDICE DE REFRACTION ET DU COEFFICIENT D'ABSORPTION EN FONCTION DES LONGUEURS D'ONDES A PARTIR DU SPECTRE DE TRANSMISSION SEUL METHODE DE FRANGE D'INTERFERENCE ; OU A PARTIR DE LA COMBINAISON DES SPECTRES DE TRANSMISSION ET DE REFLEXION METHODE DITE OCS. APRES LA COMPARAISON DES AVANTAGES ET DES INCONVENIENTS DES DEUX METHODES, NOUS AVONS ABOUTI A UNE NOUVELLE METHODE QUI CONSISTE A COMBINER LES DEUX METHODES EN MEME TEMPS AFIN D'AUGMENTER LA PRECISION SUR LES CONSTANTES OPTIQUES. LA DEUXIEME PARTIE EST DEDIEE A L'APPLICATION DE LA METHODE DITE DE MINIMISATION, AFIN DE CALCULER LES PROPRIETES OPTIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR DECOMPOSITION EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD), DE DISILANE, DEPOSEE DANS UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR, APPELE REACTEUR PUIS COMPAREES AU SILICIUM POLYCRISTALLIN OBTENU PAR RECUIT DE CE PREMIER ET AU SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSE DIRECTEMENT PAR DECOMPOSITION DU SILANE PAR LPCVD. CES ETUDES OPTIQUES DE CES DIFFERENTS MATERIAUX NOUS ONT CONDUIT A OPTER POUR LA FILIERE GAZEUSE SILANE ET AU CONDITION DE DEPOT DE CE MATERIAU (T = 660 C, P = 0,3TORR), POUR LA REALISATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, ET D'OPTIMISER LES EPAISSEURS CONVENABLE POUR QUE 90% DE LA LUMIERE INCIDENTE SOIT ABSORBEE. DANS UNE DEUXIEME ETAPE DE NOTRE RECHERCHE NOUS AVONS ETUDIE LA CINETIQUE DE DEPOT, LES PROPRIETES OPTIQUES, ELECTRIQUES, ET STRUCTURALES DES DIFFERENTES COUCHES CONTRIBUANT A LA FABRICATION DES DIODES PHOTOVOLTAIQUE, A SAVOIR LES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPES, DOPEE BORE OU PHOSPHORE. AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES QUALITES DE CES COUCHES, NOUS AVONS ESSAYE DE FAIRE UN LIEN ENTRE LES DIFFERENTES VARIATIONS DES PARAMETRES OPTIQUES ET ELECTRIQUES OBSERVES ET LEUR VARIATION DE STRUCTURE EN FONCTION DE LEURS EPAISSEURS. POUR COMPLETER CES ETUDES, EN DERNIER PARTIE, NOUS SOMMES PASSE A LA PHASE DITE VERTICALE CONSISTANT A LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE CES DIODES AVEC UN MINIMUM D'ETAPES TECHNOLOGIQUES. NOUS AVONS PU OBTENIR DES DIODES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN AVEC UN COURANT DE FUITE MINIMAL ET UNE TRES BONNE TENUE AU COURANT INVERSE JUSQU'A 100V SANS OBSERVER LE CLAQUAGE DE LA JONCTION.
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Book Synopsis REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN by : ABDALLAH.. SAKRI
Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN written by ABDALLAH.. SAKRI and published by . This book was released on 1989 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN D'IDENTIFIER L'ORIGINE DU COURANT DE FUITE QUI SE MANIFESTE A L'ETAT BLOQUANT DANS LES STRUCTURES MOS EN COUCHES MINCES (TFT) REALISEES DANS DU SILICIUM POLYCRISTALLIN, DEUX SERIES DE STRUCTURES N+NN+ ONT ETE FABRIQUEES AVEC CE MATERIAU. LES COUCHES DEPOSEES EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION (LPCVD) ONT ETE DIVERSEMENT DOPEES PAR IMPLANTATION IONIQUE. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS ET DE CELLES DE SIMPLES COUCHES-TEMOINS AYANT SUBI LES MEMES TRAITEMENTS THERMIQUES QUE CEUX-CI, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE JOUE DANS LA TRANSMISSION DU COURANT DE FUITE PAR LA ZONE FORTEMENT PERTURBEE A PARTIR DE LAQUELLE CROISSENT LES GRAINS COLUMNAIRES, QUI FORMENT LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. CES RESULTATS MONTRENT QUE LE COURANT DE FUITE: RESTE INDEPENDANT DE LA POLARISATION DE LA GRILLE TANT QUE LE NIVEAU DE CELLE-CI RESTE FAIBLE, DEPEND EN REVANCHE DU DOPAGE ET DES CONDITIONS DE DEPOT, NE DEPEND PAS DE FACON SIGNIFICATIVE DE L'EPAISSEUR (90 A 300 NM) DU FILM SIPOLY
Book Synopsis ETUDE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD by : Fekri Karray
Download or read book ETUDE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DEPOSEES PAR LPCVD written by Fekri Karray and published by . This book was released on 1986 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR DIFFRACTION RX ET D'ELECTRONS ET PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE DEPOT SUR LA STRUCTURE DE SI. DETERMINATION DE LA DIMENSION MOYENNE DES GRAINS A PARTIR D'UN TRAITEMENT STATISTIQUE. MESURE DE CETTE DIMENSION EN FONCTION DE LA CONCENTRATION EN DOPANT, DE LA TEMPERATURE DE DEPOT, DE LA POSITION DES WAFERS DANS LE FOUR. CARACTERISATION ELECTRIQUE
Book Synopsis Microstructures en silicium polycristallin déposé sur verre. Application à la réalisation et la caractérisation de transistors en couche mince à grille suspendue by : Hicham El-Din Mahfouz Kotb
Download or read book Microstructures en silicium polycristallin déposé sur verre. Application à la réalisation et la caractérisation de transistors en couche mince à grille suspendue written by Hicham El-Din Mahfouz Kotb and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la réalisation, par micro-usinage de surface sur substrat de verre, de transistors en couches minces à grille suspendue (TFTs à air-gap). L'ensemble grille suspendue - couche active est réalisé en couches minces de polysilicium. La première partie de ce travail traite l'optimisation du procédé de fabrication des micro-ponts en polysilicium. La clé de voûte du procédé est un recuit de cristallisation du silicium structurel vers 570 ʿC - 600 ʿC, associé à l'utilisation de germanium comme couche sacrificielle. Dans la deuxième partie, des transistors à air-gap ont été réalisés en utilisant une couche sacrificielle de 500 nm d'épaisseur. Après libération, les transistors ont présenté de bonnes performances avec une pente sous le seuil et une tension de seuil de l'ordre de 0,7 V/dec et 6 V respectivement. L'effet de l'ambiance sur les caractéristiques de ces transistors à air-gap, a été étudié en troisième partie. Enfin, un modèle est proposé afin d'expliquer le comportement électrique du transistor sous l'effet de différentes ambiances.
Book Synopsis Elaboration et caractérisation de couches minces de silicium poly cristallin déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore by : Sami Kallel
Download or read book Elaboration et caractérisation de couches minces de silicium poly cristallin déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore written by Sami Kallel and published by . This book was released on 1999 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La première partie de ce travail porte sur 1 'étude de couches minces de silicium déposées par RT-LPCVD et dopées in situ au phosphore dans un réacteur à lampes halogène et à parois froides à partir du silane (SiH4) utilisé comme gaz précurseur et la phosphine (PH3) comme source dopante. Nous avons étudié ces couches dans une gamme de températures allant de 600°C à 850°C (pour une pression de 2mbar) et nous avons mis en évidence 1 'effet de la phosphine sur la cinétique de dépôt ainsi que sur ses propriétés physiques (taille des grains, texture, contraintes résiduelles, résistivité). Nous avons aussi montré que les traitements thermiques rapides ultérieurs (RTA) favorisent une augmentation de la taille des grains, une relaxation des contraintes et une amélioration de la résistivité. Dans la deuxième partie du travail, nous avons appliqué les procédés thermiques rapides pour la réalisation de cellules solaires à faible budget thermique. Pour cela nous avons étudié et optimisé chaque étape nécessaire pour la réalisation d'un tel dispositif:-1. l'émetteur (N+) obtenu par le dépôt RT-LPCVD dopé in situ à partir de (SiH4/PH3),-2. l'oxyde de passivation obtenu par oxydation thermique rapide (RTO),-3. la couche antireflet (Si3N4) déposée par RT-LPCVD à partir du silane et de l'ammoniac (NH3),-4. les contacts métalliques déposés par évaporation. Les premiers résultats obtenus indiquent un rendement de conversion de 10,5% pour un courant de court-circuit de 33,5mA/cm2 et une tension de circuit ouvert égale à 527mV.
Book Synopsis CROISSANCE ET STRUCTURE DE COUCHES MINCES NANOCRISTALLINES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM DEPOSEES A L'AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES by : Christian Godet
Download or read book CROISSANCE ET STRUCTURE DE COUCHES MINCES NANOCRISTALLINES DE SILICIUM ET DE GERMANIUM DEPOSEES A L'AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES written by Christian Godet and published by . This book was released on 1987 with total page 373 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION DE COUCHES MINCES SI ET GE NANOCRISTALLINES (MICROCRISTALLINES) DEPOSEES A L'AIDE DE DECHARGES LUMINESCENTES DANS LES MELANGES (SIH::(4), H::(2)) ET (GEH::(4), H::(2)). LE CHOIX DE H::(2) COMME GAZ PORTEUR ET LE CONTROLE DE LA POLARISATION DES SUPPORTS PERMETTENT D'ETUDIER DEUX TYPES D'INTERACTION A L'INTERFACE PLASMA SOLIDE: LA GRAVURE PREFERENTIELLE DE LA PHASE AMORPHE RESIDUELLE PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE ET LE BOMBARDEMENT DE LA SURFACE PAR LES IONS POSITIFS. ETUDE DE L'HISTOIRE (GERMINATION ET CROISSANCE) LES FILMS PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE IN-SITU ET CONCLUSIONS QUI PEUVENT EN ETRE TIREES
Book Synopsis ETUDE COMPAREE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE EN VUE D'APPLICATIONS PIEZORESISTIVES by : Martine Le Berre
Download or read book ETUDE COMPAREE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE EN VUE D'APPLICATIONS PIEZORESISTIVES written by Martine Le Berre and published by . This book was released on 1994 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL ETAIT DE COMPARER LES PROPRIETES STRUCTURALES, ELECTRIQUES ET PIEZORESISTIVES DE DIFFERENTES STRUCTURES DE TYPE SOI (SILICON ON INSULATOR), D'EVALUER DANS QUELLE MESURE LES CONDITIONS D'ELABORATION ET LES TRAITEMENTS DE RECUITS ULTERIEURS INFLUAIENT SUR CES DIVERSES PROPRIETES, ET ENFIN DE MODELISER LA PIEZORESISTIVITE DE CE MATERIAU. L'EMPLOI DE TOUTE UNE SERIE DE MOYENS DE CARACTERISATION TELS QUE LA DIFFRACTION DES RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE, LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION, LE RAMAN, LA REFLECTIVITE IR, LA SPECTROMETRIE DE MASSE D'IONS SECONDAIRES (SIMS), LES MESURES PAR EFFET HALL ET LA MESURE DU FACTEUR DE JAUGE, NOUS A PERMIS DE CARACTERISER DES COUCHES LPCVD ET PECVD. POUR LES COUCHES LPCVD DEPOSEES POLYCRISTALLINES PUIS RECUITES PAR VOIE CONVENTIONNELLE OU PAR RECUIT RAPIDE, LES FACTEURS DE JAUGE SONT COMPRIS ENTRE 25 ET 40. LES PROPRIETES ELECTRIQUES SONT LEGEREMENT AMELIOREES PAR LE RECUIT RAPIDE. LES COUCHES PECVD DEPOSEES AMORPHES PUIS RECUITES PRESENTENT DES PROPRIETES ELECTRIQUES SENSIBLEMENT AMELIOREES PAR RAPPORT AUX COUCHES LPCVD (RESISTIVITE, DENSITE DE PIEGES). LES FACTEURS DE JAUGE RESTENT CEPENDANT INFERIEURS (20-27) EN LIAISON AVEC LA PLUS FAIBLE TAILLE DE GRAIN. LES COUCHES DIRECTEMENT DEPOSEES MICROCRISTALLINES PEUVENT AVOIR DES FACTEURS DE JAUGE ATTEIGNANT 28 A CONDITION DE PRESENTER UNE TEXTURE FAVORABLE. AU MOYEN D'HYPOTHESES DE CONTRAINTES OU DE DEFORMATIONS CONSTANTES, UNE MODELISATION ORIGINALE DE LA PIEZORESISTIVITE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN A ETE REALISEE ET A PERMIS UNE COMPARAISON JUSQU'ICI IMPOSSIBLE. ON CONSTATE QUE LES FACTEURS DE JAUGE CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE CONTRAINTES CONSTANTES SONT SYSTEMATIQUEMENT INFERIEURS A CEUX CALCULES DANS L'HYPOTHESE DE DEFORMATIONS CONSTANTS. POUR LE CALCUL DES ELEMENTS DE TENSEURS MOYENNES, NOUS SOMMES PARVENUS, GRACE AUX PROPRIETES DES TENSEURS D'ORDRE 4, A DES EXPRESSIONS EXTREMEMENT SIMPLIFIEES. ENFIN, ON NOTE UN BON ACCORD ENTRE LES VALEURS MODELISEES DU FACTEUR DE JAUGE ET LES VALEURS EXPERIMENTALES
Book Synopsis TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU by : Laurent Pichon
Download or read book TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPE IN SITU written by Laurent Pichon and published by . This book was released on 1993 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT ETE REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (600C) AVEC DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE: UN OXYDE THERMIQUE SUIVI D'UN DEPOT LPCVD DE NITRURE (SI#3N#4) (LOTS A ET B#1), OU UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOTS B#2 ET C). LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS DU PREMIER LOT (LOT A) MET EN EVIDENCE L'IMPORTANCE DE L'ETAT DE SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE APRES GRAVURE PLASMA SUR LA QUALITE DES CONTACTS SOURCE ET DRAIN AINSI QU'UN EFFET DE PIEGEAGE DES PORTEURS CHAUDS A L'INTERFACE SIO#2/SI#3N#4. COMPTE TENU DE CES OBSERVATIONS NOUS AVONS REALISE UN DEUXIEME LOT DE TRANSISTORS AVEC LES DEUX TYPES D'ISOLANTS DE GRILLE. L'ISOLATION BICOUCHE DE LA GRILLE (-OXYDE+NITRURE-LOT B#1) CONDUIT A DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS GRACE A UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACES MOINS ELEVEE. TOUTEFOIS, L'ISOLATION ELECTRIQUE EST MOINS BONNE QUE CELLE OBTENUE PAR UN DEPOT APCVD DE SIO#2 (LOT B#2). APRES HYDROGENATION, LES TRANSISTORS DU LOT B#2 PRESENTENT DE MEILLEURES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES QUE CEUX DU LOT B#1 MAIS LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT RESTE ENCORE ELEVE. UNE REDUCTION DE CE COURANT EST OBTENUE GRACE A UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN SUR DES TRANSISTORS DONT L'ISOLANT DE GRILLE EST DU SIO#2 APCVD (LOT C). NOUS ANALYSONS LES EFFETS DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DU DRAIN ET DE LA GRILLE SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES TRANSISTORS HYDROGENES DES LOTS B#2 ET C. D'UNE PART, NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME DE CONDUCTION A L'ETAT PASSANT OBEIT AU MODELE DE PIEGEAGE DES PORTEURS ET D'AUTRE PART QUE LE COURANT A L'ETAT BLOQUANT EST DU A DIFFERENTS PROCESSUS D'EMISSION DE PORTEURS A PARTIR DES JOINTS DE GRAINS: EMISSION THERMIQUE PURE FAVORISEE OU NON PAR L'EFFET POOLE-FRENKEL, EMISSION THERMOELECTRONIQUE ASSISTEE PAR CHAMP, EMISSION PAR EFFET TUNNEL PUR. NOUS METTONS AINSI EN EVIDENCE QU'UN FAIBLE DOPAGE DU DRAIN CONDUIT A UNE REDUCTION DE L'EMISSION THERMIQUE PURE
Book Synopsis ELABORATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM ET DE SILICIUM-GERMANIUM PAR PULVERISATION IONIQUE ET CARACTERISATION by : YANN.. LE MEUR
Download or read book ELABORATION DE COUCHES MINCES DE SILICIUM ET DE SILICIUM-GERMANIUM PAR PULVERISATION IONIQUE ET CARACTERISATION written by YANN.. LE MEUR and published by . This book was released on 1993 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ELABORATION D'HETEROEPITAXIES SI#1##XGE#X/SI(100) PAR PULVERISATION IONIQUE. LES PROPRIETES DE CES FILMS ONT ETE ETUDIEES EN FONCTION DE DIFFERENTS PARAMETRES, A SAVOIR: LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA COMPOSITION (X DE 0% A 60%) ET LES CONDITIONS DE RECUIT. LA CONTRAINTE, GENERALEMENT COMPRESSIVE, EST TRES SUPERIEURE A CELLE OBSERVEE DANS DES FILMS SIMILAIRES, ELABORES PAR MBE OU CVD: CE DECALAGE, DE L'ORDRE DE 1 GPA A 550C, EST INDEPENDANT DE L'EPAISSEUR ET DE LA COMPOSITION. L'EVOLUTION DES CONTRAINTES LORS DE RECUITS SOUS ATMOSPHERE NEUTRE REVELE UN PROCESSUS ACTIVE THERMIQUEMENT (X DE 0% A 8%). ON ABOUTIT A UNE ENERGIE D'ACTIVATION DE 0.350.10 EV LARGEMENT INFERIEURE A CELLE OBTENUE POUR DES FILMS REALISES PAR MBE OU CVD, ASSOCIEE A LA METHODE DE DEPOT. ON SUPPOSE QUE LES PROPRIETES DES FILMS REALISES PAR PULVERISATION IONIQUE RESULTENT DU BOMBARDEMENT DU FILM EN CROISSANCE PAR DES PARTICULES ENERGETIQUES. IL EST PROBABLE QUE LES PARTICULES EMISES ET/OU REEMISES PAR LA CIBLE AIENT UNE ENERGIE SUFFISANTE POUR DEPLACER LES ATOMES, CONDUISANT A UNE CONTRAINTE COMPRESSIVE SANS POUR AUTANT PRODUIRE DE DEFAUTS ETENDUS
Book Synopsis MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS. NON DOPE, EN MODE D'ACCUMULATION by : ABDELKADER.. AMROUCHE
Download or read book MODELISATION DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES SUR SILICIUM POLYCRISTALLIN A PETITS GRAINS. NON DOPE, EN MODE D'ACCUMULATION written by ABDELKADER.. AMROUCHE and published by . This book was released on 1990 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PROPOS DE CETTE THESE EST LA MODELISATION BIDIMENSIONNELLE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE ET SON APPLICATION AU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES. LES ASPECTS CONCERNANT LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES AINSI QUE LES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS CE TYPE DE MATERIAU ONT ETE TRAITES. CE MEMOIRE EST DIVISE EN TROIS PARTIES: DANS LA PREMIERE, UNE ETUDE DU FILM SILICIUM POLYCRISTALLIN EST PRESENTEE AVEC LES DIFFERENTS PARAMETRES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES INTERVENANT DANS LA CARACTERISATION DE CE MATERIAU. SONT AUSSI PRESENTES ET DISCUTES, LES DIFFERENTS MECANISMES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET LEURS APPLICATIONS DANS QUELQUES MODELES DE CONDUCTION TRES CONNUS. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A UNE RECHERCHE UNIDIMENSIONNELLE DE LA CARACTERISTIQUE DE CONDUCTIVITE, QUI NOUS A PERMIS D'APPROCHER L'IDENTIFICATION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN NON DOPE, EN QUANTIFIANT LE DOPAGE RESIDUEL ET LA DENSITE DE LIAISONS PENDANTES. UNE CORRECTION DE CES DEUX GRANDEURS A ETE REALISEE PAR LE DEVELOPPEMENT D'UN MODELE BIDIMENSIONNEL, PLUS REPRESENTATIF DES COUCHES ETUDIEES. DANS UN DEUXIEME TEMPS, NOUS PRESENTONS LE MODELE DE CONDUCTION APPLIQUE AU TRANSISTOR. ENFIN NOUS DEVELOPPONS LA METHODE DE RESOLUTION UTILISEE DANS LE MODELE NUMERIQUE. NOUS AVONS RESERVE LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE AUX DIFFERENTS RESULTATS ISSUS DES MESURES EXPERIMENTALES ET DE LA SIMULATION UNIDIMENSIONNELLE ET BIDIMENSIONNELLE. L'INTERPRETATION DE CES RESULTATS AINSI QUE L'ACCORD MESURES/SIMULATION Y SONT PRESENTES
Book Synopsis ANALYSE ET CARACTERISATION D'INTERFACES SILICIUM POLYCRISTALLIN/DIOXYDE DE SILICIUM POUR DES APPLICATIONS A DES CAPACITES ET DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES by : ANNE-CLAIRE.. SALAUN MICHEL
Download or read book ANALYSE ET CARACTERISATION D'INTERFACES SILICIUM POLYCRISTALLIN/DIOXYDE DE SILICIUM POUR DES APPLICATIONS A DES CAPACITES ET DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES written by ANNE-CLAIRE.. SALAUN MICHEL and published by . This book was released on 1996 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AUX DISPOSITIFS DE TYPE MOS REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (00C) ET TECHNOLOGIE MOYENNE TEMPERATURE (50C) ET METTANT EN JEU DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. DES CAPACITES MOPS (METAL-OXYDE-POLYSILICIUM-SILICIUM) SONT REALISEES ET CARACTERISEES ELECTRIQUEMENT PAR C(V). UN MODELE SPECIFIQUE REPOSANT SUR LE CALCUL DE LA CAPACITE, A PARTIR DE LA RESOLUTION BIDIMENSIONNELLE DE L'EQUATION DE POISSON A ETE MIS AU POINT, EN PRENANT EN COMPTE LA STRUCTURE POLYCRISTALLINE IDEALISEE. A PARTIR DE CE MODELE, IL EST POSSIBLE DE DISTINGUER LES DISTRIBUTIONS DE PIEGES A L'INTERFACE ET AUX JOINTS DE GRAINS. DIFFERENTES PRESSIONS DE DEPOT ET TECHNIQUES DE CRISTALLISATION DE LA COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT PU ETRE COMPAREES GRACE A CET OUTIL. ON MONTRE AINSI QUE LES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES A 550C ET 90 PA ET CRISTALLISEES DIRECTEMENT PENDANT L'OXYDATION A 950C PERMETTENT D'OBTENIR LA MOINS GRANDE DENSITE DE PIEGES AUX JOINTS DE GRAINS (1X10#1#8 CM#-#3.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE) AINSI QU'UNE INTERFACE SI-POLY/OXYDE DE MEILLEURE QUALITE (D#I#T=1X10#1#2 CM#-#2.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE). LES CONCLUSIONS PRECEDENTES SONT CONFIRMEES PAR LES PERFORMANCES DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT). DE PLUS, LE BON FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS JUSQU'A 300C PERMET D'ENVISAGER L'INTEGRATION DE CES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN DANS LES CIRCUITS DE PETITE PUISSANCE INTELLIGENTE DE TYPE SMART-POWER
Book Synopsis Caractérisation de couches minces de silicium polycristallin fabriquées par LPCVD dopées in situ en phosphore by : Geneviève Béïque
Download or read book Caractérisation de couches minces de silicium polycristallin fabriquées par LPCVD dopées in situ en phosphore written by Geneviève Béïque and published by . This book was released on 1992 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Fabrication et caractérisation de nanocristaux de silicium encapsulés dans des matrices siliciées amorphes by : Jérémy Barbé
Download or read book Fabrication et caractérisation de nanocristaux de silicium encapsulés dans des matrices siliciées amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.
Book Synopsis Forest Fire Research by : Universidade de Coimbra
Download or read book Forest Fire Research written by Universidade de Coimbra and published by . This book was released on 2010 with total page 355 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
