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Etude Et Optimisation Dun Processus Technologique De Realisation De Transistors Bipolaires A Heterojonction
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Book Synopsis ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION by : Mohamed Jalal Termanini
Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA
Book Synopsis Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs by : Hugues Granier
Download or read book Optimisation technologique des transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs/GaAlAs written by Hugues Granier and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.
Book Synopsis OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS by : HUGUES.. GRANIER
Download or read book OPTIMISATION TECHNOLOGIQUE DES TRANSISTORS BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS written by HUGUES.. GRANIER and published by . This book was released on 1995 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS (TBH) PRESENTE DE FORTES POTENTIALITES POUR L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE. CE MEMOIRE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE CE TRANSISTOR POUR CE DOMAINE D'APPLICATION. DANS LA PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE THEORIQUE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TBH NOUS A PERMIS D'ETABLIR UN MODELE ELECTRIQUE EN REGIME STATIQUE ET DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. A PARTIR DE CE MODELE, NOUS AVONS ETUDIE LES PHENOMENES LIMITATIFS DES PERFORMANCES, EN INSISTANT SUR LA FOCALISATION LONGITUDINALE DU COURANT LE LONG DE L'EMETTEUR ET SUR LES PHENOMENES THERMIQUES. DANS LA SECONDE PARTIE, NOUS DRESSONS NOTRE AVANT-PROJET DE STRUCTURE DE PUISSANCE A PARTIR DE L'ETAT DE L'ART PUBLIE DANS LA LITTERATURE ET DES MOYENS TECHNOLOGIQUES A NOTRE DISPOSITION. LE TROISIEME CHAPITRE DECRIT DE FACON DETAILLEE LES TRAVAUX MENES POUR LA MISE EN UVRE ET L'OPTIMISATION DE CHACUNE DES ETAPES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES A LA REALISATION DE TBH DE PUISSANCE: EPITAXIE DES COUCHES, REALISATION DES CONTACTS, GRAVURE IONIQUE REACTIVE DES MESAS, PRISE DES CONTACTS PAR DES PONTS A AIR. DANS LA DERNIERE PARTIE, UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE PRECISE TANT EN REGIME STATIQUE QUE DYNAMIQUE, NOUS A PERMIS D'EXTRAIRE LES PARAMETRES DU MODELE ELECTRIQUE DU TBH. LES PERFORMANCES FREQUENTIELLES ATTEINTES PAR UN TRANSISTOR A UN DOIGT D'EMETTEUR DE 10X2001#2 SONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 20 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 13 GHZ. A 2 ET 4 GHZ, NOUS AVONS RELEVE UNE PUISSANCE DISSIPEE EN SORTIE DE 650 MW AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 60%.
Book Synopsis Technologie et physique de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC auto-alignés à très hautes performances by : Benoît Barbalat
Download or read book Technologie et physique de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC auto-alignés à très hautes performances written by Benoît Barbalat and published by . This book was released on 2006 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objet l'étude et la réalisation en milieu industriel de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC à très hautes performances pour les applications de télécommunications et de détection radar. Le premier chapitre rappelle la théorie de fonctionnement du transistor bipolaire, aussi bien en régime statique qu'en régime dynamique. Nous présentons ensuite un historique des technologies de fabrication des TBH SiGe, en expliquant les choix pris en faveur d'un auto-alignement complet et d'une épitaxie sélective de la base. Les performances obtenues dans cette étude sont comparées à l'état de l'art. Le chapitre III a pour objet l'optimisation classique du transistor bipolaire, et nous démontrons comment, par différentes optimisations du profil vertical et de l'extension latérale du composant nous avons pu augmenter les performances de 200GHz jusqu'à 300GHz. Le chapitre IV traite de l'optimisation de la tenue en tension par des procédés technologiques en rupture avec l'optimisation standard du transistor. Des améliorations significatives de la tenue en tension ont pu être démontrées, ce qui permet d'obtenir des produits fTxBVceo à l'état de l'art. Le dernier chapitre étudie le comportement du TBH en fonction de la température : Nous décrivons tout d'abord l'auto-échauffement du transistor, et son impact sur les performances dynamiques, nous terminons par l'étude du transistor bipolaire aux températures cryogéniques. Les performances étant fortement améliorées à basse température, nous en tirons de l'extraction des différents retards du composant des perspectives d'amélioration des temps de transit, pour atteindre des performances ultimes.
Book Synopsis Etude et développement d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si by : Alexis Gauthier
Download or read book Etude et développement d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire à hétérojonction Si written by Alexis Gauthier and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans cette thèse portent sur le développement et l'optimisation de transistors bipolaires pour les futures générations de technologies BiCMOS. La technologie de référence est le BiCMOS055 présentant des fT et fMAX de respectivement 320 et 370 GHz. Dans un premier temps, il est montré que l'optimisation du profil vertical comprenant le budget thermique, le profil de la base et du collecteur notamment permet d'atteindre une fT de 400 GHz tout en restant compatible avec les transistors CMOS. Dans un second temps, le développement d'un collecteur implanté est présenté. La co-implantation du carbone avec le phosphore permet d'obtenir des substrats sans défaut, un contrôle de la diffusion précis ainsi que des performances électriques prometteuses. Une fréquence de transition fT record de 450 GHz est notamment atteinte grâce à des règles de dessins optimisées. Un module STI peu profond (SSTI) est développé afin de compenser l'augmentation de la capacité base / collecteur liée à ce type de technologie. Dans un troisième temps, l'intégration sur silicium d'une nouvelle architecture de transistor bipolaire ayant pour but de surmonter les limitations de la DPSA-SEG utilisée en BiCMOS055 est détaillée et les premiers résultats sont discutés. Cette partie démontre toutes les difficultés d'une intégration d'un transistor bipolaire de nouvelle génération dans une plateforme CMOS. La fonctionnalité de l'architecture émetteur / base est démontrée à travers des mesures dc. Pour terminer, la possibilité d'une intégration en 28 nm est évaluée à travers des travaux spécifiques, notamment au niveau des implantations à travers le SOI, et une ouverture sur les éventuelles intégrations 3D est réalisée.
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE CADRE D'UNE TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE BICMOS by : HATEM.. BOUSSETTA
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE CADRE D'UNE TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE BICMOS written by HATEM.. BOUSSETTA and published by . This book was released on 1995 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A BASES EPITAXIEES FORTEMENT DOPEES REALISES DANS LA TECHNOLOGIE BICMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. GRACE AU FORT DOPAGE DE LA BASE, LE FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS SE RAPPROCHE DE CELUI DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS ; POUR CETTE RAISON ON LES NOMME TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION. APRES AVOIR PRESENTE LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION BICMOS, NOUS DECRIVONS LES TECHNIQUES ET LES OUTILS DE CARACTERISATION MIS EN JEU. DANS UN PREMIER TEMPS, L'ETUDE PORTE SUR LA DEFINITION DES CONDITIONS D'EPITAXIE ET LES REGLAGES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES POUR INTEGRER LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BICMOS. L'ETUDE EFFECTUEE SUR L'ORIGINE DU DYSFONCTIONNEMENT A FAIBLE INJECTION DES TRANSISTORS REALISES ET LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES RESPONSABLES DES COURANTS DE FUITE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS MURES ET NON MURES ONT PERMIS DE CERNER LES PROBLEMES POSES PAR L'INTEGRATION PUIS D'APPORTER DES SOLUTIONS POUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF A PORTE SUR LES PROPRIETES PHYSIQUES DE LA BASE ET EN PARTICULIER LE RETRECISSEMENT DE LA BANDE INTERDITE SOUS L'EFFET DES FORTS DOPAGES. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE ORIGINALE D'EXTRACTION DE CE RETRECISSEMENT BASEE SUR L'EVOLUTION DU COURANT COLLECTEUR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. A PARTIR DE CETTE METHODE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE LES TRANSISTORS FABRIQUES FONCTIONNENT EFFECTIVEMENT SUR LE PRINCIPE DES DISPOSITIFS A HETEROJONCTION. CETTE ETUDE A PERMIS UNE DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A TOUTE TEMPERATURE
Book Synopsis Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs by : Thierry Camps
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis OPTIMISATION ET COMPARAISON DE TECHNOLOGIES AUTOALIGNEES POUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS by : VERONIQUE.. AMARGER
Download or read book OPTIMISATION ET COMPARAISON DE TECHNOLOGIES AUTOALIGNEES POUR LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS written by VERONIQUE.. AMARGER and published by . This book was released on 1993 with total page 258 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA FINALITE DE CETTE THESE EST D'OPTIMISER ET DE COMPARER DES TECHNOLOGIES AUTOALIGNEES POUR LA FABRICATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH) GAALAS/GAAS EN TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE. NOUS AVONS CENTRE NOTRE ETUDE SUR 2 TECHNOLOGIES : UNE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE IMPLANTEE ET UNE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DOUBLE MESA (PHBT). DANS LE CADRE DU DEVELOPPEMENT DE LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE IMPLANTEE, NOUS AVONS OPTIMISE LE CONTACT D'EMETTERU EN GEMOW, QUI PERMET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT EN JOUANT LE ROLE DE MASQUE PENDANT L'IMPLANTATION DE TYPE P. NOUS AVONS OPTIMISE LES CONDITIONS DE DEPOT DES FILMS DE W ET DE MO POUR REDUIRE LA CONTRAINTE, LA RESISTIVITE ET LA CONTAMINATION OXYGENE. AU COURS DE CETTE ETUDE, NOUS AVONS MONTRE L'IMPORTANCE DU CONTROLE DE LA TEMPERATURE DU PORTE-SUBSTRAT. D'AUTRE PART, NOUS AVONS OPTIMISE LES PARAMETRES DE L'IMPLANTATION MG, PERMETTANT DE CONTACTER LA BASE DEPUIS LE HAUT DE LA STRUCTURE, AINSI QUE LE RECUIT D'ACTIVATION ASSOCIE. PARALLELEMENT, NOUS AVONS OPTIMISE LES ETAPES ELEMENTAIRES PERMETTANT DE REALISER DES TBH EN TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DOUBLE MESA, A PARTIR D'UNE NOUVELLE STRUCTURE EPITAXIALE ELABOREE AU CNET. NOUS AVONS ETUDIE LE CONTACT D'EMETTEUR QUI SERT DE MASQUE POUR L'AUTOALIGNEMENT ; CE CONTACT EN W EST DEPOSE SUR UNE COUCHE EN GAINAS N+. LA GRAVURE DU MESA D'EMETTEUR A ETE OPTIMISEE POUR OBTENIR DES FLANCS RENTRANTS, CE QUI PERMET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT DE LA METALLISATION DE BASE PAR RAPPORT A LA METALLISATION D'EMETTEUR. DES DISPOSITIFS TBH ONT ETE REALISES : LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE IMPLANTEE RESTE DIFFICILE A MAITRISER ; TANDIS QUE LA NOUVELLE TECHNOLOGIE DOUBLE MESA (PHBT) EST SIMPLE ET PERMET DE REALISER DES COMPOSANTS A HAUTES PERFORMANCES FREQUENTIELLES.
Book Synopsis Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement by : Alain Mallet
Download or read book Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement written by Alain Mallet and published by . This book was released on 1996 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Book Synopsis Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques by : Boris Geynet
Download or read book Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques written by Boris Geynet and published by . This book was released on 2008 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors bipolaires à hétérojonctions (TBH) Si/SiGe:C disponibles aujourd'hui dans les technologies BiCMOS atteignent des fréquences de coupure fT et fmax supérieures à 200GHz. Cela leur permet d'adresser des applications dans le domaine millimétrique jusqu'à 100GHz telles que les radars anticollision pour l'automobile et les communications optiques et sans fil à haut débit. Cette thèse a pour objet le développement et l'étude de TBH Si/SiGe:C pour les technologies BiCMOS millimétriques. Après un rappel des principes de fonctionnement du transistor bipolaire, nous montrons les méthodes de fabrication, caractérisation et modélisation des dispositifs de dernière génération. Les architectures choisies et les performances obtenues par les principaux acteurs du marché sont détaillées. Nous présentons ensuite des études menées pour le développement de la technologie BiCMOS9MW de STMicroelectronics. Une version faible-coût du TBH rapide ainsi qu'un dispositif haute-tension compatible avec la technologie sont présentés et les résultats à l'état de l'art obtenus sur les deux architectures sont montrés. Nous étudions également l'impact des variations des paramètres technologiques et de la géométrie des dispositifs sur les principales caractéristiques de ces composants. La dernière partie de ce travail de thèse est consacrée au développement de nouvelles solutions technologiques afin d'améliorer encore la fréquence de transition des TBH Si/SiGe:C. Un optimisation du profil vertical du TBH a pu être réalisée grâce au développement d'un nouveau module de collecteur utilisant une épitaxie sélective et la réduction du budget thermique vu par les dispositifs durant leur fabrication. Cette dernière étude a permis d'atteindre une fréquence de transition fT· supérieure à 400GHz à température ambiante, ce qui représente la meilleure performance obtenue à ce jour pour un transistor en technologie silicium.
Book Synopsis Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude s'articule suivant trois axes, couvrant un large domaine de la microélectronique. Dans un premier temps, un modèle analytique d'une hétérojonction "n p" a été développé. Associé au transistor, ce modèle permet de simuler le comportement statique et dynamique du HBT en fonction de sa structure épitaxiale. Dans un deuxième temps, un procédé technologique pour réaliser des HBT auto-alignés avec accès à la base par gravure humide a été mis au point. La métallisation de base déposée sur le tricouche du doigt d'émetteurs est retirée par "lift-off". Enfin nous présentons les méthodes mises en oeuvre pour caractériser un nouveau composant tel que le HBT : caractérisation de la structure épitaxiale et du transistor. Malgré une épaisseur de base trop importante, notre technologie permet d'atteindre des performances en fréquence relativement élevées : FT = 23 GHz, Fmax = 23 GHz et un très bon rendement sur le fonctionnement des transistors de faible taille : 80% sur plaque 2 pouces.
Book Synopsis LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS by : Jean-Luc Pelouard
Download or read book LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION INGAAS written by Jean-Luc Pelouard and published by . This book was released on 1987 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SIMULATION DES PHENOMENES DE TRANSPORT. REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION INGAALAS-INGAAS-INGAALAS EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA ET TECHNOLOGIE DIFFUSEE A PARTIR DE COUCHES OBTENUES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Book Synopsis Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x by : Amina Tachafine
Download or read book Contribution à l'étude des transistors bipolaires à hétéro jonction pour la réalisation d'amplificateurs monolithiques de forte puissance en bande x written by Amina Tachafine and published by . This book was released on 1994 with total page 278 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la modélisation unidimensionnelle et bidimensionnelle du transistor bipolaire à hétéro jonction (tbh) de la filière gainp/gaas en régime statique non stationnaire, pour l'optimisation des composants en vue de la réalisation d'amplificateurs monolithiques de puissance à hauts rendements en classes a, b et c, en bande x. Nous avons pour cela développé des modèles physiques hydrodynamiques non stationnaires à une et deux dimensions. Ils se distinguent par leur complémentarité car si le modèle bidimensionnel permet une description plus complète des phénomènes physiques dans le composant, le modèle unidimensionnel est quant à lui mieux adapté à une étude d'optimisation de structure. Ces modèles ont permis de décrire les principaux phénomènes physiques dans la structure de tbh, depuis le mécanisme de transport dans le composant jusqu'aux principaux effets physiques limitatifs pour un fonctionnement en régime de forte puissance: l'effet kirk, responsable de la dégradation des performances du transistor en gain et fréquences de coupure en régime de forte injection, et l'effet de claquage par avalanche de la jonction base-collecteur. Pour reculer ces limitations nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques sur ces effets néfastes. Nous avons envisagé plusieurs configurations de la zone de collecteur avec des profils de dopage appropriés ainsi que l'utilisation de matériaux peu ionisants tel que le gainp. Pour la zone d'émetteur, nous avons évalué l'importance de l'effet de défocalisation et proposons une largeur de doigt optimale pour l'obtention de puissances de sortie maximales en bande x. Cette étude conduit à la définition d'une première structure sensiblement optimale de tbh présentant des fréquences de transition supérieures à 50 ghz, des gains en courant statiques supérieurs à 20, avec des tensions d'avalanche collecteur-base supérieures à 22 v
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS by : DAVID.. ANKRI
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS written by DAVID.. ANKRI and published by . This book was released on 1980 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DE NOUVELLES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES QUI ONT CONDUIT A DES REALISATIONS ENCOURAGEANTES EN HF ET EN PHOTOTRANSISTOR RAPIDE. POTENTIALITES DU TRANSISTOR A HETEROJONCTION PAR RAPPORT AUX TRANSISTORS A HOMOJONCTION SILICIUM. TRAVAIL EXPERIMENTAL DEPUIS L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE JUSQU'AU DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES. CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR, ET ANALYSE DES DIFFERENTES COMPOSANTES DE COURANT QUI LIMITENT L'EFFICACITE D'INJECTION DES TRANSISTORS. PRESENTATION DES MESURES DYNAMIQUES. PERSPECTIVES D'APPLICATIONS ET DE PERFORMANCES POSSIBLES DE TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS-BAAS, DOMAINES D'APPLICATION
Book Synopsis Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe by : Jérémy Raoult
Download or read book Etude et modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe written by Jérémy Raoult and published by . This book was released on 2003 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'évolution croissante du marché des télécommunications et plus particulièrement des applications aux communications sans fils dans des bandes de fréquences de 900 MHz à 6 GHz entraîne une forte demande de fourniture de circuits intégrés. Notamment, la tendance actuelle est à l'augmentation du niveau d'intégration et à la diminution de la puissance consommée pour obtenir un terminal "bon marché" avec pour objectif l'augmentation de l'autonomie associée à des impératifs de mobilité. La technologie BICMOS répond parfaitement à ces besoins grâce à un compromis coût-performance très favorable. Dans ce contexte, le travail présenté dans ce mémoire est une contribution à la conception en technologie silicium d'oscillateurs locaux pour les applications radiofréquences. Via d'une part l'étude et la modélisation de transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe de la filière BiCMOS 6G 0.35 æm de STMicroelectronics, et d'autre part l'optimisation d'un oscillateur contrôlé en tension fonctionnant à 5 GHz, ce travail est essentiellement axé sur l'étude des phénomènes de bruit électrique basse fréquence de TBH et sur leur conséquence pour la conception d'oscillateurs micro-ondes intégrés.
Book Synopsis Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction by : Jean-Philippe Fraysse
Download or read book Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction written by Jean-Philippe Fraysse and published by . This book was released on 1999 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA MODELISATION NON-LINEAIRE DU TBH, APPLIQUEE A L'ETUDE ET A L'OPTIMISATION DU MONTAGE CASCODE POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE LARGE BANDE. LE PREMIER CHAPITRE DEBUTE PAR UNE PRESENTATION RAPIDE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET IDENTIFIE LES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DES DIFFERENTES FILIERES DE CE TRANSISTOR. CECI EST POURSUIVI PAR UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PORTANT SUR LES TRANSISTORS ET LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE DE LA BANDE L A LA BANDE KA, AFIN DE CONFIRMER LES POTENTIALITES DU TBH GAAS VIS A VIS DES AUTRES FILIERES DE TRANSISTORS POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LE SECOND CHAPITRE EST ALORS CONSACRE A LA PRESENTATION D'UN MODELE NON LINEAIRE, NON-QUASI-STATIQUE ET ELECTRO-THERMIQUE DU TBH GAAS. LES DIFFERENTES ETAPES PERMETTANT DE L'OBTENIR, AINSI QUE SA VALIDATION A TRAVERS DIFFERENTES MESURES EN PUISSANCE SONT PRESENTEES. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA MISE EN EVIDENCE DE CORRELATIONS EXISTANTES ENTRE LES PERFORMANCES DES AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE ET CELLES DES CELLULES ELEMENTAIRES QUI LES COMPOSENT, CONDUISENT A METTRE EN AVANT LES AVANTAGES DU MONTAGE CASCODE POUR CE TYPE D'APPLICATION. L'OPTIMISATION DE CE MONTAGE, ABOUTIT ALORS A LA PRESENTATION DES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION ET DES PREMIERES MESURES DE DEUX AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC. LE PREMIER SIMULE DANS LA BANDE 4.5-18GHZ, MONTRE L'INTERET D'UTILISER LE MONTAGE CASCODE POUR DISPOSER D'UN GAIN SUFFISANT A 18GHZ, LORS DE LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A BASE DE TBH. LES PREMIERES MESURES EN IMPULSION DU DEUXIEME AMPLIFICATEUR, CONFIRMENT POUR LEUR PART, LES DIFFERENTS ARGUMENTS PLAIDANT EN FAVEUR DU MONTAGE CASCODE POUR LES APPLICATIONS LARGES BANDES DE FORTE PUISSANCE. LA PUISSANCE DE SORTIE MESUREE SUR LA BANDE 2-8GHZ EST EN EFFET PROCHE DE 2W, AVEC UN GAIN ASSOCIE MOYEN DE 8DB ET UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE MOYEN DE 24%.
