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Etude Du Transport Electronique Dans Un Nanofil De Silicium
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Book Synopsis Etude du transport électronique dans un nanofil de silicium by : Emmanuelle Sarrazin
Download or read book Etude du transport électronique dans un nanofil de silicium written by Emmanuelle Sarrazin and published by . This book was released on 2009 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nanofils semi-conducteurs sont devenus en quelques années un intense sujet de recherche. Ces structures uni-dimensionnelles sont considérées comme des briques élémentaires pour les nanodispositifs en raison de leurs intéressantes propriétés électroniques, optiques et thermiques. La connaissance des propriétés de transport est essentielle pour déterminer les performances de ces futurs dispositifs à base de nanofils. Ce travail de thèse a pour objectif de modéliser la mobilité des électrons dans un nanofil de silicium. Il s’articule autour de trois points : la structure de bandes, les mécanismes d’interaction et le transport des porteurs. La structure électronique est tout d’abord calculée à partir de la résolution auto-cohérente des équations de Poisson et de Schrödinger. L’approximation de la masse effective a été utilisée et comparée à la méthode des liaisons fortes afin de discuter de sa validité. Puis, les interactions avec les phonons et la rugosité de surface sont décrites à l’aide de la règle d’or de Fermi. Enfin, la vitesse moyenne des électrons et leur mobilité sont calculées à partir de simulations particulaires de type Monte-Carlo permettant de résoudre l’équation de transport de Boltzmann. Cette approche permet de comprendre l’influence du confinement des électrons et des phonons sur les propriétés de transport et d’évaluer l’effet de l’interaction électron-phonon et de la rugosité de surface sur la mobilité. L’étude de l’influence de la section et de la tension de grille montre une réduction de la mobilité avec la diminution de la section et/ou avec l’augmentation de la tension de grille quels que soient les interactions prises en compte.
Book Synopsis Etude Théorique de Nanofils Semi-Conducteurs by : Mamadou Marcel Diarra
Download or read book Etude Théorique de Nanofils Semi-Conducteurs written by Mamadou Marcel Diarra and published by Omn.Univ.Europ.. This book was released on 2010 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans ce cadre, notre travail présentera les résultats de calculs de structure électronique d'impuretés hydrogénoïdes dans des nano-fils de silicium. L'évolution de l'énergie de liaison des donneurs et accepteurs sera présentée en fonction de la taille des nano-fils. Des simulations de l'efficacité de dopage à température ambiante permettront de prédire des caractéristiques essentielles du transport électronique dans les nano-fils. Nous montrons que l'énergie de liaison croit, dû aux confinements. Le confinement quantique pour les petites tailles de nano-fils (diamètre
Book Synopsis Étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport de nanofils semiconducteurs et de plans de graphène by : Aurélien Lherbier
Download or read book Étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport de nanofils semiconducteurs et de plans de graphène written by Aurélien Lherbier and published by . This book was released on 2008 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de théorie et simulation est consacré a l'étude des propriétés électroniques et des propriétés de transport mésoscopique de nanostructures. Nous utilisons une méthode numérique efficace qui permet le calcul de la conductivité de Kubo-Greenwood dans un formalisme de liaisons fortes. Cette approche offre la possibilité d'étudier avec précision des systèmes de plusieurs millions d'atomes et donc de comprendre les mécanismes de transport mis en ?uvre dans les systèmes désordonnés et de faible dimensionalité. Après une brève description des deux nano-objets auxquels nous nous sommes intéressés, les nanofils de silicium 1D et les plans de graphène 2D, et après un chapitre détaillant la méthodologie numérique et les concepts liés à l'approche de Kubo-Greenwood en espace réel, nous étudions l'impact de la rugosité de surface sur le transport électronique dans les nanofils de silicium. Nous montrons que les performances en terme de transport peuvent être directement reliées a la structure électronique sous-jacente. Nous montrons également qu'en fonction de leur orientation cristallographique, de grandes différences apparaissent dans la structure électronique des nanofils de silicium, ce qui conditionne par la suite les propriétés de transport. Puis nous regardons le cas du dopage des nanofils de silicium et nous discutons des effets d'écrantage électronique. Pour finir, le dernier chapitre est consacré à l'impact du désordre d'Anderson et à l'influence des dopants sur le transport dans les plans de graphène. Nous montrons notamment que l'introduction de dopants brise la symétrie électron-trou initialement présente dans les plans de graphène.
Book Synopsis Transport Électronique Et Dispositifs Fonctionnels Dans Les Nanofils de Silicium by : Massimo Mongillo
Download or read book Transport Électronique Et Dispositifs Fonctionnels Dans Les Nanofils de Silicium written by Massimo Mongillo and published by . This book was released on 2010 with total page 92 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: My thesis is devoted to the study of transport properties of Silicon Nanowires obtained by a bottom-up approach. The choice for the material system has been limited to undoped SiNWs because they are considered as the ultimate choice for ultrascaled electronic devices. For these systems, the problem of an effective carrier injection in the semiconductor is particularly important. The mechanism of carrier injection in Gate-All-Around Schottky barrier transistors was studied by temperature dependent measurements. Multiple gates are used to discriminate between different device switching mechanisms occurring either at the source and drain contacts, or at the level of the silicon channel. The gating scheme has proved be effective in suppressing the Schottky barrier enabling carrier injection at low temperature. Moreover, different electronic functionalities like p-n junctions and logic gates can be successfully implemented in such devices without the need of doping. I will describe a novel technique for the fabrication of metal silicide contacts to individual silicon nanowires based on an electrically-controlled Joule annealing process. This has enabled the realization of silicide-silicon-silicide tunnel junctions with silicon channel lengths down to 8nm. The silicidation of silicon nanowires by Nickel and Platinum could be observed in-situ and in real time by performing the experiments of Joule assisted silicidation in the chamber of a Scanning Electron Microscope. Lastly, signatures of resonant tunneling through an isolated Platinum Silicide cluster were detected in a Silicon tunnel junction. Tunneling spectroscopy in a magnetic field revealed the Zeeman splitting of the ground and the excited states.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : OLIVIER.. GLODT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Book Synopsis Propriétés de transport de microstructures et nanostructures de silicium by : Nabil Rochdi
Download or read book Propriétés de transport de microstructures et nanostructures de silicium written by Nabil Rochdi and published by . This book was released on 2007 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’étude porte sur le transport, électronique et de spin, dans des microstructures et nanostructures à base de silicium, le matériau phare de l’industrie microélectronique. Nous avons étudié un procédé de lithographie assistée par microscope à force atomique (AFM) pour fabriquer des nanofils sub-100-nm ultraminces (8 à 15 nm) de silicium, connectés à une structure de test sur silicium sur isolant (SOI). Les mesures électriques ont mis en évidence le comportement de transistor à effet de champ (FET) des nanocircuits. Le piégeage des électrons aux défauts d’interfaces et de l’oxyde, est la cause de la déplétion cumulative des fils ultraminces au cours des mesures successives I(V). Le dépiégeage peut être contrôlé par application d’une tension sur la grille du nanofil. Les fils ont ainsi révélé un effet mémoire (écriture/lecture par piégeage/dépiégeage sous tension de grille positive/négative). Nous avons par ailleurs étudié le transport du spin dans un canal de silicium. L’étude théorique a souligné la possibilité d’utiliser un faible champ magnétique pour manipuler le spin en obtenant des longueurs de précession et de diffusion de spin micrométriques, compatibles avec la technologie actuelle. L’injection et la collecte électriques ont été réalisées dans un dispositif mémoire magnétique intégrée sur silicium (MEMIS), similaire à un SpinFET. Néanmoins, la qualité des jonctions hybrides métal ferromagnétique/isolant/silicium (FMIS) conditionnent l’efficacité d’injection et de collecte du spin et de l’effet de magnétorésistance ; dans ce sens, nous avons exploré quelques techniques d’élaboration de jonctions Co/AlO/Si et Co/MgO/Si avec des oxydes minces de l’ordre du nanomètre. Nous avons obtenu des jonctions FMIS avec une injection électrique par tunnel direct, ce qui présente une piste prometteuse pour l’injection cohérente du spin. Nous avons également caractérisé des jonctions redresseur semiconducteur ferromagnétique /semiconducteur (MSS) du type Ge3Mn5/Ge qui se sont avérées très intéressantes pour l’injection du spin.
Book Synopsis Etude des mécanismes de transport électrique dans des structures à base de nanocristaux de silicium ordonnés by : Arnaud Beaumont (Auteur d'une thèse en électronique (2005)))
Download or read book Etude des mécanismes de transport électrique dans des structures à base de nanocristaux de silicium ordonnés written by Arnaud Beaumont (Auteur d'une thèse en électronique (2005))) and published by . This book was released on 2005 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les nanocristaux de silicium sont des amas sphériques d'atomes de silicium, dont le diamètre est typiquement de l'ordre de la dizaine de nanomètres. Si on les utilise comme zone active dans un composant électronique, leurs très faibles dimensions font apparaître des phénomènes qui pourraient les amener à jouer un rôle important dans la microélectronique, à court et à long terme. A court terme, ils pourront être utilisés comme nano-grilles flottantes dans les mémoires FLASH, dont la miniaturisation pourra ainsi être poursuivie. A partir de mesures de courants transitoires effectuées sur ce type de composant, nous avons montré qu'il était possible de mettre en évidence le rôle prépondérant que jouent les îlots de silicium dans l'effet mémoire observé. Cette méthode a été validée sur des dispositifs comportant des nanocristaux élaborés par implantation ionique et par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). A plus long terme, les nanocristaux pourraient représenter la brique de base d'une électronique mono-charge, en utilisant le phénomène de blocage de Coulomb. Nous avons montré que ce dernier régissait en particulier le transport dans une chaîne de trois îlots de silicium à température ambiante. Ce travail propose également une projection sur les caractéristiques morphologiques que devront respecter ces composants pour jouer un rôle dans la microélectronique.
Book Synopsis Étude des propriétés physiques de nanofils individuels de carbure de silicium par émission de champ by : May Choueib
Download or read book Étude des propriétés physiques de nanofils individuels de carbure de silicium par émission de champ written by May Choueib and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail s'inscrit dans le cadre de la caractérisation physique de nanofils (NF) semiconducteurs (SC) qui est un domaine en plein essor ces dernières années. Plus précisément, nous explorons l'émission de champ (EC) de NFs individuels de Carbure de Silicium (SiC) pour leur potentialité comme source d'électrons, mais surtout pour étudier leurs propriétés de transport électrique, optiques et mécaniques.Le rôle important joué par la surface dans ces NFs a été prouvé par des traitements in situ qui ont eu des conséquences radicales sur l'EC dévoilant ainsi des propriétés d'émission propres aux SCs. En particulier, un régime de saturation, en accord avec la théorie d'EC des SCs, associé à une forte dépendance de l'émission à la température et à l'illumination laser a été révélé pour la première fois pour un NF. Ces mesures ouvrent des perspectives importantes tant pour la recherche fondamentale que pour les applications telles que la réalisation de photocathodes et de sources d'électrons pilotées optiquement ou par la température. Les caractéristiques courant-tension-température associées à l'analyse en énergie des électrons émis nous ont permis de déterminer le mécanisme de transport dans ces NFs, qui est limité par le nombre de porteurs dans le volume et contrôlé par les pièges présents dans la bande interdite par l'effet Poole-Frenkel. Finalement, la caractérisation mécanique a révélé des valeurs du facteur de qualité élevé (160000) et du module de Young allant jusqu'à 700GPa. Ces valeurs sont très prometteuses pour l'utilisation de ces NFs dans les systèmes nano-électro-mécaniques et dans les composites.
Book Synopsis Étude de l'effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium by : Thibauld Cazimajou
Download or read book Étude de l'effet de champ et du transport dans des réseaux aléatoires percolants de nanofils de silicium written by Thibauld Cazimajou and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les réseaux aléatoires de nanofils, parfois appelés nanonets, pourraient être des candidats prometteurs pour l'intégration 3D de biocapteurs sur CMOS. Dans cette thèse nous présentons les résultats de caractérisations et de simulations de transistors à effet de champ à base de nanonets de silicium (Si NN-FET). Nous montrons que les résultats de mesure ne peuvent pas s'interpréter sans prendre en compte les dispersions au sein du nanonet.Les caractéristiques électriques statiques des Si NN-FET ont été mesurées en fonction des paramètres géométriques (dimension du canal et densité de nanofils) sur un grand nombre de composants de façon à disposer de grandeurs statistiquement significatives pour les paramètres électriques principaux (mobilité apparente à bas champ, facteur d'idéalité de la pente sous le seuil et tension de seuil) qui sont extraits grâce à un modèle compact. Nous évaluons en parallèle les variations théoriques de ces mêmes paramètres en utilisant la théorie de la percolation et des simulations Monte Carlo. Par rapport aux approches généralement utilisées dans la littérature pour des réseaux percolants, l'originalité de nos simulations est de prendre en compte l'effet de champ ainsi que les dispersions. Les dispersions en tension de seuil se sont avérées essentielles pour comprendre la dépendance expérimentale des caractéristiques électriques avec les caractéristiques du réseau. L'analyse du bruit basse fréquence des Si NN-FET permet l'estimation de la variation de l'aire électrique du nanonet avec la densité. L'étude de la variation en température des caractéristiques électriques des Si NN-FET met en évidence l'activation en température des jonctions entre nanofils. La relation inattendue de la mobilité avec la température fait soupçonner une dispersion de la hauteur de barrière des jonctions, hypothèse validée par les simulations Monte Carlo.
Book Synopsis Etude et modélisation des phénomènes physiques émergents pour la simulation de dispositifs électroniques à base de nanofils de silicium by : Julien Dura
Download or read book Etude et modélisation des phénomènes physiques émergents pour la simulation de dispositifs électroniques à base de nanofils de silicium written by Julien Dura and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le contexte actuel d'optimisation des performances des dispositifs de microélectronique, le transistor MOSFET, brique de base, est soumis à des contraintes géométriques telles que son architecture même est remise en cause. L'augmentation du nombre de grille afin d'accentuer le contrôle électrostatique de la grille sur le canal a mis en avant des architectures ultimes telles que le nanofil dont la grille enrobe totalement le canal. Dans ce travail, une étude du nanofil de silicium a été réalisée afin d'estimer les potentialités de cette architecture au niveau transistor jusqu'à l'étude de petits circuits. Pour cela, un modèle analytique en courant a été mis en place et implémenté en Verilog-A afin de simuler des petits circuits dans un environnement de type ELDO. Toutefois, les paramètres du modèle telles que les masses effectives de transport (ou de confinement) ou le transport dans le film sont la clé de la prédictibilité au niveau circuit. C'est pourquoi des simulations avancées de type liaisons fortes ou Kubo-Greenwood ont été développées afin d'étudier finement l'évolution des caractéristiques du nanofil notamment vis-à-vis de son intégration géométriques. Issues de ces approches numériques, des expressions analytiques ont été établies afin d'inclure dans le modèle toute la physique observée en amont. Des effets comme l'évolution de la structure de bande ou l'impact des mécanismes d'interaction ont ainsi pu être apportés jusqu'au niveau circuit. Les résultats en courant acquièrent une certaine pertinence en créant un lien entre simulations numériques et données expérimentales.
Book Synopsis Etude des propriétés de transport dans des couches de silicium désordonnées par implantation ionique à forte dose by : Constantinos Christofides
Download or read book Etude des propriétés de transport dans des couches de silicium désordonnées par implantation ionique à forte dose written by Constantinos Christofides and published by . This book was released on 1986 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES MESURES D'EFFET HALL EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA FREQUENCE. EFFET DE LA TEMPERATURE DE RECUIT SUR LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE. LES MECANISMES DE COLLISION SONT MODIFIES POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT SUPERIEURES A 500-600**(O)C. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR DES MODELES BASES SUR L'ORDRE A COURTE ET LONGUE PORTEE
Book Synopsis Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo by : Jacques Zimmermann (docteur en science physique.)
Download or read book Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo written by Jacques Zimmermann (docteur en science physique.) and published by . This book was released on 1980 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES by : ISABELLE.. BARBEREAU BRASSAC
Download or read book DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES written by ISABELLE.. BARBEREAU BRASSAC and published by . This book was released on 1999 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE A POUR BUT LA DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM (DIFFUSIVITE THERMIQUE D R, DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE D, VITESSE DE RECOMBINAISON DE SURFACE S O ET TEMPS DE VIE ) PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES. LA PRINCIPALE DIFFICULTE D'INTERPRETATION DES SIGNAUX PHOTOTHERMIQUES DANS LE CAS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR RESIDE DANS LE FAIT QUE LES DIFFERENTES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE ONT UN EFFET CORRELE SUR LE SIGNAL. NOUS NOUS SOMMES DONC EFFORCES A TROUVER DES CONDITIONS EXPERIMENTALES PARTICULIERES POUR CHACUNE DES DEUX EXPERIENCES (EFFET MIRAGE ET PHOTOREFLECTANCE) DANS LE BUT DE DISTINGUER CES PROPRIETES. DANS LE CAS DU MICROSCOPE PHOTOTHERMIQUE, LA MODIFICATION DE L'APPROCHE EXPERIMENTALE ET L'UTILISATION DE HAUTES FREQUENCES DE MODULATION SE SONT SOLDEES PAR LA DETERMINATION SANS AMBIGUITE DE LA DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE INDEPENDAMMENT DES AUTRES PARAMETRES. A PARTIR DE L'EFFET MIRAGE, NOUS AVONS ESTIME LA DIFFUSIVITE THERMIQUE EN TRAVAILLANT A BASSE FREQUENCE DE MODULATION. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE DE DETERMINER LES PROPRIETES DE RECOMBINAISON MEME DANS DE TELLES CONDITIONS EXPERIMENTALES. PAR CONTRE, UNE DETERMINATION INDEPENDANTE DE CES PARAMETRES EST IMPOSSIBLE PUISQUE LEURS EFFETS SUR LE SIGNAL SONT SIMILAIRES. DES METHODES STATISTIQUES SIMPLES ONT ETE ALORS UTILISEES POUR EXTRAIRE LES VALEURS DE CES PARAMETRES LES PLUS PROBABLES. NOUS SOMMES PARVENUS A ESTIMER D'UNE PART, LA VALEUR DU TEMPS DE VIE ET D'AUTRE PART, CELLE DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON DE SURFACE AVEC DES PRECISIONS SATISFAISANTES. CES MEMES METHODES STATISTIQUES APPLIQUEES A L'EXPERIENCE DE PHOTOREFLECTANCE, ONT PERMIS D'AFFINER LA PREMIERE ESTIMATION DE LA VALEUR DE ET DE CONFIRMER CELLE DE S O. LE BANC MIRAGE ET LE MICROSCOPE APPORTENT DONC DES INFORMATIONS A LA FOIS COMMUNES ET COMPLEMENTAIRES ET LE CHOIX DES CONDITIONS EXPERIMENTALES EST CRUCIAL POUR POUVOIR EXTRAIRE DES SIGNAUX L'INFORMATION RECHERCHEE.
Book Synopsis Étude en Transport Électrique D'une Double Boîte Quantique Latérale en Silicium by : Sophie Rochette
Download or read book Étude en Transport Électrique D'une Double Boîte Quantique Latérale en Silicium written by Sophie Rochette and published by . This book was released on 2014 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude du transport dans les couches minces de silicium sur isolant et dans les couches d'inversion des TMOS by : Gérard Ghibaudo
Download or read book Etude du transport dans les couches minces de silicium sur isolant et dans les couches d'inversion des TMOS written by Gérard Ghibaudo and published by . This book was released on 1984 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: 1. ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM SUR ISOLANT (SOS) ET DANS LES COUCHES D'INVERSION A L'INTERFACE SI-SIO::(2) DES TRANSISTORS MOS. L'UTILISATION DU FORMALISME GENERALISE DE TRANSPORT DE KUBO-GREENWOOD AUTORISE UNE DESCRIPTION GLOBALE DES VARIATIONS AVEC LA TEMPERATURE OU LA CONCENTRATION DES PORTEURS DES COEFFICIENTS DE TRANSPORT DANS LES TMOS. REVUE DES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES ET ELECTRIQUES DU SILICIUM SUR SAPHIR FABRIQUE EN FRANCE DEPUIS 15 ANS. 2. ETUDE DE LA CINETIQUE D'OXYDATION THERMIQUE DU SILICIUM EN OXYGENE SEC. MODELE GENERAL D'OXYDATION TENANT COMPTE DES CONTRAINTES MECANIQUES ET DE LEUR RELAXATION PAR FLUAGE VISQUEUX PENDANT LA CROISSANCE DE L'OXYDE. CE MODELE PERMET LA DESCRIPTION QUANTITATIVE DU REGIME INITIAL D'OXYDATION ANORMALEMENT RAPIDE A FAIBLE EPAISSEUR D'OXYDE, ET DES VARIATIONS DE LA CONSTANTE CINETIQUE PARABOLIQUE AVEC LA TEMPERATURE D'OXYDATION
Book Synopsis Fabrication top-down, caractérisation et applications de nanofils silicium by : François Vaurette
Download or read book Fabrication top-down, caractérisation et applications de nanofils silicium written by François Vaurette and published by . This book was released on 2008 with total page 20 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse porte sur l'étude de nanofils silicium réalisés par approche top-down. Elle s'inscrit dans le contexte de la miniaturisation des composants et la compréhension du transport dans les systèmes 1D. Deux voies de fabrication sont envisagées: la lithographie par AFM (Microscope à Force Atomique) et la lithographie électronique. Cette dernière étant plus reproductible, les dispositifs finaux sont fabriqués par cette technique, à partir d'un substrat SOI et plusieurs étapes de gravure et métallisation. L'étude des nanofils par mesures l(V) nous permet de mettre en évidence une zone déplétée à l'interface Si/SiO2 natif. Grâce à l'utilisation de nanofils de largeurs et de longueurs différentes, nous sommes capables de déterminer la largeur de la zone déplétée, la densité d'états d'interface ainsi que le niveau de dopage des nanofils. L'évolution de la résistance des nanofils avec la température est également étudiée et montre une dépendance associée à la diffusion des phonons de surface. Trois applications sont ensuite décrites : un décodeur, un commutateur de courant et un capteur biologique. En effet, la gravure locale des nanofils conduit à une modulation de la bande de conduction, rendant possible la réalisation d'un décodeur. D'autre part, la fabrication de croix à base de nanofils et de grilles latérales à proximité des croix qui contrôlent le passage du courant dans les différentes branches permet de former un commutateur de courant. Enfin, grâce au rapport important de la surface par rapport au volume des nanofils et leur bonne fonctionnalisation chimiques, ceux-ci sont utilisés pour détecter électriquement des interactions biologiques (détection de l'ovalbumine).
Book Synopsis Études Théoriques de L'effet de Couplage Électron-phonon Sur Les Propriétés de Transport Dans Les Nanofils de Silicium by : Wenxing Zhang
Download or read book Études Théoriques de L'effet de Couplage Électron-phonon Sur Les Propriétés de Transport Dans Les Nanofils de Silicium written by Wenxing Zhang and published by . This book was released on 2009 with total page 109 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Un autre travail entrepris dans la thèse a concerné la modélisation en liaisons fortes et en fonctions de Green hors équilibre du transport balistique dans des hétérojonctions de nanotubes de carbone (n1,m1)/(n2,m2)/(n1,m1). La conductance des jonctions semiconductrices décroît exponentiellement quand la longueur du nanotube (n2,m2) augmente. Cependant la conductance de (12,0)/(9,0)/(12,0) augmente avec la longueur du nanotube (9,0). Cet accroissement anormal de la conductance est expliqué par l'évolution du potentiel. De plus, la relation entre la conductance et la symétrie de rotation dans les jonctions métalliques est étudiée. Un comportement universel de conductance est démontré et est interprété par la différence de phase des électrons qui traversent deux interfaces de la jonction. Finalement, la conductance balistique de multi-jonctions est étudiée et la possibilité de réaliser des composants basés uniquement sur des nanotubes de carbone est proposée.
