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Etude Du Fonctionnement Et Du Vieillissement De Transistors Mos Submicroniques A Basse Temperature
Download Etude Du Fonctionnement Et Du Vieillissement De Transistors Mos Submicroniques A Basse Temperature full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Etude Du Fonctionnement Et Du Vieillissement De Transistors Mos Submicroniques A Basse Temperature ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température by : Chiên Nguyen-Duc
Download or read book Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température written by Chiên Nguyen-Duc and published by . This book was released on 1988 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR CETTE ETUDE, EN PREMIERE PARTIE, DEUX MODELES SONT PROPOSES POUR PRENDRE EN COMPTE LES ASPECTS PARTICULIERS AUX DISPOSITIFS A CANAL TRES COURT (SUBMICRON). ON PROPOSE AUSSI UNE METHODE POUR DETERMINER LA LONGUEUR ELECTRIQUE DES TMOS. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION PAR LES PORTEURS CHAUDS ET DU VIEILLISSEMENT A 77K DE TRANSISTOR MOS FABRIQUES PAR DIFFERENTES TECHNOLOGIES. ON MONTRE QUE LE PIEGEAGE DES ELECTRONS ET LA GENERATION DES ETATS D'INTERFACE VARIENT SELON LES CONDITIONS DE CONTRAINTE, LA TEMPERATURE ET LA LONGUEUR DES TRANSISTORS
Book Synopsis Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques by : Bertrand Szelag
Download or read book Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques written by Bertrand Szelag and published by . This book was released on 1999 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS MOS FAIT APPARAITRE DES EFFETS NEFASTES AU BON FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST D'ETUDIER LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DES MOSFETS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LES LONGUEURS DE GRILLE MINIMUM UTILISEES AU COURS DE CETTE ETUDE SONT DE 75NM. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS EN INTRODUISANT LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. LE SECOND CHAPITRE EST ENTIEREMENT DEDIE AUX EFFETS DE CANAUX COURTS. LA TENSION DE SEUIL EST ETUDIEE EN FONCTION DE NOMBREUX PARAMETRES. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE FINE DE L'EFFET DE CANAL COURT INVERSE A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE ET EN DETERMINONS L'ORIGINE. ENFIN, NOUS PRESENTONS UN PHENOMENE ORIGINAL D'AUGMENTATION DE LA TRANSCONDUCTANCE AVEC LA POLARISATION DE SUBSTRAT. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. NOUS ANALYSONS EN DETAIL LES COURANTS DE GRILLE ET DE SUBSTRAT ET PRESENTONS DES RESULTATS RELATIFS AU VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS. ENFIN, LE PHENOMENE D'EMISSION DE PHOTONS EST ANALYSE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES METHODES D'EXTRACTION DE LA LONGUEUR EFFECTIVE DE CANAL ET DES RESISTANCES SERIE. NOUS PROPOSONS CERTAINES AMELIORATIONS PERMETTANT D'UTILISER CES METHODES POUR LES COMPOSANTS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LE CINQUIEME CHAPITRE EST UN TRAVAIL DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS AVANCES REALISES AVEC DIFFERENTES ARCHITECTURES. NOUS COMPARONS UN DOPAGE CONVENTIONNEL OBTENU PAR IMPLANTATION DE BORE A UN DOPAGE RETROGRADE REALISE PAR IMPLANTATION D'INDIUM.
Book Synopsis ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT by : GUENTER.. REICHERT
Download or read book ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT written by GUENTER.. REICHERT and published by . This book was released on 1998 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJETCTIF DE CETTE THESE EST LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS-SOI COMPLETEMENT DEPLETES DANS LA GAMME DES HAUTES TEMPERATURES (25C - 300C). LE PREMIER CHAPITRE EST UN BREF RAPPEL DES PRINCIPAUX AVANTAGES DE LA TECHNOLOGIE SOI POUR DES APPLICATIONS HAUTES TEMPERATURES. UNE RELATION ENTRE LES MODELES EMPIRIQUE ET PHYSIQUE DE LA MOBILITE EFFECTIVE DES PORTEURS EST ETABLIE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. CETTE RELATION EXPLIQUE LE ROLE DE TROIS PRINCIPAUX MECANISMES DE COLLISIONS DANS LE MODELE EMPIRIQUE AINSI QUE LA VARIATION DE SES PARAMETRES AVEC LA TEMPERATURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST RELATIF A LA VARIATION DE LA TENSION DE SEUIL (V#T#1) ET DU SWING (S) AVEC LA TEMPERATURE. NOUS ETUDIONS LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE V#T#1 ET DE S EN FONCTION DE LA LONGUEUR DE CANAL, DE L'EPAISSEUR DU FILM ET DE LA POLARISATION DE LA GRILLE ARRIERE. LA DIFFERENCE ENTRE DES TRANSISTORS A CANAL D'INVERSION ET D'ACCUMULATION EST EGALEMENT DISCUTEE. DANS LE DERNIER CHAPITRE NOUS DEVELOPPONS UNE METHODE POUR L'EXTRACTION DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE. EN NOUS BASANT SUR LES VALEURS EXPERIMENTALES, NOUS PRESENTONS UN MODELE POUR LE GAIN EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DE DRAIN ET DE GRILLE. ENSUITE, NOUS PROPOSONS UNE TECHNIQUE POUR LA SEPARATION DES EFFETS DE CANAL COURT, DE SUBSTRAT FLOTTANT ET D'AUTO-ECHAUFFEMENT EN UTILISANT LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE AVEC LA TEMPERATURE. EN CONCLUSION, NOS ETUDES ONT MONTRE QUE LA TECHNOLOGIE SOI COMPLETEMENT DEPLETEE REPOND A TOUTES LES EXIGENCES DES CIRCUITS INTEGRES HAUTES TEMPERATURES. CEPENDANT L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE POUR GARANTIR LE FONCTIONNEMENT CORRECT DES CIRCUITS AUX TRES HAUTES TEMPERATURES.
Book Synopsis Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique by : Béatrice Cabon
Download or read book Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique written by Béatrice Cabon and published by . This book was released on 1986 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DEGRADATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES DE TRANSISTOR MOS SBMICRONIQUES EST ETUDIEE APRES UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE DU TRANSISTOR POLARISE EN SATURATION. DE NOUVELLES METHODES DE CARACTERISATION DU TRANSISTOR SONT PROPOSEES. UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DE DEGRADATION DES PRINCIPAUX PARAMETRES EST PRESENTE, ET PERMET DE CORRELER CES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEGRADATION
Book Synopsis Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 μm by : Bertrand Marchand
Download or read book Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 μm written by Bertrand Marchand and published by . This book was released on 1999 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS POUVANT INDUIRE UNE DEGRADATION ELECTRIQUE DES CIRCUITS INTEGRES EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE POUR LES COMPOSANTS AVANCES. DANS LES TRANSISTORS FORTEMENT SUBMICRONIQUES, LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION A TEMPERATURE AMBIANTE ET A BASSES TEMPERATURES DE L'IONISATION SECONDAIRE PAR IMPACT ET DU COURANT DE GRILLE QUI EN RESULTE, COMPLETEE PAR L'ETUDE DE L'EMISSION LUMINEUSE LIEE A CE MECANISME, ONT ETE MENEES A BIEN, APPORTANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS DONT L'ENERGIE EST RESPONSABLE DE LA CREATION D'ETATS D'INTERFACE ET DE LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS. TIRANT PROFIT DE L'ACCELERATION DU VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE PAR L'INTENSIFICATION DE L'IONISATION SECONDAIRE, UNE NOUVELLE METHODE DE PREDICTION DE LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS DANS LEURS CONDITIONS NOMINALES DE POLARISATION EST PROPOSEE. ENFIN, L'IMPACT DU TYPE DE CONTRAINTE ELECTRIQUE ET DE L'ARCHITECTURE TECHNOLOGIQUE SUR LA FIABILITE DES COMPOSANTS SONT ETUDIES.
Book Synopsis CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS by : SAMIA.. MOUSSAOUI
Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS written by SAMIA.. MOUSSAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES FORMANT DES CIRCUITS INTEGRES A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE PROGRES DE LA TECHNOLOGIE, NOTAMMENT LA LITHOGRAPHIE ET LES TECHNIQUES DE GRAVURE SECHE. L'EVOLUTION DE LA TECHNOLOGIE VERS LES STRUCTURES MICROELECTRONIQUES ET SUBMICRONIQUES A FAIT EMERGER DE NOUVEAUX PROBLEMES LIES A LA FIABILITE DES COMPOSANTS. CERTAINS PARMI EUX QUI POUVAIENT ETRE NEGLIGES DANS L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS DE GRANDES DIMENSIONS, DEVIENNENT TRES IMPORTANTS POUR LES TRANSISTORS SUBMICRONIQUES. NOTRE ETUDE CONSISTE A ETUDIER LE TRANSISTOR MOS ET LES PHENOMENES LIES A LA REDUCTION DE LA LONGUEUR DU CANAL. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES A DEUX EFFETS: L'EFFET DE MULTIPLICATION PAR AVALANCHE ET L'EFFET D'AUTOECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. NOUS AVONS PRESENTE UNE NOUVELLE APPROCHE SIMPLE ET RAPIDE QUI TIENT COMPTE DU PREMIER EFFET. NOUS AVONS PRESENTE UN DEUXIEME MODELE QUI TIENT COMPTE DE LA VARIATION DE LA TEMPERATURE DANS LE CANAL, CONSEQUENCE DE L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DISSIPEE PAR EFFET JOULE DANS LE TRANSISTOR. NOUS AVONS REMARQUE QUE NOS APPROCHES NE PERMETTAIENT QU'UNE VUE GLOBALE DES EFFETS DE DEGRADATION DU TRANSISTOR MOS, AUSSI NOUS LES AVONS INTRODUIT DANS LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CE DERNIER SUBDIVISE LA ZONE ACTIVE DU CANAL EN PLUSIEURS CELLULES, CE QUI PERMET D'AVOIR ACCES A TOUS LES PARAMETRES DU MODELE LE LONG DU CANAL. NOUS AVONS CONTRIBUE A RENDRE CE MODELE SUBMICRONIQUE PAR UNE REEVALUATION DE LA LONGUEUR DU CANAL, ET NOUS Y AVONS INTRODUIT L'EFFET D'AVALANCHE ET L'EFFET THERMIQUE. LE MODELE MCD ETANT LOURD EN TEMPS DE CALCUL, NOUS AVONS INTRODUIT AUSSI NOTRE APPROCHE A UNE MODELE SIMPLIFIE: LE MODELE UNICELLULAIRE, FONDE SUR LES MEMES BASES QUE LE MCD ET CONSIDERANT LE CANAL COMME UNE SEULE CELLULE DONT LA LONGUEUR EFFECTIVE EST CALCULEE DE LA MEME MANIERE QUE DANS MCD. POUR APPREHENDER L'APPORT DE NOS DEUX MODELES, UNE VALIDATION EN DEUX ETAPES, A EU LIEU. LA PREMIERE CONSISTE EN UNE IMPLANTATION DE NOS MODELES DANS LE LOGICIEL UTMOST (SILVACO DATA SYSTEM). LA SECONDE EN UNE COMPARAISON AVEC LES MEMES PARAMETRES DE LA SIMULATION ET DES MESURES EFFECTUEES SUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE DU CNET GRENOBLE, LA CMOS1T, DONT LA LONGUEUR ELECTRIQUE MINIMALE EST DE 0.8 M. LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST BONNE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES.
Book Synopsis Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques by : Nathalie Revil
Download or read book Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques written by Nathalie Revil and published by . This book was released on 1993 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A L'ANALYSE DE LA DEGRADATION ENGENDREE PAR LES INJECTIONS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ET MESOSCOPIQUES. LE PREMIER CHAPITRE DECRIT LES PRINCIPES DE BASE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN INSISTANT SUR LES EFFETS DE CANAUX COURTS ET, PLUS PARTICULIEREMENT, SUR LES PHENOMENES DE GENERATION ET INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE. DIFFERENTES METHODES DE CARACTERISATION DE LA DEGRADATION INDUITE SONT ENSUITE RESUMEES ET COMPAREES DANS UN DEUXIEME CHAPITRE, CECI TOUT EN SOULIGNANT LE CARACTERE INHOMOGENE DE LA ZONE DE DEFAUTS. LE TROISIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DE TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ISSUS DE FILIERES CMOS AVANCEES. L'ETUDE MENEE SUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL (0,4 M A 2 M) A PERMIS DE REVELER DE NOUVEAUX MODES DE DEFAILLANCE QUI SE MANIFESTENT AVEC LA REDUCTION DES DIMENSIONS ET, PAR SUITE, DE PREDIRE A CHAQUE INSTANT LE PARAMETRE LE PLUS SENSIBLE AU VIEILLISSEMENT. LA COMPARAISON DES DEGRADATIONS INDUITES DANS LES TRANSISTORS N- ET P-MOS PAR DES CONTRAINTES STATIQUES, ALTERNEES ET DYNAMIQUES, A CONFIRME LES DIFFERENTS MECANISMES DE DEFAILLANCE ET PERMIS DE DEFINIR UNE PROCEDURE POUR LA QUALIFICATION EN PORTEURS CHAUDS DES FILIERES CMOS. LE DERNIER CHAPITRE REPOSE SUR L'ANALYSE DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS N-MOS ULTRA-COURTS (L=0,1 M). DE NOUVEAUX PHENOMENES DE TRANSPORT ONT ETE MIS EN EVIDENCE AINSI QU'UNE ZONE DE DEFAUTS UNIFORME APRES INJECTION DE PORTEURS CHAUDS. ENFIN, NOS RESULTATS MONTRENT POUR CES DISPOSITIFS UNE DUREE DE VIE SUPERIEURE A 10 ANS, CE QUI PERMET D'ETRE TOUT A FAIT OPTIMISTE POUR UNE UTILISATION FUTURE
Book Synopsis Etude des phénomènes de dégradation de type Negative Bias Temperature Instability (NBTI) dans les transistors MOS submicroniques des filières CMOS avancées by : Mickaël Denais
Download or read book Etude des phénomènes de dégradation de type Negative Bias Temperature Instability (NBTI) dans les transistors MOS submicroniques des filières CMOS avancées written by Mickaël Denais and published by . This book was released on 2005 with total page 238 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La miniaturisation croissante des circuits intégrés entraîne une augmentation de la complexité des procédés de fabrication où chaque nouvelle étape peut influer la fiabilité du composant. Les fabricants de semi-conducteurs doivent garantir un niveau de fiabilité excellent pour garantir les performances à long terme du produit final. Pour cela il est nécessaire de caractériser et modéliser les différents mécanismes de défaillance au niveau du transistor MOSFET. Ce travail de thèse porte spécifiquement sur les mécanismes de dégradation de type " Negative Bias Temperature Instability " communément appelé NBTI. Basé sur la génération d'états d'interface, la génération de charges fixes et de piégeage de trous dans l'oxyde, le modèle de dégradation proposé permet de prédire les accélérations en température et en champ électrique, d'anticiper les phénomènes de relaxation, tout en restant cohérent avec les caractères intrinsèques de chaque défaut et les modifications des matériaux utilisés. Ce travail de thèse ouvre le champ à de nouvelles techniques d'analyse basées sur l'optimisation des méthodes de tests et d'extraction de paramètres dans les oxydes ultra minces en évitant les phénomènes de relaxation qui rendent caduques les techniques conventionnelles. Ainsi, une nouvelle technique dite " à la volée " a été développée, et permet d'associer à la fois la mesure et le stress accéléré à l'aide de trains d'impulsions appropriés. Finalement, une nouvelle méthodologie est développée pour tenir compte des conditions réelles de fonctionnement des transistors, et une approche novatrice de compensation du NBTI est proposée pour des circuits numériques et analogiques.
Book Synopsis Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma by : Hazri Bakhtiar
Download or read book Caractérisation de structures MOS submicroniques et analyse de défauts induits par irradiation gamma written by Hazri Bakhtiar and published by . This book was released on 1999 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les innovations technologiques récentes ont permis le développement de transistor MOS de faibles dimensions, ayant des longueurs de canal et des largeurs de grille inférieures au micromètre. Cela permet de réaliser des circuits à forte densité d'intégration pour des applications à l'électronique. Cependant, la réduction des dimensions fait apparaître toute une gamme d'effets parasites et modifie ainsi les mécanismes de conduction avec l'apparition de nouveaux phénomènes ou des phénomènes qui n'étaient pas dominants dans des structures plus larges. Ceci entraîne un changement du fonctionnement du transistor ainsi que de leurs paramètres électriques. La réduction des dimensions, et en particulier de la longueur de grille des transistors MOS donne naissance à un problème de fiabilité qui était inconnu lors de l'utilisation de transistors à canal long. Les phénomènes de dégradation provenant des forts champs électriques deviennent importants avec la réduction des dimensions engendrant des défauts notamment aux interfaces oxyde-semiconducteur (SiO2-Si) ainsi que dans l'oxyde de grille, ce qui provoquent un vieillissement plus rapide de ces composants. Nous présentons dans ce contexte, une étude réalisée sur des transistors nLDD-MOSFETs submicroniques issus de technologie 0,6[masse volumique]m de MATRA-MHS-TEMIC, s'appuyant sur quatre objectifs principaux : détermination des paramètres de conduction, analyse des caractéristiques I-V sur la jonction drain-substrat, étude du comportement du transistor bipolaire dans les transistors MOS (source = collecteur, substrat = base, drain = émetteur) et étude du comportement des transistors MOS suite à une irradiation ionisante Co-60, afin d'évaluer leur dégradation
Book Synopsis Modélisation et caractérisation des transistors SOI by : Daniela Munteanu
Download or read book Modélisation et caractérisation des transistors SOI written by Daniela Munteanu and published by . This book was released on 1999 with total page 180 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST DE CONTRIBUER A L'ANALYSE ET A L'OPTIMISATION DES MATERIAUX SOI ET AU DEVELOPPEMENT DE MODELES PHYSIQUES ET DE METHODES DE CARACTERISATION ADAPTEES AUX DISPOSITIFS SOI. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS L'INTERET DE LA TECHNOLOGIE SOI, SES AVANTAGES ET SES INCONVENIENTS PAR RAPPORT A LA TECHNOLOGIE SI MASSIF. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DU MATERIAU, EN UTILISANT LA TECHNIQUE -MOSFET, METHODE TRES APPROPRIEE POUR COMPARER LA QUALITE ET LES PARAMETRES ELECTRIQUES DES DIFFERENTES STRUCTURES SOI. UNE ANALYSE APPROFONDIE DE LA VALIDITE DE CETTE TECHNIQUE EST REALISEE PAR SIMULATION NUMERIQUE. LA TECHNIQUE -MOSFET EST ENSUITE APPLIQUEE A L'ANALYSE DE PLUSIEURS MATERIAUX SOI ET DE CERTAINS PROCEDES TECHNOLOGIQUES. LE TROISIEME CHAPITRE PORTE SUR LA CARACTERISATION DES DISPOSITIFS SOI FINIS, AVEC UNE ETUDE DETAILLEE DU FONCTIONNEMENT EN HAUTE ET BASSE TEMPERATURE. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DE TRANSISTORS SOI ULTIMES : (A) LE FONCTIONNEMENT EN BASSE TEMPERATURE DU DT-MOS EST ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET SES AVANTAGES PAR RAPPORT AUX STRUCTURES CLASSIQUES SONT MIS EN EVIDENCE ; (B) DES MESURES SUR DES TMOS ULTRA-MINCES DEMONTRENT LEUR FONCTIONNALITE AINSI QUE L'IMPACT DE MECANISMES PHYSIQUES PARTICULIERS (INVERSION VOLUMIQUE, FORT COUPLAGE DES INTERFACES, EFFETS QUANTIQUES). LE QUATRIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DES MECANISMES TRANSITOIRES DANS LES TMOS/SOI. DIFFERENTS TYPES DE TRANSITOIRES DU COURANT DE DRAIN (OVERSHOOT ET UNDERSHOOT, SIMPLE ET DOUBLE GRILLE) SONT MESURES ET SIMULES AVEC ATLAS ET SOI-SPICE. CES PHENOMENES SONT UTILISES A L'EXTRACTION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS, PARAMETRE ESSENTIEL QUI REFLETE LA QUALITE DU FILM SOI.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES by : DAVID.. DORVAL
Download or read book CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES written by DAVID.. DORVAL and published by . This book was released on 1995 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE QUALIFIER LA FIABILITE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES, NOUS AVONS ETUDIE LA TENUE AU VIEILLISSEMENT DE DIFFERENTES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES SENSEES LIMITER LES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS. L'ANALYSE DES DEGRADATIONS INDUITES PAR LES PORTEURS CHAUDS NOUS A PERMIS DE MODELISER LES DEGRADATIONS DES PRINCIPAUX PARAMETRES ELECTRIQUES BAS-NIVEAU DU TRANSISTOR. CES DEGRADATIONS SONT ESSENTIELLEMENT RELIEES A LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE SOUS LA GRILLE DU TRANSISTOR DONT LA DENSITE PEUT ETRE REVELEE PAR LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGES. LA SENSIBILITE DE CETTE TECHNIQUE ASSOCIEE A LA MODELISATION DES DEGRADATIONS PERMET DE DETERMINER LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS POUR DES POLARISATIONS DE STRESS PROCHES DES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT. LA DUREE DE VIE DES DIFFERENTES STRUCTURES POUR LES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT EST ALORS DETERMINEE PAR INTERPOLATION ENTRE LES MESURES A FORTES ET FAIBLES TENSIONS. CETTE INTERPOLATION PERMET DE S'AFFRANCHIR PARTIELLEMENT DES INCERTITUDES INHERENTES A L'EXTRAPOLATION QUI EST UTILISEE LORSQUE SEULS LES POINTS DE MESURE A TENSIONS ELEVEES SONT PRIS EN COMPTE
Book Synopsis Etude par pompage de charge et par mesures de bruit basse fréquence de transistors MOS à oxynitrures de grille ultra-minces by : Pascal Masson
Download or read book Etude par pompage de charge et par mesures de bruit basse fréquence de transistors MOS à oxynitrures de grille ultra-minces written by Pascal Masson and published by . This book was released on 1999 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nos travaux concernent la caractérisation des transistors MOS à oxynitrures de grille ultra-minces (2 à 7 nm d'épaisseur) obtenus par dépôt chimique en phase vapeur (LPRTCVD). Après un bref rappel des propriétés des défauts de l'interface Si-Si02, nous décrivons les limitations du dioxyde de silicium et présentons les oxynitrures comme une alternative technologique au traditionnel Si02 pour les composants fortement submicroniques. Nous développons l'étude du transistor MOS dans les différents régimes de fonctionnement avant saturation. Nous avons attaché une grande importance à redémontrer les principaux modèles électriques qui ont servi de base à notre démarche expérimentale d'extraction des paramètres. Dans une deuxième partie de notre travail, nous avons développé une nouvelle modélisation du pompage de charge permettant de calculer le courant pompé pour un profil quelconque de la densité d'états d'interface dans la bande interdite du semi-conducteur. Cette approche s'applique aux différentes méthodes de pompage de charge à deux niveaux, à trois niveaux et mettant en œuvre un piège unique. Elle permet l'extraction des paramètres des pièges en présence éventuelle d'un courant tunnel dans le cas des isolants de grille ultra-minces. La caractérisation par mesures de densité spectrale de puissance de bruit basse fréquence (1/f) nous a permis de corréler le piégeage de porteurs et les fluctuations de mobilité à la diminution de l'épaisseur d'isolant. Ceci nous a permis de proposer une amélioration de la méthode expérimentale d'extraction de la densité de pièges lent en analysant l'éventuelle influence d'un -, courant tunnel. Les développements de ces trois techniques de caractérisation sont mis à profit L pour l'étude de transistors MOS à oxynitrures de grille. L'influence des paramètres technologiques d'élaboration de différentes couches d'oxynitrure (teneur en azote, ambiance et température de recuit, présence d'une couche supplémentaire d'oxynitrure dans l'empilement de grille) est analysée en terme de mobilité à faible champ électrique, de tension de seuil, de densités d'états lents et rapides et de charges fi.xes dans le système isolant-grille.
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis Etude expérimentale et modélisation du bruit basse fréquence en fonction de la température (80K-300K) dans des transistors MOS issus de plusieurs technologies avancées (0,13mum-32 nm) by : Wei Guo
Download or read book Etude expérimentale et modélisation du bruit basse fréquence en fonction de la température (80K-300K) dans des transistors MOS issus de plusieurs technologies avancées (0,13mum-32 nm) written by Wei Guo and published by . This book was released on 2008 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse, une étude expérimentale du bruit basse fréquence est réalisée en fonction de la température entre 80K et 300E pour des transistors MOS issus de trois technologies avancées de 0,13 mum à 32 nm. Pour les transistors MOS partiellement déplétés sur substrat SOI (Silicon on insulator), un modèle complet du bruit Lorentzien filtré dû à l’effet Kink linéaire est proposé et validé en fonction de la température. Pour les transistors MOS en germanium sur substrat de silicium avec un isolant de grille à haute permittivité, il a été observé du bruit en 1/fγ expliqué par des fluctuations du nombre de porteurs corrélées avec les fluctuations de mobilité et il a été montré que l’utilisation d’un empilement pour la grille dégrade la qualité de l’interface entre semi-conducteur et oxyde de grille. Une corrélation entre la mobilité et le niveau de bruit a été observée : celle-ci est probablement due à l’action du mécanisme des collisions coulombiennes sur la mobilité et le bruit. Pour les transistors MOS sur substrat SOI à mutli-grille (FinFET), l’introduction des mécanismes de contrainte permet d’augmenter la mobilité mais ne change pas le niveau du bruit basse fréquence. En outre, un bruit inhabituel sous forme de spectre à deux niveaux de en 1/f combines est observé dans les transistor MOS FinFET type N qui ont subi la technique de croissance sélective épitaxiale. Un modèle empirique est propose.
Book Synopsis VALIDATIONS ET APPLICATIONS DU MODELE A CHARGES DISTRIBUEES DU TRANSISTOR MOS POUR L'ANALYSE DE PERFORMANCES DE CIRCUITS ANALOGIQUES A CAPACITES COMMUTEES by : OULDELHADRAMI.. AHMED MISKE
Download or read book VALIDATIONS ET APPLICATIONS DU MODELE A CHARGES DISTRIBUEES DU TRANSISTOR MOS POUR L'ANALYSE DE PERFORMANCES DE CIRCUITS ANALOGIQUES A CAPACITES COMMUTEES written by OULDELHADRAMI.. AHMED MISKE and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'AMELIORATION DES TECHNOLOGIES DE FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES A ENTRAINE LA REDUCTION DES DIMENSIONS DU TRANSISTOR MOS (LONGUEUR DE CANAL DE 0.8 MICRON ET PROCHAINEMENT 0.5 MICRON). DE CE FAIT, DES PHENOMENES HIER NEGLIGEABLES DEVIENNENT PREPONDERANTS DANS LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS. PARALLELEMENT LES CIRCUITS INTEGRES FONCTIONNENT DE PLUS EN PLUS RAPIDEMENT, LES TEMPS DE COMMUTATION DES SIGNAUX D'HORLOGES AVOISINENT LE TEMPS DE TRANSIT DES PORTEURS DANS LE CANAL, D'OU L'APPARITION, EN MODES LOGIQUE ET ANALOGIQUE, DE PHENOMENES LIES A L'INERTIE DES CHARGES DU CANAL DU TRANSISTOR MOS. L'APPROCHE CLASSIQUE DITE QUASI-STATIQUE (QUI CONSIDERE QUE LES CHARGES ASSOCIEES AUX DIFFERENTS NUDS DU TRANSISTOR MOS REPONDENT INSTANTANEMENT AUX SIGNAUX APPLIQUES), ACTUELLEMENT UTILISEE DANS TOUS LES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS DE CIRCUITS, N'EST PLUS VALABLE POUR LES HAUTES FREQUENCES. NOTRE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION A LA RESOLUTION DE CES PROBLEMES. EN EFFET, APRES AVOIR ETUDIE LES PROBLEMES POSES PARTICULIEREMENT EN FONCTIONNEMENT DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS, NOUS AVONS APPLIQUE LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD), QUI UTILISE LA RESOLUTION DE L'EQUATION DE LA CONSERVATION DE LA CHARGE EN DIFFERENTS POINTS DU CANAL DU TRANSISTOR MOS. LES SIMULATIONS EFFECTUEES EN STATIQUE A L'AIDE DE MCD IMPLANTE DANS ASTEC (CISI) CORRESPONDENT AUX MESURES EFFECTUEES SUR DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES (LONGUEUR DE 0.4 MICRON, TECHNOLOGIE DU LETI). DE PLUS, EN FONCTIONNEMENT TRANSITOIRE MCD DONNE DES RESULTATS TRES PROCHES DE CEUX FOURNIS PAR LES MESURES ET LES MODELES NUMERIQUES COMPLEXES QUI SONT DIFFICILEMENT IMPLANTABLES DANS DES SIMULATEURS DE CIRCUITS COMME CEUX DE TURCHETTI, OH, DUTTON, CHAI... CETTE VALIDATION A DONC MONTRE QUE MCD EST UN MODELE SUBMICRONIQUE ET NON-QUASI-STATIQUE C'EST-A-DIRE QU'IL PREND EN COMPTE LE PHENOMENE D'INERTIE DES CHARGES. UNE FOIS LE MODELE MCD VALIDE, NOUS L'AV.
Book Synopsis Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0.5 μm sub-0.1 μm) by : Shing-Hwa Renn
Download or read book Effets de porteurs chauds dans les composants mos/soi ultracourts (0.5 μm sub-0.1 μm) written by Shing-Hwa Renn and published by . This book was released on 1998 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MINIMALISATION ARCHITECTURALE DES DISPOSITIFS ENTRAINE UNE AUGMENTATION DU CHAMP ELECTRIQUE DANS LES TRANSISTORS, QUI EST A L'ORIGINE DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS REDUISANT LA FIABILITE DES COMPOSANTS. L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ANALYSER LES PHENOMENES ET LES MECANISMES PHYSIQUES DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS RELATIFS AUX TRANSISTORS MOS SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) ULTRACOURTS. LA STRUCTURE ET LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS/SOI SONT D'ABORD DECRITS EN DETAIL. PUIS, DIFFERENTES TECHNOLOGIES POUR LA REALISATION DU MATERIAU SOI ET L'INTERET DE TELS COMPOSANTS SONT RAPPELES. LE DEUXIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES COMPOSANTS SOI FORTEMENT SUBMICRONIQUES. CES RESULTATS ETUDIES PAR DIFFERENTES METHODES ET DANS UNE LARGE GAMME DE POLARISATION PERMETTENT D'INDIQUER AVEC PRECISION LE PIRE CAS DE DEGRADATION ET SOULIGNER L'IMPORTANCE DE L'ACTION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE (TBP). AFIN DE DETERMINER PRECISEMENT LA TENSION D'ALIMENTATION MAXIMALE, UNE TECHNIQUE D'EXTRAPOLATION DE LA DUREE DE VIE DES DISPOSITIFS TENANT COMPTE DE LA DEGRADATION EN DEUX ETAPES EST PROPOSEE DANS LE CHAPITRE III. LE QUATRIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DEGRADATION INDUITE PAR L'ACTION DU TBP A L'ETAT OFF, L'INFLUENCE DE CET EFFET INDESIRABLE SUR LE VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS ETANT IDENTIFIEE. LE BUT DU DERNIER CHAPITRE EST DE COMPARER DE MANIERE APPROFONDIE LA FIABILITE DES NMOS/SOI ET PMOS/SOI AVEC DIFFERENTES EPAISSEURS DU FILM DE SILICIUM ET FABRIQUES SUR DIVERS MATERIAUX SOI (SIMOX ET UNIBOND). ENFIN, D'AUTRE ASPECTS TELS QUE LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS A BASSE TEMPERATURE ONT EGALEMENT ETE ETUDIES AU COURS DE CE TRAVAIL.
Book Synopsis Nouvelles méthodes de caractérisation et modèles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques by : Hisham S. Haddara
Download or read book Nouvelles méthodes de caractérisation et modèles physiques de vieillissement des transistors MOS submicroniques written by Hisham S. Haddara and published by . This book was released on 1988 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LE TRANSISTOR TMOS A CANAL COURT A L'AIDE D'UN SIMULATEUR BIDIMENSIONNEL EN TENANT COMPTE DES INHOMOGENEITES DE L'INTERFACE. ON PRESENTE ENSUITE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS DEGRADES. ON PROPOSE UNE CONFIGURATION NOUVELLE DU TRANSISTOR MOS PLUS PERFORMANTE QUE LES STRUCTURES CLASSIQUES. UNE PARTIE EST CONSACREE AUX METHODES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-SIO2. LA DERNIERE PARTIE EST RELATIVE AU VIEILLISSEMENT DES TRANSISTORS MOS ULTRA-COURTS EN COMPARANT LES DONNEES THEORIQUES OBTENUES PAR LES METHODES DEVELOPPEES AU DEBUT ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX MESURES SUR DES DISPOSITIFS.
