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Etude Des Proprietes Optiques Et Electroniques Des Surfaces Du Silicium Hydrogenation Et De Linterface Silicium Metal Monovalent Kag Par Reflectometrie Differentielle Spectroscopique
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Book Synopsis ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRONIQUES DES SURFACES DU SILICIUM (HYDROGENATION) ET DE L'INTERFACE SILICIUM/METAL MONOVALENT (K,AG), PAR REFLECTOMETRIE DIFFERENTIELLE SPECTROSCOPIQUE by : MATHIEU.. ROY
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRONIQUES DES SURFACES DU SILICIUM (HYDROGENATION) ET DE L'INTERFACE SILICIUM/METAL MONOVALENT (K,AG), PAR REFLECTOMETRIE DIFFERENTIELLE SPECTROSCOPIQUE written by MATHIEU.. ROY and published by . This book was released on 1995 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REPONSE OPTIQUE DES SURFACES SI(111)-7X7 ET SI(100) AINSI QUE L'ADSORPTION DE POTASSIUM SUR LA SURFACE SI(100) ET D'ARGENT SUR CES DEUX SURFACES ONT ETE ETUDIEES PAR REFLECTOMETRIE DIFFERENTIELLE SPECTROSCOPIQUE. L'HYDROGENATION DE LA SURFACE SI(111)-7X7 A PERMIS DE DETERMINER LA SIGNATURE OPTIQUE DES DIFFERENTS ETATS DE SURFACE ET DE CARACTERISER EN DETAIL LE PROCESSUS D'ADSORPTION D'HYDROGENE ATOMIQUE SUR CETTE SURFACE. LES RESULTATS CONCERNANT LA SURFACE SI(100) SEMBLENT FAIRE APPARAITRE UN EFFET DE SYMETRISATION DES DIMERES. LES RESULTATS OBTENUS POUR L'INTERFACE K/SI(100) FONT APPARAITRE DEUX ETATS D'EQUILIBRE LORS DU PROCESSUS D'ADSORPTION: UN EQUILIBRE DYNAMIQUE CORRESPONDANT A LA FORMATION D'AMAS 3D DE K EN COURS D'EVAPORATION, ET UN EQUILIBRE STATIQUE LIE A LA DISPARITION DE CES AMAS APRES L'ARRET DE L'EVAPORATION. CET EQUILIBRE STATIQUE INTERVIENT POUR UNE MONOCOUCHE DE SATURATION (MCS). UNE TRANSITION DE PHASE APPARAIT A 0,36 MCS DANS LE PROCESSUS D'ADSORPTION DE K ALORS QUE POUR 1 MCS, LA PRESENCE D'UNE RESONANCE DE PLASMA DANS LA COUCHE D'ALCALIN DEPOSEE TRADUIT LE CARACTERE METALLIQUE DE L'INTERFACE. DES RESONANCES DE PLASMA DANS DES COUCHES MINCES DE POTASSIUM DEPOSEES A FROID ONT EGALEMENT ETE MISES EN EVIDENCE. LES PRINCIPAUX RESULTATS OBTENUS POUR L'INTERFACE AG/SI SONT LA CARACTERISATION D'UNE CROISSANCE COUCHE PAR COUCHE DE L'ARGENT A BASSE TEMPERATURE D'UNE PART, LA MISE EN EVIDENCE DU SEUIL D'APPARITION ET DE LA DISPERSION LINEAIRE DE LA RESONANCE DE PLASMA DANS DES COUCHES MINCES D'AG D'AUTRE PART ET ENFIN, UNE TRANSITION SEMICONDUCTRICE/METALLIQUE DE L'INTERFACE
Book Synopsis ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DE SURFACES DU SILICIUM ET D'INTERFACES ARGENT/SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE by : RAKIA.. ALAMEH
Download or read book ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DE SURFACES DU SILICIUM ET D'INTERFACES ARGENT/SILICIUM PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE written by RAKIA.. ALAMEH and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CROISSANCE DE L'ARGENT SUR LA SURFACE SI(111)-77 A BASSE ET A HAUTE TEMPERATURES ET SUR LA SURFACE SI(100)-21 D'UNE PART, L'ADSORPTION DE L'OXYGENE SUR LA SURFACE SI(111)-77 D'AUTRE PART, ONT ETE ETUDIEES PAR UNE TECHNIQUE OPTIQUE ORIGINALE, LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DE REFLECTIVITE DIFFERENTIELLE, ASSOCIEE A D'AUTRES TECHNIQUES CLASSIQUES DE SURFACE (D.E.L., AUGER). CETTE TECHNIQUE PERMET L'ETUDE DES ETATS ELECTRONIQUES DE SURFACE ET D'INTERFACE DANS LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR; ELLE EST DONC PARTICULIEREMENT ADAPTEE A L'OBSERVATION DES ELECTRONS S APPORTES PAR LE METAL ET PERMET DE DETERMINER LE CARACTERE METALLIQUE OU SEMI-CONDUCTEUR DE L'INTERFACE; ENFIN, ELLE DONNE DES INFORMATIONS PRECISES SUR LA MORPHOLOGIE DES DEPOTS D'ARGENT AINSI QUE SUR LE MODE DE CROISSANCE, PAR SA POSSIBILITE D'EXCITER DES RESONANCES ELECTROMAGNETIQUES DE TYPE PLASMON DANS LES COUCHES MINCES D'ARGENT. EN PARTICULIER, UNE ABSORPTION OPTIQUE A 2,3 EV A ETE OBSERVEE POUR LES TROIS INTERFACES AG/SI(111)-77, AG/SI(100)-21 ET 3-AG/SI(111). ELLE EST DUE AUX TRANSITIONS ENTRE DE NOUVEAUX ETATS ELECTRONIQUES D'INTERFACE, CORRESPONDANT AUX LIAISONS COVALENTES METTANT EN JEU LES ORBITALES DE 5 S DE L'ARGENT ET 3 P DES LIAISONS PENDANTES DU SILICIUM. CETTE ABSORPTION OPTIQUE EST, EN QUELQUE SORTE, LA SIGNATURE DE CETTE LIAISON COVALENTE. ENFIN, LE CARACTERE SEMICONDUCTEUR DE CES TROIS INTERFACES A ETE MIS EN EVIDENCE POUR LES FAIBLES RECOUVREMENTS, ET EST SUIVI PAR L'APPARITION DU CARACTERE METALLIQUE DES DEUX INTERFACES AG/SI(111)-77 ET AG/SI(100)-21 POUR LES RECOUVREMENTS PLUS ELEVES
Book Synopsis ETUDE PAR PHOTOEMISSION DES SURFACES (111) ET (110) IMPARFAITES DE SILICIUM by : NABIL.. SAFTA
Download or read book ETUDE PAR PHOTOEMISSION DES SURFACES (111) ET (110) IMPARFAITES DE SILICIUM written by NABIL.. SAFTA and published by . This book was released on 1994 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SUJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES PROPRIETES MORPHOLOGIQUES ET ELECTRONIQUES DES DIFFERENTS SURFACES DE SILICIUM AFIN DE MIEUX CORRELER LES PARTICULARITES D'UNE STRUCTURE SUPERFICIELLE AUSSI BIEN IDENTIFIEE QUE POSSIBLE, MEME SI ELLE EST DEFFECTUEUSE, AVEC SES PROPRIETES ELECTRONIQUES, Y COMPRIS DE DIFFUSION DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS DE PHOTOEMISSION. LES TECHNIQUES UTILISEES SONT LA SPECTROSCOPIE DE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION, LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOEMISSION RESOLUE ANGULAIREMENT DANS L'ULTRAVIOLET, LA DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS ET LA SPECTROMETRIE AUGER. DANS UNE PREMIERE PARTIE, UNE ETUDE DETAILLEE A ETE FAITE EN VUE D'ANALYSER LES DIFFERENTS MECANISMES DE DIFFUSION DE SURFACE SUSCEPTIBLES D'AFFECTER LE PROCESSUS DE PHOTOEMISSION. EN SE BASANT SUR LES PREVISIONS THEORIQUES DE KANE, NOUS AVONS MONTRE QUE LE PROCESSUS DE PHOTOEMISSION DEPEND DU TYPE DES TRANSITIONS ELECTRONIQUES (DIRECTES OU INDIRECTES) ET DE LA NATURE ET LA GEOMETRIE DES DEFAUTS. CETTE ETUDE A REVELE QUE L'HYPOTHESE DE CONSERVATION DE LA COMPOSANTE PARALLELE DU MOMENT DE L'ELECTRON AU FRANCHISSEMENT DE LA SURFACE EST RAREMENT VALABLE. DANS LA DEUXIEME PARTIE CONSACREE A LA FACE (110) DU SILICIUM, NOUS AVONS MONTRE QUE CETTE SURFACE NOMINALE PRESENTE UNE RECONSTRUCTION 16X2 A DEUX DOMAINES, QU'ELLE A UNE BANDE D'ETATS DE SURFACE OCCUPES LARGE COMME LA SI(111)7X7. ELLE IMPLIQUE DONC PLUSIEURS PLANS ATOMIQUES. NOUS AVONS, AUSSI, ETUDIE UNE SURFACE (110) VICINALE OBTENUE EN DESORIENTANT LE PLAN DE LA SURFACE DE 422' DANS UNE DIRECTION DE LA FAMILLE111. CETTE SURFACE S'EST AVERE MONODOMAINE, ORDONNEE ET EST RECONSTRUITE 8X2. SA STRUCTURE LOCALE EST FAITE DE PLUSIEURS CONFIGURATIONS COMME DES ADATOMES OU DES DIMERES PLUS OU MOINS DEFORMEES GEOMETRIQUEMENT. LE DERNIER CHAPITRE A CONCERNE L'ETUDE DES INTERACTIONS DES SURFACES SI(110) AVEC L'HYDROGENE ATOMIQUE, L'INDIUM ET L'OXYGENE. NOUS AVONS D'ABORD REUSSI A PASSIVER LES SURFACES SI(110) PAR HYDROGENATION A CHAUD. LE RENDEMENT DE PHOTOEMISSION CONFIRME LE CARACTERE DIFFUSANT DE CETTE SURFACE. L'ETUDE DE L'INTERFACE SI(110)/IN A 500C A MONTRE QUE NOUS OBTENONS UNE RECONSTRUCTION 5X2 POUR DES RECOUVREMENTS SITUES ENTRE 0.3 MC ET 2 MC
Book Synopsis Etude de l'interface plomb-silicium(111) par ellipsométrie spectroscopique by : Alain Degiovanni
Download or read book Etude de l'interface plomb-silicium(111) par ellipsométrie spectroscopique written by Alain Degiovanni and published by . This book was released on 1989 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PREMIERS STADES DE LA CROISSANCE DE PB SUR SI(111) ET DES PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES DES PHASES BIDIMENSIONNELLES DANS LE DOMAINE DE LA SOUS MONOCOUCHE. CETTE ETUDE EST EFFECTUEE PAR UNE SONDE OPTIQUE EN ANALYSANT LES VARIATIONS DE POLARISATION DE LA LUMIERE REFLECHIE. LA MODELISATION, BASEE SUR LA SUPERPOSITION DES ETATS DE POLARISATION, MET EN EVIDENCE 3 PHASES BIDIMENSIONNELLES A DES RECOUVREMENTS 1/3, 2/3 ET 1. CALCUL DES FONCTIONS DIELECTRIQUES DE CES 3 PHASES BIDIMENSIONNELLES. OBSERVATION D'UNE EXCITATION ELECTRONIQUE DES CRISTALLITES TRIDIMENSIONNELLES POUR DES RECOUVREMENTS SUPERIEURS A LA MONOCOUCHE
Book Synopsis ETUDE DE L'INTERFACE METAL-SILICIUM MODIFIEE PAR ADSORPTION D'HYDROGENE by : CHRISTOPH.. GRUPP
Download or read book ETUDE DE L'INTERFACE METAL-SILICIUM MODIFIEE PAR ADSORPTION D'HYDROGENE written by CHRISTOPH.. GRUPP and published by . This book was released on 1998 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE RAPPORTE SUR L'ETUDE DE L'INTERFACE METAL-SILICIUM MODIFIEE PAR UNE COUCHE D'HYDROGENE INTERCALAIRE. L'ETUDE EST MOTIVEE PAR LE DEVELOPPEMENT RECENT D'UNE METHODE DE PREPARATION CHIMIQUE DE SURFACES DE SILICIUM A TERMINAISON D'HYDROGENE STABLE A L'AIR (EX-SITU). LES METHODES D'ANALYSE UTILISEES POUR CETTE ETUDE SONT LA PHOTOEMISSION HAUTE RESOLUTION DE BANDE DE VALENCE ET DE NIVEAUX DE CUR. L'UTILISATION DU RAYONNEMENT SYNCHROTRON PERMET D'EXPLOITER LA FORTE SENSIBILITE A LA SURFACE DE CETTE METHODE ET LA HAUTE RESOLUTION. DES ETUDES DE SPECTROSCOPIE AUGER ET DE DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS SONT COUPLEES A LA PHOTOEMISSION. LE DEPOT D'OR, D'ALUMINIUM ET DE POTASSIUM SUR LA SURFACE PROPRE ET LA SURFACE TERMINEE D'HYDROGENE SI(111) REVELE LE ROLE DE LA COUCHE D'HYDROGENE SUR LE MODE DE CROISSANCE DE L'ADSORBAT ET LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE TELLES QUE LA BARRIERE DE SCHOTTKY. DE NOUVELLES INFORMATIONS SUR LE MECANISME DE FORMATION DE LA BARRIERE DE SCHOTTKY SONT OBTENUES PAR LA COMPARAISON DE L'INTERFACE SIMPLE ET MODIFIEE PAR ADSORPTION D'HYDROGENE. UNE ETUDE DE PHOTOEMISSION DE NIVEAUX DE CUR A HAUTE RESOLUTION ET BASSES TEMPERATURES POUR TROIS SURFACES SI(111) EST INCLUE.
Book Synopsis Contribution a l'etude des heterostructures metal-silicium-metal : materiaux, proprietes electroniques et optiques by : Laurent Pahun
Download or read book Contribution a l'etude des heterostructures metal-silicium-metal : materiaux, proprietes electroniques et optiques written by Laurent Pahun and published by . This book was released on 1992 with total page 114 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS DANS CE MEMOIRE PRESENTE NOS TRAVAUX SUR LES PROPRIETES PHYSIQUES D'HETEROSTRUCTURES A BASE DE SILICIUM. CES STRUCTURES SONT CONSTITUEES D'UNE COUCHE MINCE D'ERSI#2 (DE 200 A 400 NM) EPITAXIE SUR UN MONOCRISTAL DE SILICIUM, SUR LAQUELLE ON REEPITAXIE QUELQUES CENTAINES DE NM DE SILICIUM PEU DOPE. UNE DERNIERE COUCHE METALLIQUE DEPOSEE TERMINE LA STRUCTURE A TESTER. LA PREMIERE PHASE A CONCERNE LA MISE AU POINT TECHNOLOGIQUE DE CES STRUCTURES POUR QU'ELLES PUISSENT ETRE TESTEES. DES METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES I(V) ET C(V) ONT ALORS ETE MISES EN UVRE POUR CARACTERISER LES HAUTEURS DE BARRIERE, LES EPAISSEURS ET LE DOPAGE DU FILM DE SILICIUM EPITAXIE. CETTE LONGUE ET DELICATE MISE AU POINT ETAIT FOCALISEE SUR UN POINT PRECIS: METTRE EN EVIDENCE LES PROPRIETES A PRIORI EXTREMEMENT INTERESSANTES DE PHOTOEMISSION DE CES STRUCTURES. TOUT D'ABORD, 4 TYPES DE COURANT PHOTOGENERES SONT ATTENDUS: DES ELECTRONS ET DES TROUS PROVENANT SOIT DU METAL SUPERIEUR SOIT DE L'ERSI#2. CHACUN DE CES COURANTS POSSEDE UN SEUIL DE DETECTION QUE NOUS AVONS PARFAITEMENT DETERMINE, MAIS LA GRANDE ORIGINALITE RESIDE DANS LA MODULATION DE CES SEUILS PAR UNE TENSION APPLIQUEE ENTRE LE METAL SUPERIEURE ET LE SILICIURE. NOUS AVONS ENSUITE CORRELE NOS MESURES AVEC LES HAUTEURS DE BARRIERE ATTENDUES EN FONCTION DES DIFFERENTES CONDITIONS DE POLARISATION. DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS AVONS ETUDIE LES PARAMETRES PREPONDERANTS DANS LES MECANISMES DE FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS
