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Developpement De Procedes Plasma Pour Lelaboration Et La Caracterisation Du Silicium Photovoltaique
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Book Synopsis Développement de procédés plasma pour l'élaboration et la caractérisation du silicium photovoltaïque by : Rafik Benrabbah
Download or read book Développement de procédés plasma pour l'élaboration et la caractérisation du silicium photovoltaïque written by Rafik Benrabbah and published by . This book was released on 2015 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Aujourd'hui, le principal facteur limitant le photovoltaïque est le prix élevé du kWh produit par les modules PV. Pour faire face à cette difficulté, les recherches actuelles se concentrent autour de plusieurs leviers et solutions alternatives : la réduction du coût énergétique avec notamment la réduction du coût de la matière première, qui consiste en la diminution de l'épaisseur des wafers de silicium, ou encore l'élaboration de cellules en couches minces de silicium. Ce dernier procédé a pour but de s'affranchir de l'étape de sciage des blocs de silicium, nécessaire pour la réalisation de plaquette photovoltaïque de faible épaisseur. C'est cette dernière approche qui nous a conduits à proposer un procédé d'élaboration de couches minces à l'aide d'un plasma et du chauffage du substrat. Par ailleurs, quel que soit le procédé choisi pour atteindre la cristallinité et la pureté exigées pour le grade solaire, il est nécessaire de disposer de technique analytique multiélémentaire pour contrôler l'évolution de la pureté en fonction des paramètres. La LIBS que nous avons développée au laboratoire offre l'opportunité de répondre à ces attentes : très basses limites de détection tout en permettant un suivi en ligne du silicium à l'état solide ou en fusion.
Book Synopsis CARACTERISATION D'UN PILOTE PLASMA APPLIQUE A L'ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE ROLE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION DANS LA MISE AU POINT DU PROCEDE by : JOCELYN.. ERIN
Download or read book CARACTERISATION D'UN PILOTE PLASMA APPLIQUE A L'ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE ROLE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION DANS LA MISE AU POINT DU PROCEDE written by JOCELYN.. ERIN and published by . This book was released on 1994 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TRANSPOSITION A UNE ECHELLE INDUSTRIELLE DU PROCEDE DE PURIFICATION DU SILICIUM PAR FUSION SOUS PLASMA THERMIQUE INDUCTIF REACTIF IMPOSE DE CONSIDERER DES APPLICATEURS CONCUS POUR DES PUISSANCES ELEVEES. IL S'AGISSAIT ALORS DE QUALIFIER LE PILOTE DE 25 KW EQUIPE D'UN APPLICATEUR A DOIGTS DE CUIVRE REFROIDIS PAR CIRCULATION D'EAU. POUR DES PLASMAS D'ARGON PUR, LE RENDEMENT ENERGETIQUE VARIE ENTRE 22 ET 40% POUR UNE PLAGE DE DEBITS SE SITUANT ENTRE 40 ET 80 1.MIN#-#1. L'INTRODUCTION D'HYDROGENE DANS CES PLASMAS CONDUIT A UNE ALTERATION DU RENDEMENT DE COUPLAGE INDUCTEUR-PLASMA MAIS EGALEMENT A UNE AUGMENTATION DE LA CONDUCTIVITE THERMIQUE AMELIORANT LES TRANSFERTS DE CHALEUR PLASMA-SILICIUM. LE RENDEMENT DE FUSION EST ALORS FAVORABLE AU PLASMA HYDROGENE (8 KW.H.KG#-#1 POUR UNE FUSION SOUS PLASMA ARGON-HYDROGENE (2%) CONTRE 40 KW.H.KG#-#1 SOUS PLASMA D'ARGON PUR). SUR LE PLAN DE L'ELABORATION DU MATERIAU, LE DEPLACEMENT RAPIDE DU FRONT DE FUSION ET LES GRADIENTS THERMIQUES ELEVES CONDUISENT A UN MATERIAU AYANT UN NOMBRE DE DEFAUTS ELEVE (DENSITE DE DISLOCATIONS: 10#6-10#7 CM#-#2). TOUTEFOIS QUAND LA RESISTIVITE EST SUPERIEURE A 1 OHM-CENTIMETRE, LES LONGUEURS DE DIFFUSION SE SITUENT ENTRE 20 ET 120 MICROMETRES ET LES RENDEMENTS PHOTOVOLTAIQUES OBTENUS SUR DES CELLULES DE FAIBLE DIMENSION (3 CM#2) SANS COUCHE ANTI-REFLET SONT COMPRIS ENTRE 5,5 ET 8%. LA CARACTERISATION PAR SPECTROSCOPIE I.R.T.F MONTRE L'APPARITION DE LIAISONS SI-H QUI PEUVENT PRESENTER UN CARACTERE PASSIVANT SI ELLES CORRESPONDENT A LA SATURATION DE LIAISONS PENDANTES. DE PLUS, A PARTIR DE CETTE ETUDE NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LA REDUCTION DE LA CONCENTRATION EN OXYGENE DISSOUS DANS LE MATERIAU PAR LE TRAITEMENT SOUS PLASMA D'ARGON HYDROGENE. L'ANALYSE DES TRANSFERTS DE MATIERE LORS DE L'INTERACTION PLASMA-MATERIAU A ETE MENEE EN CONSIDERANT LE SILICIUM MAIS AUSSI LE GRAPHITE QUI PRESENTE LA PARTICULARITE D'ETRE SOLIDE DANS LES CONDITIONS THERMIQUES OU LE SILICIUM EST LIQUIDE. L'INFLUENCE DE LA CHIMIE DU PLASMA SUR LES PHENOMENES DE DIFFUSION ET D'EVAPORATION A ETE ETUDIEE. LE TRANSFERT DE TECHNOLOGIE SUR LE SITE INDUSTRIEL DE PHOTOWATT S'EST TRADUIT PAR L'ADAPTATION D'UN APPLICATEUR PLASMA SUR UN FOUR DE CRISTALLISATION. LES PREMIERS ESSAIS INDIQUENT UNE REDUCTION DU TEMPS DE FUSION DE 40%. LA COMPARAISON ENTRE LES CELLULES ELABOREES ET LES CELLULES STANDARD SOULIGNE UNE AMELIORATION DE LA DISTRIBUTION EN RENDEMENT PHOTOVOLTAIQUE
Book Synopsis Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration de grilles silicium de dispositifs CMOS sub-20 nm by : Johann Foucher
Download or read book Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration de grilles silicium de dispositifs CMOS sub-20 nm written by Johann Foucher and published by . This book was released on 2003 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis MISE AU POINT ET CONTROLE D'UN PROCEDE D'ELABORATION DE DEPOT DE SILICIUM A FINALITE PHOTOVOLTAIQUE. CARACTERISATION SPECTROSCOPIQUE ET HYDRODYNAMIQUE DU PLASMA INDUCTIF RF. CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE DU DEPOT DE SILICIUM by : FADI.. KRAYEM
Download or read book MISE AU POINT ET CONTROLE D'UN PROCEDE D'ELABORATION DE DEPOT DE SILICIUM A FINALITE PHOTOVOLTAIQUE. CARACTERISATION SPECTROSCOPIQUE ET HYDRODYNAMIQUE DU PLASMA INDUCTIF RF. CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE DU DEPOT DE SILICIUM written by FADI.. KRAYEM and published by . This book was released on 2000 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIVE DE CETTE ETUDE EST L'ELABORATION D'UN DEPOT DE SILICIUM PAR PROJECTION DE PLASMA THERMIQUE RF SUR UN SUBSTRAT DESTINE A L'APPLICATION PHOTOVOLTAIQUE. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CORRELE LE ROLE JOUE PAR L'HYDROGENE INCLUS DANS LE MATERIAU (PASSIVATION LES LIAISONS PENDANTES ET LES POINTS DE RECOMBINAISONS ELECTRIQUES) ET LA PRODUCTION DES ETATS EXCITES DE L'HYDROGENE PAR LE PLASMA RF ARGON-HYDROGENE. PAR LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION NOUS AVONS IDENTIFIE LA PRESENCE DANS LE PLASMA DES ETATS EXCITES ELEVES DE L'HYDROGENE ATOMIQUE (JUSQU'A N = 8), LEUR DISTRIBUTION SPATIALE VARIE LORS DE L'AJOUT D'HELIUM DANS LE GAZ PLASMAGENE. CE PHENOMENE PERMET DE DOUBLER LA TENEUR EN HYDROGENE DANS LE SILICIUM MASSIF TRAITE PAR PLASMA AR+H 2+HE (4,42.10 1 5 AT.CM - 3) PAR RAPPORT AU PLASMA D'AR + H 2 (2,2.10 1 5 AT. CM - 3). CETTE TENEUR PEUT ATTEINDRE 10 1 9 AT.CM - 3 PAR L'INJECTION AXIALE DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS LE JET PLASMA. LA MESURE DES TEMPS DE SEJOURS DE 10 MSEC A 30 MSEC DES PARTICULES DE SILICIUM EN VOL A ETE EFFECTUEE PAR LA TECHNIQUE D'ANEMOMETRIE LASER DOPPLER. AINSI LA VITESSE DES PARTICULES, ET LA DISTANCE DE PROJECTION DETERMINENT LE TAUX D'EVAPORATION DE SILICIUM ET LA MESURE DES DIAMETRES DES PARTICULES EN VOL VALIDE LE TRANSFERT DE MATIERE. LA CROISSANCE DE DEPOT EST LIEE AUX PROCESSUS DE TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MATIERE PARTICULE/SUBSTRAT. UNE FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE DE SUBSTRAT COMME LA MULLITE CONSTITUE UNE BARRIERE THERMIQUE QUI PERMET UN REFROIDISSEMENT CONTROLE DES PARTICULES PROJETEES. LA CHALEUR APPORTEE PAR CES PARTICULES ABOUTIT A LA FORMATION SUR LE SUBSTRAT D'UNE GOUTTE LIQUIDE DONT LA CRISTALLISATION DIRECTIONNELLE DEBUTE LORS DE L'ARRET DE LA PROJECTION DES PARTICULES. LA PURIFICATION DU DEPOT MIS EN EVIDENCE PAR EDX, A EU LIEU PAR SEGREGATION DES IMPURETES DE LA PHASE SOLIDE VERS LA PHASE LIQUIDE, LA VITESSE DE DEPOT ATTEIGNANT 600-1500 M.H - 1 SELON LA TAILLE DES PARTICULES DE SILICIUM ET LA VITESSE DE PROJECTION.
Book Synopsis ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE PAR PLASMA THERMIQUE. ROLE DE L'HYDROGENE ATOMIQUE SUR LA PURIFICATION EN OXYGENE ET LA PASSIVATION DES DEFAUTS by : ISABELLE.. CAZARD-JUVERNAT
Download or read book ELABORATION DU SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE PAR PLASMA THERMIQUE. ROLE DE L'HYDROGENE ATOMIQUE SUR LA PURIFICATION EN OXYGENE ET LA PASSIVATION DES DEFAUTS written by ISABELLE.. CAZARD-JUVERNAT and published by . This book was released on 1996 with total page 254 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS UN EFFORT DE REDUCTION DU COUT DES SYSTEMES PHOTOVOLTAIQUES ET D'AUGMENTATION DU RENDEMENT DE CONVERSION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN UTILISE POUR L'ELABORATION DES PHOTOPILES. L'OUTIL UTILISE AU LABORATOIRE (8 ET 25 KW) EST UN PROCEDE DE PURIFICATION PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF, DONT LES PROPRIETES PHYSICOCHIMIQUES SPECIFIQUES (HAUTE TEMPERATURE 9 000 K, VITESSE DE 25 M/S, FORTES VISCOSITES ET CONDUCTIVITE THERMIQUE, HAUTE REACTIVITE DU FLUX D'HYDROGENE RADICALAIRE 10#2#0 AT/S) PERMETTENT DES TRANSFERTS DE MATIERE ET DE CHALEUR TRES EFFICACES ENTRE LE PLASMA ET UN BARREAU DE SILICIUM. IL CONDUIT AINSI A LA FOIS A LA TRES HAUTE PURETE DU MATERIAU ET A LA PASSIVATION DES DEFAUTS CRISTALLINS, EN FAISANT INTERVENIR EN PARTICULIER L'HYDROGENE ATOMIQUE DU PLASMA. TOUTEFOIS, LES CONDITIONS THERMIQUES DE CRISTALLISATION DU PROCEDE CONDUISENT A LA FORMATION DE DEFAUTS (JOINTS DE GRAINS ET MACLES), ET EN PARTICULIER A UNE FORTE DENSITE DE DISLOCATIONS (N#D#I#S = 10#6#-#7 DIS/CM#2). L'UTILISATION DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION (SPECTROSCOPIE D'EMISSION, SIMS, IRFT A 6K, RESISTIVITE 4 POINTES, ERDA, EXODIFFUSION, NAA, ICP, MEB, RX (LAUE), MICROSCOPIE OPTIQUE) ONT PERMIS DE DEMONTRE LA REACTIVITE DE L'HYDROGENE RADICALAIRE D'UN PLASMA AR + 1% H#2 AVEC L'OXYGENE CONTENU DANS LE SILICIUM DE QUALITE ELECTRONIQUE OU PHOTOVOLTAIQUE. LA PURIFICATION IMPORTANTE, NOTAMMENT EN 0 (97%: 3.10#1#710#1#6 AT/CM#3) ET C (70%: 7.10#1#72.10#1#7 AT/CM#3) S'ACCOMPAGNE D'UNE PASSIVATION DES DEFAUTS CRISTALLINS PAR L'HYDROGENE RADICALAIRE DU PLASMA (2.10#1#5 AT/CM#3). LA LIAISON ETABLIE RESISTE A UNE FORTE MONTEE EN TEMPERATURE (1 000 K). AINSI LES FORTES LONGUEURS DE DIFFUSION LOCALES (250 M) CONFIRMENT L'AMELIORATION DE LA PURETE DU MATERIAU EN ELEMENTS METALLIQUES ET METALLOIDIQUES (O, C) ET LA CICATRISATION DES DEFAUTS CRISTALLINS PAR L'HYDROGENE ATOMIQUE DU PLASMA. LE TRANSFERT TECHNOLOGIQUE SUR SITE INDUSTRIEL (100 KW) ET LES PREMIERS ESSAIS SUR LA PURIFICATION CONFIRMENT L'EFFICACITE DU PLASMA AR + H#2 PUISQUE LE RENDEMENT DE CONVERSION PHOTOVOLTAIQUE AUGMENTE DE 12,5% A 14%
Book Synopsis ETUDE DES PHENOMENES D'EVAPORATION LORS DE L'ELABORATION DE SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE A PARTIR DE POUDRES TRAITEES PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF by : Frank Slootman
Download or read book ETUDE DES PHENOMENES D'EVAPORATION LORS DE L'ELABORATION DE SILICIUM PHOTOVOLTAIQUE A PARTIR DE POUDRES TRAITEES PAR PLASMA THERMIQUE INDUCTIF written by Frank Slootman and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT DU DISPOSITIF D'ANALYSE DES PHENOMENES D'EVAPORATION A L'INTERFACE PLASMA/POUDRE DE SILICIUM, COMPRENANT UN SYSTEME FIBRE OPTIQUE-MONOCHROMATEUR HAUTE RESOLUTION-ANALYSEUR MULTICANAUX AFIN DE REGULER DES PROCEDES DE PURIFICATION DES MATERIAUX PAR PLASMA THERMIQUE
Book Synopsis Développement de procédés d'implantation ionique par immersion plasma pour le photovoltaïque by : Thomas Michel
Download or read book Développement de procédés d'implantation ionique par immersion plasma pour le photovoltaïque written by Thomas Michel and published by . This book was released on 2013 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le dopage du silicium par implantation ionique pour le photovoltaïque est une application relativement récente dont l'essor se heurte encore aujourd'hui aux coûts élevés d'intégration au sein des lignes de fabrication des cellules solaires. L'implantation ionique par immersion plasma promet de répondre aux futures exigences du secteur en termes de coûts et de productivité.Ces travaux de thèse ont permis le développement de procédés d'implantation ionique par immersion plasma de l'équipement PULSION®, conçu par IBS, dédiés à la fabrication de cellules solaires en silicium monocristallin. Dans un premier temps, nous montrons qu'il permet la réalisation de profils de dopage d'émetteur de type n variés, répondant aux exigences des cellules solaires à haut rendement. Les émetteurs fabriqués sont caractérisés de manière chimique, physique et électrique afin de démontrer leur excellente qualité. L'intégration de l'implantation ionique des émetteurs au sein d'un processus de fabrication industriel et peu coûteux, développé par l'INES sur silicium monocristallin de type p, permet d'atteindre des rendements de conversion supérieurs à 19,3%, soit un gain de plus de 0,5% par rapport aux rendements obtenus avec des cellules usuelles à émetteurs dopés par diffusion POCl3.La réalisation d'émetteurs de type p est également étudiée dans ce mémoire afin de préparer la transition technologique vers les cellules solaires sur silicium monocristallin de type n. Confirmant les atouts et le potentiel de la technologie d'implantation ionique par immersion plasma, les travaux menés au cours de cette thèse débouchent sur la conception d'un prototype industriel PULSION® dédié au photovoltaïque.
Book Synopsis ELABORATION D'UN SILICIUM DE PURETE PHOTOVOLTAIQUE PAR UNE TECHNIQUE DE FUSION DE ZONE SOUS PLASMA HAUTE FREQUENCE by : Daniel Morvan
Download or read book ELABORATION D'UN SILICIUM DE PURETE PHOTOVOLTAIQUE PAR UNE TECHNIQUE DE FUSION DE ZONE SOUS PLASMA HAUTE FREQUENCE written by Daniel Morvan and published by . This book was released on 1979 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REVUE DES METHODES D'ELABORATION DU SILICIUM. COMPARAISON DES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM SUSCEPTIBLE D'ETRE OBTENU A HAUTE TEMPERATURE. TECHNIQUES DE MESURE DES CARACTERISTIQUES DU MATERIAU. MISE EN OEUVRE DE LA TECHNOLOGIE PLASMA POUR L'OBTENTION DU SILICIUM PUR. RESULTATS EXPERIMENTAUX DES ESSAIS EN FUSION DE ZONE SOUS PLASMA
Book Synopsis MISE AU POINT ET CARACTERISATION DE PROCEDES PLASMA INTERVENANT LORS DE L'ELABORATION DES INTERCONNEXIONS POUR LES FILIERES CMOS by : PASCAL.. CZYPRYNSKI
Download or read book MISE AU POINT ET CARACTERISATION DE PROCEDES PLASMA INTERVENANT LORS DE L'ELABORATION DES INTERCONNEXIONS POUR LES FILIERES CMOS written by PASCAL.. CZYPRYNSKI and published by . This book was released on 1999 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES MECANISMES DE GRAVURE PAR PLASMA DES MATERIAUX POUR REALISER LES INTERCONNEXIONS EN MICROELECTRONIQUE SILICIUM (AL ET SIO 2). LES PRINCIPALES TECHNIQUES DE CARACTERISATION EMPLOYEES SONT LA SPECTROSCOPIE DE PHOTO-ELECTRONS X (XPS) IN-SITU ET L'ANALYSE PAR FLUORESCENCE X (WDXRF) PERMETTANT DE REALISER DES ANALYSES DE SURFACE. L'EMISSION OPTIQUE A ETE UTILISE POUR CARACTERISER LA PHASE GAZEUSE DU PLASMA. DANS LE CAS DE LA GRAVURE DE LIGNES D'ALUMINIUM EN PLASMA CL 2/BCL 3, L'ANALYSE PAR XPS MONTRE QUE L'ANISOTROPIE DE GRAVURE EST OBTENUE GRACE A LA FORMATION D'UNE COUCHE DE PASSIVATION CONSTITUEE DE CARBONE DE LA RESINE REDEPOSEE SUR LES FLANCS DES MOTIFS. LE CHLORE RESIDUEL PRESENT DANS LE FILM DE PASSIVATION EST QUANTIFIE PAR XPS ET WDXRF APRES TRAITEMENTS ANTICORROSION. CES TECHNIQUES PERMETTENT DE QUANTIFIER ET DE LOCALISER LE CHLORE RESIDUEL SUR LES LIGNES APRES TRAITEMENTS ANTICORROSION. PARALLELEMENT A CES ETUDES, UN PROCEDE DE GRAVURE PERMETTANT DE REDUIRE LA CONSOMMATION RESINE A ETE DEVELOPPE. L'ACTINOMETRIE ET LES MESURES DE SONDE ELECTROSTATIQUE ONT PERMIS DE CARACTERISER LA PHASE GAZEUSE DU PLASMA FONCTIONNANT DANS UN REGIME BASSE DENSITE ET, UN MODELE BASE SUR CES MESURES EST PRESENTE EXPLIQUANT LA DIMINUTION DE LA CONSOMMATION RESINE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL PRESENTE LES RESULTATS DES ANALYSES XPS REALISEES DANS DES TROUS DE CONTACT A FORT FACTEUR D'ASPECT GRAVES DANS DEUX SOURCES INDUSTRIELLES. CETTE ETUDE PERMET DE CARACTERISER LES POLYMERES FLUOROCARBONES DEPOSES AU FOND DES MOTIFS EN FONCTION DU FACTEUR D'ASPECT. L'ANALYSE TOPOGRAPHIQUE CHIMIQUE PAR XPS PERMET D'ANALYSER LA COMPOSITION ET L'EPAISSEUR DU FILM FLUOROCARBONE EN FONCTION DES PLASMAS DE GRAVURE. A L'ISSU DE CES ANALYSES, UN MODELE BASE SUR L'INFLUENCE DES EFFETS DE CHARGE LOCAUX EST PRESENTE PERMETTANT D'EXPLIQUER LES MECANISMES DE GRAVURE DE L'OXYDE DANS LES DIVERSES SOURCES PLASMA UTILISEES DANS CETTE ETUDE.
Book Synopsis Purification et caracterisation physico-chimique et électriques de silicium d'origine métallurgique destiné à la conversion photovoltaïque by : Julien Dégoulange
Download or read book Purification et caracterisation physico-chimique et électriques de silicium d'origine métallurgique destiné à la conversion photovoltaïque written by Julien Dégoulange and published by . This book was released on 2008 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'élaboration de silicium de qualité solaire par une autre route que la voie chimique semble aujourd'hui prometteuse pour réduire les coûts et garantir l'approvisionnement en matériau de la filière photovoltaïque. Un plasma inductif (Ar+H2+O2) couplé à un brassage électromagnétique du silicium liquide permet d'extraire une impureté critique : le bore. La compréhension de la volatilisation du bore a été étudiée via des calculs thermodynamiques sous FACTSAGE ainsi que des analyses chimiques en ligne des gaz de sortie par ICP-OES. L'étude du procédé a été divisée en deux étapes. Le brassage électromagnétique a fait l'objet d'une étude numérique et expérimentale. La répartition des espèces réactives à la surface a été étudiée en remplaçant le silicium par du graphite afin d'obtenir une image spatiale de la répartition des espèces à la surface. L'optimisation du procédé a permis d'obtenir un silicium avec une teneur en bore acceptable. Les caractérisations chimiques et électriques du matériau purifié ont révélées une quantité trop élevée d'aluminium, d'oxygène et de phosphore. Toutefois le matériau produit est utilisable par l'industrie, le rendement cellule est supérieur à 14% sur la partie p du lingot.
Book Synopsis Élaboration et caractérisation de rubans de silicium polycristallin déposés par projection plasma, en vue de photopiles solaires by : Mohamed Bachar Kayali
Download or read book Élaboration et caractérisation de rubans de silicium polycristallin déposés par projection plasma, en vue de photopiles solaires written by Mohamed Bachar Kayali and published by . This book was released on 1989 with total page 422 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: EN INJECTANT DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS UN JET DE PLASMA ARGON-HYDROGENE ET EN PROJETANT LES GOUTTELETTES AINSI FORMEES SUR UN SUPPORT ON A PU FABRIQUER DE FACON REGULIERE, DES RUBANS DE SILICIUM DE SURFACE ATTEIGNANT 25 CM#2, DECOLLABLES DE LEURS SUPPORTS. LE DOPAGE EST CONTROLE PAR ADDITION D'OXYDE DE BORE. L'INTERACTION PLASMA-PARTICULES A ETE MODELISEE. LES EQUATIONS DECRIVANT LES ECHANGES DE CHALEUR ET DE QUANTITE DE MOUVEMENT ONT ETE RESOLUES PAR UNE METHODE NUMERIQUE DE RUNGE-KUTTA. UN BON ACCORD A ETE OBTENU AVEC DES DETERMINATIONS EXPERIMENTALES DE LA VITESSE ET DE LA TEMPERATURE DES PARTICULES EN VOL. LES RUBANS PLAST OBTENUS SONT MICROCRISTALLINS ET POREUX ET ASSEZ SOUVENT FISSURES. ILS CONTIENNENT UNE TENEUR ELEVEE EN IMPURETES DE TRANSITION. LA QUALITE DES RUBANS BRUTS A ETE AMELIOREE PAR RECRISTALLISATION PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE. LES RUBANS RECUITS ONT DES GRAINS DE TAILLE MILLIMETRIQUE ET SONT PARTIELLEMENT PURIFIES. LA QUALITE PHOTOELECTRIQUE DES RUBANS EST CARACTERISEE PAR LA LONGUEUR DE DIFFUSION LN, MESUREE PAR METHODE LBIC. LES VALEURS DE LN SONT DE 17 A 32 MICRONS DANS LES RUBANS BRUTS ET JUSQU'A 70 MICRONS APRES RECUIT. CETTE VALEUR ELEVEE DE LN PERMET EN PRINCIPE DE CONSTRUIRE DES PHOTOPILES SOLAIRES DE BON RENDEMENT A BASE DE NOTRE RUBAN PLAST, MOYENNANT UN DEVELOPPEMENT INDUSTRIEL DU PROCEDE
Book Synopsis Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration des grilles métalliques pour les filières technologiques CMOS by : Anne Le Gouil
Download or read book Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration des grilles métalliques pour les filières technologiques CMOS written by Anne Le Gouil and published by . This book was released on 2007 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La diminution des dimensions des transistors MOS, qui permet d'augmenter leur densité sur une puce, induit des effets parasites qui perturbent fortement le fonctionnement des dispositifs. Le silicium et son oxyde jusqu'alors utilisés pour le module de grille des transistors sont remis en question au profit de nouveaux matériaux: des métaux pour la grille, et des matériaux à forte permittivité diélectrique pour le diélectrique de grille. Ce travail porte sur l'élaboration par gravure plasma d'une grille métallique polysilicium/TiN/Hf02 en vue d'une intégration pour les noeuds technologiques 45 nm et 32 nm. L'analyse des plasmas de gravure halogénés et des surfaces gravées par spectrométrie de masse, spectrométrie de photoélectrons X (XPS) et par des techniques de caractérisation morphologique (MEB, TEM, AFM) a permis de dégager les principaux mécanismes de gravure de TiN. Les stratégies de procédé de gravure de l'empilement de la grille et l'impact des procédés plasma sur l'intégrité des matériaux ont ensuite été discutés. La gravure de TiN en plasma HBr est sélective vis à vis de la couche d'arrêt Hf02 mais elle génère de la pente dans les profils gravés, alors que le plasma de C12, plus réactif, conduit à une gravure latérale de la grille et induit des phénomènes de micro masquage. Cela impose un mélange HBr/CI2 et une gravure a faible énergie de bombardement ionique pour la gravure sélective du métal. La stratégie de gravure du silicium de la grille a du être repensée car l'intégration d'une couche métallique entre le silicium et le diélectrique de la grille modifie la distribution des charges statiques à la surface de la couche d'arrêt, ce qui perturbe le contrôle dimensionnel des profils gravés. De plus la gravure de TiN doit être anisotrope et sélective vis-à-vis de Hf02 tout en respectant l'intégrité de la partie supérieure de la grille en silicium. Ce travail montre que pour éviter la formation d'une encoche latérale à l'interface silicium/métal pendant la gravure du TiN il est nécessaire de contrôler à la fois les couches de passivation qui protègent les flancs du silicium et la composition chimique des dépôts qui recouvrent les parois du réacteur (car cette dernière influence les taux de recombinaison et donc les densités des atomes de CI et de Br dans le plasma). Il est donc important de contrôler les étapes de conditionnement et de nettoyage des réacteurs de gravure.
Book Synopsis Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration des grilles métalliques pour les filières technologiques CMOS by : Anne Le Gouil
Download or read book Etude et développement de procédés de gravure plasma pour l'élaboration des grilles métalliques pour les filières technologiques CMOS written by Anne Le Gouil and published by . This book was released on 2006 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La diminution des dimensions des transistors MOS, qui permet d'augmenter leur densité sur une puce, induit des effets parasites qui perturbent fortement le fonctionnement des dispositifs. Le silicium et son oxyde jusqu'alors utilisés pour le module de grille des transistors sont remis en question au profit de nouveaux matériaux: des métaux pour la grille, et des matériaux à forte permittivité diélectrique pour le diélectrique de grille. Ce travail porte sur l'élaboration par gravure plasma d'une grille métallique polysilicium/TiN/Hf02 en vue d'une intégration pour les noeuds technologiques 45 nm et 32 nm. L'analyse des plasmas de gravure halogénés et des surfaces gravées par spectrométrie de masse, spectrométrie de photoélectrons X (XPS) et par des techniques de caractérisation morphologique (MEB, TEM, AFM) a permis de dégager les principaux mécanismes de gravure de TiN. Les stratégies de procédé de gravure de l'empilement de la grille et l'impact des procédés plasma sur l'intégrité des matériaux ont ensuite été discutés. La gravure de TiN en plasma HBr est sélective vis à vis de la couche d'arrêt Hf02 mais elle génère de la pente dans les profils gravés, alors que le plasma de C12, plus réactif, conduit à une gravure latérale de la grille et induit des phénomènes de micro masquage. Cela impose un mélange HBr/CI2 et une gravure a faible énergie de bombardement ionique pour la gravure sélective du métal. La stratégie de gravure du silicium de la grille a du être repensée car l'intégration d'une couche métallique entre le silicium et le diélectrique de la grille modifie la distribution des charges statiques à la surface de la couche d'arrêt, ce qui perturbe le contrôle dimensionnel des profils gravés. De plus la gravure de TiN doit être anisotrope et sélective vis-à-vis de Hf02 tout en respectant l'intégrité de la partie supérieure de la grille en silicium. Ce travail montre que pour éviter la formation d'une encoche latérale à l'interface silicium/métal pendant la gravure du TiN il est nécessaire de contrôler à la fois les couches de passivation qui protègent les flancs du silicium et la composition chimique des dépôts qui recouvrent les parois du réacteur (car cette dernière influence les taux de recombinaison et donc les densités des atomes de CI et de Br dans le plasma). Il est donc important de contrôler les étapes de conditionnement et de nettoyage des réacteurs de gravure.
Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
Book Synopsis Engineering Textiles by : Alexandr A. Berlin
Download or read book Engineering Textiles written by Alexandr A. Berlin and published by CRC Press. This book was released on 2015-09-03 with total page 377 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This volume provides the textile science community with a forum for critical, authoritative evaluations of advances in the discipline of textile engineering. Reporting on recent advances with significant applications in textile engineering, the chapters are written by internationally recognized researchers. This book covers a multitude of important concepts and advances in the field, including: Applications of nonwovens in textile engineering; Textile waste treatment for use in emulsion rubbers; Parameters of polyhydroxybutyrate nanofibers; Preparation of amines for use in textile engineering; Progress in photovoltaic textile; New applications in nanoengineering materials in the textile industry
Book Synopsis Flexoelectricity in Liquid Crystals by : Agnes Buka
Download or read book Flexoelectricity in Liquid Crystals written by Agnes Buka and published by World Scientific. This book was released on 2013 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
