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Determination Des Proprietes De Transport Thermique Et Electronique Du Silicium Par Des Methodes Photothermiques
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Book Synopsis DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES by : ISABELLE.. BARBEREAU BRASSAC
Download or read book DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES written by ISABELLE.. BARBEREAU BRASSAC and published by . This book was released on 1999 with total page 270 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE A POUR BUT LA DETERMINATION DES PROPRIETES DE TRANSPORT THERMIQUE ET ELECTRONIQUE DU SILICIUM (DIFFUSIVITE THERMIQUE D R, DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE D, VITESSE DE RECOMBINAISON DE SURFACE S O ET TEMPS DE VIE ) PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES. LA PRINCIPALE DIFFICULTE D'INTERPRETATION DES SIGNAUX PHOTOTHERMIQUES DANS LE CAS D'UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR RESIDE DANS LE FAIT QUE LES DIFFERENTES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE ONT UN EFFET CORRELE SUR LE SIGNAL. NOUS NOUS SOMMES DONC EFFORCES A TROUVER DES CONDITIONS EXPERIMENTALES PARTICULIERES POUR CHACUNE DES DEUX EXPERIENCES (EFFET MIRAGE ET PHOTOREFLECTANCE) DANS LE BUT DE DISTINGUER CES PROPRIETES. DANS LE CAS DU MICROSCOPE PHOTOTHERMIQUE, LA MODIFICATION DE L'APPROCHE EXPERIMENTALE ET L'UTILISATION DE HAUTES FREQUENCES DE MODULATION SE SONT SOLDEES PAR LA DETERMINATION SANS AMBIGUITE DE LA DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE INDEPENDAMMENT DES AUTRES PARAMETRES. A PARTIR DE L'EFFET MIRAGE, NOUS AVONS ESTIME LA DIFFUSIVITE THERMIQUE EN TRAVAILLANT A BASSE FREQUENCE DE MODULATION. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE DE DETERMINER LES PROPRIETES DE RECOMBINAISON MEME DANS DE TELLES CONDITIONS EXPERIMENTALES. PAR CONTRE, UNE DETERMINATION INDEPENDANTE DE CES PARAMETRES EST IMPOSSIBLE PUISQUE LEURS EFFETS SUR LE SIGNAL SONT SIMILAIRES. DES METHODES STATISTIQUES SIMPLES ONT ETE ALORS UTILISEES POUR EXTRAIRE LES VALEURS DE CES PARAMETRES LES PLUS PROBABLES. NOUS SOMMES PARVENUS A ESTIMER D'UNE PART, LA VALEUR DU TEMPS DE VIE ET D'AUTRE PART, CELLE DE LA VITESSE DE RECOMBINAISON DE SURFACE AVEC DES PRECISIONS SATISFAISANTES. CES MEMES METHODES STATISTIQUES APPLIQUEES A L'EXPERIENCE DE PHOTOREFLECTANCE, ONT PERMIS D'AFFINER LA PREMIERE ESTIMATION DE LA VALEUR DE ET DE CONFIRMER CELLE DE S O. LE BANC MIRAGE ET LE MICROSCOPE APPORTENT DONC DES INFORMATIONS A LA FOIS COMMUNES ET COMPLEMENTAIRES ET LE CHOIX DES CONDITIONS EXPERIMENTALES EST CRUCIAL POUR POUVOIR EXTRAIRE DES SIGNAUX L'INFORMATION RECHERCHEE.
Book Synopsis CARACTERISATION DES PROPRIETS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES by : BENOIT.. FORGET
Download or read book CARACTERISATION DES PROPRIETS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DU SILICIUM PAR DES METHODES PHOTOTHERMIQUES written by BENOIT.. FORGET and published by . This book was released on 1993 with total page 207 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES METHODES PHOTOTHERMIQUES CONSISTENT A IRRADIER UN ECHANTILLON PAR UN FLUX LUMINEUX MODULE ET A DETECTER IN SITU, PAR DES TECHNIQUES SANS CONTACT ET NON DESTRUCTIVES, L'ELEVATION LOCALE DE TEMPERATURE QUI EN RESULTE. DE PLUS DANS LE CAS D'ECHANTILLONS SEMICONDUCTEURS, SI L'ENERGIE DES PHOTONS DU FAISCEAU EXCITATEUR EST SUPERIEURE A CELLE DE LA BANDE INTERDITE, L'ABSORPTION DE CE FAISCEAU CREE DES PAIRES ELECTRONS-TROUS. CES PORTEURS LIBRES INTERVIENNENT DANS LE PROCESSUS DE THERMALISATION DE L'ENERGIE LUMINEUSE ET ENGENDRENT DES EFFETS PROPRES QUI S'AJOUTENT AUX EFFETS THERMIQUES. LE PLAN DE CETTE THESE S'ARTICULE AUTOUR DE RESULTATS EXPERIMENTAUX PERMETTANT DE METTRE EN EVIDENCE PROGRESSIVEMENT LES EFFETS LIES A LA DIFFUSION ET A LA RECOMBINATION DES PORTEURS LIBRES, ET PAR CONSEQUENT DE CARACTERISER LES PROPRIETES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DU SILICIUM. D'ABORD LA DEVIATION MIRAGE AU-DESSUS DE L'ECHANTILLON PERMET LA DETERMINATION DE LA VITESSE DE RECOMBINATION DE SURFACE. ENSUITE LE TEMPS DE VIE, LA DIFFUSIVITE ELECTRONIQUE ET LA VITESSE DE RECOMBINATION DE SURFACE PEUVENT ETRE CARACTERISES INDEPENDAMMENT PAR LA DEVIATION MIRAGE EN VOLUME ET PAR LA PHOTOREFLEXION. ENFIN LE REGIME NON LINEAIRE DE LA PHOTOREFLEXION PERMET D'ETUDIER LA RECOMBINATION AUGER
Book Synopsis Guide to the International Registration of Marks under the Madrid Agreement and the Madrid Protocol by : World Intellectual Property Organization
Download or read book Guide to the International Registration of Marks under the Madrid Agreement and the Madrid Protocol written by World Intellectual Property Organization and published by WIPO. This book was released on 2019-09-11 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This Guide is primarily intended for applicants and holders of international registrations of marks, as well as officials of the competent administrations of the Member States of the Madrid Union. It leads them through the various steps of the international registration procedure and explains the essential provisions of the Madrid Agreement, the Madrid Protocol and the Common Regulations.
