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Depot Des Couches De Silicium Polycristallin Dopees In Situ Au Phosphore Par La Technologie Vlpcvd
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Book Synopsis DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD by : AHMED.. LIBA
Download or read book DEPOT DES COUCHES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN DOPEES IN -SITU AU PHOSPHORE PAR LA TECHNOLOGIE VLPCVD written by AHMED.. LIBA and published by . This book was released on 1993 with total page 296 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE DES DEPOTS SUR SUBSTRAT DE VERRE DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE, PAR LA TECHNIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE SILANE A BASSE PRESSION OU LPCVD. L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST LA MAITRISE DU TAUX DE DOPAGE DE L'ELEMENT PHOSPHORE DANS LES COUCHES MINCES DE SILICIUM ELABOREES A UNE TEMPERATURE N'EXCEDANT PAS 600C. NOUS AVONS CHERCHE LES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE, PRESSION, RAPPORT PH#3/SIH#4) QUI CONDUISENT A DES FILMS PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS COUCHES MINCES
Book Synopsis Etude des propriétés thermiques électriques et mécaniques des couches minces de polysilicium dopées in situ phosphore déposées par LPCVD sur des structures à fort rapport d'aspect by : Florent Lallemand
Download or read book Etude des propriétés thermiques électriques et mécaniques des couches minces de polysilicium dopées in situ phosphore déposées par LPCVD sur des structures à fort rapport d'aspect written by Florent Lallemand and published by . This book was released on 2009 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La technologie PICS (Passive Integration Connective Substrate) permet une forte intégration sur silicium de composants passifs, notamment de condensateurs haute densité par la gravure de motifs tridimensionnels à fort rapport d’aspect. L’une des étapes technologiques les plus délicates de ce procédé consiste à remplir les structures 3D à l’aide d’un film de silicium polycristallin dopé in-situ. Les premières expériences de développement sur la seconde génération de produits ont tout d’abord montré que la présence de structures tridimensionnelles conduit à une dégradation significative de l’uniformité des films déposés (épaisseur et dopage). De plus, le remplissage des structures 3D par la couche de polysilicium entraîne une déformation des plaques pouvant conduire à leur destruction. Dans cette thèse, les études menées avaient pour but de résoudre ces deux problématiques conjointes. Il s’agissait d’adapter les paramètres de dépôt et de recristallisation du film de polysilicium afin de répondre aux exigences du procédé. Ces recherches ont démontré que la déformation des plaques est intimement liée à la phase cristalline déposée, et ce, même après recristallisation des films à haute température. Les premiers travaux montrent que les conditions de dépôt les plus favorables à la réduction des non-uniformités nuisent à l’intégrité des structures tridimensionnelles. Par conséquent, de nouvelles conditions de dépôt et de recuit ont été mises au point afin de limiter la déformation des substrats sans dégrader l’uniformité du dépôt tout en tenant compte des contraintes de productivité liées au contexte industriel. Les caractérisations physiques, électriques et structurales réalisées ont permis de corréler l’amélioration des performances électriques avec la modification de la taille des cristallites et de leur organisation au sein du matériau.
