Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium fortement dopé

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Book Synopsis Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium fortement dopé by :

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Scientific and Technical Aerospace Reports

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Book Synopsis Scientific and Technical Aerospace Reports by :

Download or read book Scientific and Technical Aerospace Reports written by and published by . This book was released on 1967 with total page 1262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Lists citations with abstracts for aerospace related reports obtained from world wide sources and announces documents that have recently been entered into the NASA Scientific and Technical Information Database.

Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium fortement dopé

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Book Synopsis Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium fortement dopé by : Denis Jerome

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Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium dopé

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Book Synopsis Contribution à l'étude par résonance magnétique des propriétés à basse température du silicium dopé by : Denis Jerome

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Government-wide Index to Federal Research & Development Reports

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U.S. Government Research & Development Reports

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Government Reports Announcements

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Government-wide Index to Federal Research & Development Reports

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Bibliography of Scientific and Industrial Reports

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Government Reports Annual Index

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SYNTHESE, CARACTERISATION DES PROPRIETES MAGNETIQUES ET DE TRANSPORT, ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE ET SPECTROSCOPIE RAMAN DE NOUVEAUX PHOSPHO-SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION MSI#XP#Y (M

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Book Synopsis SYNTHESE, CARACTERISATION DES PROPRIETES MAGNETIQUES ET DE TRANSPORT, ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE ET SPECTROSCOPIE RAMAN DE NOUVEAUX PHOSPHO-SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION MSI#XP#Y (M by : Christophe Perrier

Download or read book SYNTHESE, CARACTERISATION DES PROPRIETES MAGNETIQUES ET DE TRANSPORT, ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE ET SPECTROSCOPIE RAMAN DE NOUVEAUX PHOSPHO-SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION MSI#XP#Y (M written by Christophe Perrier and published by . This book was released on 1995 with total page 205 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ELEMENT PHOSPHORE EST GENERALEMENT UTILISE COMME DOPANT DANS LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS A BASE SILICIUM. LES SILICIURES METALLIQUES ETANT QUANT A EUX LARGEMENT EMPLOYES POUR REALISER DES CONTACTS EN TECHNOLOGIE VLSI, NOUS AVONS ETUDIES DE FACON SYSTEMATIQUE LES PHASES TERNAIRES QUI PEUVENT RESULTER DE L'INTERACTION DES METAUX VIII DE LA CLASSIFICATION PERIODIQUE AVEC LE SILICIUM DOPE AU PHOSPHORE. DE NOUVEAUX MATERIAUX DE COMPOSITION GENERALE MSI#XP#Y AVEC M = FE, CO, NI, RU, RH, PD, OS, IR, PT ET X+Y 4 ONT ETE OBTENUS SOUS FORME MONOCRISTALLINE EN FLUX D'ETAIN ET PAR REACTION DE TRANSPORT CHIMIQUE UTILISANT L'IODE. NOUS LES AVONS SYNTHETISE EN POUDRES PURES PAR REACTION DIRECTE DES ELEMENTS. LES CONDITIONS EXPERIMENTALES ONT ETE MODIFIEES AFIN D'ACCROITRE LA TAILLE DES MONOCRISTAUX ET CARACTERISER LEURS PROPRIETES PHYSIQUES. LES ETUDES DE RESISTIVITE REVELENT LEUR CARACTERE SEMI-CONDUCTEUR A FAIBLE GAP COMPRIS ENTRE 0.1 ET 0.4 EV A TEMPERATURE AMBIANTE. LES MESURES D'AIMANTATION MONTRENT UN COMPORTEMENT DIAMAGNETIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE ET PARAMAGNETIQUE A BASSE TEMPERATURE. L'ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE PAR DIFFRACTION DES RAYONS X ET DES NEUTRONS, NOUS A PERMIS DE DETERMINER LEUR STRUCTURE CRISTALLINE. DANS TOUTES LES STRUCTURES, L'ATOME METALLIQUE POSSEDE UN ENVIRONNEMENT OCTAEDRIQUE D'ATOMES DE SILICIUM ET DE PHOSPHORE ; LES ATOMES DE SILICIUM ET DE PHOSPHORE SONT EUX EN COORDINATION TETRAEDRIQUE. NOUS AVONS GENERALEMENT OBSERVE UN ORDRE TOTAL DES ATOMES DE SILICIUM ET DE PHOSPHORE SUR LEURS SITES RESPECTIFS. TOUS CES ALLIAGES CRISTALLISENT DANS DES GROUPES D'ESPACE NON CENTRO-SYMETRIQUES. AFIN DE VERIFIER CETTE CARACTERISTIQUE INHABITUELLE, LES PHOSPHO-SILICIURES DE METAUX DE TRANSITION ONT ETE CARACTERISES PAR SPECTROMETRIES INFRA-ROUGE ET RAMAN. LES SPECTRES OBTENUS CONFIRMENT LA NON-CENTROSYMETRIE DE TOUS LES COMPOSES. COMPTE TENU DE CE CARACTERE, CES MATERIAUX SONT SUSCEPTIBLES D'APPLICATIONS EN OPTIQUE INFRA-ROUGE NON-LINEAIRE

Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné

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Book Synopsis Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné by : Didier Jousse

Download or read book Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE

Propriétés de l'état normal des cuprates sous-dopés sous champ magnétique intense

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Book Synopsis Propriétés de l'état normal des cuprates sous-dopés sous champ magnétique intense by : Sven Badoux

Download or read book Propriétés de l'état normal des cuprates sous-dopés sous champ magnétique intense written by Sven Badoux and published by . This book was released on 2014 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse, nous nous sommes intéressés à la physique des supraconducteurs à haute température critique et à leur diagramme de phase. Depuis leur découverte en 1986, ces matériaux ont suscité un fort engouement notamment à cause de leur température critique élevée. La phase supraconductrice, dans le diagramme de phase de ces matériaux, présente un dôme avec une température critique maximale qui délimite le côté sous dopé (à gauche) du coté sur dopé (à droite). Ce dôme est situé entre une phase isolante et une phase métallique (type liquide de Fermi). Afin de comprendre l'origine de la supraconductivité, il est important de bien caractériser la phase normale à partir de laquelle elle se développe. Nous nous sommes particulièrement intéressés aux propriétés à basse température. Pour cela, des champs magnétiques intenses ont été nécessaires afin de détruire la supraconductivité et de restaurer l'état normal à basse température. Les oscillations quantiques ont été découvertes en 2007, dans ces matériaux, par des mesures de résistivité et d'aimantation sous champ magnétique intense et à basse température. La présence d'oscillations quantiques de faibles fréquences associées à des coefficients de Hall et Seebeck négatifs ont mis en évidence la présence d'une petite poche d'électrons dans la surface de Fermi couvrant seulement 1.9% de la première zone de Brillouin (PZB) du côté sous dopé. Ceci est incompatible avec les calculs de structure de bandes. Ce résultat est en fort contraste avec les oscillations quantiques mesurées dans les cuprates sur-dopés qui correspondent à la large orbite de type trou prédite par les calculs de structure de bandes et qui occupe 65% de la PZB. La présence de cette petite poche d'électrons dans des composés sous-dopés en trous peut être expliquée par une reconstruction de la surface de Fermi. En effet, des mesures de RMN et de rayons X ont montré la présence d'une onde de densité de charge en compétition avec la supraconductivité. Pour étudier plus en détail cette reconstruction et la relation entre la surface de Fermi déduite des oscillations quantiques et l'ordre de charge, nous avons réalisé différentes séries de mesures à 70T dans une large gamme de dopage, de champs magnétiques et de températures pour des échantillons d'YBa2Cu3Oy. Nous avons également utilisé la pression hydrostatique pour induire un changement de dopage sur un même échantillon. Ces mesures ont révélé la présence d'une nouvelle série d'oscillations de plus faible fréquence que nous avons associé à une poche de trou. Ce résultat permet d'expliquer plusieurs propriétés de transport mesurées dans le composé YBa2Cu3Oy. En parallèle, nous avons également réalisé des mesures de transport dans des échantillons de HgBa2CuO4+?, considéré comme un matériau modèle de la famille des cuprates (absence de chaîne et structure monoplan). Nous avons réussi à observer des oscillations quantiques, similaires à celles observées dans YBa2Cu3Oy. Ceci a permis de démontrer l'universalité de ce phénomène dans les cuprates et de confirmer de manière indiscutable que les plans conducteurs sont le siège de la reconstruction de la surface de Fermi à l'origine de ces oscillations quantiques. Enfin, nous avons effectué différentes simulations de reconstruction de la surface de Fermi basées sur un ordre de charge bi-axial qui a récemment été mis en évidence par des mesures de RMN, de rayons X et de vitesse du son. Les surfaces de Fermi obtenues ont été comparées aux mesures expérimentales.

Etude à l'échelle atomique de l'implantation du fer dans le carbure de silicium (SiC)

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Book Synopsis Etude à l'échelle atomique de l'implantation du fer dans le carbure de silicium (SiC) by : Lindor Diallo

Download or read book Etude à l'échelle atomique de l'implantation du fer dans le carbure de silicium (SiC) written by Lindor Diallo and published by . This book was released on 2019 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur l'étude du carbure de silicium, dopé avec du fer dans le but de réaliser un semi-conducteur magnétique dilué à température ambiante pour des applications à la spintronique. Le dopage en fer a été réalisé par implantation ionique de type multi-énergie (30 - 160 keV) à différentes fluences, conduisant à une concentration atomique constante de 2 % de 20 à 100 nm. Il a été suivi d'un recuit à haute température dans le but d'homogénéiser la concentration en dopants. Les implantations se sont déroulées à une température de 550 °C. L'optimisation des propriétés magnétiques et électroniques du SiC-Fe, de même que la compréhension des mécanismes physiques à l'origine du magnétisme induit, ont nécessité une caractérisation poussée de la microstructure des matériaux implantés. Les objectifs de ce travail ont été d'une part, de réaliser une étude à l'échelle atomique de la nanostructure en fonction des conditions d'implantations (température, fluence) et des traitements thermiques post-implantation, et d'autre part, de déterminer les propriétés magnétiques des matériaux implantés. Dans ce travail, nous avons montré par Sonde Atomique Tomographique, la présence de nanoparticules dont la taille moyenne augmente avec la température de recuit. La cartographie chimique des nanoparticules a permis de révéler l'existence de phases riches en Fe pour les échantillons recuits. L'étude magnétique (spectrométrie Mössbauer et Squid) a montré que la contribution ferromagnétique est due principalement aux nanoparticules magnétiques et/ ou aux atomes de fer magnétiques dilués dans la matrice. La corrélation entre les propriétés structurale et magnétique a permis de montrer que les atomes de fer dilués dans la matrice et substitués sur sites de silicium contribuent au signal ferromagnétique en dessous de 300 K. Nous avons donc montré dans ce travail, que la taille et la nature des phases présentes dans les nanoparticules dépendent des conditions d'implantation et des températures de recuit et qu'il est nécessaire de recuire les échantillons à haute température pour faire apparaître un ordre ferromagnétique.

CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE

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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE by : SOPHIE.. BILLAT

Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE written by SOPHIE.. BILLAT and published by . This book was released on 1994 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE QUI ACCOMPAGNE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE CE MATERIAU. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS PRESENTONS LES CONDITIONS ET LES MECANISMES DE FORMATION DU SILICIUM POREUX AINSI QUE LES PROPRIETES PRINCIPALES DU MATERIAU. NOUS ABORDONS ENSUITE LES DIFFERENTS MODELES INVOQUES POUR INTERPRETER L'ORIGINE DE LA PHOTOLUMINESCENCE OBSERVEE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. NOUS PRESENTONS DANS UNE SECONDE PARTIE L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX EN RELATION AVEC LA MORPHOLOGIE DU MATERIAU. UNE ANALYSE CONJOINTE DE L'ELECTRO- ET DE LA PHOTO-LUMINESCENCE, MENEE LORS D'UNE ANODISATION A COURANT CONSTANT, MONTRE UNE VARIATION D'INTENSITE COMMUNE AINSI QU'UN DEPLACEMENT SPECTRAL EN FONCTION DU NIVEAU D'OXYDATION DE LA COUCHE. CES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES SONT DISCUTEES ET INTERPRETEES DANS LE CADRE D'UN MODELE SIMPLE REPOSANT SUR LA NOTION DE CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES DE SILICIUM CONSTITUANT LA STRUCTURE POREUSE. CE MODELE FAIT INTERVENIR SELECTIVITE D'INJECTION DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES ET EFFET DE PASSIVATION DU A LA FORMATION DE L'OXYDE. UNE ETUDE DES PHENOMENES DE LUMINESCENCE LORS D'UNE OXYDATION EFFECTUEE A POTENTIEL CONTROLE A PERMIS DE SEPARER LES DIFFERENTS PARAMETRES QUI DETERMINENT L'EMISSION LUMINEUSE. ELLE MONTRE NOTAMMENT QUE L'ENERGIE DES RADIATIONS EMISES EST RELIEE DE MANIERE LINEAIRE A LA TENSION APPLIQUEE. DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AU CARACTERE TRANSITOIRE DU SIGNAL D'ELECTROLUMINESCENCE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CHUTE DE L'INTENSITE LUMINEUSE PEUT ETRE LIEE A UNE DEPASSIVATION DE LA SURFACE DES CRISTALLITES

Contribution à l'étude des propriétés magnétiques et de transport d'un nouveau semiconducteur semimagnétique à bande interdite de largeur nulle Hg1-xCoxSe

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Book Synopsis Contribution à l'étude des propriétés magnétiques et de transport d'un nouveau semiconducteur semimagnétique à bande interdite de largeur nulle Hg1-xCoxSe by : El Mostafa El Kholdi

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Contribution à l'étude des propriétés dynamiques de la surface du silicium

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Book Synopsis Contribution à l'étude des propriétés dynamiques de la surface du silicium by : Jean-Louis Souchière

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