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Contribution A Letude Des Etats Localises Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogene
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Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
Book Synopsis Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogene Depose Par Pulverisation by : Khelifati Nabil
Download or read book Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogene Depose Par Pulverisation written by Khelifati Nabil and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2013 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des la decouverte du silicium amorphe hydrogene vers la fin des annees soixante, de nombreux efforts de recherche ont ete entrepris sur ce materiau afin d'arriver a mieux comprendre ses proprietes et elargir ses domaines d'application. Le grand avantage que ce materiau procure est la possibilite de le deposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible cout. A cote de ces avantages, la possibilite qu'il soit dope et de changer le type de porteurs ainsi que l'ordre de grandeur de sa conductivite, a permis d'envisager de nombreuses applications concernant la realisation de diverses structures electroniques. Il y a donc eu de rapides progres dans l'etude du silicium amorphe depuis 1975, date a laquelle les premieres experiences de dopage ont ete mentionnees. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilise pour le rendre intrinseque et obtenir une conductivite minimum. Ce materiau est l'element actif de nombreux dispositifs electroniques comme les cellules solaires, les photorecepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages eleves sont necessaires pour realiser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le materiau intrinseque.
