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Contribution A Lanalyse Et A La Modelisation Du Vieillissement Statique De Transistors Nmos Submicroniques
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Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES by : DAVID.. DORVAL
Download or read book CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES written by DAVID.. DORVAL and published by . This book was released on 1995 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE QUALIFIER LA FIABILITE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES, NOUS AVONS ETUDIE LA TENUE AU VIEILLISSEMENT DE DIFFERENTES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES SENSEES LIMITER LES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS. L'ANALYSE DES DEGRADATIONS INDUITES PAR LES PORTEURS CHAUDS NOUS A PERMIS DE MODELISER LES DEGRADATIONS DES PRINCIPAUX PARAMETRES ELECTRIQUES BAS-NIVEAU DU TRANSISTOR. CES DEGRADATIONS SONT ESSENTIELLEMENT RELIEES A LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE SOUS LA GRILLE DU TRANSISTOR DONT LA DENSITE PEUT ETRE REVELEE PAR LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGES. LA SENSIBILITE DE CETTE TECHNIQUE ASSOCIEE A LA MODELISATION DES DEGRADATIONS PERMET DE DETERMINER LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS POUR DES POLARISATIONS DE STRESS PROCHES DES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT. LA DUREE DE VIE DES DIFFERENTES STRUCTURES POUR LES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT EST ALORS DETERMINEE PAR INTERPOLATION ENTRE LES MESURES A FORTES ET FAIBLES TENSIONS. CETTE INTERPOLATION PERMET DE S'AFFRANCHIR PARTIELLEMENT DES INCERTITUDES INHERENTES A L'EXTRAPOLATION QUI EST UTILISEE LORSQUE SEULS LES POINTS DE MESURE A TENSIONS ELEVEES SONT PRIS EN COMPTE
Book Synopsis MODELISATION DU VIEILLISSEMENT DU TRANSISTOR MOS by : ISABELLE.. LIMBOURG
Download or read book MODELISATION DU VIEILLISSEMENT DU TRANSISTOR MOS written by ISABELLE.. LIMBOURG and published by . This book was released on 1996 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DES TRANSISTORS NMOS DU A UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS EST UN PROBLEME IMPORTANT, CAR ON SAIT MAINTENANT QUE LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS CREES PAR CE TYPE DE DEGRADATION SONT LA CAUSE D'UNE DIMINUTION DE LA FIABILITE DES DISPOSITIFS VLSI. DANS CE CONTEXTE, L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST DE MODELISER ET DE CARACTERISER LES EFFETS DU VIEILLISSEMENT PAR INJECTION DE PORTEURS CHAUDS SUR LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR NMOS. POUR CELA, ON A DEVELOPPE UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DANS LEQUEL LE CANAL EST DIVISE EN CELLULES ET QUI PEUT PRENDRE EN COMPTE UNE DISTRIBUTION DE DEFAUTS LE LONG DE CE CANAL. LES ECHANTILLONS UTILISES ONT ETE DEGRADES PAR PHOTOINJECTION HOMOGENE D'ELECTRONS DANS L'OXYDE DE GRILLE ; LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE ET LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES DANS L'OXYDE ONT ETE EXTRAITES RESPECTIVEMENT PAR LA METHODE DE POMPAGE DE CHARGES ET PAR LA METHODE DE MC WHORTER ET WINOKUR. CE MODELE A ENSUITE ETE INTRODUIT DANS LE SIMULATEUR DE CIRCUITS SABER, LA CARACTERISATION ET L'OPTIMISATION DE TOUS LES PARAMETRES DU MODELE ONT ETE REALISES A L'AIDE DU LOGICIEL IC-CAP. CE MODELE A ETE VALIDE EN REGIME STATIQUE POUR UNE DEGRADATION HOMOGENE, POUR DEUX TYPES DE TRANSISTORS NMOS, DE GEOMETRIES DIFFERENTES ET DE COMPORTEMENT INEGAL VIS-A-VIS DE LA DEGRADATION
Book Synopsis CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS by : SAMIA.. MOUSSAOUI
Download or read book CONTRIBUTION A LA MODELISATION GLOBALE ET DISTRIBUEE DU TRANSISTOR MOS SUBMICRONIQUE VALIDATIONS written by SAMIA.. MOUSSAOUI and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES FORMANT DES CIRCUITS INTEGRES A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LE PROGRES DE LA TECHNOLOGIE, NOTAMMENT LA LITHOGRAPHIE ET LES TECHNIQUES DE GRAVURE SECHE. L'EVOLUTION DE LA TECHNOLOGIE VERS LES STRUCTURES MICROELECTRONIQUES ET SUBMICRONIQUES A FAIT EMERGER DE NOUVEAUX PROBLEMES LIES A LA FIABILITE DES COMPOSANTS. CERTAINS PARMI EUX QUI POUVAIENT ETRE NEGLIGES DANS L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS DE GRANDES DIMENSIONS, DEVIENNENT TRES IMPORTANTS POUR LES TRANSISTORS SUBMICRONIQUES. NOTRE ETUDE CONSISTE A ETUDIER LE TRANSISTOR MOS ET LES PHENOMENES LIES A LA REDUCTION DE LA LONGUEUR DU CANAL. NOUS NOUS SOMMES PARTICULIEREMENT INTERESSES A DEUX EFFETS: L'EFFET DE MULTIPLICATION PAR AVALANCHE ET L'EFFET D'AUTOECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. NOUS AVONS PRESENTE UNE NOUVELLE APPROCHE SIMPLE ET RAPIDE QUI TIENT COMPTE DU PREMIER EFFET. NOUS AVONS PRESENTE UN DEUXIEME MODELE QUI TIENT COMPTE DE LA VARIATION DE LA TEMPERATURE DANS LE CANAL, CONSEQUENCE DE L'AUGMENTATION DE LA PUISSANCE DISSIPEE PAR EFFET JOULE DANS LE TRANSISTOR. NOUS AVONS REMARQUE QUE NOS APPROCHES NE PERMETTAIENT QU'UNE VUE GLOBALE DES EFFETS DE DEGRADATION DU TRANSISTOR MOS, AUSSI NOUS LES AVONS INTRODUIT DANS LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CE DERNIER SUBDIVISE LA ZONE ACTIVE DU CANAL EN PLUSIEURS CELLULES, CE QUI PERMET D'AVOIR ACCES A TOUS LES PARAMETRES DU MODELE LE LONG DU CANAL. NOUS AVONS CONTRIBUE A RENDRE CE MODELE SUBMICRONIQUE PAR UNE REEVALUATION DE LA LONGUEUR DU CANAL, ET NOUS Y AVONS INTRODUIT L'EFFET D'AVALANCHE ET L'EFFET THERMIQUE. LE MODELE MCD ETANT LOURD EN TEMPS DE CALCUL, NOUS AVONS INTRODUIT AUSSI NOTRE APPROCHE A UNE MODELE SIMPLIFIE: LE MODELE UNICELLULAIRE, FONDE SUR LES MEMES BASES QUE LE MCD ET CONSIDERANT LE CANAL COMME UNE SEULE CELLULE DONT LA LONGUEUR EFFECTIVE EST CALCULEE DE LA MEME MANIERE QUE DANS MCD. POUR APPREHENDER L'APPORT DE NOS DEUX MODELES, UNE VALIDATION EN DEUX ETAPES, A EU LIEU. LA PREMIERE CONSISTE EN UNE IMPLANTATION DE NOS MODELES DANS LE LOGICIEL UTMOST (SILVACO DATA SYSTEM). LA SECONDE EN UNE COMPARAISON AVEC LES MEMES PARAMETRES DE LA SIMULATION ET DES MESURES EFFECTUEES SUR LA TECHNOLOGIE SUBMICRONIQUE DU CNET GRENOBLE, LA CMOS1T, DONT LA LONGUEUR ELECTRIQUE MINIMALE EST DE 0.8 M. LA CONCORDANCE ENTRE LES RESULTATS THEORIQUES ET EXPERIMENTAUX EST BONNE POUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL ET DE TENSIONS APPLIQUEES.
Book Synopsis Contribution à l'analyse des effets de vieillissement de composants actifs et de circuits intégrés sous contraintes DC et RF en vue d'une approche prédictive by : Insaf Lahbib
Download or read book Contribution à l'analyse des effets de vieillissement de composants actifs et de circuits intégrés sous contraintes DC et RF en vue d'une approche prédictive written by Insaf Lahbib and published by . This book was released on 2017 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de cette thèse portent sur la simulation de la dégradation des paramètres électriques des transistors MOS et bipolaires sous stress statiques et dynamiques. Cette étude a été menée à l'aide d'un outil de simulation de fiabilité développé en interne. Selon la technologie MOS ou bipolaire, les mécanismes étudiés ont été successivement : Hot Carrier Injection, Bias Temperature instability, Mixed Mode et Reverse base emitter bias. L'investigation a été aussi étendue au niveau circuit. Nous nous sommes ainsi intéressés à l'effet de la dégradation des transistors sur la fréquence d'un oscillateur en anneau et les performances RF d'un amplificateur faible bruit. Les circuits ont été soumis à des contraintes DC , AC et RF. La prédictibilité, établie de ces dégradations, a été validée par des essais de vieillissement expérimentaux sur des démonstrateurs encapsulés et montés sur PCB. Les résultats de ces études ont permis de valider la précision du simulateur et la méthode de calcul quasi-statique utilisée pour calculer les dégradations sous stress dynamiques. Ces travaux de recherche ont pour but d'inscrire cette approche prédictive dans un flot de conception de circuits afin d'assurer leur fiabilité.
Book Synopsis Contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistors NMOS submicroniques en haute fréquence by : Christine Raynaud
Download or read book Contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistors NMOS submicroniques en haute fréquence written by Christine Raynaud and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
