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Contribution A La Modelisation Des Transistors Organiques
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Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors organiques by : Amina Belkhir
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors organiques written by Amina Belkhir and published by . This book was released on 2009 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l’étude de la modélisation du transistor organique ainsi que son implémentation numérique. L’objectif est la prise en compte des spécificités des matériaux organiques dans le calcul des caractéristiques courant-tension du transistor, de manière à permettre une analyse physique du comportement des transistors, et par suite de pouvoir agir sur les paramètres technologiques de fabrication, et améliorer les performances des composants et des circuits. Dans un premier temps, un modèle semi-analytique 1D a été développé, sur la base du modèle du transistor MOS silicium en prenant en compte un certain nombre d’effets parasites (résistances ohmiques des contacts, injection non linéaire au contact source). L’impact des phénomènes d’injection sur l’extraction des paramètres essentiels du transistor (mobilité effective et tension de seuil) ont pu être clairement soulignés. De plus, l’existence de champs électriques très élevés au contact injectant a été mise en évidence. Ensuite, il est apparu utile de développer un modèle numérique du calcul du courant drain pour prendre en compte d’avantage de spécificités des matériaux organiques (densités d’états, autres modèles d’injection, profils de mobilités, etc.). Ce modèle est basé sur le calcul distribué du potentiel dans le canal. Dans un premier temps, la résolution numérique de l’équation de Poisson a été implémentée pour calculer la charge accumulée. Cela a également permis de souligner clairement les différences entre la tension de seuil effective UT-eff et la tension UONSET. Ce travail préliminaire pose les bases nécessaires à la poursuite de l’analyse physique de la caractéristique courant-tension
Book Synopsis Contribution au développement de systèmes électroniques organiques sur support souple by : Mohamed Alioune Sankharé
Download or read book Contribution au développement de systèmes électroniques organiques sur support souple written by Mohamed Alioune Sankharé and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objectif de contribuer à la caractérisation et à la modélisation des transistors organiques en couches minces ou OTFTs (Organic Thin Film Transistors). Elle s'est déroulée en partenariat avec le CEA-LITEN qui dispose d'une technologie imprimée ayant démontré sa fonctionnalité à plusieurs reprises. Le but de ce travail est d'abord de comprendre le fonctionnement des transistors organiques afin de déterminer l'impact des paramètres technologiques sur les caractéristiques électriques. Ceci est fait en utilisant une approche par simulation grâce aux paramètres extraits à partir de la mesure. La dépendance en géométrie et en température des paramètres du transistor est observée et étudiée afin de proposer un modèle valide prenant en compte ces variations. Le modèle doit être intégrable dans les flots de conception classiques de la microélectronique (Cadence, Eldo, ADS, etc...). Des modèles de dispersion sont présentés et par la suite utilisés pour la simulation et la réalisation de circuits analogiques organiques.
Book Synopsis Modélisation des phénomènes de piégeage/dépiégeage dans les semi-conducteurs organiques et développement d'un dispositif de caractérisation de pièges dans les transistors organiques by : Ndèye Saly Ndiaye
Download or read book Modélisation des phénomènes de piégeage/dépiégeage dans les semi-conducteurs organiques et développement d'un dispositif de caractérisation de pièges dans les transistors organiques written by Ndèye Saly Ndiaye and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le sujet de thèse s'inscrit dans le cadre de l'étude de la fiabilité des transistors organiques. La limitation majeure des transistors organiques est due à la présence de pièges dans le composant. Notre étude porte sur la modélisation des phénomènes de piégeage dans les semi-conducteurs organiques (SCO) et la mise en place d'un dispositif de caractérisation de pièges dans les transistors organiques. Le modèle prend en compte des densités d'états gaussiennes pour les porteurs libres et piégés et a été utilisé avec succès pour rendre compte de mesures de spectroscopie de défauts issues de la littérature. Les résultats obtenus montrent que les énergies d'activation de pièges extraites avec le modèle classique sont sous-estimées, de plus il nous faut moins de contributions de pièges pour rendre compte des mesures. Nous proposons ainsi un nouveau modèle permettant de décrire les niveaux de piège dans les SCO. La seconde partie de nos travaux porte sur la mise en place d'un dispositif de caractérisation de pièges dans les transistors organiques. Nous étudions l'effet du stress électrique sur les performances de transistors à base de P3HT en mesurant des transitoires de courant à partir desquels nous déterminons l'évolution temporelle de la tension de seuil (UT) des transistors. Un modèle utilisant une fonction exponentielle étirée permet de rendre compte de l'évolution de UT et d'obtenir une estimation des paramètres de piège. Nous avons montré que dans un transistor à base de P3HT les trous peuvent être capturés par trois contributions de pièges, confirmées par d'autres auteurs, ce qui montre l'intérêt du dispositif pour l'étude de la fiabilité des transistors organiques.
Book Synopsis Contribution à la modélisation et à la caractérisation des transistors bipolaires de puissance by : Michel Bousquet
Download or read book Contribution à la modélisation et à la caractérisation des transistors bipolaires de puissance written by Michel Bousquet and published by . This book was released on 1974 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Elaboration, caractérisation et modélisation de transistors à base de pentacène by : Ahmad Skaiky
Download or read book Elaboration, caractérisation et modélisation de transistors à base de pentacène written by Ahmad Skaiky and published by . This book was released on 2013 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les objectifs de ce travail de thèse concernent la modélisation de transistors organiques à base de pentacène et la réalisation de circuits électroniques de type inverseur. Dans ce contexte, nous avons étudié les mécanismes de transport de charges dans le pentacène par deux méthodes (I(V) et spectroscopie d‟impédance) et déterminé les propriétés physiques du pentacène (mobilité, densité des pièges, niveau d‟énergie des pièges...). Suite à cela, nous avons réalisé un transistor organique à effet de champ ayant une structure top contact en étudiant l‟influence de la longueur du canal et de l‟épaisseur de la couche active sur les performances de ce dispositif et en comparant les résultats avec ceux issus de la simulation via le logiciel ATLAS. Avec les paramètres extraits de l‟étude des mécanismes de transport nous avons trouvé une bonne concordance entre les caractéristiques de sortie et de transfert expérimentales et simulées. Enfin, nous avons élaboré des inverseurs organiques à charge active saturée (diode-load inverter). L‟optimisation des paramètres tels que la longueur du canal, l‟épaisseur de la couche active et la vitesse de dépôt du pentacène a conduit à un gain en tension significatif en particulier en jouant sur la structure cristalline du pentacène. Un inverseur à charge à déplétion a été aussi caractérisé, en utilisant des isolants différents pour le transistor de charge et le transistor de commande un gain de 7 a été obtenu. Ces résultats ouvrent des perspectives et pourraient être améliorés en fabriquant des inverseurs en technologie O-CMOS.
Book Synopsis Le Transistor organique transparent by : Virginie Bernical
Download or read book Le Transistor organique transparent written by Virginie Bernical and published by . This book was released on 2008 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est la fabrication de transistors organiques transparents aux longueurs d'onde optiques sur un substrat organique transparent pour des applications ophtalmiques. Après une présentation générale des propriétés électriques et électroniques des matériaux utilisés une étude plus spécifique est dédiée au pentacène. Ce semi-conducteur parmi les plus performant est implémenté lors de la phase expérimentale de ce travail Une recherche bibliographique a été menée sur les transistors à base de pentacène et sur la modélisation des transistors organiques dont le fonctionnement en régime d'accumulation est nécessaire si des courants de fonctionnement significatifs sont recherchés. Dans la partie expérimentale de ce travail, des transistors sont réalisés. La nécessité de mise en œuvre de procédés basses températures est alors mise en évidence. Dans ces conditions des transistors entièrement organiques présentant des mobilités de 6.10-3 cm2.V-1 .s-1 sont obtenus.
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors haute fréquence by : Thomas Zimmer
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors haute fréquence written by Thomas Zimmer and published by . This book was released on 1992 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la modélisation et à la caractérisation en hautes fréquences des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe by : Bertrand Ardouin
Download or read book Contribution à la modélisation et à la caractérisation en hautes fréquences des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe written by Bertrand Ardouin and published by . This book was released on 2001 with total page 228 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le regain d'intérêt récent pour les technologies bipolaires, induit par les transistors bipolaires à hétérojonction Silicium Germanium (TBH SiGe) a mis en lumière les problèmes liés à la modélisation compacte (ou électrique) de ces composants. En effet, le gain en performance qu'autorisent ces technologies avancées a accru les possibilités et le champ des applications, mais a dans le même temps rendu critiques les contraintes liées à leur modélisation précise. Ce mémoire développe les points clefs liés à la modélisation des TBH SiGe. En premier lieu, le gain en performance apporté par les TBH SiGe est exprimé et quantifié via une étude physique dont le point de départ est l'ensemble des équations des semi-conducteurs. Les méthodes d'obtention de mesures sous pointes des dispositifs microélectroniques en continu et en hautes fréquences sont alors présentées, ainsi que les moyens de corrections des erreurs. Nous comparons ensuite les modèles électriques de transistors bipolaires existants (Gummel-Poon, VBIC, MEXTRAM et HICUM). Ceci permet de considérer le modèle HICUM comme candidat idéal pour la modélisation des TBH SiGe. Après une étape qui consiste en la réalisation d'une version modifiée en langage comportemental (HDL-A) du modèle HICUM, nous présentons un ensemble de méthodes originales destinées à l'extraction des paramètres de celui-ci.
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance by : Alain Lucchese
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance written by Alain Lucchese and published by . This book was released on 1977 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistors NMOS submicroniques en haute fréquence by : Christine Raynaud
Download or read book Contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistors NMOS submicroniques en haute fréquence written by Christine Raynaud and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance by : Claude Cavalier
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires de puissance written by Claude Cavalier and published by . This book was released on 1974 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des transistors à effet de champ organiques by : Marc Ternisien
Download or read book Contribution à l'étude des transistors à effet de champ organiques written by Marc Ternisien and published by . This book was released on 2008 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'étude de composants organiques et moléculaires. Il porte sur le contrôle de l'interface oxyde de grille/semi-conducteur organique à l'aide de Monocouches Auto Assemblées (SAMs) dans les transistors à effet de champ organique (OFETs). Nous avons dans un premier temps travaillé avec des OFETs à couche active de pentacène dont le diélectrique de grille a été modifié par des SAMs de type ơ-π (terminées pyrène ou phenyl) en configuration Top Contact. Après le greffage chimique en trois étapes de SAMs à chaîne alkyle longues et leur caractérisation, nous avons mesuré les paramètres transistors et nous avons démontré une amélioration des mobilités des porteurs de charges, une augmentation du rapport On/Off et une amélioration de la pente sous le seuil. Nous avons interprété ces résultats en terme de structure morphologique de la couche active de pentacène. Dans la deuxième partie de notre thèse, nous nous sommes intéressés aux SAMs à chaîne alkyle plus courte greffées en une unique étape (le pentafluorophenylpropyltrichlorosilane (C9H6F5Cl3Si), le 4-phenylbutyltrichlorosilane (C10H13Cl3Si) et l'octadecyltrichlorosilane (CH18H37SiCl3). La configuration du transistor adoptée pour cette étude est du type Bottom Contact.Nous avons obtenu par ces procédés des OFETs fonctionnant à des valeurs de pentes sous le seuil de 0.6 V/dec, des rapports On/Off de 10 8 et une mobilité de 0.3 cm2/V.s. L'ensemble des résultats est discuté en terme d'interactions entre les porteurs de charges et le semi-conducteur organique (le pentacène) et les dipôles des molécules greffées.
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant by : Eric Mazaleyrat
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant written by Eric Mazaleyrat and published by . This book was released on 1988 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DISPOSITIFS MOS AU SUBSTRAT ISOLANT. APRES UNE ANALYSE DES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DE CETTE TECHNOLOGIE PAR RAPPORT A CELLES SUR SUBSTRAT MASSIF, L'AUTEUR ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATEURS NUMERIQUES, LE COMPORTEMENT INTERNE DE LA STRUCTURE A DESERTION PROFONDE. UNE COMPARAISON ENTRE LE SOI DE TYPE SIMOX ET LE SOS EST DEVELOPPEE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES ENTRANT EN JEU DANS LES DIODES CONTROLLEES PAR GRILLE, PERMET D'ELABORER UN MODELE PRECIS DE TRANSISTOR MOS
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température by : Hassène Mnif
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe en température written by Hassène Mnif and published by . This book was released on 2004 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La prise en compte de l'effet de la température et en particulier de l'auto-échauffement est un aspect fondamental pour rendre compte de manière précise des caractéristiques électriques des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe. L'utilisation de ces composants dans des applications micro-ondes susceptibles d'être exposées à diffférentes températures et fonctionnant pour des fortes densités de courant accentuent énormément ces effets. Par conséquent, une modélisation préscise de ces phénomènes est indispensable. Un modèle dynamique décrivant l'auto-échauffement, caractérisé par une élevation de la température de jonction, a été développé. Une équivalence électrique de ce modèle analytique a été réalisée afin qu'il soit compatible avec des modèles électriques de type SPICE. Un banc de test spécifique pour évaluer le nouveau modèle et extraire ses paramètres a été mis en oeuvre. Dans une deuxième partie, la dépendance en température des différents paramètres qui peuvent intervenir dans un modèle électrique compact et en particulier dans le modèle HICUM a été étudiée.
Book Synopsis Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice by : Abassia Naimi
Download or read book Contribution à la modélisation du transistor bipolaire de puissance et implantation dans le simulateur PSpice written by Abassia Naimi and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Une synthèse des modèles du transistor bipolaire a servi pour l'étude de la zone active de base, des effets de forte injection, de la quasi-saturation, de l'avalanche et a permis d'élaborer des modèles du transistor bipolaire de puissance. Ces modèles ont été implantés dans le simulateur PSpice à l'aide de deux méthodes. La première consiste à intervenir au niveau des équations donnant la description du modèle implanté dans PSpice. Elle a été appliquée à trois approches de modelisation dans la zone active de base. Les résultats de simulation permettent de comparer les différentes approches. La deuxième méthode, appelée modélisation comportementale, est basée sur l'utilisation des sources de courant ou de tension non linéaires permettant la description des dispositifs à l'aide de macro-modèles.
Book Synopsis Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube by : Johnny Goguet
Download or read book Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube written by Johnny Goguet and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Selon l'ITRS, le transistor à nanotube de carbone est une des alternatives prometteuses au transistor MOS Silicium notamment en termes de taille de composant et d'architectures de circuits innovantes. Cependant, à l'heure actuelle, la maturité des procédés de fabrication de ces technologies ne permet pas de contrôler finement les caractéristiques électriques. C'est pourquoi, nous proposons un modèle compact basé sur les principes physiques qui gouvernent le fonctionnement du transistor à nanotube. Cette modélisation permet de lier les activités technologiques à celles de conception de circuit dans le contexte de prototypage virtuel. Pour peu qu'elle inclut des paramètres reflétant la variation des procédés, il est alors possible d'estimer les performances potentielles des circuits intégrés. Le transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNFET), i.e. « MOS-like », est modélisé analytiquement en supposant le transport balistique des porteurs dans le canal. Le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel du canal calculé de façon auto-cohérente avec la charge associée selon le potentiel appliqué sur la grille. Le modèle du transistor à nanotube de carbone double grille, DG-CNFET est basé sur celui du C-CNFET. Ce transistor est de type N ou P selon la polarisation de la grille supplémentaire. Ce transistor est modélisé de manière similaire pour les 3 régions : la partie interne modulée par la grille centrale, et les accès source et drain modulés par la grille arrière. La charge, plus complexe à calculer que celle du C-CNFET, est résolue analytiquement en considérant différentes plages de polarisation et d'énergie. Le modèle du DG-CNFET a été mis en œuvre dans le cadre d'architectures de circuits électroniques innovants : une porte logique à 2 entrées comportant 7 transistors CNFET dont 3 DG-CNFET pouvant, selon la polarisation des 3 entrées de configuration, réaliser 8 fonctions logiques différentes.
Book Synopsis Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes by : Gilles Montoriol
Download or read book Contribution a la caracterisation et modelisation de transistors a effet de champ pour la conception des circuits integres monolithiques microondes written by Gilles Montoriol and published by . This book was released on 1988 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
