Conception Realisation Et Caracterisation De Diodes Laser Ingaasn Gaas A Diaphragme Doxyde Pour Les Telecommunications Optiques A 13um

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Conception, réalisation et caractérisation de diodes laser InGaAsN/GaAs à diaphragme d'oxyde pour les télécommunications optiques à 1,3μm

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Author : Benoît Messant
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 214 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)

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Book Synopsis Conception, réalisation et caractérisation de diodes laser InGaAsN/GaAs à diaphragme d'oxyde pour les télécommunications optiques à 1,3μm by : Benoît Messant

Download or read book Conception, réalisation et caractérisation de diodes laser InGaAsN/GaAs à diaphragme d'oxyde pour les télécommunications optiques à 1,3μm written by Benoît Messant and published by . This book was released on 2006 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux reportés dans cette thèse concernent la conception et la réalisation technologique d'une diode laser à puits quantiques InGaAsN émettant à 1,3μm, épitaxiée sur substrat de GaAs, et comportant une structure à ruban à base d'un diaphragme d'oxyde d'aluminium (Alox). Nous présentons, tout d'abord, l'étude de modélisation et de conception de ces diodes laser. En nous appuyant sur un outil incluant la modélisation de la structure de bande des puits quantiques InGaAsN/GaAs, une étude complète d'optimisation des propriétés d'émission des puits quantiques est menée. Nous en dégageons les critères de conception de la structure bidimensionnelle pour obtenir une émission laser à 1,3μm présentant de bonnes performances en terme de stabilité thermique et de réponse dynamique, compatible avec les réseaux optiques d'accès. La seconde partie porte sur la réalisation technologique des composants. Nous présentons la mise au point de l'étape d'oxydation latérale humide et au développement d'un procédé technologique complet et reproductible de réalisation de diodes laser avec injection latérale des porteurs et diaphragme d'oxyde en tenant compte des contraintes technologiques des différentes étapes du procédé. La réalisation et la caractérisation de diodes laser à diaphragme d'oxyde ont constitué la dernière phase de ce travail. Après avoir validé le procédé technologique dans la filière AlGaAs/GaAs, nous avons procédé à une caractérisation approfondie des composants à multi puits quantiques InGaAsN/GaAs afin d'évaluer les potentialités de cette nouvelle filière et de confirmer l'intérêt du confinement procuré par le diaphragme Alox pour l'obtention de composants monomodes stables.

Diodes Laser Pour Les Telecommunications Optiques

Author :
Publisher : Ed. Techniques Ingénieur
ISBN 13 :
Total Pages : 12 pages
Book Rating : 4./5 ( download)

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Book Synopsis Diodes Laser Pour Les Telecommunications Optiques by :

Download or read book Diodes Laser Pour Les Telecommunications Optiques written by and published by Ed. Techniques Ingénieur. This book was released on with total page 12 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications

Author : Luca Redaelli
Publisher : Cuvillier Verlag
ISBN 13 : 3736945868
Total Pages : 176 pages
Book Rating : 4.7/5 (369 download)

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Book Synopsis Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications by : Luca Redaelli

Download or read book Design and fabrication of GaN-based laser diodes for single-mode and narrow-linewidth applications written by Luca Redaelli and published by Cuvillier Verlag. This book was released on 2013-12-11 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: In this work, several aspects concerning (In,Al,Ga)N laser diodes with high spectral purity, designed for applications in spectroscopy, were studied. A complete fabrication process for ridgewaveguide laser diodes on GaN substrate was developed. The lateral size of the ridge waveguides was as narrow as 1.5 μm: this is necessary in order to achieve lateral single-mode lasing in (In,Al,Ga)N laser diodes. A peculiar property of (In,Al,Ga)N laser diodes is that, when the ridge is narrow, the threshold current strongly depends on the ridge etch depth. This phenomenon was investigated by fabricating laser diodes with different etch depths. For ridge widths below 2 μm, the threshold current of shallow-ridge devices was found to be more than two times larger than that of comparable deep-ridge devices. Moreover, in the lateral far-field patterns of shallow-ridge laser diodes, side-lobes were observed, which would support the hypothesis of strong index-antiguiding. The antiguiding factor at threshold was experimentally determined to be about 10, which is among the largest values ever published for (In,Al,Ga)N laser diodes. The devices were further studied by simulation, and the results confirmed that the carrier-induced index change in the quantum wells can compensate the lateral index step if the ridge is shallow. This, in turn, reduces the lateral optical confi nement, which increases the threshold current and generates side lobes in the far-fi eld patterns. Based on this research, blue and violet laser diodes suitable for packaging in TO cans and continuous-wave (CW) operation exceeding 50 mW were fabricated. An external cavity diode laser (ECDL) was also realized, which could be tuned over the spectral range 435 nm - 444 nm and provided a peak emission power of more than 27 mW CW at 439 nm. As an alternative approach to obtain a narrow spectral linewidth, the feasibility of monolithically integrated Bragg-gratings was studied.

Laser Diode Microsystems

Author : Hans Zappe
Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 3662082497
Total Pages : 349 pages
Book Rating : 4.6/5 (62 download)

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Book Synopsis Laser Diode Microsystems by : Hans Zappe

Download or read book Laser Diode Microsystems written by Hans Zappe and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2013-03-14 with total page 349 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Laser Diode Microsystems provides the reader with the basic knowledge and understanding required for using semiconductor laser diodes in optical microsystems and micro-optical electromechanic systems. This tutorial addresses the fundamentals of semiconductor laser operation and design, coupled with an overview of the types of laser diodes suitable for use in Microsystems, along with their distinguishing characteristics. Emphasis is placed on laser diode characterization and measurement as well as the assembly techniques and optical accessories required for incorporation of semiconductor lasers into complex microsystems. Equipped with typical results and calculation examples, this hand-on text helps readers to develop a feel for how to choose a laser diode, characterize it and incorporate it into a microsystem.

Conception et technologie de diodes laser GaAIAs/GaAs émettant par la surface au moyen de réflecteurs de Bragg distribués

Author : Philippe Arguel
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 161 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)

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Book Synopsis Conception et technologie de diodes laser GaAIAs/GaAs émettant par la surface au moyen de réflecteurs de Bragg distribués by : Philippe Arguel

Download or read book Conception et technologie de diodes laser GaAIAs/GaAs émettant par la surface au moyen de réflecteurs de Bragg distribués written by Philippe Arguel and published by . This book was released on 1995 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

CONCEPTION ET MISES EN UVRE DE CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D'ONDE DE DIODES LASERS RAPIDEMENT ACCORDABLES

Author : JEAN.. HOURANY
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 218 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)

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Book Synopsis CONCEPTION ET MISES EN UVRE DE CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D'ONDE DE DIODES LASERS RAPIDEMENT ACCORDABLES by : JEAN.. HOURANY

Download or read book CONCEPTION ET MISES EN UVRE DE CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D'ONDE DE DIODES LASERS RAPIDEMENT ACCORDABLES written by JEAN.. HOURANY and published by . This book was released on 1996 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE SE SITUE DANS LE CONTEXTE DES RECHERCHES, ACTUELLEMENT INTENSIVES, SUR LES NOUVEAUX RESEAUX MULTIPOINTS DE TELECOMMUNICATIONS NUMERIQUES MULTICOLORES SUR FIBRE OPTIQUE. ELLE VISE A CONCEVOIR DES CIRCUITS INTEGRES GAAS POUR LA COMMANDE EN LONGUEUR D'ONDE DE DIODES LASERS ACCORDABLES RAPIDEMENT (EN QUELQUES NANOSECONDES). L'ASSEMBLAGE DE LA DIODE LASER ET DE SON CIRCUIT DE COMMANDE AU SEIN D'UN ENSEMBLE COMPACT EST ETUDIE POUR DEUX TYPES DE MODULES: MODULE DE CONVERSION EN LONGUEUR D'ONDE UTILISANT UN LASER DBR A 3 SECTIONS ET MODULE DE FILTRAGE EN LONGUEUR D'ONDE UTILISANT UN FILTRE DFB ORIGINAL. DANS CES MODULES, L'ACCORD RAPIDE EST EFFECTUE A L'AIDE, RESPECTIVEMENT, DE 1 ET 2 COURANTS ELECTRIQUES. DANS LE CHAPITRE II, DES BRIQUES ELECTRONIQUES DE BASE SONT PROPOSEES ET REALISEES EN UTILISANT DES TECHNOLOGIES A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (P-HEMT). LES PERFORMANCES OBTENUES SONT PRESENTEES ET COMPAREES. LES VARIATIONS BASSE-FREQUENCE DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE ET LES DISPERSIONS TECHNOLOGIQUES SONT PRISES EN COMPTE DANS LA CONCEPTION DES CES ETAGES. LE CHAPITRE III TRAITE DES ARCHITECTURES DES CIRCUITS COMPLETS. COMME PRECEDEMMENT, PLUSIEURS ARCHITECTURES ORIGINALES SONT PRESENTEES, ET TESTEES, EN UTILISANT QUATRE TECHNOLOGIES DIFFERENTES (DONT UNE TECHNOLOGIE P-HEMT DOUBLE-SEUIL). UN EFFORT PARTICULIER EST PORTE A LA REDUCTION DE LA CONSOMMATION. LE PROBLEME DE L'INTEGRATION DE CES CIRCUITS AVEC LES DIODES LASERS EST ABORDE AU CHAPITRE IV: UN CIRCUIT DE DECOUPLAGE TRES LARGE BANDE ET L'ASSEMBLAGE COMPLET DES MODULES ONT ETE OPTIMISES. DES CARACTERISATIONS EXPERIMENTALES DE PLUSIEURS TYPES DE MODULES DE CONVERSION ET DE FILTRAGE ACCORDABLE EN LONGUEUR D'ONDE SONT PRESENTEES. L'ETUDE EST FINALEMENT VALIDEE PAR L'INTEGRATION DE MODULES AU SEIN DES DEUX MATRICES EXPERIMENTALES DE COMMUTATION ATM ASSEMBLEES PAR DEUX LABORATOIRES EUROPEENS EXTERIEURS. CETTE ETUDE OUVRE LA VOIE A DES SYSTEMES FONCTIONNELS ET COMPACTS DE TRAITEMENT DES DONNEES AU SEIN DES NOUVEAUX RESEAUX DE TELECOMMUNICATIONS A HAUT DEBIT BASES SUR LE MULTIPLEXAGE ET LE ROUTAGE DE CELLULES DE DONNEES NUMERIQUES

High-Power Diode Laser Technology and Applications X

Author : Mark S. Zediker
Publisher :
ISBN 13 : 9780819488848
Total Pages : 350 pages
Book Rating : 4.4/5 (888 download)

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Book Synopsis High-Power Diode Laser Technology and Applications X by : Mark S. Zediker

Download or read book High-Power Diode Laser Technology and Applications X written by Mark S. Zediker and published by . This book was released on 2012-01-30 with total page 350 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Includes Proceedings Vol. 7821