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Caracterisation Et Simulation Des Transistors Mos Silicium Sur Isolant Avec Controle Du Potentiel Par Une Grille Arriere
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Book Synopsis Caractérisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec contrôle du potentiel par une grille arrière by : Francis Balestra
Download or read book Caractérisation et simulation des transistors MOS Silicium-Sur-Isolant avec contrôle du potentiel par une grille arrière written by Francis Balestra and published by . This book was released on 1985 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-ISOLANT. REALISATION D'UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE, BASE SUR UNE METHODE AUX DIFFERENCES FINIES, QUI PERMET DE CONNAITRE LA REPARTITION DE POTENTIEL DANS DE TELLES STRUCTURES CONTROLEES PAR DEUX GRILLES. CE PROGRAMME EST APPLIQUEE AU CAS DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-SAPHIR (SOS), DONT LE SAPHIR A ETE AMINCI PAR USINAGE ULTRASONORE POUR FACILITER LES MESURES A L'AIDE D'UNE GRILLE ARRIERE. DANS BEAUCOUP DE CAS, LA SIMULATION NUMERIQUE EST INDISPENSABLE POUR INTERPRETER CONVENABLEMENT LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DE TELS DISPOSITIFS. ON A PU, PAR AILLEURS, CONNAITRE PRECISEMENT L'EFFET DE CHAQUE PARAMETRE DE CES STRUCTURES (DOPAGE DU SILICIUM, EPAISSEURS DES DIFFERENTES COUCHES, CHARGES AUX INTERFACES...) SUR LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EN OUTRE, IL A ETE EXAMINE, A L'AIDE DU PROGRAMME, LES DOMAINES DE VALIDITE ET LES LIMITES DES MODELES ANALYTIQUES EXISTANT DANS LA LITTERATURE
Book Synopsis Étude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille by : Birahim Diagne
Download or read book Étude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille written by Birahim Diagne and published by . This book was released on 2020-06-28 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille dédié à la conception by : Birahim Diagne
Download or read book Etude et modélisation compacte d'un transistor MOS SOI double-grille dédié à la conception written by Birahim Diagne and published by . This book was released on 2007 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Nous proposons un modèle compact du transistor MOS double-grille silicium sur isolant (SOI) en mode de fonctionnement symétrique. Le modèle est basé sur le formalisme EKV et offre les caractéristiques suivantes : une expression analytique simple décrivant le comportement statique et dynamique du dispositif, des relations "directes" entre charges-tensions et tensions-courant, une méthode de calcul numérique robuste et rapide, une implémentation aisée du modèle dans un langage de haut niveau tel que VHDL-AMS permettant ainsi une simulation rapide et précise des caractéristiques électriques. Le modèle prend en compte non seulement les effets de petites géométries tels que l'abaissement de la barrière de potentiel induit par le drain; le partage de charge, la dégradation de la pente sous le seuil ainsi que la réduction de la mobilité des porteurs, mais également les effets dynamiques extrinsèques. Il a été validé pour des dispositifs de longueur de canal de 60nm. Savalidation a été effectuée par comparaison de ses résultats avec ceux obtenus sur le simulateur de composants Atlas/SILVACO.
Book Synopsis Etude Des Transistors MOS Silicium-sur-isolant À Grilles Multiples Tenant en Compte de L'ingénierie de la Bande Interdite Et Des Effets D'auto-échauffement by : Marco Braccioli
Download or read book Etude Des Transistors MOS Silicium-sur-isolant À Grilles Multiples Tenant en Compte de L'ingénierie de la Bande Interdite Et Des Effets D'auto-échauffement written by Marco Braccioli and published by . This book was released on 2009 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This work focuses on the simulation of differents SOI structures. The first part manuscript is about the Monte Carlo simulation of double-gate SOI transistors featuring heterojunctions between the source/drain and the channel. The simulations pointed out a compromise between the gain in terms of provided current obtained by a larger carrier injection velocity, and the detrimental impact due to a bad electrostatic control. The second part concerns the self-heating effects of transistors fabricated in SOI technology, by simulations performed with a commercial tool. Electro-thermal simulations pointed out that self-heating originates by different ways between the different considered structures, because heat generated in the active region can be dissipated both through the contacts, the vertical direction and between adjacent devices. This paths are different for single - or double - gate transistors, of FinFETs. Then, attention has been focused on simulations of FinFET devices, featuring a gate length equal to 30 nm. Self-heating has been studied as a function of different technological parameters : source and drain extension length, buried oxied thickness, distance between adjacent fins, fin height.
Book Synopsis Étude, réalisation et caractérisation de transistors silicium sur isolant complètement désertés de longueur de grille inférieure à 25 nm by : Jérôme Lolivier
Download or read book Étude, réalisation et caractérisation de transistors silicium sur isolant complètement désertés de longueur de grille inférieure à 25 nm written by Jérôme Lolivier and published by . This book was released on 2005 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction d’échelle des transistors MOSFET se poursuit à un rythme effréné. Cependant, une alternative doit être trouvée aux dispositifs sur silicium massif qui montrent certaines limitations. Les dispositifs Complètement Désertés sur substrat SOI sont des candidats potentiels. L’objectif de ce travail est l’étude théorique, la réalisation en salle blanche et la caractérisation électrique de ces transistors, afin de montrer leur intérêt mais aussi leurs limites. Le premier chapitre est consacré à l’étude théorique par simulations quantiques des dispositifs Simple et Double Grille. Pour diminuer les résistances d’accès, la métallisation des source/drain est envisagée : une modélisation du contact métal-semiconducteur est réalisée. La réalisation technologique des briques de base est analysée dans le deuxième chapitre : par exemple la lithographie et la gravure de grilles allant jusqu’à 10nm , l’épitaxie des source/drain ; des transistors SOI complètement désertés avec des longueurs de grille descendant jusqu’à 10nm ont été fabriqués avec succès. Les résultats de caractérisation électrique de ces transistors, mais aussi de transistors à double grille sont exposés dans le dernier chapitre ; enfin, une étude à basse température met en évidence les limites en terme de transport des dispositifs les plus courts (transport balistique, effet tunnel entre la source et le drain notamment).
Book Synopsis ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT by : GUENTER.. REICHERT
Download or read book ETUDE EN HAUTE TEMPERATURE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES FABRIQUES SUR SILICIUM SUR ISOLANT written by GUENTER.. REICHERT and published by . This book was released on 1998 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJETCTIF DE CETTE THESE EST LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DES TRANSISTORS MOS-SOI COMPLETEMENT DEPLETES DANS LA GAMME DES HAUTES TEMPERATURES (25C - 300C). LE PREMIER CHAPITRE EST UN BREF RAPPEL DES PRINCIPAUX AVANTAGES DE LA TECHNOLOGIE SOI POUR DES APPLICATIONS HAUTES TEMPERATURES. UNE RELATION ENTRE LES MODELES EMPIRIQUE ET PHYSIQUE DE LA MOBILITE EFFECTIVE DES PORTEURS EST ETABLIE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. CETTE RELATION EXPLIQUE LE ROLE DE TROIS PRINCIPAUX MECANISMES DE COLLISIONS DANS LE MODELE EMPIRIQUE AINSI QUE LA VARIATION DE SES PARAMETRES AVEC LA TEMPERATURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST RELATIF A LA VARIATION DE LA TENSION DE SEUIL (V#T#1) ET DU SWING (S) AVEC LA TEMPERATURE. NOUS ETUDIONS LA SENSIBILITE A LA TEMPERATURE DE V#T#1 ET DE S EN FONCTION DE LA LONGUEUR DE CANAL, DE L'EPAISSEUR DU FILM ET DE LA POLARISATION DE LA GRILLE ARRIERE. LA DIFFERENCE ENTRE DES TRANSISTORS A CANAL D'INVERSION ET D'ACCUMULATION EST EGALEMENT DISCUTEE. DANS LE DERNIER CHAPITRE NOUS DEVELOPPONS UNE METHODE POUR L'EXTRACTION DU GAIN DU TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE. EN NOUS BASANT SUR LES VALEURS EXPERIMENTALES, NOUS PRESENTONS UN MODELE POUR LE GAIN EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DES POLARISATIONS DE DRAIN ET DE GRILLE. ENSUITE, NOUS PROPOSONS UNE TECHNIQUE POUR LA SEPARATION DES EFFETS DE CANAL COURT, DE SUBSTRAT FLOTTANT ET D'AUTO-ECHAUFFEMENT EN UTILISANT LA VARIATION DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE AVEC LA TEMPERATURE. EN CONCLUSION, NOS ETUDES ONT MONTRE QUE LA TECHNOLOGIE SOI COMPLETEMENT DEPLETEE REPOND A TOUTES LES EXIGENCES DES CIRCUITS INTEGRES HAUTES TEMPERATURES. CEPENDANT L'OPTIMISATION DES DISPOSITIFS EST INDISPENSABLE POUR GARANTIR LE FONCTIONNEMENT CORRECT DES CIRCUITS AUX TRES HAUTES TEMPERATURES.
Book Synopsis Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux en silicium by : Youssouf Guerfi
Download or read book Réalisation et caractérisation de transistors MOS à base de nanofils verticaux en silicium written by Youssouf Guerfi and published by . This book was released on 2015 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de poursuivre la réduction d'échelle des transistors MOS, l'industrie des semiconducteurs a su anticiper les limitations de la miniaturisation par l'introduction de nouveaux matériaux ou de nouvelles architectures. L'avènement des structures à triples grilles (FinFET) a permis de maitriser les effets canaux courts et poursuivre les efforts de miniaturisation (nœud technologique 14 nm en 2014). Le cas ultime pour le contrôle électrostatique de la grille sur le canal est donné par une grille entourant totalement le canal du dispositif. A cet effet, un transistor à nanofil à grille entourante est considéré comme la structure la plus adaptée pour les nœuds technologiques en dessous de 7 nm. Au cours de cette thèse, un procédé de réalisation large échelle de transistors MOSFET miniaturisés à base de nanofils verticaux en silicium a été développé. Tout d'abord, les nanofils verticaux ont été réalisés par une approche descendante via le transfert par gravure d'un masque de résine en Hydrogène Silsesquioxane (HSQ), réalisé par lithographie électronique à basse tension d'accélération. Une stratégie de dessin inédite dite "en étoile " a été développée pour définir des nanofils parfaitement circulaires. Les nanofils en Si sont obtenus par gravure plasma puis amincis par oxydation humide sacrificielle. Ce procédé permet d'obtenir des nanofils verticaux en Si avec des parois parfaitement anisotropes, une parfaite reproductibilité et un rendement maximal. L'implémentation des MOSFETs sur les réseaux nanofils a été effectuée par l'ingénierie successive de couches minces nanométriques (conductrices et diélectriques). Dans ce cadre, un procédé innovant de réalisation de couches d'isolations en HSQ par gravure chimique contrôlée a démontré une excellente planéité associée à une rugosité de surface inférieure à 2 nm. Enfin, un procédé utilisant la photolithographie UV conventionnelle a été développé pour réaliser le transistor de longueur de grille nanométrique. Ces dispositifs ont démontré d'excellentes performances électriques avec des courants de conduction supérieurs à 600 μA/μm et une excellente maîtrise des effets de canaux courts (pente sous le seuil de 95 mV/dec et DIBL à 25 mV/V) malgré l'extrême miniaturisation de la longueur de grille (15 nm). Enfin, nous présentons une première preuve de concept d'un inverseur CMOS à base de cette technologie à nanofils verticaux.
Book Synopsis Simulation numérique et modélisation des transistors MOS sur silicium sur isolant à inversion volumique by : Mohcine Benachir
Download or read book Simulation numérique et modélisation des transistors MOS sur silicium sur isolant à inversion volumique written by Mohcine Benachir and published by . This book was released on 1989 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LA PREMIERE PARTIE DE LA THESE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODE DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS SUR SILICIUM SUR ISOLANT, QUI CONSISTE DANS L'INVERSION FORTE ET TOTALE DU FILM DE SILICIUM. NOUS PRESENTONS ENSUITE LES AVANTAGES INDUITS PAR CE NOUVEAU MODE DE FONCTIONNEMENT. NOUS MONTRONS AUSSI QU'IL EST POSSIBLE D'ETABLIR, DANS LES DEUX CAS EXTREMES DE TRANSISTORS A FILM DE SILICIUM RESPECTIVEMENT TRES MINCE ET TRES EPAIS, DES MODELES ANALYTIQUES SIMPLES QUI DECRIVENT ADEQUATEMENT LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DES TMOS A VOLUME INVERSE (TMOS-VI) EN REGIME OHMIQUE. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A LA PRESENTATION DES DIVERSES TECHNIQUES NUMERIQUES ET EQUATIONS PHYSIQUES QUE NOUS AVONS RETENUES POUR LA REALISATION DU SIMULATEUR ELECTRIQUE BIDIMENSIONNEL DES STRUCTURES TMOS-SSI: ISIS II. L'OBJET DE LA TROISIEME PARTIE EST D'ILLUSTRER LES POSSIBILITES D'ETUDES PAR LA SIMULATION ELECTRIQUE DES DISPOSITIFS SSI, OFFERTES PAR ISIS II
Book Synopsis ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) by : FEDERICO.. FACCIO
Download or read book ETUDE DES TRANSISTORS MOS AVANCES SUR SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) written by FEDERICO.. FACCIO and published by . This book was released on 1997 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS ETUDIE LA PERFORMANCE ANALOGIQUE ET LE COMPORTEMENT EN ENVIRONNEMENT RADIATIF DE LA TECHNOLOGIE DURCIE HSOI3-HD EN VUE D'APPLICATIONS POUR L'ELECTRONIQUE DU LHC, FUTUR ACCELERATEUR DE PARTICULES DU CERN. CETTE TECHNOLOGIE CMOS SUR SOI N'EST PAS SENSIBLE AU LATCH-UP ET SON SEUIL DE SENSIBILITE POUR L'ALEA LOGIQUE (SEU) EST TRES ELEVE. NOUS AVONS MESURE ET ANALYSE LES EFFETS DE LA DOSE INTEGREE SUR LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DES TRANSISTORS, ET VERIFIE QUE LE DURCISSEMENT JUSQU'A 25 MRAD EST SATISFAISANT POUR LES APPLICATIONS VISEES. LES EFFETS DES IRRADIATIONS AVEC PROTONS ET NEUTRONS ONT ETE MESURES, ET MONTRENT QUE LES EFFETS D'IONISATION DOMINENT SUR LES EFFETS DE DEPLACEMENT PROVOQUES PAR CES PARTICULES. LORS DE L'ETUDE DU BRUIT, NOUS AVONS OBSERVE UNE COMPOSANTE ADDITIONNELLE QUI APPARAIT DANS LE SPECTRE ET SE SUPERPOSE AUX SOURCES DE BRUIT 1/F ET BLANC. CETTE COMPOSANTE SE PRESENTE COMME UNE BOSSE QUI SE DEPLACE EN AMPLITUDE ET FREQUENCE EN FONCTION DE LA POLARISATION DU SUBSTRAT ET DU FILM (BODY). LE MODELE QUE NOUS PROPOSONS SUR SON ORIGINE MET EN JEU LA RESISTANCE DU FILM, QUI GENERE UN BRUIT BLANC FILTRE PAR LA CAPACITE CONSTITUEE PAR LES GRILLES DE FACE AVANT ET DE FACE ARRIERE DU TRANSISTOR. LE BRUIT DE LA RESISTANCE EST TRANSMIS EN COURANT AU DRAIN, ET ATTENUE A PARTIR DE LA FREQUENCE DE COUPURE DU FILTRE. NOUS PRESENTONS UNE SERIE DE VERIFICATIONS EXPERIMENTALES DE CE MODELE, REALISEES SUR DES STRUCTURES SPECIALEMENT CONCUES. UN CIRCUIT CONVERTISSEUR NON LINEAIRE A 11 BITS DE DYNAMIQUE, FONCTIONNANT A 5 MHZ AVEC UNE CONSOMMATION INFERIEURE A 50 MW, A ETE CONCU ET FABRIQUE. L'IRRADIATION A 10 MRAD A COMPROMIS LE FONCTIONNEMENT CORRECT DU CIRCUIT, CE QUI N'EST PAS EXPLICABLE A PARTIR DES MESURES STATISTIQUES SUR LES TRANSISTORS FABRIQUES EN MEME TEMPS. IL SEMBLE DONC NECESSAIRE, DANS L'EVALUATION DU DURCISSEMENT D'UNE TCHNOLOGIE, DE PASSER PAR UNE PHASE DE QUALIFICATION DES CIRCUITS TYPIQUES DE L'APPLICATION SOUHAITEE.
Book Synopsis Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant by : Hachemi Serghir
Download or read book Contribution au développement des techniques de caractérisation électrique des matériaux et des dispositifs silicium sur isolant written by Hachemi Serghir and published by . This book was released on 1995 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A LA MODELISATION DES MATERIAUX ET DES DISPOSITIFS SILICIUM SUR ISOLANT (SOI). DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS PRESENTONS LES DIFFERENTES TECHNOLOGIES DES SUBSTRATS SOI ET LEUR INTERET POUR LA MICROELECTRONIQUE. NOUS RAPPELONS ENSUITE LES PHENOMENES SPECIFIQUES DES TRANSISTORS MOS FABRIQUES SUR CES SUBSTRATS. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE A LA MODELISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN PSEUDO-TRANSISTOR MOS REALISE SUR UN SUBSTRAT SIMOX. LE GRAND NOMBRE DE PARAMETRES ELECTRIQUES ET TECHNOLOGIQUES DETERMINE EST SUFFISANT POUR L'OPTIMISATION DU MATERIAU SOI ET POUR AVOIR UNE IDEE PREALABLE SUR LES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS A REALISER SUR CES SUBSTRATS. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA TECHNIQUE DU COURANT DE POMPAGE DE CHARGE ET LA MESURE DU COURANT DE FUITE SONT UTILISEES POUR MODELISER ET CARACTERISER LA DIODE CONTROLEE PAR GRILLE. LA MESURE DE CES DEUX COURANTS ELECTRIQUES PERMET LA DETERMINATION DES DEFAUTS EN VOLUME DE LA COUCHE DE SI ET AUX DEUX INTERFACES SI/SIO2. LE PHENOMENE DE COUPLAGE D'INTERFACES EST ILLUSTRE SUR PLUSIEURS CARACTERISTIQUES DES DEUX COURANTS. LE DERNIER CHAPITRE TRAITE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS MOS SUR SOI. NOUS MONTRONS QUE LES CARACTERISTIQUES DE CES TRANSISTORS ET EN PARTICULIER LES TMOS TOTALEMENT DESERTES SONT MOINS DEGRADES AVEC LA TEMPERATURE QUE CELLES DES TRANSISTORS SUR SUBSTRATS MASSIFS. NOUS PROPOSONS DES RELATIONS EMPIRIQUES GOUVERNANT LA VARIATION DE CERTAINS PARAMETRES DU TRANSISTOR AVEC LA TEMPERATURE
Book Synopsis Modélisation et simulation numérique des nano-transistors multi-grilles à matériaux innovants by : Mathieu Moreau
Download or read book Modélisation et simulation numérique des nano-transistors multi-grilles à matériaux innovants written by Mathieu Moreau and published by . This book was released on 2010 with total page 207 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant by : Eric Mazaleyrat
Download or read book Contribution à la modélisation des transistors MOS silicium sur isolant written by Eric Mazaleyrat and published by . This book was released on 1988 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DES DISPOSITIFS MOS AU SUBSTRAT ISOLANT. APRES UNE ANALYSE DES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DE CETTE TECHNOLOGIE PAR RAPPORT A CELLES SUR SUBSTRAT MASSIF, L'AUTEUR ETUDIE A L'AIDE DE SIMULATEURS NUMERIQUES, LE COMPORTEMENT INTERNE DE LA STRUCTURE A DESERTION PROFONDE. UNE COMPARAISON ENTRE LE SOI DE TYPE SIMOX ET LE SOS EST DEVELOPPEE. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES ENTRANT EN JEU DANS LES DIODES CONTROLLEES PAR GRILLE, PERMET D'ELABORER UN MODELE PRECIS DE TRANSISTOR MOS
Book Synopsis Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube by : Johnny Goguet
Download or read book Contribution à la modélisation physique et électrique compacte du transistor à nanotube written by Johnny Goguet and published by . This book was released on 2009 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Selon l'ITRS, le transistor à nanotube de carbone est une des alternatives prometteuses au transistor MOS Silicium notamment en termes de taille de composant et d'architectures de circuits innovantes. Cependant, à l'heure actuelle, la maturité des procédés de fabrication de ces technologies ne permet pas de contrôler finement les caractéristiques électriques. C'est pourquoi, nous proposons un modèle compact basé sur les principes physiques qui gouvernent le fonctionnement du transistor à nanotube. Cette modélisation permet de lier les activités technologiques à celles de conception de circuit dans le contexte de prototypage virtuel. Pour peu qu'elle inclut des paramètres reflétant la variation des procédés, il est alors possible d'estimer les performances potentielles des circuits intégrés. Le transistor à nanotube de carbone à modulation de hauteur de barrière (C-CNFET), i.e. « MOS-like », est modélisé analytiquement en supposant le transport balistique des porteurs dans le canal. Le formalisme de Landauer est utilisé pour décrire le courant modulé par le potentiel du canal calculé de façon auto-cohérente avec la charge associée selon le potentiel appliqué sur la grille. Le modèle du transistor à nanotube de carbone double grille, DG-CNFET est basé sur celui du C-CNFET. Ce transistor est de type N ou P selon la polarisation de la grille supplémentaire. Ce transistor est modélisé de manière similaire pour les 3 régions : la partie interne modulée par la grille centrale, et les accès source et drain modulés par la grille arrière. La charge, plus complexe à calculer que celle du C-CNFET, est résolue analytiquement en considérant différentes plages de polarisation et d'énergie. Le modèle du DG-CNFET a été mis en œuvre dans le cadre d'architectures de circuits électroniques innovants : une porte logique à 2 entrées comportant 7 transistors CNFET dont 3 DG-CNFET pouvant, selon la polarisation des 3 entrées de configuration, réaliser 8 fonctions logiques différentes.
Book Synopsis Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique by : Dae-Young Jeon
Download or read book Caractérisation électrique de transistors sans jonctions avec simulation numérique written by Dae-Young Jeon and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS), la longueur physique de la grille, a diminué à un rythme régulier. Cette évolution, motivée par des raisons économiques, a été anticipée par G. Moore, et est de ce fait connue sous le nom de "loi de Moore". La dimension de grille a d'ores et déjà été réduite de plus de 2 ordres de grandeur et, dans son édition2012, l'association ITRS prédit qu'elle décroîtra encore, de 22nm en 2011 à environ 6nm en 2026 [1].Toutefois, cette réduction des dimensions fait apparaître un certain nombre d'effets secondaires qui altèrent le fonctionnement idéal des transistors MOS [2].
Book Synopsis Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator) by : Antoine Litty
Download or read book Conception, fabrication, caractérisation et modélisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avancée SOI (Silicon-On-Insulator) written by Antoine Litty and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A l'heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la technologie FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) s'impose comme une alternative pour l'industrie en raison de ses meilleures performances. Dans cette technologie, l'utilisation d'un substrat SOI ultramince améliore le comportement des transistors MOSFETs et garantit leur intégrité électrostatique pour des dimensions en deçà de 28nm. Afin de lui intégrer de nouvelles fonctionnalités, il devient nécessaire de développer des applications dites « haute tension » comme les convertisseurs DC/DC, les régulateurs de tension ou encore les amplificateurs de puissance. Cependant les composants standards de la technologie CMOS ne sont pas capables de fonctionner sous les hautes tensions requises. Pour répondre à cette limitation, ces travaux portent sur le développement et l'étude de transistors MOS haute tension en technologie FDSOI. Plusieurs solutions sont étudiées à l'aide de simulations numériques et de caractérisations électriques : l'hybridation du substrat (gravure localisée de l'oxyde enterré) et la transposition sur le film mince. Une architecture innovante sur SOI, le Dual Gound Plane EDMOS, est alors proposée, caractérisée et modélisée. Cette architecture repose sur la polarisation d'une seconde grille arrière pour offrir un compromis RON.S/BV prometteur pour les applications visées.
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés by : Emmanuel Rauly
Download or read book Modélisation et simulation numérique des propriétés électriques des transistors MOS-SOI avancés written by Emmanuel Rauly and published by . This book was released on 1999 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE A POUR BUT DE METTRE EN EVIDENCE ET DE MIEUX COMPRENDRE A L'AIDE DE LA SIMULATION NUMERIQUE ET DE LA MODELISATION ANALYTIQUE LES PRINCIPAUX PHENOMENES PHYSIQUES POUVANT SE PRODUIRE DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI SUB-0.1 M. LE PREMIER CHAPITRE EST UNE INTRODUCTION SUR LES PHENOMENES EXISTANT DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI PARTIELLEMENT ET COMPLETEMENT DESERTES ET/OU A FILM EXTREMEMENT MINCE DE SILICIUM. DANS CE CHAPITRE, ON DETAILLE AUSSI LE FONCTIONNEMENT DU LOGICIEL (ATLAS) AINSI QUE LES DIFFERENTS MODELES EXISTANTS. LE DEUXIEME CHAPITRE EST UNE ETUDE APPROFONDIE DES EFFETS LIES A L'INTRODUCTION DE L'OXYDE ENTERRE (EFFETS D'AUTO-ECHAUFFEMENT, KINK ET TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE). PAR AILLEURS, UN MODELE D'AUTO-ECHAUFFEMENT, VALIDE PAR L'EXPERIENCE, EST PROPOSE POUR LES TRANSISTORS MOS-SOI PARTIELLEMENT ET COMPLETEMENT DESERTES. LE CHAPITRE 3 DONNE DES SOLUTIONS POUR MINIMISER LES EFFETS DE CANAUX COURTS (DIBL ET PARTAGE DE CHARGES) ET LES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS-SOI DESCENDANT JUSQU'A 0.05 M DE LONGUEUR DE GRILLE. ENFIN, L'OPTIMISATION DES PERFORMANCES DES TRANSISTORS MOS-SOI SUB-0.1 M EST EFFECTUEE DANS LE CHAPITRE 4. LA TENSION DE SEUIL EST AMELIOREE EN UTILISANT UNE GRILLE MID-GAP. PAR AILLEURS, LE FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS SOI A FILM ULTRA-MINCE DE SILICIUM ET/OU FAIBLEMENT DOPE EST ETUDIE. L'ACCUMULATION DE L'INTERFACE ARRIERE PERMET AUSSI D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES TELS QUE LA PENTE EN FAIBLE INVERSION OU L'EFFET DIBL. FINALEMENT, LE COMPOSANT DONNANT LES MEILLEURES PROPRIETES ELECTRIQUES DANS LE DOMAINE SUB-0.1 M (PENTE SOUS LE SEUIL IDEALE, COURANT DE FUITE REDUIT, COURANT DE FONCTIONNEMENT IMPORTANT, EFFETS DE CANAUX COURTS ET DE PORTEURS CHAUDS REDUITS,) EST LE TRANSISTOR MOS-SOI A DOUBLE GRILLE A INVERSION VOLUMIQUE.
