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Caracterisation Et Modelisation Des Transistors Microondes Application A Letude De La Linearite Des Amplificateurs A Fort Rendement
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Book Synopsis Caractérisation et modélisation des transistors microondes, application à l'étude de la linéarité des amplificateurs à fort rendement by : Stéphane Augaudy
Download or read book Caractérisation et modélisation des transistors microondes, application à l'étude de la linéarité des amplificateurs à fort rendement written by Stéphane Augaudy and published by . This book was released on 2002 with total page 223 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les transistors hyperfréquences à effet de champ ou bipolaires sont les composants essentiels des circuits de télécommunication. Leur comportement est fondamentalement non-linéaire, de nombreux phénomènes régissent leur fonctionnement. Après une déscription de différents effets les caractérisant, notamment les effets à dynamique lente de la température et des pièges, nous proposons un ensemble de moyens de mesure et d'outils de modélisation pour concevoir des représentations mathématiques des transistors intégrant différents effets non-linéaires. Nous utilisons ces modèles de transistors dans la CAO des circuits microondes. Les signaux porteurs d'informations des systèmes de télécommunications résultent de modulations complexes; nous simulons la réponse des non-linéarités des transistors intégrés dans les amplificateurs microondes soumis à ces signaux. Les différentes constantes de temps des non-linéarités rapides et lentes des transistors et les réponses basse fréquence des circuits de polarisation interagissent dynamiquement et génèrent des signaux de mélanges et d'intermodulations. Les résultats des simulations sont confirmés par différentes mesures de linéarité: C/I, ACLR. Dans le cadre de la téléphonie mobile de 3ème génération, nous analysons les compromis pour concilier la linéarité et le rendement de l'amplificateur microonde de puissance. L'impact du choix des signaux de test est analysé, certains choix favorisent ou masquent particulièrement un effet non-linéaire. Nous quantifions un à un les effets de différents phénomènes non-linéaires ou réglages du circuit sur les paramètres finaux de rendement et de linéarité de l'amplificateur. Les interactions non-linéaires dynamiques entre différents phénomènes sont ainsi mises en évidence.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde by : Christophe Charbonniaud
Download or read book Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde written by Christophe Charbonniaud and published by . This book was released on 2005 with total page 191 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de cette étude est d’évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l’amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l’aide d’un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors facilement implémentable dans les logiciels de C.A.O. des circuits. Après un passage en revue des différentes technologies disponibles sur le marché pour l’amplification de puissance, les transistors HEMTs grand gap à base de Nitrures de Gallium apparaissent comme des candidats naturels pour ces applications (Figures de mérites de Johnson, ...). Cependant, ces transistors plus que prometteurs ne sont pas exempts de défauts. En effet, plusieurs phénomènes limitatifs inhérents à la technologie GaN, à savoir l’auto-échauffement et les effets des pièges, doivent être pris en compte lors de la conception des circuits micro-ondes. Une étude de ces différents effets limitatifs en terme de puissance est effectuée. Enfin, un modèle non-linéaire électrothermique d’un transistor HEMT 8x125 μm est présenté, et validé à l’aide de deux banc de mesures fonctionnelles (banc Load-Pull et banc LSNA).
Book Synopsis Conception et réalisation d'amplificateurs de puissance micro-ondes à l'état solide et à fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X by : Marc Zoyo
Download or read book Conception et réalisation d'amplificateurs de puissance micro-ondes à l'état solide et à fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X written by Marc Zoyo and published by . This book was released on 1996 with total page 233 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)
Book Synopsis Modélisation non-linéaire de transistors microondes by : Jean-Pierre Viaud
Download or read book Modélisation non-linéaire de transistors microondes written by Jean-Pierre Viaud and published by . This book was released on 1996 with total page 328 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS MICROONDES, APPLIQUEE A LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. APRES UN RAPIDE TOUR D'HORIZON DES TRANSISTORS DE PUISSANCE UTILISABLES AUX FREQUENCES MICROONDES, NOUS PRESENTONS UN EQUIPEMENT DE TEST, BASE SUR LA TECHNIQUE DE MESURES EN IMPULSIONS. CETTE METHODE DE CARACTERISATION PERMET D'OBTENIR AVEC PRECISION LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MICROONDES. ENSUITE, LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION EST TRAITEE D'UNE MANIERE DETAILLEE DANS CE MEMOIRE. NOUS TROUVERONS ENTRE AUTRES, UNE ETUDE DES NON LINEARITES DES TRANSISTORS EN FONCTION DES COMMANDES APPLIQUEES, AINSI QUE DIFFERENTES METHODES POUR LA RECHERCHE ET L'OBTENTION DES PARAMETRES D'UN MODELE, APPLIQUEES A CHAQUE TYPE DE TRANSISTOR. LES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DISTRIBUE LARGE BANDE A TBH SONT PRESENTEES. CET AMPLIFICATEUR A ETE OPTIMISE EN PUISSANCE DANS LA BANDE DE FREQUENCE 2-8 GHZ, A PARTIR DES MODELES NON LINEAIRES MIS AU POINT DANS CE MEMOIRE, ET A FOURNI UNE PUISSANCE DE SORTIE DE 27.5 DBM
Book Synopsis Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement by : Alain Mallet
Download or read book Optimisation des conditions de fonctionnement du transitor bipolaire à hétérojonction pour l'amplification de puissance à haut rendement written by Alain Mallet and published by . This book was released on 1996 with total page 253 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Book Synopsis Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ by : Alban Laloue
Download or read book Modélisation non linéaire distribuée des transistors à effet de champ written by Alban Laloue and published by . This book was released on 2001 with total page 227 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.
Book Synopsis Etude et conception d'un système de caractérisation fonctionnelle multiharmonique des transistors de puissance RF et microondes. Application à la mise en oeuvre expérimentale de classes de fonctionnement à haut rendement by : Fabrice Blache
Download or read book Etude et conception d'un système de caractérisation fonctionnelle multiharmonique des transistors de puissance RF et microondes. Application à la mise en oeuvre expérimentale de classes de fonctionnement à haut rendement written by Fabrice Blache and published by . This book was released on 1995 with total page 279 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE ET LA CONCEPTION D'UN SYSTEME DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE FONCTIONNELLE MULTIHARMONIQUE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE CONSTITUENT LE THEME ESSENTIEL DE CE MEMOIRE. LE SYSTEME DEVELOPPE REPOSE SUR L'UTILISATION DE LA TECHNIQUE DE LA BOUCLE ACTIVE ETENDUE AUX TROIS PREMIERES FREQUENCES HARMONIQUES. L'ORIGINALITE DU SYSTEME RESIDE DANS LE FAIT QU'A LA FREQUENCE FONDAMENTALE, IL COMBINE LA TECHNIQUE DE LA BOUCLE ACTIVE AVEC LA TECHNIQUE DE LA DESADAPTATION PASSIVE RESIDUELLE. LA REPARTITION DES IMPEDANCES DE CHARGE A FO EST ALORS NATURELLEMENT FOCALISEE DANS LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT SOUS TEST, LIMITANT AINSI CONSIDERABLEMENT LES RISQUES DE DETERIORATION DE CELUI-CI. CETTE TECHNIQUE PERMET LA MISE EN UVRE D'UNE METHODOLOGIE EFFICACE D'OPTIMISATION EXPERIMENTALE DES CLASSES DE FONCTIONNEMENT A HAUT RENDEMENT DES TRANSISTORS RF ET MICROONDES
Book Synopsis Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction by : Thierry Peyretaillade
Download or read book Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction written by Thierry Peyretaillade and published by . This book was released on 1997 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, PROPOSE PAR LE C.N.E.S., RENTRE DANS LE CONTEXTE D'UNE ACTION R&D DESTINEE A DEMONTRER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LE TBH. DANS LE BUT DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN TECHNOLOGIE M.M.I.C., UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DU TBH A ETE DEVELOPPE. LA DETERMINATION DE CE MODELE REPOSE SUR UNE CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DU TRANSISTOR PERMETTANT D'OBTENIR LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DE SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION. UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DE TBH TENANT COMPTE DES EFFETS NON QUASI STATIQUES DU TRANSISTOR A ETE DETERMINE. APRES UNE VALIDATION DU MODELE SUR DIFFERENTS ECHANTILLONS ET SUR LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT DE TYPE CLASSE F EN BANDE S, NOUS AVONS ETUDIE LE PHENOMENE D'INSTABILITE THERMIQUE (EFFET CRUNCH) APPARAISSANT DANS LES TRANSISTORS MULTIDOIGTS. FINALEMENT, LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN BANDE X EST ETUDIEE. CETTE ETUDE A ETE INTEGRALEMENT CONDUITE A PARTIR DE L'UTILISATION CONJOINTE DU MODELE NON LINEAIRE ET DES LOGICIELS DE C.A.O. LA QUALITE DES RESULTATS OBTENUS DES LA PREMIERE FABRICATION, VALIDE LE MODELE DEVELOPPE ET TEMOIGNE DE L'EFFICACITE DE LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION EMPLOYEE.
Book Synopsis Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction by : Jean-Philippe Fraysse
Download or read book Modélisation non linéaire des transistors bipolaires hétérojonction written by Jean-Philippe Fraysse and published by . This book was released on 1999 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA MODELISATION NON-LINEAIRE DU TBH, APPLIQUEE A L'ETUDE ET A L'OPTIMISATION DU MONTAGE CASCODE POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE LARGE BANDE. LE PREMIER CHAPITRE DEBUTE PAR UNE PRESENTATION RAPIDE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR BIPOLAIRE ET IDENTIFIE LES AVANTAGES ET INCONVENIENTS DES DIFFERENTES FILIERES DE CE TRANSISTOR. CECI EST POURSUIVI PAR UNE ETUDE BIBLIOGRAPHIQUE PORTANT SUR LES TRANSISTORS ET LES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE DE LA BANDE L A LA BANDE KA, AFIN DE CONFIRMER LES POTENTIALITES DU TBH GAAS VIS A VIS DES AUTRES FILIERES DE TRANSISTORS POUR LES APPLICATIONS DE PUISSANCE. LE SECOND CHAPITRE EST ALORS CONSACRE A LA PRESENTATION D'UN MODELE NON LINEAIRE, NON-QUASI-STATIQUE ET ELECTRO-THERMIQUE DU TBH GAAS. LES DIFFERENTES ETAPES PERMETTANT DE L'OBTENIR, AINSI QUE SA VALIDATION A TRAVERS DIFFERENTES MESURES EN PUISSANCE SONT PRESENTEES. DANS LE TROISIEME CHAPITRE, LA MISE EN EVIDENCE DE CORRELATIONS EXISTANTES ENTRE LES PERFORMANCES DES AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE ET CELLES DES CELLULES ELEMENTAIRES QUI LES COMPOSENT, CONDUISENT A METTRE EN AVANT LES AVANTAGES DU MONTAGE CASCODE POUR CE TYPE D'APPLICATION. L'OPTIMISATION DE CE MONTAGE, ABOUTIT ALORS A LA PRESENTATION DES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION ET DES PREMIERES MESURES DE DEUX AMPLIFICATEURS DISTRIBUES DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC. LE PREMIER SIMULE DANS LA BANDE 4.5-18GHZ, MONTRE L'INTERET D'UTILISER LE MONTAGE CASCODE POUR DISPOSER D'UN GAIN SUFFISANT A 18GHZ, LORS DE LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A BASE DE TBH. LES PREMIERES MESURES EN IMPULSION DU DEUXIEME AMPLIFICATEUR, CONFIRMENT POUR LEUR PART, LES DIFFERENTS ARGUMENTS PLAIDANT EN FAVEUR DU MONTAGE CASCODE POUR LES APPLICATIONS LARGES BANDES DE FORTE PUISSANCE. LA PUISSANCE DE SORTIE MESUREE SUR LA BANDE 2-8GHZ EST EN EFFET PROCHE DE 2W, AVEC UN GAIN ASSOCIE MOYEN DE 8DB ET UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE MOYEN DE 24%.
Book Synopsis Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ et d'amplificateurs pour des applications de puissance à haute linéarite en bandes K et Ka by : Xavier Hue
Download or read book Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ et d'amplificateurs pour des applications de puissance à haute linéarite en bandes K et Ka written by Xavier Hue and published by . This book was released on 2000 with total page 222 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'essor des applications multimedia, fonctionnant en bandes k et ka necessite le developpement d'amplificateurs de puissance lineaires. La technologie qui a repondu et qui repond encore de nos jours aux applications a tres forte puissance dans le domaine des hyperfrequences est celle des amplificateurs a tubes a ondes progressives. Cependant, les contraintes de linearite imposees par les applications a fort debits nous conduisent vers l'utilisation d'amplificateurs a l'etat solide. Nous developpons dans ce memoire l'etude de transistors a effet de champ (phemt et hfet sur substrat gaas) dedies a la realisation d'amplificateurs de puissance a haute linearite a 19 ghz. L'originalite de ce travail repose sur l'obtention d'un profil de gm aussi plat que possible en fonction de vgs et d'une forte densite de courant de drain afin de pouvoir satisfaire aux deux criteres : puissance et linearite.
Book Synopsis Contribution à la modélisation microonde des transistors à effet de champ sur Arseniure de Gallium soumis à un flux lumineux by : Jean-Luc Gautier
Download or read book Contribution à la modélisation microonde des transistors à effet de champ sur Arseniure de Gallium soumis à un flux lumineux written by Jean-Luc Gautier and published by . This book was released on 1987 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES VARIATIONS DES ELEMENTS DU MODELE ELECTRIQUE EQUIVALENT EN FONCTION DE LA PUISSANCE LUMINEUSE SONT PRESENTEES, ELLES MONTRENT QUE SEUL UN PETIT NOMBRE D'ENTRE EUX SUBISSENT UNE VARIATION SIGNIFICATIVE. LA POSSIBILITE DE COMMANDE DE LA FREQUENCE D'UN OSCILLATEUR PAR UN FLUX LUMINEUX EST MONTREE THEORIQUEMENT ET VERIFIEE EXPERIMENTALEMENT. L'ETUDE ET LA REALISATION DE DEUX AMPLIFICATEURS A BANDE ETROITE PERMETTENT DE METTRE EN EVIDENCE LA COMMANDE DU GAIN PAR LA LUMIERE AVEC UNE DYNAMIQUE POUVANT ATTEINDRE 20 DB
Book Synopsis MODELISATION EN SIGNAL ET EN BRUIT DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES. APPLICATION by : ABDOLALI.. ABDIPOUR
Download or read book MODELISATION EN SIGNAL ET EN BRUIT DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES. APPLICATION written by ABDOLALI.. ABDIPOUR and published by . This book was released on 1996 with total page 225 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NECESSITE DE PREVOIR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES (MESFET, HEMT) POUR DES FREQUENCES DE PLUS EN PLUS ELEVEES, CONDUIT A LA RECHERCHE DE MODELES ELECTRIQUES DECRIVANT DE MANIERE FINE LE COMPORTEMENT DU COMPOSANT. DANS CETTE DIRECTION, NOUS PRESENTONS L'ETUDE D'UN MODELE DE FET DISTRIBUE UTILISABLE AUX FREQUENCES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES POUR LES APPLICATIONS DES AMPLIFICATEURS M(H)MIC. CE MODELE CONSIDERE LES 3 ELECTRODES (SOURCE GRILLE ET DRAIN) COMME 3 LIGNES DE PROPAGATION COUPLEES ENTRE ELLES. ON PROPOSE UNE PROCEDURE SYSTEMATIQUE DE MODELISATION TANT AU POINT DE VUE SIGNAL (SCHEMA EQUIVALENT EN PETITS SIGNAUX), QU'AU POINT DE VUE BRUIT (DETERMINATION DES PARAMETRES DE BRUIT) DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DESTINES A FONCTIONNER DANS LA BANDE DES ONDES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES. ON PREND EN COMPTE LES PHENOMENES DE PROPAGATION DANS LES ELECTRODES DU TRANSISTOR EN CONSIDERANT UNE MODELISATION SEMI-DISTRIBUEE (DECOUPAGE EN TRANCHES), CETTE MODELISATION CONSTITUANT, AVEC UN NOMBRE DE TRANCHES SUFFISANT, UNE TRES BONNE APPROXIMATION DE MODELISATION DISTRIBUEE EXACTE. A L'AIDE DE LA MATRICE DE CORRELATION, ON PRESENTE AUSSI LA C.A.O NECESSAIRE A LA MODELISATION SIMULTANEE SIGNAL-BRUIT (ELECTRIQUE ET THERMIQUE) ET A L'ETUDE DES CONFIGURATIONS OPTIMALES DE CE COMPOSANT ET DES TRANSISTORS A ONDES PROGRESSIVES (TWFET)
Book Synopsis Modèles non linéaires distribués des transistors à effet de champ by : Benoît Mallet-Guy
Download or read book Modèles non linéaires distribués des transistors à effet de champ written by Benoît Mallet-Guy and published by . This book was released on 1999 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICROONDES. DEUX NOUVELLES APPROCHES DE MODELISATION SONT PRESENTEES. ELLES S'APPUIENT TOUTES LES DEUX SUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU TRANSISTOR. DANS LA PREMIERE, LE CANAL EST REPRESENTE PAR UNE LIGNE DE TRANSMISSION ACTIVE. LE MODELE NON LINEAIRE RESULTANT A MONTRE, LORS DE SA VALIDATION PAR DES MESURES DU TYPE LOAD-PULL, UNE REELLE AMELIORATION A REPRODUIRE LE MECANISME DE SATURATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE. LE DEUXIEME MODELE PRESENTE DANS CE MANUSCRIT UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE.
Book Synopsis Modélisation non-linéaire et en bruit de composants micro-ondes pour applications à faible bruit de phase by : Sébastien Gribaldo
Download or read book Modélisation non-linéaire et en bruit de composants micro-ondes pour applications à faible bruit de phase written by Sébastien Gribaldo and published by . This book was released on 2008 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse présente tout d'abord le travail effectué sur la modélisation non-linéaire et en bruit d'amplificateurs micro-ondes à base de transistors SiGe appliquée à la conception d'oscillateurs à très haute pureté spectrale. Le but de ce travail est principalement de comprendre comment modéliser le bruit dans ces transistors en fonctionnement non-linéaire afin de calculer de façon précise le niveau de bruit de phase des amplificateurs utilisés dans une boucle d'oscillation. Cette modélisation fine nous permet de concevoir un amplificateur en bande X présentant une performance en bruit de phase très intéressante pour une application d'oscillateur. Un autre problème concerne l'application de ces mêmes techniques de caractérisation et de modélisation aux résonateurs FBAR et SMR. Ces résonateurs sont utilisés depuis peu et apportent cependant leur propre contribution de bruit au système, et doivent faire l'objet d'une approche de modélisation non-linéaire et en bruit. Ce manuscrit de thèse présente tout d'abord les différentes techniques de mesure de bruit des composants actifs. Il décrit ensuite des techniques de modélisation de composants en régime non-linéaire et en bruit. La conception et l'optimisation d'un amplificateur à faible bruit de phase est ensuite détaillée. Enfin, les techniques de mesures et de modélisation précédemment décrites sont appliquées aux résonateurs SMR et FBAR afin d'extraire leur contributions en bruit, ainsi qu'un modèle non-linéaire et en bruit de ces composants. Ce travail démontre ainsi la faisabilité d'une modélisation fine du bruit en régime non-linéaire utile pour concevoir et optimiser des sources stables ou ultrastables.
Book Synopsis Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO by : Tony Gasseling
Download or read book Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO written by Tony Gasseling and published by . This book was released on 2003 with total page 229 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load pull. Il est ainsi montré qu'un banc load pull fonctionnant en mode pulsé permet de participer à la validation des technologies utilisées pour la génération de fortes puissances aux fréquences microondes (Bande S). Cette étape permet également de valider fortement les modèles non linéaires électrothermiques des transistors développés à cet effet. Dans le domaine millimétrique, l'amplification de puissance sous contrainte de rendement et de linéarité est à l'heure actuelle un des points critiques du fait des faibles réserves de gain proposées. Dans ce contexte, le développement d'un banc source et load pull actif fonctionnant en bande K et permettant de déterminer les conditions optimales de polarisation et d'adaptation pour l'obtention du meilleur compromis rendement/linéarité se révèle être de première importance pour la conception optimisée d'amplificateur. Enfin, une nouvelle technique de caractérisation dédiée à l'extraction des quatre paramètres S à chaud en environnement load pull est proposée. Une application de cette nouvelle caractérisation a ainsi permis de prédire les oscillations paramétriques hors bande pouvant apparaître en fonction des conditions opératoires lorsque le transistor fonctionne en régime fort signal
Book Synopsis Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale by : Jacques Verdier
Download or read book Etude et modélisation des transistors à effet de champ microondes à basse température. Application à la conception d'oscillateurs à haute pureté spectrale written by Jacques Verdier and published by . This book was released on 2005 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DU TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE EST DE DEFINIR UNE METHODE RIGOUREUSE DE CONCEPTION D'OSCILLATEURS A FAIBLE BRUIT DE PHASE A BASE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (MESFET, HEMT ET HEMT PSEUDOMORPHIQUE) DANS LE CAS OU LE TRANSISTOR ET LE RESONATEUR SONT SIMULTANEMENT REFROIDIS A DES TEMPERATURES CRYOGENIQUES. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS UNE CARACTERISATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DIFFERENTS TYPES DE TEC A LA TEMPERATURE DE L'AZOTE LIQUIDE. NOUS INSISTONS PARTICULIEREMENT SUR LES MECANISMES DE PIEGEAGE-DEPIEGEAGE SUR DES CENTRES PROFONDS ET NOUS PROPOSONS UNE METHODE PERMETTANT DE S'AFFRANCHIR DU PHENOMENE DE COLLAPSE QUI EST L'INCONVENIENT MAJEUR AU FONCTIONNEMENT DU COMPOSANT REFROIDI. NOUS AVONS PU ALORS, A PARTIR DE MESURES DE PARAMETRES S ET IMPULSIONNELLES, EXTRAIRE UN MODELE FORT SIGNAL POUR CHAQUE TRANSISTOR. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, NOUS ETUDIONS LES MECANISMES DE CONVERSION DU BRUIT BASSE FREQUENCE EN BRUIT DE PHASE DANS LES OSCILLATEURS A BASE DE TEC. NOUS EXAMINONS TOUT D'ABORD L'INFLUENCE DU SIGNAL MICROONDE SUR L'AMPLITUDE ET LA FORME DES SPECTRES DE BRUIT BASSE FREQUENCE. NOUS ANALYSONS ENSUITE LES FLUCTUATIONS DE FREQUENCE DE L'OSCILLATEUR A PARTIR DU PRODUIT DU BRUIT BASSE FREQUENCE DU TEC ET DU FACTEUR DE PUSHING. L'INCAPACITE DE CETTE METHODE POUR DES TENSIONS DE POLARISATION DE GRILLE OU LE FACTEUR DE PUSHING DECROIT JUSQU'A LA VALEUR NULLE EST ALORS CLAIREMENT MONTRE. EN CONSEQUENCE, NOUS PRESENTONS UN NOUVEAU MODELE NON-LINEAIRE DE TEC UTILISANT DEUX SOURCES DE BRUIT NON CORRELEES RENDANT COMPTE DES EFFETS DISTRIBUES LE LONG DE LA REGION ACTIVE DU COMPOSANT. LA DERNIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACREE A LA REALISATION ET A LA CARACTERISATION D'UN OSCILLATEUR CRYOGENIQUE A BASE DE TEC.
Book Synopsis Analyse et modélisation non linéaire du Mestec by : Monique Lajugie
Download or read book Analyse et modélisation non linéaire du Mestec written by Monique Lajugie and published by . This book was released on 1988 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire présente une bibliographie des méthodes d'analyse non linéaire utilisables pour la simulation de circuits microondes. Nous développons ensuite un modèle non linéaire de MESTEC, basé sur une description analytique de son comportement électrique. Les mesures électriques nécessaires à la caractérisation des paramètres du modèle sont décrites. L'intégration du modèle dans un logiciel d'analyse temporelle est effectuée. Le modèle implanté est validé en régime fort signal par une comparaison avec des résultats expérimentaux (mesures de "load-pull"). Les caractéristiques de sortie du MESTEC nécessaires à la conception d'amplificateurs de puissance sont alors déterminées par le calcul. Nous décrivons une méthode conduisant à la réalisation de deux amplificateurs : un amplificateur 0,4 W dans la bande 4,5 - 18 GHz; un amplificateur 1 W dans la bande 4-18 GHz.
