Author : Valérie Berland
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 322 pages
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Book Synopsis Analyse électrique des dégradations induites par radiations ionisantes sur des transistors MOS by : Valérie Berland
Download or read book Analyse électrique des dégradations induites par radiations ionisantes sur des transistors MOS written by Valérie Berland and published by . This book was released on 1992 with total page 322 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES EFFETS DES RAYONS X SUR LES STRUCTURES MOS SE MATERIALISENT PAR LA CREATION DE CHARGES DANS L'OXYDE ET DE DEFAUTS D'INTERFACE. CES DEGRADATIONS SONT EVALUEES SUR DES TRANSISTORS MOS DE TECHNOLOGIE SILICIUM SUR ISOLANT (SOI/SIMOX) ET SILICIUM MASSIF, PAR LES DERIVES DES PARAMETRES ELECTRIQUES A SAVOIR LA TENSION DE SEUIL ET LE BRUIT BASSES FREQUENCES DU CANAL EN REGIME LINEAIRE. A PARTIR DE CES VARIATIONS, ON EN DEDUIT DES INDICATEURS DE DEGRADATIONS: L'EFFICACITE DE PIEGEAGE ET UNE CONSTANTE ASSOCIEE AU BRUIT EN EXCES. POUR DIFFERENTES GAMMES DE DOSES CUMULEES, IL A ETE MIS EN EVIDENCE DES CORRELATIONS ENTRE CES DERIVES ET LA NATURE AINSI QUE LES DENSITES DES DEFAUTS CREES. L'EVOLUTION DE CES GRANDEURS APRES IRRADIATION CONFIRME LA CORRELATION ENTRE LES DERIVES DE LA TENSION DE SEUIL ET L'AUGMENTATION DU BRUIT DU CANAL
