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Simulation Du Bruit Electronique Dans Les Semiconducteurs Et Diodes Submicroniques Par La Methode De Monte Carlo
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Book Synopsis Simulation du bruit électronique dans les semiconducteurs et diodes submicroniques par la méthode de Monte-Carlo by : Luca Varani
Download or read book Simulation du bruit électronique dans les semiconducteurs et diodes submicroniques par la méthode de Monte-Carlo written by Luca Varani and published by . This book was released on 1996 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Simulation du bruit electronique dans les semiconducteurs et diodes submicroniques par la methode de Monte Carlo by : Luca Varani
Download or read book Simulation du bruit electronique dans les semiconducteurs et diodes submicroniques par la methode de Monte Carlo written by Luca Varani and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation by : Carlo Jacoboni
Download or read book The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation written by Carlo Jacoboni and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 370 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This volume presents the application of the Monte Carlo method to the simulation of semiconductor devices, reviewing the physics of transport in semiconductors, followed by an introduction to the physics of semiconductor devices.
Book Synopsis Monte Carlo Device Simulation by : Karl Hess
Download or read book Monte Carlo Device Simulation written by Karl Hess and published by Springer. This book was released on 2012-10-11 with total page 310 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Monte Carlo simulation is now a well established method for studying semiconductor devices and is particularly well suited to highlighting physical mechanisms and exploring material properties. Not surprisingly, the more completely the material properties are built into the simulation, up to and including the use of a full band structure, the more powerful is the method. Indeed, it is now becoming increasingly clear that phenomena such as reliabil ity related hot-electron effects in MOSFETs cannot be understood satisfac torily without using full band Monte Carlo. The IBM simulator DAMOCLES, therefore, represents a landmark of great significance. DAMOCLES sums up the total of Monte Carlo device modeling experience of the past, and reaches with its capabilities and opportunities into the distant future. This book, therefore, begins with a description of the IBM simulator. The second chapter gives an advanced introduction to the physical basis for Monte Carlo simulations and an outlook on why complex effects such as collisional broadening and intracollisional field effects can be important and how they can be included in the simulations. References to more basic intro the book. The third chapter ductory material can be found throughout describes a typical relationship of Monte Carlo simulations to experimental data and indicates a major difficulty, the vast number of deformation poten tials required to simulate transport throughout the entire Brillouin zone. The fourth chapter addresses possible further extensions of the Monte Carlo approach and subtleties of the electron-electron interaction.
Book Synopsis Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo by : Jacques Zimmermann (docteur en science physique.)
Download or read book Étude des phénomènes de transport électronique dans le silicium de type N en régimes stationnaires et non stationnaires par la méthode de Monte Carlo written by Jacques Zimmermann (docteur en science physique.) and published by . This book was released on 1980 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Full-band Monte Carlo Simulation of Electrons and Holes in Strained Si and SiGe by : Fabian M. Bufler
Download or read book Full-band Monte Carlo Simulation of Electrons and Holes in Strained Si and SiGe written by Fabian M. Bufler and published by Herbert Utz Verlag. This book was released on 1998 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Full-band Monte Carlo Simulation of Single Photon Avalanche Diodes by : Denis Dolgos
Download or read book Full-band Monte Carlo Simulation of Single Photon Avalanche Diodes written by Denis Dolgos and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Nouvelle méthode de simulation du bruit électronique dans les composants submicroniques by : Philippe Gaubert
Download or read book Nouvelle méthode de simulation du bruit électronique dans les composants submicroniques written by Philippe Gaubert and published by . This book was released on 1999 with total page 225 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA TRES FORTE DEMANDE CONCERNANT LES COMPOSANTS RAPIDES ET/OU TRAVAILLANT A HAUTE FREQUENCE ENTRAINE UNE DIMINUTION RAPIDE DE LA TAILLE DES COMPOSANTS ET UNE AUGMENTATION DU BRUIT. NOUS AVONS COMMENCE PAR METTRE EN EVIDENCE LES DIFFICULTES RENCONTREES AVEC LE MODELE DERIVE-DIFFUSION QUAND ON VEUT TRAVAILLER A TENSION CONSTANTE ET LES PROBLEMES DE LA METHODE DU CHAMP D'IMPEDANCE CLASSIQUE LORSQU'ON SOUHAITE MODELISER LE BRUIT DANS LES COMPOSANTS COURTS. CELA NOUS A AMENES A UTILISER LE SIMULATEUR DES PAQUETS REPARTIS, DEVELOPPE AU LABORATOIRE, AINSI QU'UNE NOUVELLE THEORIE, APPELEE METHODE DU CHAMP D'IMPEDANCE GENERALISE, CAPABLE DE CALCULER LE BRUIT DANS LES COMPOSANTS SUBMICRONIQUES, DE MANIERE ANALOGUE A CELLE DU CHAMP D'IMPEDANCE CLASSIQUE. MON TRAVAIL A CONSISTE A METTRE EN PLACE CETTE TECHNIQUE DE CALCUL DE BRUIT DANS LE CADRE DU SIMULATEUR MICROSCOPIQUE DES PAQUETS REPARTIS ALORS QU'ELLE AVAIT ETE DEVELOPPEE A L'ORIGINE POUR UN SIMULATEUR DE TYPE HYDRODYNAMIQUE. L'ETUDE DES REPONSES GLOBALES A DES PERTURBATIONS LOCALES DE LA VITESSE ET DE L'ENERGIE A PERMIS DE CALCULER LES CHAMPS D'IMPEDANCE ET D'ADMITTANCE GENERALISES, REPRESENTANT L'EQUIVALENT DU CHAMP D'IMPEDANCE CLASSIQUE DANS LA METHODE HABITUELLE. NOUS AVONS AUSSI ADAPTE NOTRE SIMULATEUR AFIN DE L'UTILISER POUR CALCULER LES NOUVELLES SOURCES DE BRUIT ASSOCIEES A CES NOUVEAUX CHAMPS D'IMPEDANCE ET D'ADMITTANCE. NOUS AVONS CALCULE ET VALIDE LE BRUIT OBTENU PAR CETTE NOUVELLE METHODE PAR DES COMPARAISONS AVEC DES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET OBTENUS AVEC D'AUTRES SIMULATEURS. NOUS DISPOSONS DONC D'UN SIMULATEUR MICROSCOPIQUE CAPABLE DE CALCULER LA DENSITE SPECTRALE DES FLUCTUATIONS EN TENSION LORSQU'ON MAINTIENT LE COURANT CONSTANT ET LA DENSITE SPECTRALE DES FLUCTUATIONS EN COURANT LORSQU'ON MAINTIENT LA TENSION CONSTANTE. NOUS AVONS APPLIQUE AVEC SUCCES CETTE METHODE, QUI EST RELATIVEMENT FACILE A METTRE EN UVRE, SUR DES STRUCTURES UNIDIMENSIONNELLES LONGUES ET COURTES.
Book Synopsis Monte Carlo Investigation of Noise in an Incipient-space-charge Diode by : Stanford University. Stanford Electronics Laboratories
Download or read book Monte Carlo Investigation of Noise in an Incipient-space-charge Diode written by Stanford University. Stanford Electronics Laboratories and published by . This book was released on 1964 with total page 84 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Simulation physique du bruit basse fréquence stationnaire, dans les composants semi-conducteurs by : Khaled Abdel Hadi
Download or read book Simulation physique du bruit basse fréquence stationnaire, dans les composants semi-conducteurs written by Khaled Abdel Hadi and published by . This book was released on 2012 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à la conception des deux méthodologies générales et robustes de simulation du bruit de génération-recombinaison assisté par piège dans des composants semi-conducteurs « réels ». Ce mémoire commence par des rappels sur les origines de bruit BF. Une présentation globale des méthodes de simulation du bruit GR macroscopique dans les composants semi-conducteurs est ensuite présentée. Une description des deux simulateurs les plus connus du domaine public, ATLAS de la société SILVACO et SENTAURUS de la société SYNOPSYS a été présentée. La limitation des simulateurs commerciaux lors du calcul du bruit GR assisté par piège d’une part, l’insuffisance des méthodes analytiques à résoudre correctement ce problème dans des composants « réels » soumis à des niveaux de polarisation opérationnels d’autre part, nous a amené à trouver une autre solution plus générale et robuste qui aboutit à l’écriture d’un programme de calcul développé sur Scilab qui permet de simuler le bruit GR assisté par piège dans un composant semi-conducteur de façon rigoureuse, tout en bénéficiant de l’ensemble de simulations déterministes proposées par SENTAURUS. L’application de cette méthode à l’hétérojonction émetteur-base d’un transistor TBH en InGaP/GaAs montre une excellente précision. Dans le même esprit, une autre méthode orientée « circuit » a été proposée. Cette méthode s’appuie sur la représentation électrique déterministe des équations de transport dans les semi-conducteurs, dans laquelle on introduit des sources de bruit de Langevin localisées tout au long de la ligne de transmission. Les travaux présentés dans ce manuscrit sont le fruit d’une collaboration avec Thales III-V lab et UMS et réalisés dans le cadre du programme ANR blanc CYCLOMOD soutenue par l’Agence Nationale de la recherche.
Book Synopsis Monte Carlo Simulations of Microwave Semiconductor Diodes by : Yee Ping Teoh
Download or read book Monte Carlo Simulations of Microwave Semiconductor Diodes written by Yee Ping Teoh and published by . This book was released on 2004 with total page 368 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Kinetic Monte Carlo simulations of crystal surfaces by : Stefan Schinzer
Download or read book Kinetic Monte Carlo simulations of crystal surfaces written by Stefan Schinzer and published by . This book was released on 2000 with total page 132 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Simulation Monte Carlo du transport électronique et des phénomènes de diffusion dans les systèmes à base de semi-conducteurs III-V by : Jean-Luc Thobel
Download or read book Simulation Monte Carlo du transport électronique et des phénomènes de diffusion dans les systèmes à base de semi-conducteurs III-V written by Jean-Luc Thobel and published by . This book was released on 2000 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Monte-Carlo Simulations of Gunn Diodes and Hot-phonon Effects in Bulk Semiconductors by : Nicholas Appleyard
Download or read book Monte-Carlo Simulations of Gunn Diodes and Hot-phonon Effects in Bulk Semiconductors written by Nicholas Appleyard and published by . This book was released on 2016 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Monte Carlo Simulation of GaAs Schottky Diodes for Terahertz Frequencies by : Udayan V. Bhapkar
Download or read book Monte Carlo Simulation of GaAs Schottky Diodes for Terahertz Frequencies written by Udayan V. Bhapkar and published by . This book was released on 1995 with total page 330 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Monte Carlo Method for Simulation of Electron Transport in Semiconductors by : Joel Reuben Phillips
Download or read book Monte Carlo Method for Simulation of Electron Transport in Semiconductors written by Joel Reuben Phillips and published by . This book was released on 1991 with total page 478 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis SIMULATION, PAR LA METHODE DE MONTE-CARLO, DE LA CHARGE D'UN ISOLANT SOUMIS AU BOMBARDEMENT D'UN FAISCEAU ELECTRONIQUE FOCALISE by : Raphae͏̈l Renoud
Download or read book SIMULATION, PAR LA METHODE DE MONTE-CARLO, DE LA CHARGE D'UN ISOLANT SOUMIS AU BOMBARDEMENT D'UN FAISCEAU ELECTRONIQUE FOCALISE written by Raphae͏̈l Renoud and published by . This book was released on 1995 with total page 212 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA CARACTERISATION DES MATERIAUX ISOLANTS (PAR EXEMPLE PAR LA METHODE DU MIROIR) PASSE PAR UNE CONNAISSANCE APPROFONDIE DE LA PHYSIQUE DE LA CHARGE D'ESPACE. LA DISTRIBUTION DES CHARGES, LA FORME DU POTENTIEL ET DU CHAMP ELECTROSTATIQUE, AINSI QUE LES RENDEMENTS DE L'EMISSION SECONDAIRE, SONT AUTANT D'INDICATEURS ESSENTIELS POUR APPRECIER LA TENUE DIELECTRIQUE D'UN MATERIAU SOUMIS A UNE CONTRAINTE (ELECTRIQUE, MECANIQUE, THERMIQUE,). DANS CE CADRE, NOUS SIMULONS LE BOMBARDEMENT D'UN ECHANTILLON ISOLANT PAR UN FAISCEAU ELECTRONIQUE TEL QU'ON LE REALISE DANS UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A BALAYAGE. EN UTILISANT LA METHODE DE MONTE-CARLO, IL EST ALORS POSSIBLE DE SUIVRE LES TRAJECTOIRES ELECTRONIQUES DANS L'ECHANTILLON. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE, NOUS EXPOSONS LES FONDEMENTS THEORIQUES NECESSAIRES A NOTRE ETUDE. NOUS INSISTONS NOTAMMENT SUR LES PROPRIETES DES ISOLANTS (POLARISATION, CHAMP ELECTRIQUE, PIEGEAGE) ET SUR LA PROPAGATION DES ELECTRONS A L'INTERIEUR DE CES MILIEUX (MODELE D'INTERACTION ELECTRON-ISOLANT). NOUS ABORDONS AUSSI L'ETUDE DU PHENOMENE DE L'EMISSION ELECTRONIQUE SECONDAIRE, DONT LE ROLE EST IMPORTANT POUR CONFRONTER NOTRE MODELE A L'EXPERIENCE. L'EXPOSE DE LA TECHNIQUE DE SIMULATION DE MONTE-CARLO FAIT L'OBJET DE LA SECONDE PARTIE. NOUS Y INDIQUONS NOTAMMENT COMMENT CONVERTIR LES LOIS PHYSIQUES EN INFORMATIONS ET MODELES EXPLOITABLES PAR UN ORDINATEUR. NOUS DETAILLONS EN PARTICULIER LE TRAITEMENT DU CHAMP ELECTRIQUE. DANS LA TROISIEME PARTIE SONT EXPOSES LES RESULTATS OBTENUS. NOUS CALCULONS ALORS LES TAUX D'EMISSION SECONDAIRE, CE QUI NOUS PERMET DE VALIDER NOTRE MODELE. NOUS POUVONS AINSI CALCULER, A DIVERS INSTANTS DE LA CHARGE, LA DISTRIBUTION DES CHARGES PIEGEES, EN FONCTION DES CARACTERISTIQUES DU MATERIAU, ET NOUS EN DEDUISONS LE CHAMP ET LE POTENTIEL EN TOUT POINT DE L'ESPACE. UNE ETUDE DU TAUX D'EMISSION SECONDAIRE PERMET DE DEDUIRE LES CARACTERISTIQUES DE PIEGEAGE DU MATERIAU
