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ISBN 13 :
Total Pages : 562 pages
Book Rating : 4.:/5 (319 download)
Download or read book Scientific and Technical Aerospace Reports written by and published by . This book was released on 1992 with total page 562 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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Total Pages : 342 pages
Book Rating : 4.:/5 (334 download)
Download or read book Annales des télécommunications written by and published by . This book was released on 1997-07 with total page 342 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Christophe Pinatel
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Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Conception et realisation d'amplificateurs de puissance a base de transistors bipolaires a heterojonction pour radiocommunications written by Christophe Pinatel and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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Total Pages : 464 pages
Book Rating : 4.:/5 ( download)
Download or read book ESSDERC' 84 written by and published by . This book was released on 1984 with total page 464 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Thierry Camps
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Total Pages : 140 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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Total Pages : 646 pages
Book Rating : 4.:/5 (31 download)
Download or read book RADECS ... written by and published by . This book was released on 1999 with total page 646 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : HATEM.. BOUSSETTA
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Total Pages : 135 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE CADRE D'UNE TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE BICMOS written by HATEM.. BOUSSETTA and published by . This book was released on 1995 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A BASES EPITAXIEES FORTEMENT DOPEES REALISES DANS LA TECHNOLOGIE BICMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. GRACE AU FORT DOPAGE DE LA BASE, LE FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS SE RAPPROCHE DE CELUI DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTIONS ; POUR CETTE RAISON ON LES NOMME TRANSISTORS BIPOLAIRES A PSEUDO HETEROJONCTION. APRES AVOIR PRESENTE LA NOUVELLE STRUCTURE EMETTEUR-BASE ET LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION BICMOS, NOUS DECRIVONS LES TECHNIQUES ET LES OUTILS DE CARACTERISATION MIS EN JEU. DANS UN PREMIER TEMPS, L'ETUDE PORTE SUR LA DEFINITION DES CONDITIONS D'EPITAXIE ET LES REGLAGES TECHNOLOGIQUES NECESSAIRES POUR INTEGRER LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A PSEUDO-HETEROJONCTION DANS LE PROCEDE DE FABRICATION BICMOS. L'ETUDE EFFECTUEE SUR L'ORIGINE DU DYSFONCTIONNEMENT A FAIBLE INJECTION DES TRANSISTORS REALISES ET LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES RESPONSABLES DES COURANTS DE FUITE DE LA JONCTION EMETTEUR-BASE DES TRANSISTORS MURES ET NON MURES ONT PERMIS DE CERNER LES PROBLEMES POSES PAR L'INTEGRATION PUIS D'APPORTER DES SOLUTIONS POUR L'OPTIMISATION DES CARACTERISTIQUES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR. L'ETUDE DU FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF A PORTE SUR LES PROPRIETES PHYSIQUES DE LA BASE ET EN PARTICULIER LE RETRECISSEMENT DE LA BANDE INTERDITE SOUS L'EFFET DES FORTS DOPAGES. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE METHODE ORIGINALE D'EXTRACTION DE CE RETRECISSEMENT BASEE SUR L'EVOLUTION DU COURANT COLLECTEUR EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. A PARTIR DE CETTE METHODE, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QUE LES TRANSISTORS FABRIQUES FONCTIONNENT EFFECTIVEMENT SUR LE PRINCIPE DES DISPOSITIFS A HETEROJONCTION. CETTE ETUDE A PERMIS UNE DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DU TRANSISTOR A TOUTE TEMPERATURE
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Total Pages : 958 pages
Book Rating : 4.F/5 ( download)
Download or read book Electronic Engineering written by and published by . This book was released on 1968 with total page 958 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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Total Pages : 1730 pages
Book Rating : 4.3/5 (243 download)
Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1992 with total page 1730 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : JEAN-OLIVIER.. PLOUCHART
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Total Pages : 243 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book CONCEPTION ET REALISATION DE CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION APPLIQUES A LA BOUCLE A VERROUILLAGE DE PHASE written by JEAN-OLIVIER.. PLOUCHART and published by . This book was released on 1994 with total page 243 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL MONTRE LA DEMARCHE SUIVIE POUR CONCEVOIR ET REALISER DES CIRCUITS MMIC A BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION. LE TBH GAAS/GAA1AS EST PRESENTE D'UN POINT DE VUE THEORIQUE, EN DECRIVANT LES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT LORS DE SON FONCTIONNEMENT. LE TRANSISTOR EST MODELISE DANS LES DOMAINES LINEAIRES ET NON-LINEAIRE POUR LA CONCEPTION DES MMIC. LES CIRCUITS RADIOFREQUENCES INTERVENANT DANS LES RADIOTELEPHONES DE 2 GENERATION, ET LES CIRCUITS RAPIDES DES LIAISONS A HAUT DEBIT PAR FIBRE OPTIQUE SONT DECRITS. LE PRINCIPE DE LA PLL ET SES APPLICATIONS POUR LA SYNTHESE DE FREQUENCE ET LA RECUPERATION D'HORLOGE SONT ENSUITE PRESENTES. LA FILIERE TECHNOLOGIQUE MMIC TBH A ETE SPECIFIE ET OPTIMISE DE MANIERE A REALISER EN SEULEMENT 12 ETAPES DES FONCTIONS ANALOGIQUES, NUMERIQUES ET DE PUISSANCE. NOUS AVONS OPTIMISE ET MESURE UN ENSEMBLE DE 8 MMIC POUR LES APPLICATIONS A 1,8 GHZ (RADIOTELEPHONE) ET A 10 GHZ (COMMUNICATIONS OPTIQUES HAUT DEBIT). NOUS AVONS REALISE 4 DIVISEURS DE FREQUENCE FONCTIONNANT ENTRE 1 ET 18,5 GHZ ; UN MELANGEUR LARGE BANDE AYANT UN GAIN DE CONVERSION POSITIF JUSQU'A 18,5 GHZ ; DEUX VCO FONCTIONNANT DANS LES BANDES 1,4-1,8 GHZ ET 8-11 GHZ ; UN SYNTHETISEUR DE FREQUENCE EN BANDE L. LES RESULTATS OBTENUS DEMONTRENT L'INTERET DU TBH POUR CE TYPE D'APPLICATION
Author : MOHAMED.. IBANNAIN
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Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book CONCEPTION ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A EMETTEUR POLYSILICIUM written by MOHAMED.. IBANNAIN and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE COMMUTANT DES PUISSANCES TRES FORTES SUSCITE UN INTERET GRANDISSANT EN RAISON DE LEUR TOTALE COMMANDABILITE, A L'OUVERTURE COMME A LA FERMETURE ET DE LEUR RELATIVE RAPIDITE DE COMMUTATION COMPARE AUX THYRISTORS. UNE DES CARACTERISTIQUES DE CES DISPOSITIFS EST LE COMPROMIS COURANT/TENSION BLOQUEE. POUR UN GAIN FORCE ET UNE TENSION DE BLOCAGE IMPOSEE, UN FORT COURANT PASSANT NE PEUT ETRE OBTENU QU'AU PRIX D'UNE AUGMENTATION DE SURFACE QUI PEUT DEVENIR CRITIQUE DANS LE CAS DE TRANSISTORS CONVENTIONNELS. DANS LA PREMIERE PARTIE DU MEMOIRE, NOUS COMPARONS LES DIFFERENTS MODELES QUI DECRIVENT LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS A EMETTEUR POLYSILICIUM. LE ROLE DE L'INTERFACE SEPARANT LA COUCHE DE POLYSILICIUM ET LE MONOCRISTAL EST AINSI MIS EN EVIDENCE. LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE TRANSISTOR DE PUISSANCE A EMETTEUR POLYSILICIUM CONSTITUE LA PART LA PLUS IMPORTANTE DE NOTRE TRAVAIL. POUR OBTENIR UNE TENUE EN TENSION SATISFAISANTE, NOUS AVONS DU ADOPTER LE PRINCIPE D'UNE TERMINAISON PP#. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES DES PREMIERS COMPOSANTS OBTENUS A MONTRE QUE CERTAINES ETAPES DU PROCESSUS ETAIENT PARTICULIEREMENT CRITIQUES DANS LA MESURE OU ELLES MODIFIENT LES PROPRIETES DE L'INTERFACE MONOCRISTAL/POLYSILICIUM. CES RESULTATS NOUS ONT AMENES A PROPOSER UN PROCESSUS COMPLET ADAPTE A LA FABRICATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A EMETTEUR POLYSILICIUM. LES RESULTATS DE LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COMPOSANTS QUE NOUS AVONS REALISES ONT CONFIRME LE BIEN FONDE DES ETUDES THEORIQUES
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Total Pages : 1414 pages
Book Rating : 4.F/5 ( download)
Download or read book INIS Atomindeks written by and published by . This book was released on 1987 with total page 1414 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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Total Pages : 600 pages
Book Rating : 4.3/5 (91 download)
Download or read book JP III written by and published by . This book was released on 1994 with total page 600 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Ana Suely Ferreira
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Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (116 download)
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES PNP A HOMOJONCTION SUR ARSENSIURE DE GALLIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE written by Ana Suely Ferreira and published by . This book was released on 1991 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le transistor bipolaire a homojonction gaas semble ouvrir des horizons nouveaux pour les applications dans les circuits integres bipolaires sur gaas. L'utilisation de l'implantation ionique dans la realisation de ce dispositif rend son processus de fabrication assez facile, conduisant a une plus grande densite d'integration. Cette etude s'inscrit dans la suite des travaux entrepris par j.p. Vannel sur la realisation des circuits integres a integration i#2l. Dans ce type de logique, la cellule de base est alimentee par une source de courant qui peut etre soit une resistance, soit un transistor bipolaire pnp, sujet de notre etude. Apres un rappel theorique des mecanismes regissant le comportement du transistor bipolaire pnp sur gaas, les differentes theories de base de l'implantation ionique (lss, pearson de type iv) sont presentees pour chaque type d'ions utilises a savoir, le silicium comme dopant de type n et le magnesium, comme dopant de type p. Les logiciels developpes correspondant sont egalement detailles. Apres une description des differents moyens technologiques a notre disposition au laboratoire et des differentes methodes de caracterisation des couches implantees, une etude experimentale de l'implantation ionique de mg et de si dans le gaas est effectuee. Les resultats obtenus sont compares avec ceux donnes par la modelisation. La derniere partie est consacree a la realisation des transistors bipolaires pnp sur gaas. Les etapes de fabrication sont decrites pour deux types de structure, planar et mesa et les resultats de la caracterisation electrique associee sont donnes
Author : Benoît Barbalat
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 202 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Technologie et physique de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC auto-alignés à très hautes performances written by Benoît Barbalat and published by . This book was released on 2006 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objet l'étude et la réalisation en milieu industriel de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC à très hautes performances pour les applications de télécommunications et de détection radar. Le premier chapitre rappelle la théorie de fonctionnement du transistor bipolaire, aussi bien en régime statique qu'en régime dynamique. Nous présentons ensuite un historique des technologies de fabrication des TBH SiGe, en expliquant les choix pris en faveur d'un auto-alignement complet et d'une épitaxie sélective de la base. Les performances obtenues dans cette étude sont comparées à l'état de l'art. Le chapitre III a pour objet l'optimisation classique du transistor bipolaire, et nous démontrons comment, par différentes optimisations du profil vertical et de l'extension latérale du composant nous avons pu augmenter les performances de 200GHz jusqu'à 300GHz. Le chapitre IV traite de l'optimisation de la tenue en tension par des procédés technologiques en rupture avec l'optimisation standard du transistor. Des améliorations significatives de la tenue en tension ont pu être démontrées, ce qui permet d'obtenir des produits fTxBVceo à l'état de l'art. Le dernier chapitre étudie le comportement du TBH en fonction de la température : Nous décrivons tout d'abord l'auto-échauffement du transistor, et son impact sur les performances dynamiques, nous terminons par l'étude du transistor bipolaire aux températures cryogéniques. Les performances étant fortement améliorées à basse température, nous en tirons de l'extraction des différents retards du composant des perspectives d'amélioration des temps de transit, pour atteindre des performances ultimes.
Author : Noureddine Matine
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Total Pages : 0 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Realisation et caracterisation de transistors bipolaires a heterojonction InP/InGaAs/metal (structure MHBT) written by Noureddine Matine and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : MOHAMED.. IBANNAIN
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Total Pages : pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book CONCEPTION ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A EMETTEUR POLYSILICIUM written by MOHAMED.. IBANNAIN and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE COMMUTANT DES PUISSANCES TRES FORTES SUSCITE UN INTERET GRANDISSANT EN RAISON DE LEUR TOTALE COMMANDABILITE, A L'OUVERTURE COMME A LA FERMETURE ET DE LEUR RELATIVE RAPIDITE DE COMMUTATION COMPARE AUX THYRISTORS. UNE DES CARACTERISTIQUES DE CES DISPOSITIFS EST LE COMPROMIS COURANT/TENSION BLOQUEE. POUR UN GAIN FORCE ET UNE TENSION DE BLOCAGE IMPOSEE, UN FORT COURANT PASSANT NE PEUT ETRE OBTENU QU'AU PRIX D'UNE AUGMENTATION DE SURFACE QUI PEUT DEVENIR CRITIQUE DANS LE CAS DE TRANSISTORS CONVENTIONNELS. DANS LA PREMIERE PARTIE DU MEMOIRE, NOUS COMPARONS LES DIFFERENTS MODELES QUI DECRIVENT LE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS A EMETTEUR POLYSILICIUM. LE ROLE DE L'INTERFACE SEPARANT LA COUCHE DE POLYSILICIUM ET LE MONOCRISTAL EST AINSI MIS EN EVIDENCE. LA REALISATION TECHNOLOGIQUE DE TRANSISTOR DE PUISSANCE A EMETTEUR POLYSILICIUM CONSTITUE LA PART LA PLUS IMPORTANTE DE NOTRE TRAVAIL. POUR OBTENIR UNE TENUE EN TENSION SATISFAISANTE, NOUS AVONS DU ADOPTER LE PRINCIPE D'UNE TERMINAISON PP#. L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES DES PREMIERS COMPOSANTS OBTENUS A MONTRE QUE CERTAINES ETAPES DU PROCESSUS ETAIENT PARTICULIEREMENT CRITIQUES DANS LA MESURE OU ELLES MODIFIENT LES PROPRIETES DE L'INTERFACE MONOCRISTAL/POLYSILICIUM. CES RESULTATS NOUS ONT AMENES A PROPOSER UN PROCESSUS COMPLET ADAPTE A LA FABRICATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A EMETTEUR POLYSILICIUM. LES RESULTATS DE LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COMPOSANTS QUE NOUS AVONS REALISES ONT CONFIRME LE BIEN FONDE DES ETUDES THEORIQUES
