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Author : Frédéric Morancho
Publisher :
ISBN 13 : 9782746212541
Total Pages : 370 pages
Book Rating : 4.2/5 (125 download)
Download or read book Physique et modélisation des composants et des circuits intégrés de puissance written by Frédéric Morancho and published by . This book was released on 2007 with total page 370 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Nicolas Defrance
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 218 pages
Book Rating : 4.:/5 (493 download)
Download or read book Caractérisation et modélisation de dispositifs de la filière nitrure pour la conception de circuits intégrés de puissance hyperfréquences written by Nicolas Defrance and published by . This book was released on 2007 with total page 218 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Basés sur l'hétérostructure AIGaN/GaN, les composants étudiés dans ce mémoire se voient dotés de propriétés physiques extrêmement attractives: tensions de claquage élevées, densités de puissance importantes ... L'étude de ces dispositifs particuliers apparaît comme déterminante dans un contexte réclamant des montées en puissance et en fréquence perpétuelles. De même, la conception de systèmes complexes à base de transistors HEMTs AlGaN/GaN implique nécessairement la mise en œuvre de modèles non linéaires suffisamment représentatifs et cohérents. Le premier chapitre décrit les principales propriétés physiques et électriques du semiconducteur GaN. Un bref rappel concernant la caractérisation des transistors, en régimes de fonctionnement petit et grand signal, conclura cette première partie. Le deuxième chapitre se consacre à l'étude des caractéristiques propres aux HEMTs AIGaN/GaN. L'influence de différents types de passivations et traitements de surface sera ainsi exposée. Le développement d'un banc de mesure DC-pulsé permettra, par ailleurs, de déterminer la température de fonctionnement et la résistance thermique des composants testés. Le troisième chapitre expose la procédure suivie en vue d'extraire un modèle non linéaire de transistor, implantable en environnement de CAO. Des comparaisons entre modélisations et expérimentations permettront de valider en tout point les formes analytiques proposées. Le quatrième et dernier chapitre s'argumente autour de la caractérisation d'une nouvelle génération de substrats dits « reportés» tels que le SopSiC ou le SiCopSiC ; nous présentons ainsi diverses méthodologies en vue de la détermination de leurs propriétés électriques.
Author : Mohamed Abouelatta
Publisher : ISTE Group
ISBN 13 : 1784058793
Total Pages : 348 pages
Book Rating : 4.7/5 (84 download)
Download or read book Intégration en électronique de puissance written by Mohamed Abouelatta and published by ISTE Group. This book was released on 2022-11-29 with total page 348 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’intégration en électronique de puissance fait partie des défis scientifiques que l’automobile, l’industrie ou les entreprises de technologie doivent relever. Cet ouvrage analyse les points fondamentaux de ce domaine par des exemples concrets et détaillés. Les auteurs visent à l’intégration de systèmes de chaînes de puissance. Après avoir fait quelques rappels sur des composants de puissance de base, en particulier haute tension, Intégration en électronique de puissance traite des étapes de conception de commande de moteurs, adoptant pour cela une implémentation mixte (matérielle et/ou logicielle) d’algorithmes de commande de machines électriques. L’accent est porté sur la validation de la partie numérique (algorithme de contrôle-commande) et de la partie analogique de puissance (onduleur et moteur). In fine, plusieurs choix d’architecture sont proposés, à base de circuits programmables (FPGA) et de microprocesseurs (DSP). Enfin, le couplage avec le substrat est pris en compte, d’un point de vue proprement électronique, mais aussi par son aspect électrothermique.
Author : Saâdia Hniki
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 169 pages
Book Rating : 4.:/5 (8 download)
Download or read book Contribution à la modélisation des dispositifs MOS haute tension pour les circuits intégrés de puissance ("Smart Power") written by Saâdia Hniki and published by . This book was released on 2010 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours des dernières décennies, les circuits intégrés de puissance ont connu une croissance très importante. Aujourd'hui la régulation et distribution d'énergie électrique jouent un rôle crucial. La réduction constante des dimensions ainsi que le besoin en densité de puissance de plus en plus élevée ont mis en évidence la nécessité de structures toujours plus performantes. La technologie “smart power” a été développée pour satisfaire ces demandes. Cette technologie utilise les dispositifs DMOS, offrant de nouvelles solutions grâce à ses caractéristiques uniques forte tension et fort courant. Le fonctionnement de ces dispositifs est accompagné par l’apparition de nombreux phénomènes. Une bonne modélisation permet de rendre compte de ces phénomènes et prédire le comportement physique du transistor avant sa production. L'objectif de cette thèse était donc d'améliorer la modélisation et de mettre en place une méthode d'extraction de certains paramètres physiques liés au fonctionnement du MOS HV (High Voltage). Cette thèse a été principalement dédiée à la modélisation du phénomène de l'auto-échauffement et à la définition d'une méthode d'extraction des parasites RF dans les transistors MOS et, enfin, à la comparaison du macro-modèle utilisé par STMicroelectronics avec le modèle compact HiSIM-HV dédié au MOS HV. Pour cela, il était essentiel de mettre en place des nouvelles procédures de modélisation et d'extraction et de dessiner des structures de test spécifiques. Les résultats présentés dans cette thèse ont été validés par différentes comparaisons avec les mesures en technologies sur SOI et sur substrat massif.
Author : Daniel Sadarnac
Publisher : Editions Ellipses
ISBN 13 : 2340061792
Total Pages : 378 pages
Book Rating : 4.3/5 (4 download)
Download or read book Électronique de puissance - Évolution des concepts et composants magnétiques - Conception, modélisation, optimisation - Application au transfert d’énergie sans contact - Cours et exercices corrigés written by Daniel Sadarnac and published by Editions Ellipses. This book was released on 2020-09-22 with total page 378 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’électronique de puissance étant désormais incontournable dans tous les domaines, l’ouvrage en développe le cadre pour un large public, du débutant souhaitant se faire une idée des grands principes, à l’ingénieur confirmé. Le livre décrit et modélise le plus fidèlement possible la réalité observable, avec l’objectif d’en tirer le meilleur parti. L’auteur privilégie les raisonnements physiques rigoureux au détriment de tout développement mathématique complexe. C’est ainsi qu’il présente la genèse, l’évolution logique et les perspectives de l’électronique de puissance. Il fournit des méthodes d’analyse performantes et il introduit de nouveaux concepts à propos du couplage inductif. De nombreux modèles originaux, électromagnétiques et thermiques, émaillent ce récit. Il y est question de convertisseurs, de commutation douce, de transformateurs et autres composants magnétiques, de matériaux magnétiques, de modes de bobinage (planar, feuillard, fil de Litz). Un programme permettant de chiffrer les pertes et le schéma équivalent d’un transformateur est proposé pour les cas difficiles.
Author : Xavier Marchal
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 276 pages
Book Rating : 4.:/5 (463 download)
Download or read book Modélisation de composants actifs pour le CAO de circuits intégrés analogiques written by Xavier Marchal and published by . This book was released on 1992 with total page 276 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ESSOR DE L'INDUSTRIE ELECTRONIQUE EST DU PRINCIPALEMENT A L'INTEGRATION ACCRUE DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS SUR UN MEME SUPPORT. LES PROGRAMMES DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR (CAO) SONT LES OUTILS INDISPENSABLES DES CONCEPTEURS; ILS PERMETTENT, AVANT FABRICATION, LE TEST EXHAUSTIF DE CIRCUITS COMPLEXES EN EVALUANT LEURS PERFORMANCES POUR DES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT NORMALES OU EXTREMES. PARMI TOUS CES LOGICIELS, CEUX DE SIMULATION ELECTRIQUE SONT LES PLUS LARGEMENT UTILISES. NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX EN INSISTANT SUR LE PROGRAMME SPICE (SIMULATION PROGRAM WITH INTEGRATED CIRCUIT EMPHASIS) DE BERKELEY, RECONNU COMME LA REFERENCE DE LA SIMULATION DE CIRCUITS. CEPENDANT CE PROGRAMME NE PERMET QUE DES ANALYSES STANDARD; NOUS DETAILLONS LE PROGRAMME SPICE-PAC QUI POSSEDE TOUTES LES FONCTIONNALITES DE SPICE, DONT IL EST DERIVE, MAIS PERMET, DU FAIT DE SA STRUCTURE MODULAIRE, DES ANALYSES NOUVELLES ET VARIEES. CEPENDANT LES PROGRAMMES DE SIMULATION LES PLUS PERFORMANTS NE DONNENT DES RESULTATS FIABLES QUE SI LES MODELES DE COMPOSANTS INTRODUITS DANS LE SIMULATEUR SONT SUFFISAMMENT PRECIS. LES TRANSISTORS MOSFET SONT LES DISPOSITIFS LES PLUS FREQUENTS; IL EST PROPOSE DANS SPICE, 3 MODELES DIFFERENTS CLASSES SUIVANT LE RAPPORT TEMPS DE SIMULATION/PRECISION DES RESULTATS. CEPENDANT POUR CERTAINES APPLICATIONS, CEUX-CI NE MODELISENT QUE PARTIELLEMENT LES PHENOMENES PHYSIQUES REELS (EFFET D'AVALANCHE OU FAIBLE INVERSION); IL EST ALORS POSSIBLE D'AFFINER LES RESULTATS AVEC LE MODELE A CHARGES DISTRIBUEES (MCD). CELUI-CI, PAR UNE DESCRIPTION CELLULAIRE DU TRANSISTOR, PERMET L'EVALUATION PLUS FINE DE PARAMETRES PHYSIQUES LE LONG DU CANAL (CHARGES, MOBILITE, CHAMPS ELECTRIQUES). LA MODELISATION NE PEUT ETRE COMPLETE ET UTILISABLE SANS LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU MODELE; LES MODELES DE TRANSISTOR MOS LES PLUS COMPLETS PEUVENT EN COMPORTER PLUS D'UNE QUARANTAINE. NOUS PROPOSERONS DIFFERENTS PROGRAMMES APPELES INDIFFEREMMENT PROGRAMMES D'AJUSTEMENT, DE FITTAGE OU DE PARAMETRAGE QUI PERMETTENT D'EVALUER LES PARAMETRES D'UN MODELE POUR QUE CELUI-CI FOURNISSE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES CALCULEES EN BON ACCORD AVEC SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EXPERIMENTALES. CEUX-CI SONT DES PROGRAMMES D'OPTIMISATION MULTIDIMENSIONNELLE NON LINEAIRE MULTI-CRITERES; LES CRITERES ETANT EXPRIMES SOUS LA FORME DE FONCTIONS OBJECTIFS AYANT POUR VARIABLES LES PARAMETRES A DETERMINER, DANS UN DOMAINE HYPERRECTANGULAIRE. NOUS MONTRERONS QUE DANS LE CAS D'UN PARAMETRAGE EN REGIME DC, SEULES DES MESURES DIRECTES D'UN DISPOSITIF SONT UTILISEES; POUR OBTENIR LES PARAMETRES AC ET TRAN, NOUS AVONS RECOURS A DES MESURES INDIRECTES. DANS LE PREMIER CAS SEULE LA SIMULATION D'UN DISPOSITIF EST EFFECTUEE, DANS LE SECOND IL EST NECESSAIRE DE SIMULER UN CIRCUIT COMPLEXE ENVIRONNANT CE DISPOSITIF. CES TACHES SONT TRAITEES PAR DEUX APPLICATIONS DIFFERENTES FIT-PAC ET OPT-PAC, ASSOCIEES AU SIMULATEUR SPICE-PAC. NOUS PRESENTONS ET DISCUTONS LES RESULTATS DE PARAMETRAGE STATIQUE (DC) ET DYNAMIQUE (TRAN) DU MODELE LEVEL 3 DE SPICE.
Author : Michel Girard
Publisher :
ISBN 13 : 9782704212224
Total Pages : 524 pages
Book Rating : 4.2/5 (122 download)
Download or read book Composants actifs discrets written by Michel Girard and published by . This book was released on 1990 with total page 524 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: D'après l'avant-propos : " Le chapitre 4 présente le transistor à effet de champ à jonction JFET et à grille isolée MOSFET. On trouve dans le chapitre 5 les principes de la commutation faible puissance et forte puissance. Le chapitre 6 présente la technologie des circuits intégrés analogiques bipolaires, BIFET, BIMOS, MOS et CMOS pour des fonctions classiques comme les amplificateurs opérationnels, les commutateurs analogiques, et moins classiques comme les circuits à capacités commutées. Le chapitre 7 présente les différentes technologies numériques (TTL, ECL, MOS, NMOS, CMOS, etc.) pour des fonctions à faible et forte intégration. Le chapitre 8 représente le sommet de la technologie intégrée avec l'apparition des ASIC pour différents degrés d'intégration à la demande, depuis les réseaux logiques programmables, jusqu'aux circuits spécifiques.Au chapitre 9, quelques éléments de CAO sont indiqués en simulation analogique avec des composants discrets classiques puis avec des composants intégrables dont les caractéristiques sont fournies par les fondeurs"
Author : Corinne Alonso
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 164 pages
Book Rating : 4.:/5 (489 download)
Download or read book Modélisation de composants pour la simulation en électronique de puissance written by Corinne Alonso and published by . This book was released on 1994 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE MEMOIRE, SONT EXPOSEES L'ETUDE ET LA MODELISATION DE DEUX COMPOSANTS DE PUISSANCE: LE GTO ET L'IGBT. LES DEUX MODELES ELABORES SONT COMPOSES D'ELEMENTS LINEAIRES PAR MORCEAUX ET SONT DANS LA MESURE DU POSSIBLE FONDES SUR LA STRUCTURE PHYSIQUE DES COMPOSANTS. ILS COMPLETENT UN ENSEMBLE DE MODELES DEJA DISPONIBLES ET PERMETTENT DE REPRESENTER CORRECTEMENT LES PRINCIPALES INTERACTIONS COMPOSANT CIRCUIT REGISSANT LE FONCTIONNEMENT GLOBAL D'UN CONVERTISSEUR. UNE PART IMPORTANTE EST RESERVEE A L'ELABORATION DE METHODES D'IDENTIFICATIONS DE PARAMETRES POUR RENDRE SYSTEMATIQUE LA MODELISATION DE TOUT COMPOSANT. POUR DES RAISONS D'ERGONOMIE, NOUS AVONS ENVISAGE UNE STRATEGIE D'IMPLANTATION DES MODELES SOUS FORME DE MACRO-COMPOSANT AVEC LES METHODES D'IDENTIFICATION ASSOCIEES. CETTE ETUDE MONTRE EGALEMENT LA CAPACITE D'UN MODELE A ISOLER DES PROPRIETES DIFFICILES A ETUDIER DIRECTEMENT DANS LE COMPOSANT
Author : ABDELHALIM.. AMMOUCHE
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 157 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Intégration de modèles physiques de composants semi-conducteurs dans un modèle électromagnétique written by ABDELHALIM.. AMMOUCHE and published by . This book was released on 1999 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'EVOLUTION TECHNOLOGIQUE CONSIDERABLE QUE CONNAISSENT LES SYSTEMES DE TELECOMMUNICATIONS DEPUIS QUELQUES ANNEES, A PERMIS L'EMERGENCE DE SYSTEMES A TRES FORT DEGRE D'INTEGRATION FONCTIONNANT A DES FREQUENCES DE PLUS EN PLUS ELEVEE. LA CONSEQUENCE DE CETTE MINIATURISATION EST L'APPARITION D'EFFETS QUI NUISENT AUX PERFORMANCES DES COMPOSANTS. CES EFFETS SONT ESSENTIELLEMENT DUS A DES PHENOMENES DE COUPLAGES DUS A DES RADIATIONS ELECTROMAGNETIQUES, ET DES EXCITATIONS PAR ONDES DE SURFACES. DANS LA PLUPART DES OUTILS DE CONCEPTIONS, LES ELEMENTS DE CIRCUITS LOCALISES SONT CARACTERISES PAR DES MODELES ANALYTIQUES OU PAR UN SCHEMA EQUIVALENT. CETTE APPROCHE NE PEUT ETRE UTILISEE DANS LA SIMULATION D'UN TRANSISTOR HAUTE FREQUENCE QUE POUR DES COMPOSANTS A FAIBLES PERFORMANCES. POUR LES TRANSISTORS DE TYPE HEMT EN MATERIAUX III-V, LE MOYEN PERMETTANT D'OBTENIR UN MODELE PRECIS EST D'UTILISER UN MODELE PHYSIQUE BASE SUR LA RESOLUTION DES EQUATIONS DE TRANSPORT ELECTRONIQUE. IL N'EXISTE PAS D'OUTIL PERMETTANT DE CONCEVOIR ET DE MODELISER UN CIRCUIT MICRO-ONDE A ELEMENTS ACTIF INTEGRE EN REPRESENTANT CONVENABLEMENT LE COMPOSANT PHYSIQUE DU COMPOSANT MICRO-ONDE. C'EST DANS CE CADRE QUE S'INSCRIT CE TRAVAIL DE THESE. L'OBJECTIF EST DE DEMONTRER LA POSSIBILITE DE COUPLER UN MODELE RAPIDE DE RESOLUTION DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS UN SEMI-CONDUCTEUR EN UTILISANT LA METHODE QUASI-BIDIMENSIONNELLE (Q2D) AVEC UN SIMULATEUR ELECTROMAGNETIQUE 3D BASE SUR LA METHODE DES DIFFERENCES FINIES DANS LE DOMAINE TEMPOREL (FDTD).
Author : Jean-Luc Massol
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 262 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book Représentation des phénomenes de diffusion dans la modélisation des composants bipolaires de puissance written by Jean-Luc Massol and published by . This book was released on 1993 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA REPRESENTATION DES PHENOMENES DE DIFFUSION DANS LES COMPOSANTS BIPOLAIRES DE PUISSANCE EN VUE DE LA SIMULATION REALISTE DE LEUR COMPORTEMENT DANS LES CIRCUITS. POUR LE CAS DE LA DIODE DE PUISSANCE, L'AUTEUR PROPOSE A CET EFFET DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DE LA SOLUTION DE L'EQUATION DE DIFFUSION DES PORTEURS EN ZONE CENTRALE, EXACTES OU APPROCHEES, MAIS TOUJOURS RELIEES AUX PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU COMPOSANT. PARMI CES OUTILS, LE PLUS COMPLET CONSISTE EN UNE LIGNE R-C DONT LES PARAMETRES VARIENT AVEC L'EPAISSEUR DE LA ZONE DE STOCKAGE. CETTE LIGNE DECRIT EN REALITE LES REPARTITIONS DE PORTEURS EN REGIME DYNAMIQUE, SOUS FORME DE SERIES DE FOURIER EN COSINUS. ELLE PERMET DE CONSERVER UNE REPRESENTATION CONTINUE, QUELLE QUE SOIT LA PHASE DE FONCTIONNEMENT DU DISPOSITIF CONSIDERE. CETTE BASE DE MODELISATION EST COMPLETEE POUR INCLURE L'INFLUENCE DES ZONES LATERALES, DU COURANT DE DEPLACEMENT ET DU PROFIL DE DOPAGE. LA SIMULATION DU RECOUVREMENT INVERSE PEUT ALORS ETRE REALISEE. LA COMPARAISON DE RESULTATS DE SIMULATION AVEC DES RELEVES EXPERIMENTAUX PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LE BIEN-FONDE DE CETTE APPROCHE POUR LA SIMULATION DES INTERACTIONS COMPOSANT-CIRCUIT
Author : Isabelle Claverie-Morin
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 188 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Intégration de composants en polysilicium dans une technologie de circuits intégrés de puissance written by Isabelle Claverie-Morin and published by . This book was released on 1996 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : Adnan Hneine
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 184 pages
Book Rating : 4.:/5 (836 download)
Download or read book Approche de modélisation distribuée appliquée aux composants semi-conducteurs bipolaires de puissance en VHDL-AMS written by Adnan Hneine and published by . This book was released on 2012 with total page 184 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'approche de modélisation distribuée des composants bipolaires de puissance mise en œuvre de manière compacte par la résolution de l'équation de diffusion ambipolaire sous forme de décomposition en série de Fourier constitue un excellent compromis précision des résultats/temps de simulation. La mise en œuvre du moteur de calcul sous forme de ligne RC à paramètres variables en langage de description VHDL-AMS (IEEE 1076-1999) est présentée. La description du mécanisme de transport de charges dans les zones larges et peu dopées des composants de puissance, complétée par des modèles plus classiques des autres zones utilisées (émetteurs, région de charge d'espace ou de drift, canal MOS, couche tampon, etc...) permet de bâtir les modèles complets de diode PIN et de transistor IGBT. Ces différents modèles/sous-modèles de composants forment une bibliothèque qui permet une réutilisa- tion aisée dans d'autres contextes et par d'autres ingénieurs et ainsi une réduction du temps et du coût de conception des systèmes. Leur implantation en VHDL-AMS dans le logiciel Questa-ADMS permet de valider leur adaptation à la simulation des circuits de l'électronique de puissance et à leur prototypage virtuel. La température, intégrée à l'heure actuelle comme paramètre pourra à court terme être gérée en tant que quantité renvoyée par des modèles thermiques compacts. La méthodologie présentée associée aux caractéristiques du langage de description choisi permet d'envisager la création de modèles de nouveaux composants, issus de l'Intégration Fonctionnelle, par simple assemblage de différents sous-modèles. La possibilité de différents niveaux de description dans l'architecture de chaque sous- modèle autorise également une utilisation optimale à toutes les étapes du processus de conception des systèmes d'électronique de puissance.
Author : Guillaume Lourdel
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 173 pages
Book Rating : 4.:/5 (492 download)
Download or read book Méthodologie et outils de calcul numérique pour la prise en compte de la compatibilité électromagnétique des nouveaux prototypes de circuits intégrés de puissance written by Guillaume Lourdel and published by . This book was released on 2005 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En compatibilité Electromagnétique (CEM) on recense davantage de couplages entre les circuits électroniques. Ces interactions sont renforcées par l'intégration qui tend à réduire le volume, le poids et le coût des systèmes électronique. En électronique de puissance, on confine dans un volume restreint les fonctions de commutations (IGBT) et de commande (allumeur numérique). Dans ce contexte, nous développons une méthodologie de simulation qui prend en compte les aspects CEM tels que les couplages, inductifs et capacitifs entre les conducteurs de toute nature, du busbarre à la puce, ainsi que les modèles des composants siliciums précis en commutation. Cette méthodologie permet par la suite de simuler le comportement électrique et électromagnétique d'un bras d'onduleur, de mettre en évidence les déséquilibres de courant entre les puces, ou de simuler l'interaction d'une sonde de champ proche afin de la concevoir. Ce travail s'inscrit dans le concept d'Expérimentation Virtuelle.
Author :
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 720 pages
Book Rating : 4.3/5 (91 download)
Download or read book JP III written by and published by . This book was released on 1991 with total page 720 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Author : MOHAMED OUASSIM.. BERRAIES
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 158 pages
Book Rating : 4.:/5 (49 download)
Download or read book MODELES DE COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS POUR LA SIMULATION DES CIRCUITS EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE written by MOHAMED OUASSIM.. BERRAIES and published by . This book was released on 1998 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE APPROCHE POUR LA MODELISATION DES COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE EST PROPOSEE DANS CE MEMOIRE. ELLE REPOSE SUR UNE REPRESENTATION REGIONALE DES MODELES DE COMPOSANTS. L'OBJECTIF EST DE SUBSTITUER AU CONCEPT TRADITIONNEL ASSOCIANT A CHAQUE COMPOSANT UN MODELE SPECIFIQUE, CELUI DE L'ASSEMBLAGE D'UN NOMBRE LIMITE DE SOUS-MODELES ASSOCIES AUX DIFFERENTES REGIONS DU SEMICONDUCTEUR. EN D'AUTRES TERMES, LA LIBRAIRIE DE MODELES DE COMPOSANTS DE PUISSANCES EST REMPLACEE PAR UNE LIBRAIRIE DE MODELES REPRESENTANT LES DIFFERENTES REGIONS DU SEMICONDUCTEURS. CETTE APPROCHE GARANTIT LA COMPATIBILITE DE REPRESENTATION DES DIFFERENTS COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS MIS EN OEUVRE DANS LES CIRCUIT SIMULES EN CE QUI CONCERNE LE DOMAINE DE VALIDITE ET LA PRECISION, LES MODES D'IMPLANTATION DANS LE SIMULATEUR ET LES METHODES D'OBTENTION DES PARAMETRES. APRES AVOIR VALIDE CETTE APPROCHE DANS LE CAS DE DIODES PIN ET DE TRANSISTORS IGBT, NOUS AVONS SIMULE LE FONCTIONNEMENT COUPLE DE CES DEUX COMPOSANTS DANS UNE CELLULE DE COMMUTATION. L'ACCORD OBTENU ENTRE LES CARACTERISTIQUES SIMULEES ET MESUREES MONTRE LA CONSISTANCE ET LA PERTINENCE DE L'APPROCHE POUR DES OBJECTIFS DE SIMULATION DE CIRCUITS EN ELECTRONIQUE DE PUISSANCE.
Author : Rodolphe de Maglie
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 150 pages
Book Rating : 4.:/5 (494 download)
Download or read book Modélisation de différentes technologies de transistors bipolaires à grille isolée pour la simulation d'applications en électronique de puissance written by Rodolphe de Maglie and published by . This book was released on 2007 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'analyse et la conception des systèmes en électronique de puissance nécessitent la prise en compte de phénomènes complexes propres à chaque composant du système mais aussi en accord avec son environnement. La description précise du comportement d'un système passe par la simulation utilisant des modèles suffisamment précis de tous ces composants. Dans notre étude, les modèles basés sur la physique des semiconducteurs permettent de décrire le comportement de la charge stockée dans la base large et peu dopée des composants bipolaires. Cette description fine est indispensable à la bonne précision de nos modèles car l'évolution des porteurs dans la base est indissociable du comportement en statique et en dynamique du composant. Ainsi, les modèles physiques analytiques de diode PiN mais surtout d'IGBT NPT ou PT, ayant une technologie de grille 'planar' ou à tranchées sont présentés puis validés. La modélisation de systèmes complexes en électronique de puissance est abordée au travers de deux études. La première concerne l'association des modèles de semiconducteurs avec des modèles de la connectique dans un module de puissance du commerce (3300V /1200A). Une analyse sur les déséquilibres en courant entre les différentes puces en parallèle est donnée. La seconde présente une architecture innovante issue de l'intégration fonctionnelle. Cette architecture faibles pertes permet d'améliorer le compromis chute de tension à l'état passant/ énergie de commutation à l'ouverture inhérent aux composants IGBT. Sa réalisation technologique est présentée au travers de mesure.
Author : Adrian Maxim
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 240 pages
Book Rating : 4.:/5 (491 download)
Download or read book Macromodélisation SPICE Comportementale Des Dispositifs Semi-conducteurs Et Composants Magnétique de Puissance written by Adrian Maxim and published by . This book was released on 2000 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux présentés dans cette thèse ont pour objet le développement de nouveaux modèles SPICE comportementaux, basés sur les phénomènes physiques des composants mais utilisant les méthodes de modélisation comportementale. Les principaux avantages sont d'une part la modélisation aisée des phénomènes physiques supplémentaires en les décrivant par des équations non linéaires et d'autre part la réduction du temps de calcul et l'augmentation de la précision. Cette méthodologie permet la transportabilité sur divers simulateurs "spice". Elle est appliquée aux principaux composants de puissance et aux composants magnétiques. Ce travail commence par une synthèse des méthodes de modélisation existantes. Les autres chapitres décrivent la méthodologie utilisée pour chaque composant. Le chapitre II présente les principes de la modélisation comportementale dans les simulations de circuits et définit des éléments de base utilisés dans la modélisation des composants de puissance et des circuits magnétiques : - nouveau modèle de transistor de puissance incluant les effets de forte injection, les phénomènes d'avalanche ainsi que la modélisation thermique et les seconds claquages ; - modélisation des GTO et SCR : méthode utilisable tant au niveau circuit que système. Utilisation de la méthode mixte (analogique et digitale); - modélisation des transistors MOS de puissance. Modèle défini à partir des équations de puissance et incluant les capacités parasites ainsi que la diode de "Body". Prise en compte des phénomènes thermiques; -modèle D'IGBT basé sur les équations de diffusion. Modélisation des capacités parasites par une équation linéaire par morceaux. Prise en compte également des effets thermiques; - modélisation des composants magnétiques non linéaires. Représentation électrique des courbes B-H. Prise en compte du comportement en fréquence et en température. Modèle bien adapté à la majorité des noyaux magnétiques (y compris les noyaux amorphes. Simulation de transformateurs. Chaque modèle est validé par comparaison des résultats de simulation et ceux expérimentaux présentés par les constructeurs. Pour chaque composant, l'auteur propose également une méthode d'extraction des paramètres de modèles.
