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Modele De Structure De Bande Et Transport Electronique En Champ Fort Dans Les Semiconducteurs Iii V
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Book Synopsis Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V by : Olivier Mouton
Download or read book Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 1996 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PRESENTE UNE ETUDE THEORIQUE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN CHAMP FORT DANS LES MATERIAUX TROIS-CINQ, A L'AIDE D'UN MODELE ORIGINAL DE LA STRUCTURE DE BANDE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES REND COMPTE DE LA STRUCTURE DE BANDE REELLE AVEC SUFFISAMMENT DE PRECISION, TOUT EN NE NECESSITANT PAS UN IMPORTANT VOLUME DE CALCUL. DANS LE PREMIER CHAPITRE APRES AVOIR RAPPELE LES ASPECTS THEORIQUES FONDAMENTAUX DU TRANSPORT ELECTRONIQUE, NOUS PRESENTONS LES PRINCIPAUX MODELES DE STRUCTURE DE BANDE. PUIS NOUS RAPPELONS SOMMAIREMENT LES PRINCIPAUX MECANISMES D'INTERACTIONS DANS LE MATERIAU MASSIF. L'IONISATION PAR CHOC, PHENOMENE IMPORTANT EN CHAMP FORT, EST PARTICULIEREMENT DECRITE. LE DEUXIEME CHAPITRE EST CONSACRE AU DEVELOPPEMENT DU MODELE DES VALLEES ETENDUES. LE MODELE PREND AUSSI BIEN EN COMPTE LA PREMIERE BANDE DE CONDUCTION QUE LA SECONDE BANDE. IL DECRIT CORRECTEMENT LA STRUCTURE DE BANDE DANS LES DIRECTIONS PRINCIPALES ET AU VOISINAGE DES PRINCIPAUX MINIMA ET MAXIMA D'ENERGIE. LA DENSITE D'ETATS QUI EN DECOULE PERMET D'EN DEDUIRE DES PROBABILITES D'INTERACTION REALISTES SUR TOUTE LA GAMME D'ENERGIE. LE MODELE DES VALLEES ETENDUES EST ENSUITE MIS EN UVRE DANS LA METHODE MONTE-CARLO AFIN DE PROCEDER A LA SIMULATION DU TRANSPORT ELECTRONIQUE. LE TROISIEME CHAPITRE ETUDIE LE TRANSPORT DANS LES MATERIAUX GAAS ET INP, CE QUI PERMET DE PRESENTER DES GRANDEURS IMPORTANTES COMME L'ENERGIE MOYENNE, LA VITESSE DE DERIVE STATIONNAIRE, LE LIBRE PARCOURS MOYEN, ET LE COEFFICIENT D'IONISATION PAR CHOC. L'IONISATION PAR CHOC EST DETAILLEE, ET LE ROLE DE LA DEUXIEME BANDE CONDUCTION DANS CE PHENOMENE EST VERIFIE
Book Synopsis Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V by : Olivier Mouton
Download or read book Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs III-V written by Olivier Mouton and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail presente une etude theorique du transport electronique en champ fort dans les materiaux trois-cinq, a l'aide d'un modele original de la structure de bande. Le modele des vallees etendues rend compte de la structure de bande reelle avec suffisamment de precision, tout en ne necessitant pas un important volume de calcul. Dans le premier chapitre apres avoir rappele les aspects theoriques fondamentaux du transport electronique, nous presentons les principaux modeles de structure de bande. Puis nous rappelons sommairement les principaux mecanismes d'interactions dans le materiau massif. L'ionisation par choc, phenomene important en champ fort, est particulierement decrite. Le deuxieme chapitre est consacre au developpement du modele des vallees etendues. Le modele prend aussi bien en compte la premiere bande de conduction que la seconde bande. Il decrit correctement la structure de bande dans les directions principales et au voisinage des principaux minima et maxima d'energie. La densite d'etats qui en decoule permet d'en deduire des probabilites d'interaction realistes sur toute la gamme d'energie. Le modele des vallees etendues est ensuite mis en uvre dans la methode monte-carlo afin de proceder a la simulation du transport electronique. Le troisieme chapitre etudie le transport dans les materiaux gaas et inp, ce qui permet de presenter des grandeurs importantes comme l'energie moyenne, la vitesse de derive stationnaire, le libre parcours moyen, et le coefficient d'ionisation par choc. L'ionisation par choc est detaillee, et le role de la deuxieme bande conduction dans ce phenomene est verifie.
Book Synopsis Masters Abstracts International by :
Download or read book Masters Abstracts International written by and published by . This book was released on 1994 with total page 1192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V by : Catherine Bru-Chevallier
Download or read book Étude comparative des propriétés de transport non-stationnaire dans différents semiconducteurs composés III-V written by Catherine Bru-Chevallier and published by . This book was released on 1988 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DANS LE CAS DES COMPOSES GAAS, INP, GAINAS ET D'UNE HETEROJONCTION GAAS/GAALAS PAR MESURE DE PHOTOCOURANT DANS DES ECHANTILLONS DE DIMENSIONS SUBMICRONIQUES. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SONT EXPLOITES PAR SIMULATION NUMERIQUE PAR UN PROGRAMME MONTE CARLO. ON DECRIT LES PROPRIETES DE LA STRUCTURE DE BANDE, LES CARACTERISTIQUES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE STATIONNAIRE ET HORS D'EQUILIBRE
Download or read book Acta electronica written by and published by . This book was released on 1983 with total page 390 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Transport Properties of LaTio3+δ[souscrit] And: a Study of Correlation Effects by :
Download or read book Transport Properties of LaTio3+δ[souscrit] And: a Study of Correlation Effects written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse étudie les propriétés électroniques de deux systèmes à fortes corrélations électroniques dont la densité de porteurs a été modifiée de façon contrôlée. Dans le premier système, la modification par dopage chimique du contenu en oxygène de couches minces de LaTiO3, un isolant de Mott, permet d'obtenir un système métallique dont les propriétés de transport (résistivité et effet Hall) peuvent être expliquées par un modèle de transport polaronique. Dans le deuxième système, l'effet de champ ferroélectrique est utilisé pour modifier le nombre de porteurs dans des couches ultra-minces ([plus petit que] 10nm) de NdBa2Cu3O--, un supraconducteur à haute température critique. Cette dernière technique a permis d'induire un changement de la température critique supraconductrice et une transition entre un état supraconducteur et un état isolant. L'étude de l'effet Hall, sous effet de champ, indique que le nombre de porteurs dans ces systèmes supraconducteurs ne change pas en fonction de la température.
Book Synopsis ETUDE DU PHENOMENE D'IONISATION PAR CHOC DANS LES SEMI-CONDUCTEURS III-V by : NICOLAS.. CAVASSILAS
Download or read book ETUDE DU PHENOMENE D'IONISATION PAR CHOC DANS LES SEMI-CONDUCTEURS III-V written by NICOLAS.. CAVASSILAS and published by . This book was released on 2000 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CETTE THESE NOUS PRESENTONS UNE ETUDE DU PHENOMENE D'IONISATION PAR CHOC DANS LES SEMI-CONDUCTEURS. NOUS AVONS ECRIT UN PROGRAMME DE RESOLUTION DETERMINISTE DE L'EQUATION DE TRANSPORT DE BOLTZMANN QUI NOUS A PERMIS DE CALCULER LES COEFFICIENTS D'IONISATION DANS DES MATERIAUX MASSIF. CE PROGRAMME ORIGINAL, PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT LA SOLUTION A L'ETAT STATIONNAIRE SANS FAIRE D'HYPOTHESE SUR UNE EVENTUELLE CONDITION INITIALE. AFIN D'APPLIQUER CE PROGRAMME AU TRANSPORT A FORT CHAMP (500 KV/CM) QUI IMPLIQUE LA PRISE EN COMPTE DES ELECTRONS A HAUTES ENERGIE (3,5 EV), NOUS AVONS CALCULE LES STRUCTURES DE BANDES DES SEMI-CONDUCTEURS A L'AIDE DE LA THEORIE K.P AVEC UN MODELE SP 3S*D. CE MODELE QUI N'AVAIT JAMAIS ETE UTILISE EN THEORIE K.P DONNE DE TRES BONS RESULTATS POUR LES QUATRES PREMIERES BANDES DE CONDUCTIONS SUR TOUTE LA ZONE DE BRILLOUIN JUSQU'A DES ENERGIES DE 4 EV AU-DESSUS DU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. LE PROGRAMME DE RESOLUTION DE L'EQUATION DE BOLTZMANN A EGALEMENT ETE APPLIQUE A UNE ETUDE DE LA RECOMBINAISON RADIATIVE DANS UN SEMI-CONDUCTEUR PLACE DANS UN CHAMP ELECTRIQUE (
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES MULTI-COUCHES A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS III-V by : JOCELYN.. ACHARD
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES MULTI-COUCHES A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS III-V written by JOCELYN.. ACHARD and published by . This book was released on 1997 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE DE THESE PORTE SUR L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE TRANSPORT DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS III-V PRESENTANT PLUSIEURS CANAUX DE CONDUCTION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE, A PARTIR DE MODELES THEORIQUES DECRIVANT LES PHENOMENES DE TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS, DE DEVELOPPER UNE METHODE EXPERIMENTALE PERMETTANT DE DETERMINER LES DENSITES DE PORTEURS ET LES MOBILITES POUR UN SYSTEME MODELISE PAR PLUSIEURS COUCHES EN PARALLELES. CETTE METHODE S'APPUIE SUR DES MESURES DE MAGNETORESISTANCE ET D'EFFET HALL POUR DES VALEURS DU CHAMP MAGNETIQUE INFERIEURES A 1 T. EN CE QUI CONCERNE LA MODELISATION, CE TRAVAIL S'APPUIE SUR LA TECHNIQUE DES SPECTRES DE MOBILITE ET SUR DES AJUSTEMENTS NON-LINEAIRES DU TENSEUR DE CONDUCTIVITE REDUIT. NOUS PRESENTONS UNE VALIDATION THEORIQUE PUIS EXPERIMENTALE POUR DES STRUCTURES TESTS PERMETTANT AINSI DE METTRE EN EVIDENCE LES LIMITES DE RESOLUTION ET DE SENSIBILITE DE LA METHODE. CE TYPE DE CARACTERISATION ELECTRONIQUE NECESSITE LE DEPOT DE CONTACTS OHMIQUES, EN PARTICULIER SUR DES STRUCTURES PEU DOPEES (1.10#1#5CM#-#3). UNE ETUDE PREALABLE A DONC ETE REALISEE. DES PSEUDO-JONCTIONS SCHOTTKY, NECESSAIRES A LA REALISATION DES STRUCTURES TESTS POUR LES MESURES CAPACITIVES ONT EGALEMENT ETE REALISEES. DES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR DES STRUCTURES COMPLEXES TELLES QUE DES H.E.M.T. ET DES PUITS QUANTIQUES FORTEMENT CONTRAINTS INAS/INP ONT PU METTRE EN EVIDENCE L'INTERET DE LA METHODE ET LES INFORMATIONS COMPLEMENTAIRES QU'ELLE AMENE PAR RAPPORT AUX MESURES CAPACITIVES.
Book Synopsis DC and AC Transport in Field-effect Controlled LaAlO3/SrTiO3 Interface by : Alexis Jouan
Download or read book DC and AC Transport in Field-effect Controlled LaAlO3/SrTiO3 Interface written by Alexis Jouan and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse est consacrée à l'étude des propriétés de transport statique et dynamique du gaz d'électrons bidimensionnel supraconducteur à l'interface LaAlO3/SrTiO3. Dans un premier temps, nous étudions l'effet du désordre microscopique induit par le dopage en Chrome, sur la supraconductivité et le couplage spin-orbite en fonction de la densité de porteur modulée par effet de champ. Dans une géométrie de grille locale au-dessus du gaz, nous montrons le contrôle électrostatique de la transition supraconducteur-isolant. De même, nous analysons l'ajustement du couplage spin-orbite contrôlé par effet de champ. A l'aide de méthodes de nanofabrication par lithographie électronique, nous démontrons la première réalisation d'un point critique quantique dans LaAlO3/SrTiO3. En changeant le confinement latéral et le niveau de Fermi par effet de champ, nous sommes capables de régler le nombre de canaux conducteurs dans l'état normal et de mesurer la quantification de la conductance. Enfin, nous présentons des mesures radio-fréquence qui donnent accès aux propriétés dynamiques du gaz supraconducteur. L'évolution de la conductivité en fonction de la densité de porteurs et de la température est comparée avec la théorie standard BCS/Mattis-Bardeen d'une part, et avec la théorie BKT d'autre part.
Book Synopsis Dynamics of Multi-photon Processes in Semiconductor Heterostructures by :
Download or read book Dynamics of Multi-photon Processes in Semiconductor Heterostructures written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La présente thèse est dédiée à l'étude de la dynamique des processus à plusieurs photons dans les hétérostructures à semi-conducteurs. Une description de la dépendance temporelle est importante pour une compréhension détaillée de la réponse transitoire de semi-conducteurs excités par des impulsions optiques ultracourtes. Dans la première partie de la thèse, nous développons un modèle phénoménologique basé sur un ensemble d'équations de bilan, afin d'étudier le gain à deux photons dégénérés dans une microcavité à semi-conducteurs. L'amplification prédite par le modèle est relativement faible (~2%) et limitée principalement par la relaxation intra-bande des porteurs, qui débouche sur une saturation rapide. Dans la seconde partie, nous développons une théorie générale pour la dynamique des processus à plusieurs photons dans les semi-conducteurs. Elle permettra d'accéder à des effets complexes, liés à la cohérence entre les bandes, qui ne sont pas inclus dans les habituels coefficients d'absorption ou susceptibilités. Dans ce contexte, nous dérivons un ensemble d'équations de Bloch effectives à plusieurs bandes, incluant des processus résonants à plusieurs photons induits par deux impulsions électromagnétiques linéairement polarisées, de fréquence ω1 et ω2, avec ħω1 et 2ħω2 proches de l'énergie de la bande interdite (ou "gap"). L'approche proposée présente essentiellement deux avantages. Premièrement, la description de la dynamique est restreinte à un nombre limité de bandes. Toutefois, les bandes éliminées ne sont pas négligées, mais includes de manière consistante dans les processus d'ordre supérieur. Deuxièmement, toutes les quantités apparaissant dans les équations de Bloch effectives varient sur la même échelle de temps, ce qui permet une intégration numérique beaucoup plus efficace. Le courant de polarisation dépendant du temps, ainsi que certaines susceptibilités, sont dérivés de manière consistante avec les approximations précédentes, et sont discut.
Book Synopsis Les matériaux semi-conducteurs by : M. Rodot
Download or read book Les matériaux semi-conducteurs written by M. Rodot and published by . This book was released on 1965 with total page 316 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis TRANSPORT ELECTRONIQUE EN REGIME DE MOBILITE by : SALEHEDDINE.. ELLEUCH
Download or read book TRANSPORT ELECTRONIQUE EN REGIME DE MOBILITE written by SALEHEDDINE.. ELLEUCH and published by . This book was released on 1994 with total page 224 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE EN REGIME DE MOBILITE DANS LES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS III-V MASSIFS ET LEURS HETEROSTRUCTURES. UN OUTIL DE MODELISATION, DEDIE A L'EXPLOITATION DES EXPERIENCES DE HALL, A ETE DEVELOPPE. LA MOBILITE ELECTRONIQUE Y EST CALCULEE PAR LA RESOLUTION NUMERIQUE (METHODE ITERATIVE) DE L'EQUATION DE BOLTZMANN LINEARISEE. CECI PERMET DE DECRIRE CONVENABLEMENT LE TRANSPORT SUR UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURE ET DE CONCENTRATION DE PORTEURS. LE MODELE INCLUT LES INTERACTIONS SUIVANTES: IMPURETES NEUTRES ET IONISEES, ALLIAGE, RUGOSITE D'INTERFACE, ACOUSTIQUE, PIEZOELECTRIQUE ET OPTIQUE POLAIRE. LES MATERIAUX MASSIFS SONT MODELISES A L'AIDE DE TROIS VALLEES DANS LA BANDE DE CONDUCTION ET DEUX DANS LA BANDE DE VALENCE, LES HETEROSTRUCTURES A L'AIDE DE DEUX SOUS-BANDES DANS LA VALLEE CENTRALE. POUR LES MATERIAUX MASSIFS, LES MOBILITES CALCULEES ONT ETE VALIDEES AVEC LES MEILLEURS RESULTATS DE LA LITTERATURE. DANS LE CAS DES PUITS QUANTIQUES, LES EFFETS DUS A LA DEGENERESCENCE, A L'ECRANTAGE, A LA CONCENTRATION DE PORTEURS, A LA TEMPERATURE ET AUX TRANSITIONS INTER SOUS-BANDES ONT ETE ETUDIES. LES COMPORTEMENTS SPECIFIQUES DES INTERACTIONS DUES A LA RUGOSITE D'INTERFACE ET AUX PHONONS OPTIQUES ONT ETE EXAMINES. LES MOBILITES HALL MESUREES SUR DES HETEROSTRUCTURES INALAS/INGAAS/INALAS DONT LE TAUX D'INDIUM DANS LE PUITS VARIE DE 0.53 A 0.75, ONT ETE INTERPRETEES. L'IMPORTANCE DE LA RUGOSITE DES INTERFACES SUR LA MOBILITE A ETE EVALUEE AINSI QUE SON EVOLUTION AVEC LE TAUX D'INDIUM. LE BON ACCORD ENTRE LES MOBILITES CALCULEES ET CELLES MESUREES PAR EFFET HALL NOUS A PERMIS DE VALIDER LES MODELES UTILISES DANS LA SIMULATION ET DE PROPOSER DES STRUCTURES OPTIMISEES PRESENTANT SOIT DES CONDUCTANCES MAXIMALES A TEMPERATURE AMBIANTE (STRUCTURE POUR TRANSISTORS) SOIT DES MOBILITES MAXIMALES A BASSE TEMPERATURE (STRUCTURE D'ETUDES)
Book Synopsis Modélisation physique de la structure électronique, du transport et de l'ionisation par choc dans les matériaux IV-IV massifs, contraints et dans les puits quantiques by : Soline Boyer Richard
Download or read book Modélisation physique de la structure électronique, du transport et de l'ionisation par choc dans les matériaux IV-IV massifs, contraints et dans les puits quantiques written by Soline Boyer Richard and published by . This book was released on 2004 with total page 226 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à l'étude des phénomènes physiques dans les composants à base d'alliage SiGe en présence de fort champ électrique donc mettant en jeu des porteurs très énergétiques susceptibles d'induire de l'ionisation par choc.A l'aide d'une méthode k.p à 30 bandes, nous avons modélisé les structures électroniques complètes du Si, du Ge et des alliages Si1-xGex massifs et contraints sur une large gamme d'énergie (11 eV autour de la bande interdite) avec une très grande précision sur les masses effectives. Associée au formalisme de la fonction enveloppe, cette méthode nous a fourni les relations de dispersion des sous-bandes en bande de valence et de conduction de puits quantiques à base d'alliages SiGe.Pour intégrer les structures électroniques dans la simulation du transport, nous avons calculé les densités d'états pour des structures électroniques 3D et 2D. Nous avons aussi obtenu les masses de densité d'états en fonction de la température dans les alliages SiGe massifs et contraints sur Si.Le chapitre 4 est consacré à l'étude du transport dans les alliages SiGe à partir d'une résolution déterministe de l'équation de Boltzmann. A l'aide des masses de densité d'états, nous avons calculé les mobilités des trous dans le SiGe. A partir de la simulation du transport à fort champ électrique des électrons dans le Si contraint sur SiGe et des trous dans le Ge contraint sur SiGe, nous avons obtenu les coefficients d'ionisation par choc dans ces matériaux.Des mesures électro-optiques de HFET et de diodes SiGe ont été réalisées au cours de la thèse. Les résultats expérimentaux ont été comparés à des résultats de modélisation ; les accords obtenus sont raisonnables.
Book Synopsis Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs by : COLLECTIF.
Download or read book Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs written by COLLECTIF. and published by Omniscriptum. This book was released on 2010-11 with total page 88 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans l'industrie des composants électroniques, permet d'atteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C'est en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base d'azote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent ètre utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous l'effet de n'importe quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.
Book Synopsis DETERMINATION EXPERIMENTALE DE LA STRUCTURE DE BANDES DES SUPERRESEAUX II-VI A BASE DE COMPOSES DU MERCURE by : JOSIANE.. MANASSES
Download or read book DETERMINATION EXPERIMENTALE DE LA STRUCTURE DE BANDES DES SUPERRESEAUX II-VI A BASE DE COMPOSES DU MERCURE written by JOSIANE.. MANASSES and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SUPERRESEAUX DE TYPE III HG(ZN)TE-CDTE. CES HETEROSTRUCTURES SONT REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET PRESENTENT DE TRES GRANDES MOBILITES ELECTRONIQUES. DES MESURES DE TRANSPORT MENEES DANS LA GAMME DE TEMPERATURE 1,5-300 K SUR DES SUPERRESEAUX HGZNTE-CDTE DE TYPE N MONTRENT QUE CES ECHANTILLONS SONT SEMIMETALLIQUES A BASSE TEMPERATURE ET SEMICONDUCTEURS INTRINSEQUES DEGENERES POUR DES TEMPERATURES SUPERIEURES A 100 K. L'ENERGIE DE FERMI DANS CES STRUCTURES EST DETERMINEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. NOUS AVONS REALISE DES EXPERIENCES DE MAGNETOTRANSMISSION DANS L'INFRAROUGE LOINTAIN DANS LA GAMME DE TEMPERATURE 1,5-300 K AVEC LE CHAMP MAGNETIQUE B APPLIQUE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT A L'AXE DE CROISSANCE DES SUPERRESEAUX. L'INTERPRETATION DES EXPERIENCES DANS LE CADRE DE NOS MODELES THEORIQUES (MODELE MULTIBANDES DES FONCTIONS ENVELOPPES) PERMET DE DETERMINER LA NATURE SEMIMETALLIQUE OU SEMICONDUCTRICE A TRES BASSE TEMPERATURE DES ECHANTILLONS AINSI QUE L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE SUR LA STRUCTURE DE BANDES DES SUPERRESEAUX ETUDIES. NOUS AVONS AINSI PU METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UNE TRANSITION SEMIMETAL-SEMICONDUCTEUR INDUITE PAR LA TEMPERATURE. NOUS AVONS EGALEMENT OBTENU L'ORDRE DE GRANDEUR DES ENERGIES PLASMA DANS NOS SYSTEMES ET DISCUTE L'INFLUENCE DES EFFETS MAGNETOPLASMA SUR NOS MESURES
Book Synopsis Mécanismes de recombinaison des paires électron-trou associés aux dislocations dans les semiconducteurs III-V by : Adel Miri
Download or read book Mécanismes de recombinaison des paires électron-trou associés aux dislocations dans les semiconducteurs III-V written by Adel Miri and published by . This book was released on 1995 with total page 137 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis plusieurs années, le contraste E.B.I.C ou CL effectué sur des dislocations [Alpha] et [Béta] , a fait l'objet de plusieurs études en fonction de l'injection et de la température. L'interprétation de ces résultats expérimentaux nécessite un support théorique ; pour cela plusieurs modèles physiques du contraste E.B.I.C ont été développé. Malheureusement aucun de ces modèles ne permet de déterminer quantitativement et de manière auto-cohérente, l'efficacité de recombinaison des dislocations. Dans ce mémoire, nous citons d'abord les propriétés les plus importantes des différents champs électriques associés aux dislocations, ensuite, nous introduisons les concepts physiques concernant la recombinaison non radiative en présence d'un champ électrique, clairement établis par Abakumov et al. Ces travaux nous ont permis de proposer un modèle physique, conduisant à déterminer de manière auto-cohérente, l'efficacité de recombinaison des porteurs minoritaires d'une dislocation due à l'existence d'un champ électrique entourant la ligne de la dislocation. En reliant le coefficient de capture auto-cohérent à la force du défaut établie par Donolato, nous obtenons les valeurs quantitatives du contraste E.B.I.C des dislocations. Dans le cas de GaAs, l'interprétation des résultats expérimentaux de contraste E.B.I.C des dislocations à l'aide de ce modèle, constitue une des rares vérifications des calculs ab-initio de structures de bande des dislocations de Jones et al. De plus, nous montrons théoriquement, pour la première fois, que l'augmentation du contraste E.B.I.C des dislocations décorées, peut être simplement interprétée par une réduction de la densité de donneurs au voisinage de la dislocation. En se fondant sur le nouveau modèle de la structure de bande des dislocations [Alpha] et [Béta] et , et compte tenu de la physique des dislocations de désadaptation de réseau situées à l'interface d'un puits quantique (InGaAs/GAs), nous montrons que les mécanismes de recombinaison des porteurs minoritaires sont de nature extrinsèque.
Book Synopsis REGIMES DE CONDUCTION PAR SAUT SOUS CHAMP MAGNETIQUE INTENSE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS P-CUINTE#2 ET N-SI by : MAHDI.. IQBAL
Download or read book REGIMES DE CONDUCTION PAR SAUT SOUS CHAMP MAGNETIQUE INTENSE DANS LES SYSTEMES SEMI-CONDUCTEURS P-CUINTE#2 ET N-SI written by MAHDI.. IQBAL and published by . This book was released on 1998 with total page 163 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS LES SYSTEMES DESORDONNES, UN MECANISME TYPIQUE DE TRANSPORT EST LA CONDUCTION PAR SAUT A DISTANCE VARIABLE ACTIVE THERMIQUEMENT ENTRE ETATS ELECTRONIQUES LOCALISES. LA RESISTIVITE PREND LA LOI EN TEMPERATURE =#0 EXP(T#0/T)#3 AVEC UN EXPOSANT COUREMMENT EGAL A 1/4 C'EST LE REGIME DE MOTT OU 1/2 POUR LE REGIME DE EFROS-SHKLOVSKII(ES). CE DERNIER REGIME EST LA CONSEQUENCE DE L'EXISTENCE D'UN GAP DE COULOMB DU A L'INTERACTION COULOMBIENNE ELECTRON-ELECTRON ENTRE ETATS LOCALISES. L'ESSENTIEL DE CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'INFLUENCE D'UN FORT CHAMP MAGNETIQUE SUR LA CONDUCTION PAR SAUT A DISTANCE VARIABLE (VRH) DANS LES SEMI-CONDUCTEURS P-CUINTE#2 ET SI(P,B). DANS L'ECHANTILLON P-CUINTE#2, A CHAMP MAGNETIQUE NUL, LA CONDUCTION PAR VRH EST PRESENTE DANS UN DOMAINE DE TEMPERATURE INHABITUELLEMENT ETENDU (JUSQU'A 90 K). A BASSE TEMPERATURE, LA CONDUCTION DU TYPE (ES) (S=1/2) LAISSERAIT LA PLACE A CELLE DE MOTT PAR UN ACCROISSEMENT DE LA TEMPERATURE ECRANTANT AINSI L'INTERACTION INTER ELECTRONIQUE. A CHAMP EVANESCENT, LA COMPOSANTE NEGATIVE DE LA MAGNETORESISTANCE EST EXPLIQUEE EN TERMES D'INTERFERENCES QUANTIQUES ENTRE PLUSIEURS CHEMINS DE PERCOLATION. L'ORIGINALITE DU TRAITEMENT DES DONNEES EXPERIMENTALES EN CHAMP INTENSE, RESIDE DANS LA MODELISATION BASEE SUR LES FORMALISMES RECENTS DE AHARONY ET DE SHLIMAK QUI INTEGRENT UN CARACTERE UNIVERSEL DE LA TRANSITION. CECI NOUS A PERMIS DE SUIVRE PAS A PAS EN FONCTION DU CHAMP LA VARIATION DE LA TEMPERATURE DE TRANSITION T#C, EN DESSOUS DE LAQUELLE LE GAP DE COULOMB INTERVIENT REELLEMENT. IL EST MONTRE QU'UN ACCROISSEMENT DU CHAMP A POUR EFFET DE REPOUSSER LE DOMAINE D'OBSERVABILITE DU REGIME DE ES VERS LES TEMPERATURES LES PLUS BASSES. CE FAIT EST CONFIRME SUR SI(P,B) OU, A CHAMP MAGNETIQUE NUL, N'EXISTE QUE LE REGIME DE ES : UN CHAMP INTENSE INDUIT LA TRANSITION VERS LE REGIME DE MOTT. IL APPARAIT DONC QUE LA LOCALISATION INDUITE PAR UN FORT CHAMP MAGNETIQUE, AU LIEU DE PRIVILEGIER LE REGIME DE ES, FAVORISERAIT PLUTOT LES SAUTS A COURTE DISTANCE ET DONC REDUIRAIT L'EFFICACITE DU GAP DE COULOMB.
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