MISE EN UVRE D'UN BANC DE CARACTERISATION NON LINEAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE A PARTIR DE REFLECTOMETRES SIX PORTES

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Book Synopsis MISE EN UVRE D'UN BANC DE CARACTERISATION NON LINEAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE A PARTIR DE REFLECTOMETRES SIX PORTES by : GERARD.. BERGHOFF

Download or read book MISE EN UVRE D'UN BANC DE CARACTERISATION NON LINEAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE A PARTIR DE REFLECTOMETRES SIX PORTES written by GERARD.. BERGHOFF and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE MARCHE DES SYSTEMES DES COMMUNICATIONS, NOTAMMENT LE SECTEUR GRAND PUBLIC, EST CARACTERISE PAR UNE FORTE CROISSANCE. DANS TOUS LES SYSTEMES, L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EST UN ELEMENT ESSENTIEL. LES APPAREILS PORTABLES NECESSITENT DES CIRCUITS RADIOFREQUENCES FONCTIONNANT AVEC DES TENSIONS DE POLARISATION TRES BASSES (INFERIEURE OU EGALE A 3 V) ET AYANT UN RENDEMENT ELEVE AFIN DE RENDRE POSSIBLE UN MAXIMUM D'AUTONOMIE. DANS CE CONTEXTE, L'OPTIMISATION DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN TERMES DE PUISSANCE DE SORTIE ET DE RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE. LE SUJET DE CETTE THESE EST LE DEVELOPPEMENT D'UN BANC DE CARACTERISATION, CAPABLE D'EFFECTUER UNE VARIATION DE LA CHARGE EN SORTIE A LA FREQUENCE FONDAMENTALE ET AU DEUXIEME HARMONIQUE (LOAD-PULL MULTIHARMONIQUE), ETANT DONNE QUA LA CHARGE AU DEUXIEME HARMONIQUE JOUE EGALEMENT UN ROLE IMPORTANT SUR LE COMPORTEMENT DU TRANSISTOR. DE PLUS, L'EFFET DE L'IMPEDANCE DE SOURCE, PRESENTEE AU TRANSISTOR EST PRIS EN COMPTE (SOURCE-PULL). LE BANC SE DISTINGUE PAR SA TOPOLOGIE ORIGINALE EN UTILISANT DEUX VOIES COMPLETEMENT INDEPENDANTES EN SORTIE AU FONDAMENTALE ET AU DEUXIEME HARMONIQUE, CHACUNE ETANT MUNIE D'UN REFLECTOMETRE SIX-PORTES POUR MESURER LES FACTEURS DE REFLEXION ET LES PUISSANCES DE SORTIE AUX DEUX FREQUENCES. LE FAIBLE COUT DES REFLECTOMETRES SIX-PORTES, NOTAMMENT DANS LE CAS D'UNE REALISATION EN TECHNOLOGIE MICRO-RUBAN, FAVORISE CETTE APPROCHE. UNE NOUVELLE METHODE DE CALIBRAGE REND POSSIBLE L'UTILISATION DU BANC DE CARACTERISATION POUR DES MESURES SUR TRANCHES. UN ELEMENT-CLE DE CHAQUE SYSTEME DE MESURE EST SON ERGONOMIE. L'AUTOMATISATION POUR CE BANC A ETE POUSSEE A UN HAUT NIVEAU AFIN DE FACILITER SON UTILISATION. DES ROUTINES POUR SYNTHETISER DES FACTEURS DE REFLEXION DONNES, OPTIMISER LES CHARGES EN SORTIE ET TRACER LES CONTOURS LOAD-PULL ONT ETE PROGRAMMEES.

Mise en oeuvre d'un banc de caractérisation non linéaire de transistors de puissance à partir de réflectomètres six-portes

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Book Synopsis Mise en oeuvre d'un banc de caractérisation non linéaire de transistors de puissance à partir de réflectomètres six-portes by : Gerald Berghoff

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Mise en oeuvre d'un banc de caracterisation non-lineaire de transistors de puissance a partir de reflectometres six-portes : application aux mesures Source-Pull

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Book Synopsis Mise en oeuvre d'un banc de caracterisation non-lineaire de transistors de puissance a partir de reflectometres six-portes : application aux mesures Source-Pull by : Gerald Berghoff

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Annales des télécommunications

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Mise en oeuvre d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour l'analyse de transistors HBT Si/SiGe:C

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Book Synopsis Mise en oeuvre d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour l'analyse de transistors HBT Si/SiGe:C by : Rezki Ouhachi

Download or read book Mise en oeuvre d'un banc de caractérisation non linéaire dans le domaine fréquentiel pour l'analyse de transistors HBT Si/SiGe:C written by Rezki Ouhachi and published by . This book was released on 2012 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence des technologies de communication satellite et radar toujours en pleine essor nécessite des composants de puissance hyperfréquence de plus en plus compacts permettant d’intégrer sur une seule puce des fonctions analogiques/numériques, tout en réduisant le coût de fabrication. Dans ce contexte, le transistor bipolaire à hétérojonction HBT constitue un composant de choix afin d'améliorer les performances des transistors de puissance sur silicium pour les applications hyperfréquences en association avec la technologie CMOS. Ainsi, cette étude est dédiée à la caractérisation et la modélisation non linéaire de ces dispositifs actifs. Dans ce but, un banc de mesures non linéaires et un modèle prédictif grand signal ont été développés jusqu’à 50 GHz. Dans un premier temps, le banc de mesures non linéaires a été mis en œuvre autour du NVNA en configuration load-pull mesurant dans le domaine fréquentiel vis à vis du LSNA mesurant dans le domaine temporel. Cette configuration instrumentale associée à la dynamique du NVNA met en avant ses avantages et inconvénients. Par la suite, une procédure d’extraction pour l’élaboration d’un modèle électrique grand signal a été validée en régimes statique et dynamique. L’originalité de ce modèle prédictif est la procédure d’extraction ainsi que la mise en œuvre rapide s’appuyant sur les formules analytiques physiques des semiconducteurs. Les étapes d’extraction se sont avérées très efficaces lors des confrontations avec les données expérimentales du dispositif sous test dans les mêmes conditions de polarisation et d’impédances de charge. Nous avons alors mis en évidence l’impact des courants thermiques sur les performances en puissance hyperfréquence des transistors bipolaires dans les domaines temporel et fréquentiel.

Conception d'un système de caractérisation fonctionnelle d'amplificateur de puissance en présence de signaux modulés à l'aide de réflectomètres six-Portes

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Book Synopsis Conception d'un système de caractérisation fonctionnelle d'amplificateur de puissance en présence de signaux modulés à l'aide de réflectomètres six-Portes by : Souheil Bensmida

Download or read book Conception d'un système de caractérisation fonctionnelle d'amplificateur de puissance en présence de signaux modulés à l'aide de réflectomètres six-Portes written by Souheil Bensmida and published by . This book was released on 2005 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire présente l'étude et la mise en oeuvre d'un banc de caractérisation fonctionnelle de type " load-pull " pour la mesure de l'ensemble des critères de puissance, rendement et linéarité en présence de tous types de signaux (CW, CW-pulsés, GMSK, QPSK, QAM, etc.). Ce banc est constitué de réflectomètres six-portes, pour la mesure des impédances et des puissances. Afin de permettre l'utilisation de signaux modulés nous avons implémenté des détecteurs de puissance rapides bas coût à base de diodes Schottky non polarisées pour la détection de puissance au niveau des jonctions six-portes. Pour l'optimisation de la linéarité en plus, nous avons ajouté des modules de contrôle des impédances basses fréquences en entrée et en sortie du composant à tester. Un transistor de puissance MESFET a été testé à la fréquence 1.575 GHz en présence d'un signal modulé QPSK de largeur 1.25 MHz et d'un signal bi-porteuses séparées de 800 kHz pour une polarisation de type A et AB. Les contours " load-pull " montrent que les conditions optimales de puissance, de rendement et de linéarité sont différentes d'où la nécessité de trouver des compromis entre les différents critères. D'autre part, ces résultats montrent qu'il existe une forte corrélation entre l'ACPR et le produit d'intermodulation d'ordre 3. L'effet des impédances de source BF sur la linéarité n'est notable qu'en classe AB dans la zone de saturation. Finalement, l'effet des impédances de charge BF apparaît quelle que soit la classe de fonctionnement avec évidemment un effet très prononcé pour la classe AB pour laquelle on a observé des variations de 5 à 20 dB pour l'ACPR sur toute la dynamique de mesure

Etude et mise en œuvre d’un banc de caractérisation fort-signal de transistors en ondes millimétriques

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Book Synopsis Etude et mise en œuvre d’un banc de caractérisation fort-signal de transistors en ondes millimétriques by : Ismail Yattoun

Download or read book Etude et mise en œuvre d’un banc de caractérisation fort-signal de transistors en ondes millimétriques written by Ismail Yattoun and published by . This book was released on 2006 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La conception maîtrisée d'amplificateurs de puissance à l'état solide nécessite des moyens de caractérisation performants permettant d'obtenir par l'expérimentation les conditions optimales de fonctionnement en puissance des transistors - ces résultats étant directement utilisables par le concepteur. Par ailleurs, ces moyens permettent également de valider les modèles de composants élaborés pour la C.A.O des circuits non-linéaires. La caractérisation en puissance des transistors est réalisée au moyen de la technique de la charge active (« load-pull » actif) dont une nouvelle configuration est proposée. Cette technique permet la synthèse électronique d'une impédance de charge quelconque pour laquelle les performances en puissance du transistor - pour une fréquence et un point de polarisation donnés - sont mesurées. L'application maieure visée par ce banc expérimental est donc la caractérisation fort signal de transistors, en vue de concevoir des amplificateurs de puissance destinés aux systèmes de télécommunication en ondes millimétriques en particulier aux fréquences 28/30 ou 41 GHz.

Caractérisation expérimentale de transistors de puissance RF

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Book Synopsis Caractérisation expérimentale de transistors de puissance RF by : Olivier Gibrat

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MISE EN UVRE D'UN SYSTEME DE MESURE LOAD-PULL A PARTIR D'UN ANALYSEUR DE RESEAUX A SIX-PORTES POUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE

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Book Synopsis MISE EN UVRE D'UN SYSTEME DE MESURE LOAD-PULL A PARTIR D'UN ANALYSEUR DE RESEAUX A SIX-PORTES POUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE by : Frédérique Deshours

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Développement et validation d’un banc de caractérisation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel

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Book Synopsis Développement et validation d’un banc de caractérisation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel by : Jad Faraj

Download or read book Développement et validation d’un banc de caractérisation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel written by Jad Faraj and published by . This book was released on 2010 with total page 175 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux traitent de la mesure de formes d’ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Nonlinear Vector Network Analyzer. La validation d’une méthode d’étalonnage absolue a été effectuée, l’originalité étant l’absence d’étalon de phase. Dans un deuxième temps, ce banc a été étendu par l’ajout de modes d’impulsions conservant toute la dynamique de mesure, même pour des rapports cycliques pouvant aller jusqu’à 0,01%. Des mesures de trains d’impulsions et des profils d’impulsions ont aussi été rendu possibles. Dans une dernière partie, l’intérêt de mesurer les formes d’ondes temporelles des transistors de puissance est démontré à l’aide d’exemples mettant en lumière les capacités du banc à supporter de très fortes puissances RF en mode d’impulsion, notamment pour des transistors HEMT AlGaN/GaN. Ce banc s’est aussi avéré très efficace pour séparer les effets de pièges des effets thermiques de différentes manières.

Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO

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Book Synopsis Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO by : Tony Gasseling

Download or read book Caractérisation non linéaire avancée de transistors de puissance pour la validation de leur modèle CAO written by Tony Gasseling and published by . This book was released on 2003 with total page 229 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load pull. Il est ainsi montré qu'un banc load pull fonctionnant en mode pulsé permet de participer à la validation des technologies utilisées pour la génération de fortes puissances aux fréquences microondes (Bande S). Cette étape permet également de valider fortement les modèles non linéaires électrothermiques des transistors développés à cet effet. Dans le domaine millimétrique, l'amplification de puissance sous contrainte de rendement et de linéarité est à l'heure actuelle un des points critiques du fait des faibles réserves de gain proposées. Dans ce contexte, le développement d'un banc source et load pull actif fonctionnant en bande K et permettant de déterminer les conditions optimales de polarisation et d'adaptation pour l'obtention du meilleur compromis rendement/linéarité se révèle être de première importance pour la conception optimisée d'amplificateur. Enfin, une nouvelle technique de caractérisation dédiée à l'extraction des quatre paramètres S à chaud en environnement load pull est proposée. Une application de cette nouvelle caractérisation a ainsi permis de prédire les oscillations paramétriques hors bande pouvant apparaître en fonction des conditions opératoires lorsque le transistor fonctionne en régime fort signal

Mise en oeuvre d'un système de mesure Load-Pull à partir d'un analyseur de réseaux à six-portes pour la caractérisation expérimentale des transistors de puissance

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Book Synopsis Mise en oeuvre d'un système de mesure Load-Pull à partir d'un analyseur de réseaux à six-portes pour la caractérisation expérimentale des transistors de puissance by : Frédérique Deshours

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Mise en oeuvre d'un système de mesure Load-Pull à partir d'un analyseur de réseaux à six-portes pour la caractérisation expérimentale des transistors de puissance

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Book Synopsis Mise en oeuvre d'un système de mesure Load-Pull à partir d'un analyseur de réseaux à six-portes pour la caractérisation expérimentale des transistors de puissance by : Frédérique Deshours

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Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire des transistors hyperfréquences de puissance « RF Si-LDMOSFETs pour l’étude de la fiabilité

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Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire des transistors hyperfréquences de puissance « RF Si-LDMOSFETs pour l’étude de la fiabilité by : Mouna Chetibi-RIah

Download or read book Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire des transistors hyperfréquences de puissance « RF Si-LDMOSFETs pour l’étude de la fiabilité written by Mouna Chetibi-RIah and published by . This book was released on 2009 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This work deals with electrothermal modelling of LDMOS power transistor for the study of reliability in radar applications. In a first part, we presented the characteristics of MOS transistors, and particularly the LDMOS, compared to bipolar transistors. We studied the influence of the temperature rise in semiconductor components on their relevant physical quantities. Finally, we explained the basics of the reliability of power transistors and we discussed ways and mechanisms of failure and the main laws of acceleration of failure (temperature, current density, injection of hot carriers). In a second part, the whole process of extraction of electrothermal model of an LDMOS is presented in detail. This study was based on the MET model deemed most appropriate for RF LDMOS power transistor. The reliability bench used to perform accelerated ageing tests has been described in chapter three. The goal is the understanding of the degradation of the reliability of such components in pulsed mode. Thus, all the electrical and RF parameters drifts after accelerated ageing tests have been studied and discussed.

Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction

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Book Synopsis Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction by : Thierry Peyretaillade

Download or read book Modélisation électrothermique des transistors bipolaires à hétérojonction written by Thierry Peyretaillade and published by . This book was released on 1997 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, PROPOSE PAR LE C.N.E.S., RENTRE DANS LE CONTEXTE D'UNE ACTION R&D DESTINEE A DEMONTRER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LE TBH. DANS LE BUT DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN TECHNOLOGIE M.M.I.C., UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DU TBH A ETE DEVELOPPE. LA DETERMINATION DE CE MODELE REPOSE SUR UNE CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DU TRANSISTOR PERMETTANT D'OBTENIR LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DE SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION. UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DE TBH TENANT COMPTE DES EFFETS NON QUASI STATIQUES DU TRANSISTOR A ETE DETERMINE. APRES UNE VALIDATION DU MODELE SUR DIFFERENTS ECHANTILLONS ET SUR LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT DE TYPE CLASSE F EN BANDE S, NOUS AVONS ETUDIE LE PHENOMENE D'INSTABILITE THERMIQUE (EFFET CRUNCH) APPARAISSANT DANS LES TRANSISTORS MULTIDOIGTS. FINALEMENT, LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN BANDE X EST ETUDIEE. CETTE ETUDE A ETE INTEGRALEMENT CONDUITE A PARTIR DE L'UTILISATION CONJOINTE DU MODELE NON LINEAIRE ET DES LOGICIELS DE C.A.O. LA QUALITE DES RESULTATS OBTENUS DES LA PREMIERE FABRICATION, VALIDE LE MODELE DEVELOPPE ET TEMOIGNE DE L'EFFICACITE DE LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION EMPLOYEE.

Modélisation non-linéaire de transistors microondes

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Book Synopsis Modélisation non-linéaire de transistors microondes by : Jean-Pierre Viaud

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Synthèse expérimentale d'impédances par la technique de la charge active

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Book Synopsis Synthèse expérimentale d'impédances par la technique de la charge active by : Jean-Marc Coupat

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