Author : LIP SUN.. HOW KEE CHUN
Publisher :
ISBN 13 :
Total Pages : 234 pages
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Book Synopsis LA PASSIVATION DES COMPOSES EPITAXIES SUR INP PAR DEPOT PHOTOLYTIQUE DIRECT DE NITRURE DE SILICIUM by : LIP SUN.. HOW KEE CHUN
Download or read book LA PASSIVATION DES COMPOSES EPITAXIES SUR INP PAR DEPOT PHOTOLYTIQUE DIRECT DE NITRURE DE SILICIUM written by LIP SUN.. HOW KEE CHUN and published by . This book was released on 1997 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA STABILISATION ET LA PROTECTION DE LA SURFACE SONT LES PRINCIPAUX OBJECTIFS DE LA PASSIVATION EN VUE D'OBTENIR DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES STABLES ET PERFORMANTS. DANS LE CAS DES SEMICONDUCTEURS A BASE D'INP QUI SONT CONNUS POUR LEUR FRAGILITE, L'UTILISATION DE LA PHOTOLYSE DIRECTE POUR DEPOSER LE NITRURE DE SILICIUM APPARAIT APPROPRIEE CAR C'EST UNE TECHNIQUE BASSE TEMPERATURE ET SANS BOMBARDEMENT D'IONS ENERGETIQUES, L'ENERGIE REACTIONNELLE PROVENANT DES PHOTONS UV. CE PROCEDE EST APPLIQUE DANS NOTRE REACTEUR DANS LEQUEL LES GAZ REACTIFS SONT LE SILANE ET L'AMMONIAC. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE PAR LE BIAIS DES DIODES MIS SUR INP, GAINAS ET SI MONTRE DES BONNES QUALITES D'ISOLANT (RESISTIVITE ET CLAQUAGE) ET D'INTERFACE (DENSITE DE PIEGES D'INTERFACE) POUR LES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES. MAIS, EN RAISON DE LA CONTAMINATION DE SURFACE DUE AUX OXYDES NATIFS ET AU CARBONE, LE DEPOT DE NITRURE DOIT ETRE COUPLE AVEC UN TRAITEMENT DE SURFACE IN SITU, AVANT DEPOT, PAR L'AMMONIAC PHOTOEXCITE OU PAR LE DIFLUORURE DE XENON. CETTE ETAPE DE PREPARATION DE SURFACE DOIT ETRE BIEN CONTROLE, EN TEMPS REEL, PAR L'ELLIPSOMETRIE NOTAMMENT. CES DEUX TRAITEMENTS S'AVERENT ETRE BENEFIQUES, EN REDUISANT LES COURANTS D'OBSCURITE DES DIODES PN ET MSM. EN PARTICULIER, LE DIFLUORURE DE XENON SE MONTRE TRES EFFICACE SUR ALINAS OU LES OXYDES SONT DIFFICILES A ELIMINER. UN SCHEMA DE PASSIVATION A TROIS ETAPES A DONC ETE ELABORE : UNE DESOXYDATION EX SITU PAR VOIE HUMIDE SUIVI D'UN TRAITEMENT PHOTOCHIMIQUE IN SITU DE SURFACE ET ENFIN LE DEPOT DE NITRURE PAR PHOTOLYSE DIRECTE. CE SCHEMA DE PASSIVATION EST OPTIMISE POUR LA PHOTODIODE A AVALANCHE A MULTIPUITS QUANTIQUES EN GAINAS/ALINAS POUR QUE LES PROCEDES SOIENT COMPATIBLES AVEC LES DIFFERENTS MATERIAUX COMPOSANT CE DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE. CES PHOTODIODES SONT PASSIVEES AVEC SUCCES ; DES DIODES FONCTIONNELLES POSSEDANT DE FAIBLES COURANTS D'OBSCURITE ET D'EXCELLENTES PROPRIETES D'AVALANCHE SONT AINSI OBTENUES.
