Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Integration Sur Silicium De Solutions Completes De Caracterisation En Puissance De Transistor Hbt En Technologie Bicmos 55 Nm A Des Frequences Au Dela De 130 Ghz
Download Integration Sur Silicium De Solutions Completes De Caracterisation En Puissance De Transistor Hbt En Technologie Bicmos 55 Nm A Des Frequences Au Dela De 130 Ghz full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Integration Sur Silicium De Solutions Completes De Caracterisation En Puissance De Transistor Hbt En Technologie Bicmos 55 Nm A Des Frequences Au Dela De 130 Ghz ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Intégration sur silicium de solutions complètes de caractérisation en puissance de transistor HBT en technologie BiCMOS 55 nm à des fréquences au-delà de 130 GHz by : Alice Bossuet
Download or read book Intégration sur silicium de solutions complètes de caractérisation en puissance de transistor HBT en technologie BiCMOS 55 nm à des fréquences au-delà de 130 GHz written by Alice Bossuet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'évolution des technologies silicium rend aujourd'hui possible le développement de nombreuses applications dans les domaines millimétriques tels que pour les systèmes de communication à très haut débit. Cette évolution se caractérise par une croissance des performances en fréquence des transistors disponibles dans ces technologies et nécessite la mise en place d'outils de mesure performants pour valider la modélisation et l'optimisation technologique de ces dispositifs. La caractérisation load-pull est une méthode incontournable pour modéliser le comportement en fort signal des transistors. En bande G [140-220 GHz], l'environnement de mesure classiquement disponible n'a plus les performances requises pour ce type de caractérisation compte tenu des pertes dans les accès au dispositif sous test. Ce travail de thèse a pour objectif de lever ce verrou en proposant de réaliser, en technologie BiCMOS 55 nm de STMicroelectronics, un banc load-pull entièrement intégré sur silicium afin d'être au plus près du dispositif à caractériser. Le mémoire est articulé autour de quatre chapitres. Le premier chapitre présente l'état de l'art de l'instrumentation actuellement disponible pour la caractérisation en puissance aux fréquences millimétriques et leurs limitations. Le second chapitre détaille la conception et la caractérisation des blocs constituant le banc intégré : le tuner et la source MMW de puissance. Le troisième chapitre décrit la réalisation et les performances du détecteur de puissance. Enfin, le quatrième chapitre présente le banc complet et son application à la caractérisation en bande G d'un dispositif bipolaire disponible dans la technologie BiCMOS 55 nm.
Book Synopsis Contribution à la caractérisation et la modélisation jusque 325 GHz de transistors HBT des technologies BiCMOS by : Marina Deng
Download or read book Contribution à la caractérisation et la modélisation jusque 325 GHz de transistors HBT des technologies BiCMOS written by Marina Deng and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'émergence des applications grand public en gamme millimétrique et térahertz, telles que la communication très haut débit, le radar automobile et l'imagerie, est aujourd'hui rendue possible grâce aux progrès continus sur les performances des transistors. La technologie BiCMOS SiGe compte parmi les technologies clés génériques capables d'adresser ces applications. Les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) de dernière génération montrent en effet des fréquences de coupure supérieures à 300 GHz. Néanmoins, la conception de circuits RF dans les fréquences sub-térahertz nécessite des modèles de transistor précis et fiables, qui sont extraits et validés par des mesures hyperfréquences. L'objectif de ce travail a donc été de caractériser et modéliser les transistors HBT des technologies BiCMOS en régime petit signal et en bruit RF au-delà de 110 GHz. Après la mise au point d'une technique d'épluchage des accès du transistor à partir de mesures en bande G (140 - 220 GHz), la modélisation petit signal des transistors HBT des technologies B9MW, B5T et B55 de STMicroelectronics a pu être réalisée jusqu'à 220 et 325 GHz, tout en montrant les limitations dues à la montée en fréquence. De plus, l'extraction des quatre paramètres de bruit du transistor HBT SiGe a été réalisée pour la première fois dans l'intégralité de la bande 130 - 170 GHz, démontrant l'efficacité de la méthode multi-impédance associé à l'algorithme de Lane à ces hautes fréquences. Dans la perspective d'intégrer le système de mesure de bruit en vue de caractériser en bruit le transistor HBT, un amplificateur et un tuner d'impédance ont été conçus, en technologie B55, pour un fonctionnement de 130 à 170 GHz.
