Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Evaluation De La Logique A Injection Sur Arseniure De Gallium Et Realisation De Transistors Bipolaires A Heterojonction Gaaias Gaas Par Epitaxie Par Jets Moleculaires
Download Evaluation De La Logique A Injection Sur Arseniure De Gallium Et Realisation De Transistors Bipolaires A Heterojonction Gaaias Gaas Par Epitaxie Par Jets Moleculaires full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Evaluation De La Logique A Injection Sur Arseniure De Gallium Et Realisation De Transistors Bipolaires A Heterojonction Gaaias Gaas Par Epitaxie Par Jets Moleculaires ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis EVALUATION DE LA LOGIQUE A INJECTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAIAS/GAAS PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES by : Raja Touahni
Download or read book EVALUATION DE LA LOGIQUE A INJECTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAIAS/GAAS PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES written by Raja Touahni and published by . This book was released on 1986 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE D'ABORD L'EVALUATION DE LA FILIERE LOGIQUE I**(2)L A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. LES AVANTAGES APPORTES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES DES HETEROJONCTIONS ET LES QUALITES INTRINSEQUES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM SONT REPERTORIES. UNE SIMULATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN REGIME DYNAMIQUE DE LA STRUCTURE, QUI S'APPUIE SUR DES MODELES PRECIS A CONTROLE DE CHARGE, EST UTILISEE POUR ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES ET DISCUTER LES CRITERES D'OPTIMISATION. LES PERFORMANCES THEORIQUES AINSI DETERMINEES SONT ALORS FAVORABLEMENT COMPAREES AUX POSSIBILITES DES AUTRES FILIERES LOGIQUES SUR LE PLAN DE LA RAPIDITE, DE LA CONSOMMATION ET DE LA CAPACITE D'INTEGRATION A GRANDE ECHELLE; ON EVALUE EN PARTICULIER POUR UNE REGLE DE DESSIN "1 MICROMETRE", UN FACTEUR DE MERITE DE 3 FJ POUR UN TEMPS DE PROPAGATION DE L'ORDRE DE 300 PS. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE EST CONSACREE A LA MISE EN OEUVRE D'UN PROCESSUS DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A SIMPLE HETEROJONCTION ET A DOUBLE HETEROJONCTION A PARTIR DE LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Book Synopsis Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L by : Jamal Jamai
Download or read book Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L written by Jamal Jamai and published by . This book was released on 1988 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Evaluation et réalisation de circuits intégrés en logique I2L sur arséniure de gallium by : Jean-Paul Vannel
Download or read book Evaluation et réalisation de circuits intégrés en logique I2L sur arséniure de gallium written by Jean-Paul Vannel and published by . This book was released on 1990 with total page 314 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES UN BREF RAPPEL DES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT ET DE L'ETAT DE LA LOGIQUE I#2L, UNE MODELISATION FINE PERMET D'EVALUER LES POTENTIALITES ET LES CRITERES D'OPTIMISATION DE LA FILIERE A BASE DE TRANSITORS A DOUBLE HEREROJONCTION GAALAS/GAAS. LES SEQUENCES DE FABRICATION DES CIRCUITS I#2L SUR ASGA SONT ENSUITE DECRITES EN METTANT L'ACCENT SUR LES ETAPES LES PLUS CRITIQUES QUI SONT L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES ET L'IMPLANTATION IONIQUE. A LA FOIS LES FORTES VALEURS MAXIMALES DU GAIN EN COURANT RELEVEES SUR LES TRANSISTORS ELEMENTAIRES DANS LES REGIMES DE FONCTIONNEMENT DIRECT ET INVERSE (250 ET 4000 RESPECTIVEMENT) ET CELLES DU GAIN EFFECTIF MESUREES SUR LES PORTES A 4 COLLECTEURS (COMPRISES ENTRE 16 ET 4 SELON LE RANG DU COLLECTEUR) TEMOIGNENT DES POSSIBILITES APPORTEES PAR LA STRUCTURE A DOUBLE HETEROJONCTION AU PLAN DE LA SORTANCE ET DE L'IMMUNITE AU BRUIT. LES PERFORMANCES DE CETTE NOUVELLE FILIERE RELEVEES A PARTIR DE LA REPONSE D'OSCILLATEURS EN ANNEAU A 7 PORTES DONNENT UN TEMPS DE PROPAGATION LIMITE DE L'ORDRE DE LA NANOSECONDE ET UN FACTEUR DE MERITE DANS LA GAMME DES FAIBLES CONSOMMATIONS DE L'ORDRE DE 1 PJ POUR LA TECHNOLOGIE 20 MICROMETRE MISE EN UVRE ET SONT CONFORMES AUX PREVISIONS THEORIQUES. ENFIN, LE FONCTIONNEMENT DU DIVISEUR PAR DEUX OBTENU DEMONTRE LA FAISABILITE DE LA FILIERE I#2L-TBDH-GAALAS/GAAS
Book Synopsis POSSIBILITES OFFERTES PAR L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DANS LA CROISSANCE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES by : Jean-Christophe Harmand
Download or read book POSSIBILITES OFFERTES PAR L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DANS LA CROISSANCE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES written by Jean-Christophe Harmand and published by . This book was released on 1988 with total page 256 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LA FABRICATION DE COUCHES DE SEMICONDUCTEURS III-V ET LA REALISATION DE STRUCTURES POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. CES STRUCTURES FONT APPEL AUX COMPOSES GAAS, GAALAS ET GAINAS ELABORES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. ON ETUDIE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE CROISSANCE SUR LES CARACTERISTIQUES DES MATERIAUX ET NOTAMMENT L'EVOLUTION DES COEFFICIENTS DE COLLAGE DES ELEMENTS III ET LA PRESSION MINIMALE D'ARSENIC NECESSAIRE A LA CROISSANCE. ON TENTE DE MODELISER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PAR UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE DE L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. ON ANALYSE LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS EN REGIME STATIQUE
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM by : ABDELMALIK.. BOUYAHYAOUI
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM written by ABDELMALIK.. BOUYAHYAOUI and published by . This book was released on 1983 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MODELISATION ET REALISATION DE CES TRANSISTORS AVEC POUR BUT DE MONTRER LEURS POTENTIALITES ET LEUR FAISABILITE. ON A MIS EN EVIDENCE QUE GRACE AUX MECANISMES DE DEGENERESCENCE, LES TRANSISTORS A HOMOJONCTION GARDAIENT LES MEMES PERFORMANCES QUE LES TRANSISTORS A SIMPLE HETEROJONCTION. L'ETUDE DU TRANSISTOR A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE LE ROLE PREPONDERANT DE L'HETEROJONCTION COLLECTEUR-BASE ET NOTAMMENT DE SA GRADUALITE. LES REALISATIONS PAR EPITAXIE LIQUIDE DE CES DISPOSITIFS ONT SERVI DE SUPPORT EXPERIMENTAL A L'ETUDE THEORIQUE
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS by : DAVID.. ANKRI
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS written by DAVID.. ANKRI and published by . This book was released on 1980 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DE NOUVELLES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES QUI ONT CONDUIT A DES REALISATIONS ENCOURAGEANTES EN HF ET EN PHOTOTRANSISTOR RAPIDE. POTENTIALITES DU TRANSISTOR A HETEROJONCTION PAR RAPPORT AUX TRANSISTORS A HOMOJONCTION SILICIUM. TRAVAIL EXPERIMENTAL DEPUIS L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE JUSQU'AU DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES. CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR, ET ANALYSE DES DIFFERENTES COMPOSANTES DE COURANT QUI LIMITENT L'EFFICACITE D'INJECTION DES TRANSISTORS. PRESENTATION DES MESURES DYNAMIQUES. PERSPECTIVES D'APPLICATIONS ET DE PERFORMANCES POSSIBLES DE TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS-BAAS, DOMAINES D'APPLICATION
Book Synopsis ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION by : Mohamed Jalal Termanini
Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA by : BAMUENI.. BIMUALA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA written by BAMUENI.. BIMUALA and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR
Book Synopsis Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAIAs/GaAs by : Antoine Marty
Download or read book Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAIAs/GaAs written by Antoine Marty and published by . This book was released on 1980 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs by : Éric Lefebvre
Download or read book Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs written by Éric Lefebvre and published by . This book was released on 2005 with total page 299 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction fonctionnent à hautes fréquences sous des tensions d'environ 5V, en particulier dans le système de matériaux InP/InGaAs. Il est souhaitable d'obtenir ces performances non pas sur InP mais sur GaAs, substrat plus robuste, disponible en taille supérieure et préféré en industrie. Un buffer métamorphique GaAs → InP est alors requis pour relaxer la contrainte due au désaccord de paramètre de maille. Cette thèse porte sur la croissance par Epitaxle par Jets Moléculaires pour de tels buffers et pour des TBH InP/lnGaAs à base fortement dopée au béryllium. Les buffers sont évalués via un protocole expérimental dédié au TBH, associant des caractérisations "matériaux" (photoluminescence, Double Diffraction des rayons X, microscopies optique et à force atomique AFM) et électriques (diodes métamorphiques). Nous comparons ainsi les deux processus de relaxation possibles: avec introduction progressive de la contrainte sur buffer graduel In(Ga)AIAs, abrupte sur buffer uniforme InP. Le rôle de la cinétique des adatomes III en front de croissance sur le processus graduel est démontré. Les performances des TBH métamorphiques InP/InGaAs épitaxiés sur GaAs via un buffer graduel InGaAIAs sont au final proches de celles des TBH de référence sur InP.
Book Synopsis ELABORATION D'UNE TECHNOLOGIE PLANAR PAR REPRISE D'EPITAXIE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR TBH GAINP/GAAS by : DJAMAL.. ZERGUINE
Download or read book ELABORATION D'UNE TECHNOLOGIE PLANAR PAR REPRISE D'EPITAXIE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR TBH GAINP/GAAS written by DJAMAL.. ZERGUINE and published by . This book was released on 1994 with total page 240 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE TECHNOLOGIE D'ELABORATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION A STRUCTURE PLANAR DANS LE SYSTEME ARSENIURE DE GALLIUM A ETE ETUDIEE. L'INTERET DE CETTE TECHNOLOGIE PLANAR EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS. LA PLANARISATION DU TRANSISTOR EST ASSUREE PAR UN PROCEDE DE REPRISE D'EPITAXIE SELECTIVE VIS A VIS D'UN MASQUE DIELECTRIQUE DE LA COUCHE ENTERREE DU SOUS COLLECTEUR. L'ISOLATION DU DISPOSITIF EST ASSUREE PAR UNE IMPLANTATION PROFONDE DE BORE ET PROTON. L'ACCES AUX DIFFERENTES COUCHES DU DISPOSITIF EST ASSURE PAR LA REALISATION DE CONTACTS OHMIQUES, AVEC UN METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE POUR LES COUCHES DE TYPE DONNEUR (COUCHES SUPERFICIELLES DE CONTACT D'EMETTEUR ET DE SOUS COLLECTEUR EN ALLIAGE D'ARSENIURE DE GALLIUM ET D'INDIUM), ET UNE METALLURGIE EN MANGANESE-OR POUR LA COUCHE DE BASE (ARSENIURE DE GALLIUM DE TYPE ACCEPTEUR, FORTEMENT DOPE AU CARBONE). LES RESISTIVITES DE CONTACT OBTENUES SONT DE 10 PUISSANCE MOINS 6 OHM PAR CENTIMETRES CARRES. DES STRUCTURES BIPOLAIRES A HETEROJONCTION PHOSPHURE DE GALLIUM ET D'INDIUM SUR ARSENIURE DE GALLIUM, A COUCHES DE BASE FORTEMENT DOPEES AU CARBONE (DOPAGE SUPERIEUR A 4 PAR 10 PUISSANCE 19 ATOMES PAR CENTIMETRES CUBES) AVEC UNE TRES BONNE STABILITE THERMIQUE DU DOPANT DE BASE, ONT ETE REALISEES PAR CROISSANCE EPITAXIALE PAR JETS CHIMIQUES, EN UTILISANT DES SOURCES GAZEUSES ORGANOMETALLIQUES COMME PRECURSEURS DES ELEMENTS III (GALLIUM ET INDIUM) ET DES DOPANTS (ETAIN ET CARBONE), ET D'HYDRURES COMME PRECURSEURS DES ELEMENTS V (ARSENIC ET PHOSPHORE). UN TRANSISTOR PLANAR A ETE FABRIQUE ET CARACTERISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 30 GIGAHERTZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 25 GIGAHERTZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION EMETTEUR-BASE ET COLLECTEUR-BASE SONT RESPECTIVEMENT DE 2X15 MICRONS CARRES ET 6X15 MICRONS CARRES
Book Synopsis Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Antoine Marty
Download or read book Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Antoine Marty and published by . This book was released on 1980 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES GAALAS(N)/GAAS(P)/GAAS(N). ANALYSE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES HETEROJONCTION ET PROPOSITION D'UN MODELE DE DIFFUSION DU TYPE A CONTROLE DE CHARGE. ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. ETUDE EXPERIMENTALE DES HETEROJONCTIONS ET HETEROTRANSISTORS GAALAS/GAAS
Book Synopsis Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs by : Thierry Camps
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude s'articule suivant trois axes, couvrant un large domaine de la microélectronique. Dans un premier temps, un modèle analytique d'une hétérojonction "n p" a été développé. Associé au transistor, ce modèle permet de simuler le comportement statique et dynamique du HBT en fonction de sa structure épitaxiale. Dans un deuxième temps, un procédé technologique pour réaliser des HBT auto-alignés avec accès à la base par gravure humide a été mis au point. La métallisation de base déposée sur le tricouche du doigt d'émetteurs est retirée par "lift-off". Enfin nous présentons les méthodes mises en oeuvre pour caractériser un nouveau composant tel que le HBT : caractérisation de la structure épitaxiale et du transistor. Malgré une épaisseur de base trop importante, notre technologie permet d'atteindre des performances en fréquence relativement élevées : FT = 23 GHz, Fmax = 23 GHz et un très bon rendement sur le fonctionnement des transistors de faible taille : 80% sur plaque 2 pouces.
