ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE

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Book Synopsis ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : RACHID.. AMOKRANE

Download or read book ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by RACHID.. AMOKRANE and published by . This book was released on 1993 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CET OUVRAGE TRAITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE DIODE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H). SOUS POLARISATION INVERSE, NOUS ANALYSONS LA RELAXATION DES PORTEURS DE CHARGES A PARTIR DE L'ETUDE DE PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES A L'EXTINCTION. CETTE ETUDE CONCERNE LES CIBLES PHOTOCONDUCTRICES EN A-SI:H DES TUBES VIDICON, QUI CONVERTISSENT UNE IMAGE OPTIQUE EN UN SIGNAL ELECTRIQUE. LA RELAXATION DES PORTEURS S'Y TRADUIT EN TERME DE REMANENCE, CELLE-CI REPRESENTE LE SOUVENIR QUE CONSERVE LE DISPOSITIF D'UNE IMAGE ANTERIEURE. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EN DETERMINER LA NATURE. NOUS MONTRONS QUE POUR LES STRUCTURES ETUDIEES, ELLE PROVIENT DES INTERFACES. NOS MESURES DES GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU TRANSPORT DE CHARGES S'INTERPRETENT PAR LE MODELE DECRIVANT LE TRANSPORT DANS CE MATERIAU. NOUS OBTENONS UNE STRUCTURE DE CIBLE DETENANT UNE REMANENCE INFERIEURE A 2%. EN APPLIQUANT UNE POLARISATION DIRECTE A NOTRE DIODE N-I-P NOUS ETUDIONS LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGES. POUR DES NIVEAUX D'INJECTION ELEVES, NOUS ATTEIGNONS LE REGIME DIT DE DOUBLE INJECTION DANS LEQUEL LA RECOMBINAISON CONTROLE LE COURANT, NOUS EXPLORONS LA DUREE DE VIE SUR UN VASTE DOMAINE D'INJECTION. NOUS MESURONS DES GAINS DE DOUBLE INJECTION ET DE PHOTOCONDUCTION S'EXPRIMANT AU PREMIER ORDRE COMME LE RAPPORT DE LA DUREE DE VIE SUR LE TEMPS DE TRANSIT. NOUS MONTRONS QUE, POUR LE A-SI:H, LE GAIN DE DOUBLE INJECTION, CONTRAIREMENT AU GAIN DE PHOTOCONDUCTION, N'EST PAS UNE BONNE MESURE DE LA DUREE DE VIE. NOUS OBTENONS DES GAINS DE PHOTOCONDUCTION DE L'ORDRE DE 800. NOUS MONTRONS LE ROLE ESSENTIEL DES INTERFACES SUR LA LIMITATION DU COURANT ELECTRIQUE. NOUS ETUDIONS EGALEMENT, DANS CE REGIME, LA DEGRADATION, PAR EXPOSITION DE LUMIERE PROLONGEE, DU TRANSPORT DE CHARGES. NOUS CONSTATONS UNE DIMINUTION DU PHOTOCOURANT ET DU COURANT D'OBSCURITE COMPATIBLE AVEC UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS PROFONDS

Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells

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Book Synopsis Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells by : Renaud Varache

Download or read book Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.

Fundamental Biomaterials: Metals

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Publisher : Woodhead Publishing
ISBN 13 : 0081022069
Total Pages : 438 pages
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Book Synopsis Fundamental Biomaterials: Metals by : Sabu Thomas

Download or read book Fundamental Biomaterials: Metals written by Sabu Thomas and published by Woodhead Publishing. This book was released on 2018-07-19 with total page 438 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Fundamental Biomaterials: Metals provides current information on the development of metals and their conversion from base materials to medical devices. Chapters analyze the properties of metals and discuss a range of biomedical applications, with a focus on orthopedics. While the book will be of great use to researchers and professionals in the development stages of design for more appropriate target materials, it will also help medical researchers understand, and more effectively communicate, the requirements for a specific application. With the recent introduction of a number of interdisciplinary bio-related undergraduate and graduate programs, this book will be an appropriate reference volume for students. It represents the second volume in a three volume set, each of which reviews the most important and commonly used classes of biomaterials, providing comprehensive information on materials properties, behavior, biocompatibility and applications. Provides current information on metals and their conversion from base materials to medical devices Includes analyses of types of metals, discussion of a range of biomedical applications, and essential information on corrosion, degradation and wear and lifetime prediction of metal biomaterials Explores both theoretical and practical aspects of metals in biomaterials

Nuclear Science Abstracts

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Total Pages : 1040 pages
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Book Synopsis Nuclear Science Abstracts by :

Download or read book Nuclear Science Abstracts written by and published by . This book was released on 1971 with total page 1040 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NSA is a comprehensive collection of international nuclear science and technology literature for the period 1948 through 1976, pre-dating the prestigious INIS database, which began in 1970. NSA existed as a printed product (Volumes 1-33) initially, created by DOE's predecessor, the U.S. Atomic Energy Commission (AEC). NSA includes citations to scientific and technical reports from the AEC, the U.S. Energy Research and Development Administration and its contractors, plus other agencies and international organizations, universities, and industrial and research organizations. References to books, conference proceedings, papers, patents, dissertations, engineering drawings, and journal articles from worldwide sources are also included. Abstracts and full text are provided if available.

Advances in Radiation Protection

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Publisher : Springer Science & Business Media
ISBN 13 : 9780792312321
Total Pages : 400 pages
Book Rating : 4.3/5 (123 download)

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Book Synopsis Advances in Radiation Protection by : M. Oberhofer

Download or read book Advances in Radiation Protection written by M. Oberhofer and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 1991-04-30 with total page 400 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Based on the Lectures given during the Ispra-Course held at the Centro de Formação Técnica, Lisbon, Portugal, October 23-27, 1989, in collaboration with the Laboratorio Nacional de Engenharia e Tecnologia

Luminescence Dosimetry

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ISBN 13 :
Total Pages : 528 pages
Book Rating : 4.3/5 (91 download)

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Book Synopsis Luminescence Dosimetry by : Frank H. Attix

Download or read book Luminescence Dosimetry written by Frank H. Attix and published by . This book was released on 1967 with total page 528 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Report of NRL Progress

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Total Pages : 328 pages
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Book Synopsis Report of NRL Progress by : Naval Research Laboratory (U.S.)

Download or read book Report of NRL Progress written by Naval Research Laboratory (U.S.) and published by . This book was released on 1962 with total page 328 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

The Structures of Cellulose

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ISBN 13 :
Total Pages : 336 pages
Book Rating : 4.3/5 (91 download)

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Book Synopsis The Structures of Cellulose by : Rajai H. Attala

Download or read book The Structures of Cellulose written by Rajai H. Attala and published by . This book was released on 1987 with total page 336 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: