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Etude Et Realisation De Transistors Bipolaires A Heterojonction Gaalas Gaas
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Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS by : DAVID.. ANKRI
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS written by DAVID.. ANKRI and published by . This book was released on 1980 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DE NOUVELLES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES QUI ONT CONDUIT A DES REALISATIONS ENCOURAGEANTES EN HF ET EN PHOTOTRANSISTOR RAPIDE. POTENTIALITES DU TRANSISTOR A HETEROJONCTION PAR RAPPORT AUX TRANSISTORS A HOMOJONCTION SILICIUM. TRAVAIL EXPERIMENTAL DEPUIS L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE JUSQU'AU DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES. CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR, ET ANALYSE DES DIFFERENTES COMPOSANTES DE COURANT QUI LIMITENT L'EFFICACITE D'INJECTION DES TRANSISTORS. PRESENTATION DES MESURES DYNAMIQUES. PERSPECTIVES D'APPLICATIONS ET DE PERFORMANCES POSSIBLES DE TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS-BAAS, DOMAINES D'APPLICATION
Book Synopsis Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude s'articule suivant trois axes, couvrant un large domaine de la microélectronique. Dans un premier temps, un modèle analytique d'une hétérojonction "n p" a été développé. Associé au transistor, ce modèle permet de simuler le comportement statique et dynamique du HBT en fonction de sa structure épitaxiale. Dans un deuxième temps, un procédé technologique pour réaliser des HBT auto-alignés avec accès à la base par gravure humide a été mis au point. La métallisation de base déposée sur le tricouche du doigt d'émetteurs est retirée par "lift-off". Enfin nous présentons les méthodes mises en oeuvre pour caractériser un nouveau composant tel que le HBT : caractérisation de la structure épitaxiale et du transistor. Malgré une épaisseur de base trop importante, notre technologie permet d'atteindre des performances en fréquence relativement élevées : FT = 23 GHz, Fmax = 23 GHz et un très bon rendement sur le fonctionnement des transistors de faible taille : 80% sur plaque 2 pouces.
Book Synopsis Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs by : Thierry Camps
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES by : Choompol Anatarasana
Download or read book REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES written by Choompol Anatarasana and published by . This book was released on 1984 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE ET LA REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE CONCERNANT LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES HETEROTRANSISTORS, UNE COMPARAISON MONTRANT LES AVANTAGES DE CES DISPOSITIFS EST FAITE AVEC LES TRANSISTORS AU SILICIUM. LES POSSIBILITES TECHNOLOGIQUES OFFERTES PAR L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE SONT EXAMINEES ET UN PROCESSUS DE REALISATION ORIGINAL A ETE MIS AU POINT. LES PROBLEMES PROPRES A LA TECHNOLOGIE FROIDE (PRISE DE CONTACT, DECOUPES MESA) SONT AUSSI EXAMINES. LES METHODES DE CARACTERISATION DES DISPOSITIFS REALISES SONT DECRITES ET LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ANALYSES ET DISCUTES. LES POIDS RESPECTIFS DES DIFFERENTS PARAMETRES ET LES POSSIBILITES SUSCEPTIBLES D'AMELIORER LES PERFORMANCES SONT MIS EN EVIDENCE. LES MEILLEURS COMPOSANTS REALISES ONT UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 4 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 3 GHZ.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA by : BAMUENI.. BIMUALA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA written by BAMUENI.. BIMUALA and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR
Book Synopsis Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Antoine Marty
Download or read book Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Antoine Marty and published by . This book was released on 1980 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES GAALAS(N)/GAAS(P)/GAAS(N). ANALYSE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES HETEROJONCTION ET PROPOSITION D'UN MODELE DE DIFFUSION DU TYPE A CONTROLE DE CHARGE. ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. ETUDE EXPERIMENTALE DES HETEROJONCTIONS ET HETEROTRANSISTORS GAALAS/GAAS
Book Synopsis Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L by : Jamal Jamai
Download or read book Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L written by Jamal Jamai and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET COMPARAISON AVEC LES TBH'S GAALAS/GAAS by : MOHAMAD SALEH.. FALEH
Download or read book CONCEPTION, REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET COMPARAISON AVEC LES TBH'S GAALAS/GAAS written by MOHAMAD SALEH.. FALEH and published by . This book was released on 1998 with total page 165 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST LA CONCEPTION, LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE A HETEROJONCTION GAINP/GAAS ET LA COMPARAISON AVEC LES TBHS GAALAS/GAAS. LE PREMIER CHAPITRE PRESENTE D'ABORD UN RAPPEL DES PRINCIPALES PROPRIETES DES MATERIAUX GAINP ET GAAS UTILISES DANS LA FABRICATION DES TBH ETUDIES. IL EXAMINE ENSUITE LES PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES QUI INFLUENT SUR LES PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES. UN MODELE ELECTRIQUE PETIT SIGNAL PERMETTANT LA DESCRIPTION PRECISE DU COMPORTEMENT DU TRANSISTOR EST PRESENTE. L'INFLUENCE DES EFFETS THERMIQUES QUI CONSTITUENT LA PRINCIPALE LIMITATION DES TBHS DE PUISSANCE SUR ARSENIURE DE GALLIUM EST ENFIN ANALYSEE. LA TECHNOLOGIE MISE EN OEUVRE POUR REALISER LES TBHS GAINP/GAAS EST DECRITE DANS LE DEUXIEME CHAPITRE. DEUX FAMILLES DE DISPOSITIFS PRESENTANT UNE SURFACE D'EMETTEUR ELEMENTAIRE DE 10X200 M#2 ET 6X60 M#2 SONT REALISEES DANS DES TECHNOLOGIES TRIPLE MESA CLASSIQUE OU AUTOALIGNEE, AVEC UNE PRISE DU CONTACT D'EMETTEUR UTILISANT UN PONT A AIR. LE TROISIEME CHAPITRE RAPPORTE LES RESULTATS DES CARACTERISATIONS STATIQUE ET DYNAMIQUE AINSI QUE LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS REALISES. L'ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE COURANT PRINCIPAL D'ELECTRONS DANS LA STRUCTURE PERMET DE PROPOSER UNE NOUVELLE CARACTERISATION DE LA DISCONTINUITE DE LA BANDE DE CONDUCTION E#C=17016 MEV DANS L'HETEROJONCTION GA#0#.#5IN#0#.#5P/GAAS. LA CARACTERISATION DU COMPORTEMENT ELECTROTHERMIQUE, AVEC NOTAMMENT L'IDENTIFICATION DE LA RESISTANCE THERMIQUE ET L'ETUDE DU GAIN EN COURANT QUI DEPEND DU NIVEAU D'INJECTION, A PERMIS D'INTERPRETER UN COMPORTEMENT SPECIFIQUE DE NOS TRANSISTORS. LES PERFORMANCES OBTENUES POUR LES TRANSISTORS CLASSIQUES SONT F#T=18 GHZ, F#M#A#X=20 GHZ, ET LA REDUCTION DE LA RESISTANCE DE BASE PAR AUTOALIGNEMENT DU CONTACT DE BASE SUR L'EMETTEUR A CONDUIT AU DOUBLEMENT DE LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION (F#M#A#X=42GHZ). POUR L'APPLICATION A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE, IL A ETE RELEVE A UNE FREQUENCE DE 1GHZ UNE PUISSANCE R.F DE SORTIE DE L'ORDRE DE 1W AVEC UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 49% ET A 10GHZ, UNE PUISSANCE ET UN RENDEMENT DE 170MW ET 29% RESPECTIVEMENT.
Book Synopsis TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATION EN HYPERFREQUENCES by : Kaouther Kétata
Download or read book TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATION EN HYPERFREQUENCES written by Kaouther Kétata and published by . This book was released on 1987 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'ETAPES TECHNOLOGIQUES ELEMENTAIRES PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATIONS A TRES LARGE BANDE. L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE TYPE P POUR CONTACT DE BASE A ABOUTI A L'INTEGRATION DE CETTE ETAPE DANS LES PROCEDES DE FABRICATION DES TRANSISTORS, EN REMPLACEMENT DE LA DIFFUSION
Book Synopsis ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION by : Mohamed Jalal Termanini
Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA
Book Synopsis Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Antoine Marty
Download or read book Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Antoine Marty and published by . This book was released on 1980 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE STRUCTURES BIPOLAIRES PARTICULIERES A HETEROJONCTION GAAS-GAAIAS by : Josiane Tasselli
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE STRUCTURES BIPOLAIRES PARTICULIERES A HETEROJONCTION GAAS-GAAIAS written by Josiane Tasselli and published by . This book was released on 1986 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE ET LA REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE DE TYPE ECL SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE ETUDE THEORIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE L'INFLUENCE DETERMINANTE DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, NOTAMMENT DE SA GRADUALITE, SUR LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES PAR UNE ANALYSE EXPERIMENTALE A PARTIR DE STRUCTURES REALISEES PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA SIMULATION ET L'OPTIMISATION D'UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A BASE DE SIMPLES HETEROTRANSISTORS ET METTANT EN OEUVRE LE LOGICIEL ASTEC III, ONT PERMIS DE CALCULER DES TEMPS DE PROPAGATION PAR PORTE DE 20 PS POUR UNE PUISSANCE CONSOMMEE DE 4 MW; CECI CONFIRME LES POTENTIALITES DE LA FILIERE LOGIQUE BIPOLAIRE SUR ASGA. ENFIN, UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A 3 PORTES ECL A ETE CONCU ET REALISE PAR LES TECHNOLOGIES D'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE ET D'ATTAQUES MESAS, A PARTIR D'UN PROCESSUS NOUVEAU SUR SUBSTRAT SEMI-ISOLANT. LA FAISABILITE D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE ASGA A AINSI ETE MONTREE
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis Government Reports Annual Index by :
Download or read book Government Reports Annual Index written by and published by . This book was released on 1992 with total page 1730 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM by : ABDELMALIK.. BOUYAHYAOUI
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM written by ABDELMALIK.. BOUYAHYAOUI and published by . This book was released on 1983 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MODELISATION ET REALISATION DE CES TRANSISTORS AVEC POUR BUT DE MONTRER LEURS POTENTIALITES ET LEUR FAISABILITE. ON A MIS EN EVIDENCE QUE GRACE AUX MECANISMES DE DEGENERESCENCE, LES TRANSISTORS A HOMOJONCTION GARDAIENT LES MEMES PERFORMANCES QUE LES TRANSISTORS A SIMPLE HETEROJONCTION. L'ETUDE DU TRANSISTOR A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE LE ROLE PREPONDERANT DE L'HETEROJONCTION COLLECTEUR-BASE ET NOTAMMENT DE SA GRADUALITE. LES REALISATIONS PAR EPITAXIE LIQUIDE DE CES DISPOSITIFS ONT SERVI DE SUPPORT EXPERIMENTAL A L'ETUDE THEORIQUE
Book Synopsis CONCEPTION ET REALISATION D'UNE CHAINE D'EMISSION TRES HAUT DEBIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS by : MOHSINE.. MENOUNI
Download or read book CONCEPTION ET REALISATION D'UNE CHAINE D'EMISSION TRES HAUT DEBIT A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS written by MOHSINE.. MENOUNI and published by . This book was released on 1996 with total page 177 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DE CIRCUITS ULTRA-RAPIDES POUR COMMUNICATIONS OPTIQUES A TRES HAUT DEBIT (10-20 GBIT/S). IL TRAITE PARTICULIEREMENT DES CIRCUITS RELATIFS A LA CHAINE D'EMISSION: LE MULTIPLEXEUR ET LE CIRCUIT DE COMMANDE DU LASER. LA CONCEPTION EST BASEE SUR L'UTILISATION DE LA TECHNOLOGIE BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) GAINP/GAAS. LE MEMOIRE TRAITE TOUT D'ABORD DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT ET DE LA MODELISATION DU TBH. IL PASSE EN REVUE LES DIFFERENTES TECHNOLOGIES UTILISEES POUR LA REALISATION DU TBH, NOTAMMENT LA TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE DU CNET-BAGNEUX METTANT EN UVRE DES ESPACEURS. UNE ETUDE QUALITATIVE DU FONCTIONNEMENT DE LA LOGIQUE RAPIDE ECL, PRESENTEE DANS LE CADRE DE LA PORTE INVERSEUSE DE BASE, PERMET DE DETERMINER L'INFLUENCE DES PARAMETRES ELECTRIQUES, GEOMETRIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU TRANSISTOR SUR LE TEMPS DE PROPAGATION ET DE PRECISER QUELQUES FACTEURS D'OPTIMISATION DE LA VITESSE DES CIRCUITS LOGIQUES. LE MANUSCRIT DECRIT ENSUITE UNE METHODOLOGIE GENERALE DE CONCEPTION DES CIRCUITS ULTRA-RAPIDES QUI S'EST CONCRETISEE PAR LA REALISATION D'UN CIRCUIT SELECTEUR A 20 GBIT/S ET D'UN DIVISEUR DE FREQUENCE STATIQUE A 12 GHZ UTILISANT DES TRANSISTORS DE FREQUENCE DE TRANSITION DE 50 GHZ. CES RESULTATS, COMPLETES PAR DES SIMULATIONS, MONTRENT QU'UN CIRCUIT MULTIPLEXEUR AVEC SYNCHRONISATION EN SORTIE DEVRAIT FONCTIONNER AU DESSUS DE 10 GBIT/S. L'OPTIMISATION DE L'ARCHITECTURE DU CIRCUIT DE COMMANDE DU LASER A PERMIS D'ATTEINDRE UN DEBIT DE 16 GBIT/S AVEC UNE AMPLITUDE DE 2 VOLT SUR 50 OHM. CE CIRCUIT A ETE HYBRIDE AVEC UNE DIODE LASER TRES LARGE BANDE POUR REALISER UN MODULE D'EMISSION OPTIQUE MONTRANT UN FONCTIONNEMENT CORRECT A 14 GBIT/S
