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Etude Et Realisation De Transistors Bipolaires A Double Heterojonction Gaaias Gaas Pour Circuits Integres De Logique I2l
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Book Synopsis Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L by : Jamal Jamai
Download or read book Etude et réalisation de transistors bipolaires à double hétérojonction GaAIAs-GaAs pour circuits intégrés de logique I2L written by Jamal Jamai and published by . This book was released on 1988 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE STRUCTURES BIPOLAIRES PARTICULIERES A HETEROJONCTION GAAS-GAAIAS by : Josiane Tasselli
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE STRUCTURES BIPOLAIRES PARTICULIERES A HETEROJONCTION GAAS-GAAIAS written by Josiane Tasselli and published by . This book was released on 1986 with total page 153 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE L'ETUDE ET LA REALISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE DE TYPE ECL SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE ETUDE THEORIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION A MONTRE L'INFLUENCE DETERMINANTE DE LA JONCTION COLLECTEUR-BASE, NOTAMMENT DE SA GRADUALITE, SUR LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CES RESULTATS ONT PU ETRE CONFIRMES PAR UNE ANALYSE EXPERIMENTALE A PARTIR DE STRUCTURES REALISEES PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA SIMULATION ET L'OPTIMISATION D'UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A BASE DE SIMPLES HETEROTRANSISTORS ET METTANT EN OEUVRE LE LOGICIEL ASTEC III, ONT PERMIS DE CALCULER DES TEMPS DE PROPAGATION PAR PORTE DE 20 PS POUR UNE PUISSANCE CONSOMMEE DE 4 MW; CECI CONFIRME LES POTENTIALITES DE LA FILIERE LOGIQUE BIPOLAIRE SUR ASGA. ENFIN, UN OSCILLATEUR EN ANNEAU A 3 PORTES ECL A ETE CONCU ET REALISE PAR LES TECHNOLOGIES D'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE ET D'ATTAQUES MESAS, A PARTIR D'UN PROCESSUS NOUVEAU SUR SUBSTRAT SEMI-ISOLANT. LA FAISABILITE D'UN CIRCUIT INTEGRE BIPOLAIRE ASGA A AINSI ETE MONTREE
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS by : DAVID.. ANKRI
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAALAS-GAAS written by DAVID.. ANKRI and published by . This book was released on 1980 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DE NOUVELLES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES QUI ONT CONDUIT A DES REALISATIONS ENCOURAGEANTES EN HF ET EN PHOTOTRANSISTOR RAPIDE. POTENTIALITES DU TRANSISTOR A HETEROJONCTION PAR RAPPORT AUX TRANSISTORS A HOMOJONCTION SILICIUM. TRAVAIL EXPERIMENTAL DEPUIS L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE JUSQU'AU DIFFERENTES ETAPES TECHNOLOGIQUES. CARACTERISTIQUES STATIQUES DU TRANSISTOR, ET ANALYSE DES DIFFERENTES COMPOSANTES DE COURANT QUI LIMITENT L'EFFICACITE D'INJECTION DES TRANSISTORS. PRESENTATION DES MESURES DYNAMIQUES. PERSPECTIVES D'APPLICATIONS ET DE PERFORMANCES POSSIBLES DE TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS-BAAS, DOMAINES D'APPLICATION
Book Synopsis Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Philippe Boissenot
Download or read book Etude et réalisation d'un transistor bipolaire à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Philippe Boissenot and published by . This book was released on 1989 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude s'articule suivant trois axes, couvrant un large domaine de la microélectronique. Dans un premier temps, un modèle analytique d'une hétérojonction "n p" a été développé. Associé au transistor, ce modèle permet de simuler le comportement statique et dynamique du HBT en fonction de sa structure épitaxiale. Dans un deuxième temps, un procédé technologique pour réaliser des HBT auto-alignés avec accès à la base par gravure humide a été mis au point. La métallisation de base déposée sur le tricouche du doigt d'émetteurs est retirée par "lift-off". Enfin nous présentons les méthodes mises en oeuvre pour caractériser un nouveau composant tel que le HBT : caractérisation de la structure épitaxiale et du transistor. Malgré une épaisseur de base trop importante, notre technologie permet d'atteindre des performances en fréquence relativement élevées : FT = 23 GHz, Fmax = 23 GHz et un très bon rendement sur le fonctionnement des transistors de faible taille : 80% sur plaque 2 pouces.
Book Synopsis Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs by : Thierry Camps
Download or read book Conception et réalisation de transistors bipolaires hyperfréquence de puissance à hétérojonction GaAs-GaAIAs written by Thierry Camps and published by . This book was released on 1991 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA by : BAMUENI.. BIMUALA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE EN TECHNOLOGIE DOUBLE MESA written by BAMUENI.. BIMUALA and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE DE REALISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS A STRUCTURE AUTOALIGNEE A ETE ETUDIEE. L'ISOLATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UNE IMPLANTATION DE BORE ET DE PROTON DONT L'OPTIMISATION A ETE FAITE AVEC L'OBJECTIF D'ASSURER UNE STABILITE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE. UNE DIFFUSION DE ZINC PERMET DE CONTACTER LA COUCHE DE BASE ET DE REALISER L'AUTOALIGNEMENT ENTRE LES CONTACTS D'EMETTEUR ET DE BASE. CES DEUX CONTACTS OHMIQUES SONT REALISES AVEC LE MEME METAL REFRACTAIRE EN TUNGSTENE. LA DIFFUSION DE ZINC FORME UNE COUCHE P#+ DANS LA ZONE EXTRINSEQUE DU TBH DONT LE DOPAGE EST ELEVE (10#2#0 CM##3), LA RESISTANCE D'ACCES A LA BASE EST AINSI TRES REDUITE. L'OPTIMISATION DE LA REALISATION DU CONTACT OHMIQUE DE BASE EN TUNGSTENE A ETE ETUDIEE SUR PLUSIEURS COUCHES DE GAAS INITIALEMENT DOPEES PAR DU ZINC (EPITAXIE MOCVD) ET DU BE (EPITAXIE MBE) AVEC DES CONCENTRATIONS VARIABLES DE 5 10#1#8 CM##3 A 5 10#1#9 CM##3. LA DIFFUSION DU ZINC DANS DES COUCHES DOPEES AVEC DU BE EST DIFFERENTE, SUIVANT QUE LA CONCENTRATION INITIALE DU DOPANT EST SUPERIEURE OU INFERIEURE A 3 10#1#9 CM##3. DANS TOUS LES CAS LA RESISTIVITE DE CONTACT EST DE L'ORDRE DE 10##6 CM#2. LA DIFFUSION DU ZINC A ETE EGALEMENT ETUDIEE SUR LE GA#1#-#XAL#XAS EN FONCTION DE LA FRACTION D'ALUMINIUM. DES RESISTIVITES DE CONTACT DE 10##6 CM#2 SONT EGALEMENT OBTENUES POUR DES FRACTIONS D'ALUMINIUM A 0,15. UN TRANSISTOR AUTO-ALIGNE, DONT LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION AVEC CES NOUVELLES ETAPES ELEMENTAIRES EST DECRITE, A ETE REALISE. SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, STATIQUES ET DYNAMIQUES, SONT PRESENTEES. UNE FREQUENCE DE TRANSITION DE 41 GHZ ET UNE FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DE 37 GHZ ONT ETE OBTENUES SUR UN TRANSISTOR DONT LES SURFACES DE JONCTION E-B EST DE 220 M#2 ET B-C DE 820 M#2. POUR CE TYPE DE TECHNOLOGIE AUTOALIGNEE, AVEC DES CONTACTS DE BASE ET D'EMETTEUR EN METAL REFRACTAIRE, MALGRE L'IMPORTANCE DES SURFACES DE JONCTION, NOS RESULTATS SE SITUENT AU MEILLEUR NIVEAU ET SONT COMPARABLES A CEUX OBTENUS PAR NTT (AVEC UNE SURFACE DE JONCTION B-C QUATRE FOIS PLUS PETITE). DES PERFORMANCES ENCORE PLUS ELEVEES POURRONT ETRE ATTEINTES PAR UNE REDUCTION DES SURFACES DE JONCTION DU TRANSISTOR
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION by : Mohamed Jalal Termanini
Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D'UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA
Book Synopsis ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES by : RACHID.. DRIAD
Download or read book ETUDE DU GAAS DOPE CARBONE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAINP/GAAS PLANARS PAR REPRISE SELECTIVE D'EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES written by RACHID.. DRIAD and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE EST UNE CONTRIBUTION AU DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES SUR ARSENIURE DE GALLIUM. UNE NOUVELLE TECHNOLOGIE POUR TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION AUTOALIGNES PLANAR A ETE MISE AU POINT. CE PROCEDE UTILISE LA CROISSANCE SELECTIVE PAR JETS CHIMIQUES POUR RAMENER EN SURFACE LES COUCHES ENTERREES DE CONTACTS DE BASE ET DE COLLECTEUR. L'INTERET DE LA PLANARISATION EST D'ACCROITRE LA DENSITE D'INTEGRATION ET LA FIABILITE DES INTERCONNEXIONS METALLIQUES POUR LA REALISATION DE CIRCUITS COMPLEXES, NOTAMMENT POUR LES TELECOMMUNICATIONS HAUT DEBIT. PAR AILLEURS, LA REPRISE DE CROISSANCE DE LA ZONE EXTRINSEQUE DE BASE AVEC DU GAAS FORTEMENT DOPE CARBONE, PERMET DE DIMINUER LA RESISTANCE DE BASE ET PAR CONSEQUENT D'AUGMENTER LA FREQUENCE MAXIMALE D'OSCILLATION DES TBH. EN RAISON DE L'UTILISATION DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES ET DE TRAITEMENTS THERMIQUES INTRINSEQUES AUX PROCEDES DE REPRISE DE CROISSANCE, LES COMPOSANTS PLANARISES PRESENTENT SYSTEMATIQUEMENT UNE DEGRADATION DU GAIN EN COURANT APRES REPRISE D'EPITAXIE. AFIN DE DETERMINER LES MECANISMES A L'ORIGINE DE CETTE DEGRADATION, NOUS AVONS EFFECTUE UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DE LA STABILITE THERMIQUE DU GAAS:C CONSTITUANT LA COUCHE DE BASE DU TBH. DES TBH PLANARS DE 44 MICRONS DE JONCTION EMETEUR-BASE, AVEC DES GAINS EN COURANT DE 47 ET DES FREQUENCES DE COUPURES SUPERIEURES A 50 GHZ, ONT ETE OBTENUS A L'AIDE DE CETTE NOUVELLE TECHNOLOGIE PLANAR
Book Synopsis ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES PNP A HOMOJONCTION SUR ARSENSIURE DE GALLIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE by : Ana Suely Ferreira
Download or read book ETUDE ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES PNP A HOMOJONCTION SUR ARSENSIURE DE GALLIUM PAR IMPLANTATION IONIQUE written by Ana Suely Ferreira and published by . This book was released on 1991 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le transistor bipolaire a homojonction gaas semble ouvrir des horizons nouveaux pour les applications dans les circuits integres bipolaires sur gaas. L'utilisation de l'implantation ionique dans la realisation de ce dispositif rend son processus de fabrication assez facile, conduisant a une plus grande densite d'integration. Cette etude s'inscrit dans la suite des travaux entrepris par j.p. Vannel sur la realisation des circuits integres a integration i#2l. Dans ce type de logique, la cellule de base est alimentee par une source de courant qui peut etre soit une resistance, soit un transistor bipolaire pnp, sujet de notre etude. Apres un rappel theorique des mecanismes regissant le comportement du transistor bipolaire pnp sur gaas, les differentes theories de base de l'implantation ionique (lss, pearson de type iv) sont presentees pour chaque type d'ions utilises a savoir, le silicium comme dopant de type n et le magnesium, comme dopant de type p. Les logiciels developpes correspondant sont egalement detailles. Apres une description des differents moyens technologiques a notre disposition au laboratoire et des differentes methodes de caracterisation des couches implantees, une etude experimentale de l'implantation ionique de mg et de si dans le gaas est effectuee. Les resultats obtenus sont compares avec ceux donnes par la modelisation. La derniere partie est consacree a la realisation des transistors bipolaires pnp sur gaas. Les etapes de fabrication sont decrites pour deux types de structure, planar et mesa et les resultats de la caracterisation electrique associee sont donnes
Book Synopsis TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATION EN HYPERFREQUENCES by : Kaouther Kétata
Download or read book TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATION EN HYPERFREQUENCES written by Kaouther Kétata and published by . This book was released on 1987 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE CONSTITUE UNE CONTRIBUTION A L'OPTIMISATION D'ETAPES TECHNOLOGIQUES ELEMENTAIRES PERMETTANT LA REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAS/GAALAS EN STRUCTURE AUTOALIGNEE POUR APPLICATIONS A TRES LARGE BANDE. L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE DE TYPE P POUR CONTACT DE BASE A ABOUTI A L'INTEGRATION DE CETTE ETAPE DANS LES PROCEDES DE FABRICATION DES TRANSISTORS, EN REMPLACEMENT DE LA DIFFUSION
Book Synopsis Etude et realisation d'un transistor bipolaire a heterojonction GaAlAs-GaAs by : Philippe Boissenot
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Book Synopsis EVALUATION DE LA LOGIQUE A INJECTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAIAS/GAAS PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES by : Raja Touahni
Download or read book EVALUATION DE LA LOGIQUE A INJECTION SUR ARSENIURE DE GALLIUM ET REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION GAAIAS/GAAS PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES written by Raja Touahni and published by . This book was released on 1986 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE D'ABORD L'EVALUATION DE LA FILIERE LOGIQUE I**(2)L A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A DOUBLE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. LES AVANTAGES APPORTES A LA FOIS PAR LES POSSIBILITES DES HETEROJONCTIONS ET LES QUALITES INTRINSEQUES DE L'ARSENIURE DE GALLIUM SONT REPERTORIES. UNE SIMULATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN REGIME DYNAMIQUE DE LA STRUCTURE, QUI S'APPUIE SUR DES MODELES PRECIS A CONTROLE DE CHARGE, EST UTILISEE POUR ANALYSER L'INFLUENCE DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES ET DISCUTER LES CRITERES D'OPTIMISATION. LES PERFORMANCES THEORIQUES AINSI DETERMINEES SONT ALORS FAVORABLEMENT COMPAREES AUX POSSIBILITES DES AUTRES FILIERES LOGIQUES SUR LE PLAN DE LA RAPIDITE, DE LA CONSOMMATION ET DE LA CAPACITE D'INTEGRATION A GRANDE ECHELLE; ON EVALUE EN PARTICULIER POUR UNE REGLE DE DESSIN "1 MICROMETRE", UN FACTEUR DE MERITE DE 3 FJ POUR UN TEMPS DE PROPAGATION DE L'ORDRE DE 300 PS. LA DEUXIEME PARTIE DU MEMOIRE EST CONSACREE A LA MISE EN OEUVRE D'UN PROCESSUS DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A SIMPLE HETEROJONCTION ET A DOUBLE HETEROJONCTION A PARTIR DE LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Book Synopsis Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit by : Miloud Abboun
Download or read book Caractérisation et modélisation de transistor bipolaire à double hétérojonction (TBdH) sur InP pour la conception de circuits à haut débit written by Miloud Abboun and published by . This book was released on 2003 with total page 287 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les avancées dans les systèmes de communication et de traitement de l'information nécessitent des circuits à haut débit qui doivent s'appuyer sur des transistors aux performances en vitesse et en puissance élevées. Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction (TBH) III-V constituent un bon compromis. Le TBH-InP est l'un d'entre eux. Il convient d'autant mieux pour le développement de systèmes de télécommunications à des débits supérieurs à 60 Gbits/s que sa technologie permet l'intégration de composants optoélectroniques de longueur d'onde comprise entre 1,3 mM et 1,55 mM. Le regain d'intérêt pour ces technologies a mis en lumière les problèmes et les contraintes liés à la modélisation compacte. Le travail présenté s'inscrit dans le cadre d'une collaboration entre le CNET Bagneux/OPTO+ et l'IEF. Il a pour objet l'étude expérimentale et la modélisation électrique des TBDH-InP. Quatre technologies auto-alignées qui diffèrent par la nature du dopage de base (béryllium ou carbone) et par la présence d'un gradient d'indium dans la base ont été étudiées. Pour chaque technologie un grand nombre de dispositifs a été analysé et une masse importante de données expérimentales a permis d'obtenir les paramètres du modèle de Gummel-Poon de ces composants. Ces modèles ont ensuite été utilisés par les concepteurs de circuits intégrés d'OPTO+ pour réaliser des circuits pour la logique "haut débit" (multiplexeur, circuit de décision, bascule D, driver, ...). La volumineuse base de données a également permis d'étudier l'auto-échauffement dans les TBH-InP d'abord par une approche expérimentale puis par une modélisation numérique de l'équation de Fourier. Le travail de modélisation a permis de dégager des pistes pour réduire l'auto-échauffement. Pour mieux cerner le fonctionnement physique des TBH, une analyse expérimentale à température variable a été réalisée sur une des quatre technologies. Enfin, une analyse de sensibilité des paramètres du modèle de Gummel-Poon à 300K sur le temps de commutation des paires différentielles (technologie CML/ECL) a été effectuée: -Le temps de retard t(FF) et le temps de charge R(BB),C(jC) sont les deux contributions intrinsèques les plus importantes, -L'extraction de certains paramètres du modèle est imprécise (C(jE), Rc entre autre) et se répercute sur le t(FF) on perçoit la nécessité de développer des approches fiables pour extraire ces éléments.
Book Synopsis Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs by : Antoine Marty
Download or read book Sur l'étude des transistors bipolaires à hétérojonction GaAlAs/GaAs written by Antoine Marty and published by . This book was released on 1980 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES GAALAS(N)/GAAS(P)/GAAS(N). ANALYSE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES HETEROJONCTION ET PROPOSITION D'UN MODELE DE DIFFUSION DU TYPE A CONTROLE DE CHARGE. ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION. ETUDE EXPERIMENTALE DES HETEROJONCTIONS ET HETEROTRANSISTORS GAALAS/GAAS
Book Synopsis CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES TBH-GAAS by : MOHAMED.. MEKHATRI
Download or read book CONCEPTION DE CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES TBH-GAAS written by MOHAMED.. MEKHATRI and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE DECRIT L'ANALYSE FONDAMENTALE, LA SIMULATION ELECTRIQUE ET LA STRATEGIE D'IMPLANTATION DES CIRCUITS INTEGRES ANALOGIQUES TRES RAPIDES A BASE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION EN ARSENIURE DE GALLIUM (TBH-GAAS). ON DONNE D'ABORD UN APERCU SUR LES REGLES DE DESSIN ET LA METHODOLOGIE D'IMPLANTATION RELATIVES AUX TBH-GAAS ADOPTEES PAR LE LABORATOIRE DU C.N.E.T BAGNEUX, ON PRESENTE ENSUITE L'ETUDE ET LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL UTILISE DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION LINEAIRE HAUTES FREQUENCES ET EN COMMUTATION RAPIDE, PUIS ON ABORDE L'ELABORATION ET L'EVALUATION DES PERFORMANCES D'UN CONVERTISSEUR ANALOGIQUE-NUMERIQUE (CAN) 2 BITS DE STRUCTURE FLASH ET D'UN CAN 8 BITS DE STRUCTURE SEMI-FLASH, TRAVAILLANT SELON LA FAMILLE LOGIQUE CML-ECL
Book Synopsis TECHNOLOGIE BIPOLAIRE HETEROJONCTION ALGAAS/GAAS POUR CIRCUITS INTEGRES by : HERVE.. BARATTE
Download or read book TECHNOLOGIE BIPOLAIRE HETEROJONCTION ALGAAS/GAAS POUR CIRCUITS INTEGRES written by HERVE.. BARATTE and published by . This book was released on 1985 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: UN MODELE ANALYTIQUE PROCHE DE LA REALITE PERMET DE REALISER UNE STRUCTURE OPTIMALE ET DE CORRELER LES PERFORMANCES ET LES PARAMETRES. LA SEQUENCE DE CROISSANCE EPITAXIQUE EST COMPLIQUEE PAR LA PRESENCE DES DEUX HETEROJONCTIONS DIFFERENTES ALGAAS/GAAS ET GAAS/ALGAAS ET DE DEUX TYPES DE DOPANTS, LE SILICIUM POUR LE TYPE N ET LE BERYLLIUM POUR LE TYPE P. UN RECUIT RAPIDE ASSURE UN BON RENDEMENT D'ACTIVATION TOUT EN LIMITANT LA DIFFUSION DES DOPANTS. LA DOUBLE HETEROSTRUCTURE A JONCTIONS PROGRESSIVES OBTENUE PAR IMPLANTATION D'IONS CONVIENT AUX CIRCUITS INTEGRES. ON PREVOIT UNE GRANDE RAPIDITE ET UNE GRANDE DENSITE D'INTEGRATION POUR LES MONTAGES J**(2),L (A INJECTION INTEGREE) ET ECL (A EMETTEUR COMMUN). LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION CONVIENT EGALEMENT DANS DES APPLICATIONS LINEAIRES
