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Etude Et Mise En Oeuvre De Modules De Puissance Mosfet Sic Pour Leurs Futures Utilisations Dans Des Convertisseurs Ferroviaires
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Book Synopsis Étude et mise en œuvre de modules de puissance MOSFET SiC pour leurs futures utilisations dans des convertisseurs ferroviaires by : Joseph Fabre
Download or read book Étude et mise en œuvre de modules de puissance MOSFET SiC pour leurs futures utilisations dans des convertisseurs ferroviaires written by Joseph Fabre and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le Carbure de Silicium (SiC) va permettre de repousser les limites des convertisseurs dans trois directions : tenue en tension élevée, haute température de fonctionnement et forte vitesse de commutation. Aujourd'hui, les premiers modules MOSFET SiC sont disponibles sur le marché et semblent prometteurs. L'objectif de ces travaux de thèse consiste plus particulièrement à mettre en œuvre des montages permettant de caractériser ces premiers modules de puissance MOSFET SiC en vue de les utiliser dans les convertisseurs ferroviaires. Le premier chapitre est consacré à l'état de l'art d'une chaîne de traction de Tramway. C'est ce type de chaîne de traction sur lequel se concentrent les études des premières implantations de composants en SiC. Le deuxième chapitre présente un état de l'art des composants semi-conducteurs de puissance en SiC. Il rappelle tout d'abord les propriétés du matériau et détaille ensuite différentes structures de composants en SiC. Le troisième chapitre concerne les modélisations et les simulations de modules de puissance MOSFET SiC au sein d'une cellule de commutation. Les phases de commutation de ces composants sont étudiées en détail, les influences de différents paramètres sont mises en évidence et des simulations multi-physiques permettent de concevoir les bancs d'essais nécessaires à la caractérisation. Le quatrième chapitre présente les résultats des caractérisations statiques et dynamiques de modules de puissance MOSFET SiC. Ces résultats d'essai sont comparés à des modules IGBT Si de même calibre. Le cinquième chapitre est consacré à la mise en œuvre d'un banc d'essai utilisant la « méthode d'opposition ». Celui-ci permet de comparer les modules IGBT Si et les MOSFET SiC en fonctionnement onduleur grâce à des mesures électriques et calorimétriques. Le sixième et dernier chapitre présente des conclusions et donne des perspectives d'utilisation des composants MOSFET SiC dans les convertisseurs ferroviaires. Différents projets visant à utiliser des MOSFET SiC sur des applications ferroviaires y sont présentés.
Book Synopsis Mission Profile-Based Accelerated Ageing Tests of SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules in DC/AC Photovoltaic Inverters by : Mouhannad Dbeiss
Download or read book Mission Profile-Based Accelerated Ageing Tests of SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules in DC/AC Photovoltaic Inverters written by Mouhannad Dbeiss and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le cas des installations photovoltaïques, l'onduleur est le premier élément défaillant dont il est difficile d'anticiper la panne, et peu d'études ont été faites sur la fiabilité de ce type de convertisseur. L'objectif de cette thèse est de proposer des outils et méthodes en vue d'étudier le vieillissement des modules de puissance dans ce type d'application en se focalisant sur les phénomènes de dégradation liés à des aspects thermomécaniques. En règle générale, le vieillissement accéléré des modules de puissance est effectué dans des conditions aggravées de courant (Cyclage Actif) ou de température (Cyclage Passif) pour accélérer les processus de vieillissement. Malheureusement, en appliquant ce type de vieillissement accéléré, des mécanismes de défaillances qui ne se produisent pas dans la vraie application peuvent être observés et, inversement, d'autres mécanismes qui se produisent habituellement peuvent ne pas apparaître. La première partie de la thèse se focalise donc sur la mise en place d'une méthode de vieillissement accéléré des composants semi-conducteurs des onduleurs photovoltaïques. Cela est fait en s'appuyant sur l'analyse des profils de mission du courant efficace de sortie des onduleurs et de la température ambiante, extraits des centrales photovoltaïques situées au sud de la France sur plusieurs années. Ces profils sont utilisés pour étudier les dynamiques du courant photovoltaïque, et sont introduites dans des modèles numériques pour estimer les pertes et les variations de la température de jonction des semi-conducteurs utilisés dans les onduleurs, en utilisant l'algorithme de comptage de cycles "Rainflow". Cette méthode est ensuite mise en œuvre dans deux bancs expérimentaux. Dans le premier, les composants sous test sont des modules IGBT. Les composants sont mis en œuvre dans un banc de cyclage utilisant la méthode d'opposition et mettant en œuvre le profil de vieillissement défini précédemment. Un dispositif in-situ de suivi d'indicateurs de vieillissement (impédance thermique et résistance dynamique) est également proposé et évalué. Le deuxième banc est consacré à l'étude de modules de puissance à base de MOSFET SiC. Le vieillissement est effectué dans les mêmes conditions que pour les modules IGBT et de nombreux indicateurs électriques sont monitorés mais, cette fois ci, en extrayant les composants de l'onduleur de cyclage. Les résultats obtenus ont permis de déterminer des indicateurs de vieillissement d'IGBT et de MOSFET SiC utilisés dans un onduleur photovoltaïque.
Book Synopsis Conception Tridimensionnelle optimisée d'un convertisseur de traction ferroviaire à base de carbure de silicium (Sic) by : Andressa Nakahata medrado
Download or read book Conception Tridimensionnelle optimisée d'un convertisseur de traction ferroviaire à base de carbure de silicium (Sic) written by Andressa Nakahata medrado and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'industrie ferroviaire se concentre sur les avantages de l'utilisation des dispositifs à grand gap dans les applications de traction. Dans le cadre du projet européen « Shift2rail », les avantages potentiels de l'utilisation des composants à base de carbure de silicium (MOSFET SiC) dans les futurs convertisseurs sont étudiés ainsi que les impacts potentiels sur la conception des modules. Les outils informatiques de simulation multi physique ont beaucoup progressé et permettent aujourd'hui une véritable chaîne de CAO, allant de la conception mécanique jusqu'à la simulation électrique complète, et en mettant en valeur l'intérêt d'une approche résolument orientée vers la simulation et l'optimisation. Cependant le désir est maintenant d'aller plus loin que la simple validation d'une solution via la simulation. L'enjeu est d'effectuer la conception via une méthodologie se basant sur des stratégies d'optimisation utilisant ces outils. En effet les implantations tridimensionnelles des composants pour réaliser les structures de conversion ont déjà mis en évidence certains défauts structurels comme des problèmes d'équilibrage des courants en dynamiques lors des commutations, qui conduisent à devoir surdimensionner ces composants : ces phénomènes seront clairement amplifiés avec l'usage de semiconducteurs aussi rapides que les MOSFETs SiC. Par ailleurs, des règles de dimensionnement usuelles issues de dizaines d'années d'expériences peuvent se retrouver inefficaces voire contre-productives face à cette rupture technologique que constitue l'emploi de semiconducteurs à grand gap.L'analyse des phénomènes au sein d'un convertisseur complexe de moyenne puissance (comme ceux utilisés dans les trains régionaux) n'est pas évidente vu le nombre des composants et la manière comme ils sont assemblés. Modéliser l'ensemble des connectiques (bus bars DC, bus bar de phase, bus bars de liaisons) et composants (condensateurs de filtrage, semi-conducteurs, condensateurs de découplage) en prenant en compte leur impact lors de la commutation des semi-conducteurs, notamment dû aux impédances parasites, est essentiel lors de l'analyse et de l'optimisation d'un système complexe. Cette thèse propose une méthodologie de conception basée sur la technologie actuelle (IGBT Si) du système de traction. Le but de ce travail est d'avoir des méthodes qui permettront alors de s'adapter plus facilement aux nouvelles contraintes imposées par des vitesse de commutations bien plus rapides. Une étude détaillée de la cellule de commutation est présentée, afin d'analyser comment dimensionner de manière optimale le condensateur de découplage à intégrer au plus près de la cellule de commutation. A partir d'analyses fréquentielles et temporelles, nous montreront comment améliorer le choix de ce composant clé du circuit de puissance, souvent dimensionné empiriquement et à l'aide de retour d'expérience.L'équilibrage dynamique des courants lors de la mise en parallèle des semi-conducteurs est aussi abordé dans cette thèse. L'origine de ces déséquilibres est à la fois due aux interconnexions de puissance, mais également aux interactions entre le circuit de puissance et la commande ("driver"). Cette étude nous amènera à mettre en œuvre une optimisation pour rendre la répartition des courants la plus équilibrée possible en modifiant la géométrie des circuits de grilles et d'émetteurs. Cependant l'approche générique proposée s'appliquerait tout à fait à une intégration plus large où des degrés de liberté seraient laissés sur la conception du module de puissance, en intégrant par exemple les capacités de découplage.
Book Synopsis Méthodologie de simulation multiphysique du court-circuit dans les modules de puissance MOSFET SiC composant la chaîne de traction ferroviaire by : Yannick Dumollard
Download or read book Méthodologie de simulation multiphysique du court-circuit dans les modules de puissance MOSFET SiC composant la chaîne de traction ferroviaire written by Yannick Dumollard and published by . This book was released on 2021 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le contexte actuel, l'industrie ferroviaire tente de concevoir des systèmes de transport en commun basés sur une consommation d'énergie de plus en plus réduite et de plus en plus propre. Le déploiement des modules de puissance à base de carbure de silicium (MOSFET SiC) dans les convertisseurs permet une économie d'énergie pouvant aller jusqu'à 50% en limitant les pertes en commutation. Dans le même temps, l'industrie ferroviaire tend à développer des méthodes de validation par simulation dans les phases de conception. L'objectif de cette thèse est de développer une méthodologie de simulation multiphysique permettant de simuler finement le comportement d'un MOSFET SiC lors d'une phase de court-circuit ainsi que ses conséquences en termes de fiabilité. Le court-circuit est un phénomène complexe qui peut être critique pour la durée de vie des modules de puissance MOSFET SiC. Par conséquent, nous avons appréhendé le phénomène en développant une méthode permettant de prévoir la répartition et la forme du courant lors d'une phase de court-circuit ainsi que le champ magnétique généré lors de cette phase. Dans un premier temps, une méthodologie de simulation de la puce MOSFET SiC basée sur un schéma comportemental et un modèle de Cauer a été développée. Les paramètres du modèle ont été remplacés par des équations thermo-dépendantes déterminées à l'aide d'un algorithme génétique ainsi que de la méthode des moindres carrés. Par conséquent, le temps de résolution du calcul est très court, ce qui a permis d'adapter cette méthodologie à un module de puissance MOSFET SiC complet et connecté à des jeux de barres. Cette méthode repose sur le couplage entre le modèle comportemental de puce et les modèles 3D issus de simulations électromagnétiques basées sur la résolution par éléments finis. Le couplage a permis de corréler les valeurs de courant de court-circuit mesurées avec celles simulées. Par la suite, une étude de sensibilité du courant de court-circuit en fonction des inductances du circuit électrique et de l'inertie thermique du composant a été réalisée pour mieux appréhender le phénomène. Les résultats ont permis de démontrer que la conception numérique permet d'optimiser l'environnement électrique des modules de puissance MOSFET SiC en vue de limiter ce courant lors de l'utilisation commerciale. Cette méthodologie peut être également utilisée comme donnée d'entrée dans un calcul de durée de vie du composant ou pour réaliser un jumeau numérique du module de puissance. Nous avons donc démontré la faisabilité d'une méthodologie de simulations multiphysiques permettant de modéliser les déformations thermomécaniques dues à des phases de court-circuit. Par la suite, à l'aide des outils de simulation numérique, nous avons développé une méthode de détection de la phase de court-circuit permettant de protéger le composant le plus rapidement possible. Le tore de Rogowski développé avec cette méthode a permis de diviser par deux le niveau de courant généré lors de la phase de court-circuit.
Book Synopsis Caractérisation et mise en œuvre de composants SiC Haute Tension pour l'application transformateur moyenne fréquence en traction ferroviaire by : Jérémy Casarin
Download or read book Caractérisation et mise en œuvre de composants SiC Haute Tension pour l'application transformateur moyenne fréquence en traction ferroviaire written by Jérémy Casarin and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif du projet CONCIGI-HT (CONvertisseur alternatif-continu Compact à Isolement Galvanique Intégré Haute Tension) est d'augmenter le rendement des chaînes de traction tout en réduisant la masse et le volume de la fonction de conversion Alternatif/Continu. Pour cela, l'ensemble transformateur basse fréquence - redresseur est remplacé par une structure multi-convertisseurs, directement connectée à la caténaire haute tension et intégrant des transformateurs fonctionnant en moyenne fréquence (plusieurs kHz). Cette thèse concerne plus particulièrement la caractérisation et la mise en œuvre de composants semi-conducteurs haute tension dans des structures de conversion statiques à étage intermédiaire moyenne fréquence. L'étude est effectuée sur la base d'une chaîne de traction de 2 MW fonctionnant sur un réseau 25 kV/50 Hz. Le premier chapitre présente l'état de l'art de l'Automotrice à Grande Vitesse (AGV) récemment produite par ALSTOM. C'est la chaîne de traction de cet engin qui sert de référence pour l'étude des nouvelles topologies à transformateur moyenne fréquence. Le deuxième chapitre décrit tout d'abord la structure d'une chaîne de traction classique et présente ensuite deux topologies multicellulaires à transformateur moyenne fréquence applicables en traction électrique ferroviaire (la structure indirecte à redresseur de courant MLI et convertisseur DC/DC à résonance ainsi que la topologie directe associant des convertisseurs duaux). Les avantages et inconvénients de ces topologies sont mis en évidence. Le troisième chapitre concerne la mise en œuvre et la caractérisation en commutation douce de composants Silicium 6,5 kV dans les deux topologies présentées précédemment. Deux bancs de test, représentant un étage élémentaire de conversion, ainsi que des allumeurs spécifiques dédiés à la commutation douce, ont été réalisés. Ils permettent l'étude des semi-conducteurs en régime permanent dans des conditions nominales de fonctionnement (3,6 kV / 100 A). Le quatrième chapitre présente la mise en œuvre et la caractérisation de composants en carbure de silicium (SiC). Pour cela des modules de puissance à base de puces 10 kV (MOSFET et Diodes) ont été réalisés. Les résultats expérimentaux, obtenus sur les bancs de test réalisés au chapitre précédent, mettent en évidence une réduction significative des pertes et démontrent la viabilité de la topologie à convertisseurs duaux pour une application en 25 kV/50 Hz. La conclusion présente un premier design d'un bloc élémentaire et les gains en masse et volume ainsi que les économies d'énergies qui pourront être obtenus par rapport à une structure classique.
Book Synopsis Caractérisation et modélisation électrothermique compacte étendue du MOSFET SiC en régime extrême de fonctionnement incluant ses modes de défaillance by : François Boige (docteur en génie électrique).)
Download or read book Caractérisation et modélisation électrothermique compacte étendue du MOSFET SiC en régime extrême de fonctionnement incluant ses modes de défaillance written by François Boige (docteur en génie électrique).) and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le défi de la transition vers une énergie sans carbone passe, aujourd'hui, par un recours systématique à l'énergie électrique avec au centre des échanges l'électronique de puissance. Pour être à la hauteur des enjeux, l'électronique de puissance nécessite des composants de plusen plus performants pour permettre un haut niveau d'intégration, une haute efficacité énergétique et un haut niveau de fiabilité. Aujourd'hui, le transistor de puissance, du type MOSFET, en carbure de silicium (SiC) est une technologie de rupture permettant de répondre aux enjeux d'intégration et d'efficacité par un faible niveau de perte et une vitesse de commutation élevée. Cependant, leur fiabilité non maitrisée et leur faible robustesse aux régimes extrêmes du type court-circuit répétitifs freinent aujourd'hui leur pénétration dans les applications industrielles. Dans cette thèse, une étude poussée du comportement en court-circuit d'un ensemble exhaustif de composants commerciaux, décrivant toutes les variantes structurelles et technologiques en jeu, a été menée sur un banc de test spécifique développé durant la thèse, afin de quantifier leur tenue au courtcircuit. Cette étude a mis en lumière des propriétés à la fois génériques et singulières aux semiconducteurs en SiC déclinés en version MOSFET tel qu'un courant de fuite dynamique de grille et un mode de défaillance par un court-circuit grille-source amenant, dans certaines conditions d'usage et pour certaines structures de MOSFET, à un auto-blocage drain-source. Une recherchesystématique de la compréhension physique des phénomènes observés a été menée par une approche mêlant analyse technologique interne des composants défaillants et modélisation électrothermique fine. Une modélisation électrothermique compacte étendue à la prise en compte des modes de défaillance a été établie et implémentée dans un logiciel de type circuit. Ce modèle a été confronté à de très nombreux résultats expérimentaux sur toutes les séquences temporelles décrivant un cycle de court-circuit jusqu'à la défaillance. Ce modèle offre un support d'analyse intéressant et aussi une aide à la conception des circuits de protection. Ainsi, à titre d'application, un driver doté d'une partie de traitement numérique a été conçu et validé en mode de détection de plusieurs scénarii de court-circuit mais aussi potentiellement pour la détection de la dégradation de la grille du composant de puissance. D'autres travaux plus exploratoires ont aussi été menés en partenariat avec l'Université de Nottingham afin d'étudier l'impact de régimes de court-circuit impulsionnels répétés sur le vieillissement de puces en parallèle présentant des dispersions. La propagation d'un premier mode de défaillance issu d'un composant "faible" a aussi été étudiée. Ce travail ouvre la voie à la conception de convertisseurs intrinsèquement sûrs et disponibles en tirant parti des propriétés atypiques et originales des semi-conducteurs en SiC et du MOSFET en particulier.
Book Synopsis Développement d'outils électrothermiques pour la localisation de défauts et pour l'optimisation de la performance de modules mécatroniques de puissance SiC by : Quang Chuc Nguyen
Download or read book Développement d'outils électrothermiques pour la localisation de défauts et pour l'optimisation de la performance de modules mécatroniques de puissance SiC written by Quang Chuc Nguyen and published by . This book was released on 2021 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Contexte : Le travail de recherche s'articule autour de l'innovation à apporter dans le domaine des convertisseurs de puissance à base de Carbure de Silicium à très haute performance pour les systèmes embarqués, notamment pour les applications automobiles et aéronautiques. Les composants à base de SiC incitent les constructeurs de modules de puissance à développer des structures fortement intégrées rendant les mesures difficiles d'accès. La maîtrise de la dimension thermique, et son interaction avec les paramètres électriques, est essentielle pour garantir à la fois les performances et la fiabilité de ces modules dans des applications mécatroniques embarquées. En conséquence, il faut développer à la fois les outils expérimentaux de caractérisations thermiques et de la modélisation associée. Le travail de cette thèse s'est déroulé en collaboration avec :- L'Institut de Recherche Technologique (IRT) Saint-Exupéry, qui a amené les démonstrateurs et de l'aide pour le développement du banc de caractérisation thermique.- Le laboratoire LAAS-CNRS, qui a permis la caractérisation électrique à température régulée et l'extraction des modèles thermiques compacts.- L'ICAM, site de Toulouse, qui a réalisé les simulations thermo-fluidiques 3D et le banc de mesure de température de jonction en environnement contrôlé.- La société aPSI3D, qui est à l'origine de la technologie de module à refroidissement double face et qui a apporté les besoins industriels pour le projet.Travaux réalisés : Nous pouvons résumer les travaux réalisés comme suit :- Identification des paramètres électriques thermosensibles pour les MOSFETs SiC et les diodes Schottky SiC sur la base de recherche bibliographique.- Extraction des variations des paramètres électriques en fonction de la température afin de définir le paramètre électrique thermosensible à utiliser.- Spécification et validation de la méthode de mesure de l'impédance thermique par échauffement.- Exploitation de la méthode sur les modules de puissance à base de Carbure de Silicium à refroidissement simple face et à refroidissement double face.- Comparaison entre les résultats issus des mesures et ceux issus de la simulation 3D qui a permis l'identification et la localisation des défauts dans la structure des modules.- Extraction des caractéristiques électriques en fonction de la température.- Développement de modèles électriques thermosensibles analytiques qui peuvent aisément être intégrés dans un simulateur électrique.- Développement de modèles électrothermiques compacts qui prennent en compte à la fois l'auto-échauffement et les interactions thermiques entre les puces.Toutes ces actions nous ont permis d'offrir aux industriels une méthode de diagnostic pour l'amélioration de la maturation d'une nouvelle technologie de packaging de puces SiC. Cela permet également aux équipementiers de disposer de modèles électrothermiques avancés afin d'optimiser les convertisseurs de puissance avec leurs systèmes de refroidissement. De manière générale, cette thèse apporte une démarche scientifique qui contribue à une meilleure connaissance et exploitation de nouveaux composants à base de SiC avec prise en compte des contraintes apportées par les nouveaux packagings 3D fortement intégrés.
Book Synopsis Lightning Protection Guidelines for Aerospace Vehicles by : C. C. Goodloe
Download or read book Lightning Protection Guidelines for Aerospace Vehicles written by C. C. Goodloe and published by . This book was released on 1999 with total page 52 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Modern Surface Organometallic Chemistry by : Jean-Marie Basset
Download or read book Modern Surface Organometallic Chemistry written by Jean-Marie Basset and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2009-07-10 with total page 725 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Covering everything from the basics to recent applications, this monograph represents an advanced overview of the field. Edited by internationally acclaimed experts respected throughout the community, the book is clearly divided into sections on fundamental and applied surface organometallic chemistry. Backed by numerous examples from the recent literature, this is a key reference for all chemists.
Book Synopsis The Political Economy of Populism by : Petar Stankov
Download or read book The Political Economy of Populism written by Petar Stankov and published by Routledge. This book was released on 2020-07-21 with total page 94 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The Political Economy of Populism explores the interplay between identity, the economy and inequality to explain the dynamics of populist votes since the beginning of the 20th century. The book discusses the political and economic implications of populist governance using data on populist incumbencies and linking it to historical data on the macro economy and democracy. Chapters draw from the most recent political science, economics and other social science literature, as well as historical data, to explain the long-term causes and consequences of populism. Populism emerges and gains traction when political entrepreneurs exploit underlying identity conflicts for political gains. As the distributional consequences of both economic distress and economic growth typically favor the elite over the poor and the lower middle class, economic shocks usually sharpen the underlying identity conflicts between the groups. The book provides evidence of significant differences in the ways fiscal and monetary policies are conducted by incumbent populists in Latin America, Europe and the OECD. The work concludes by suggesting avenues through which a 21st century social consensus can be built, so that our society can avoid repeating the mistakes that led to wars and failed economic experiments in the 20th century. The Political Economy of Populism marks a significant contribution to the study of populism and is suited to students and scholars across the social sciences, including economics, political science and sociology.
Book Synopsis Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility by : Dr. Reinaldo J. Perez
Download or read book Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility written by Dr. Reinaldo J. Perez and published by John Wiley & Sons. This book was released on 2018-11-30 with total page 768 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A comprehensive resource that explores electromagnetic compatibility (EMC) for aerospace systems Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is a groundbreaking book on EMC for aerospace systems that addresses both aircraft and space vehicles. With contributions from an international panel of aerospace EMC experts, this important text deals with the testing of spacecraft components and subsystems, analysis of crosstalk and field coupling, aircraft communication systems, and much more. The text also includes information on lightning effects and testing, as well as guidance on design principles and techniques for lightning protection. The book offers an introduction to E3 models and techniques in aerospace systems and explores EMP effects on and technology for aerospace systems. Filled with the most up-to-date information, illustrative examples, descriptive figures, and helpful scenarios, Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is designed to be a practical information source. This vital guide to electromagnetic compatibility: • Provides information on a range of topics including grounding, coupling, test procedures, standards, and requirements • Offers discussions on standards for aerospace applications • Addresses aerospace EMC through the use of testing and theoretical approaches Written for EMC engineers and practitioners, Handbook of Aerospace Electromagnetic Compatibility is a critical text for understanding EMC for aerospace systems.
