Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Etude Du Vieillissement De Transistors Mos Submicroniques Soumis A Une Contrainte Electrique
Download Etude Du Vieillissement De Transistors Mos Submicroniques Soumis A Une Contrainte Electrique full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Etude Du Vieillissement De Transistors Mos Submicroniques Soumis A Une Contrainte Electrique ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique by : Béatrice Cabon
Download or read book Etude du vieillissement de transistors MOS submicroniques soumis à une contrainte électrique written by Béatrice Cabon and published by . This book was released on 1986 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DEGRADATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES STATIQUES DE TRANSISTOR MOS SBMICRONIQUES EST ETUDIEE APRES UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE DU TRANSISTOR POLARISE EN SATURATION. DE NOUVELLES METHODES DE CARACTERISATION DU TRANSISTOR SONT PROPOSEES. UN MODELE ANALYTIQUE UNIDIMENSIONNEL DE DEGRADATION DES PRINCIPAUX PARAMETRES EST PRESENTE, ET PERMET DE CORRELER CES DIFFERENTS PARAMETRES DE DEGRADATION
Book Synopsis Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température by : Chiên Nguyen-Duc
Download or read book Etude du fonctionnement et du vieillissement de transistors MOS submicroniques à basse température written by Chiên Nguyen-Duc and published by . This book was released on 1988 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: POUR CETTE ETUDE, EN PREMIERE PARTIE, DEUX MODELES SONT PROPOSES POUR PRENDRE EN COMPTE LES ASPECTS PARTICULIERS AUX DISPOSITIFS A CANAL TRES COURT (SUBMICRON). ON PROPOSE AUSSI UNE METHODE POUR DETERMINER LA LONGUEUR ELECTRIQUE DES TMOS. LA SECONDE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION PAR LES PORTEURS CHAUDS ET DU VIEILLISSEMENT A 77K DE TRANSISTOR MOS FABRIQUES PAR DIFFERENTES TECHNOLOGIES. ON MONTRE QUE LE PIEGEAGE DES ELECTRONS ET LA GENERATION DES ETATS D'INTERFACE VARIENT SELON LES CONDITIONS DE CONTRAINTE, LA TEMPERATURE ET LA LONGUEUR DES TRANSISTORS
Book Synopsis Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques by : Bertrand Szelag
Download or read book Étude des propriétés physiques et electriques de transistors mos fortement submicroniques written by Bertrand Szelag and published by . This book was released on 1999 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS MOS FAIT APPARAITRE DES EFFETS NEFASTES AU BON FONCTIONNEMENT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL DE THESE EST D'ETUDIER LES PROPRIETES PHYSIQUES ET ELECTRIQUES DES MOSFETS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LES LONGUEURS DE GRILLE MINIMUM UTILISEES AU COURS DE CETTE ETUDE SONT DE 75NM. DANS LE PREMIER CHAPITRE, NOUS RAPPELONS LES PRINCIPES DE FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS MOS EN INTRODUISANT LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. LE SECOND CHAPITRE EST ENTIEREMENT DEDIE AUX EFFETS DE CANAUX COURTS. LA TENSION DE SEUIL EST ETUDIEE EN FONCTION DE NOMBREUX PARAMETRES. NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE FINE DE L'EFFET DE CANAL COURT INVERSE A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES A BASSE TEMPERATURE ET EN DETERMINONS L'ORIGINE. ENFIN, NOUS PRESENTONS UN PHENOMENE ORIGINAL D'AUGMENTATION DE LA TRANSCONDUCTANCE AVEC LA POLARISATION DE SUBSTRAT. LE TROISIEME CHAPITRE TRAITE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS. NOUS ANALYSONS EN DETAIL LES COURANTS DE GRILLE ET DE SUBSTRAT ET PRESENTONS DES RESULTATS RELATIFS AU VIEILLISSEMENT DES COMPOSANTS. ENFIN, LE PHENOMENE D'EMISSION DE PHOTONS EST ANALYSE. LE QUATRIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ETUDE COMPARATIVE DES METHODES D'EXTRACTION DE LA LONGUEUR EFFECTIVE DE CANAL ET DES RESISTANCES SERIE. NOUS PROPOSONS CERTAINES AMELIORATIONS PERMETTANT D'UTILISER CES METHODES POUR LES COMPOSANTS FORTEMENT SUBMICRONIQUES. LE CINQUIEME CHAPITRE EST UN TRAVAIL DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS AVANCES REALISES AVEC DIFFERENTES ARCHITECTURES. NOUS COMPARONS UN DOPAGE CONVENTIONNEL OBTENU PAR IMPLANTATION DE BORE A UN DOPAGE RETROGRADE REALISE PAR IMPLANTATION D'INDIUM.
Book Synopsis Caractérisation du vieillissement électrique de transistors microniques n-Mos par l'étude de la jonction substrat-drain by : Marc Faurichon de la Bardonnie
Download or read book Caractérisation du vieillissement électrique de transistors microniques n-Mos par l'étude de la jonction substrat-drain written by Marc Faurichon de la Bardonnie and published by . This book was released on 1996 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PROPOSE UNE METHODE NOUVELLE POUR L'ETUDE DES PROPRIETES DES TRANSISTORS REALISES POUR LES COMPOSANTS DE TRES HAUTE INTEGRATION. ELLE EST APPLIQUEE A L'ETUDE DES DEGRADATIONS DE LEURS PROPRIETES PRODUITS PAR DES PORTEURS CHAUDS PRODUISANT UN VIEILLISSEMENT RAPIDE DES TRANSISTORS MICRONIQUES. CETTE METHODE CONSISTE EN L'ANALYSE DU FONCTIONNEMENT DE LA JONCTION SUBSTRAT-DRAIN PAR LA DETERMINATION DES COURANTS DE RECOMBINAISON ET DE DIFFUSION. LA DESCRIPTION DE SES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION PERMET D'EXTRAIRE DES PARAMETRES LIES A SA STRUCTURE. L'ETUDE EXPERIMENTALE A ETE FAITE EN UTILISANT DES PLAQUETTES DE TEST REALISEES EN TECHNOLOGIE CMOS AVEC DES TRANSISTORS DE LARGEURS ET LONGUEURS DE GRILLE COMPRISES ENTRE 25M ET 0.8M. CES PARAMETRES ONT ETE OBTENUS DEPENDANTS DES DIMENSIONS ET DE VALEURS SENSIBLES AUX CONTRAINTES ELECTRIQUES APPLIQUEES. CETTE ETUDE A PERMIS DE MONTRER QUE LES DEFAUTS INDUITS SONT LOCALISES AU NIVEAU DU DRAIN ET RELIES AUX IMPERFECTIONS DE STRUCTURE APPARAISSANT SUR LES POURTOURS DES ZONES ACTIVES. CES RESULTATS PERMETTENT D'ENVISAGER LE DEVELOPPEMENT D'UNE METHODE DE TEST DES COMPOSANTS PAR UNE ANALYSE INITIALE A DES FINS DE SELECTION POUR DES APPLICATIONS SPECIFIQUES
Book Synopsis MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF EXPERIMENTAL POUR L'ETUDE DES STRUCTURES MOS by : FARID.. DJAHLI
Download or read book MISE AU POINT D'UN DISPOSITIF EXPERIMENTAL POUR L'ETUDE DES STRUCTURES MOS written by FARID.. DJAHLI and published by . This book was released on 1992 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: APRES QUELQUES RAPPELS SUR LES DIFFERENTES TECHNIQUES DES MESURES ET DE CARACTERISATION DES TRANSISTORS MOS VIEILLIS, EN PARTICULIER LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGE QUE NOUS AVONS ADAPTEE A NOTRE DISPOSITIF EXPERIMENTAL, NOUS EFFECTUONS UNE ETUDE CRITIQUE DES DIFFERENTS MODELES DE DEGRADATION DES TMOS QUI NOUS ONT PERMIS D'EXPLIQUER NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX. NOUS DECRIVONS ENSUITE LES DETAILS DE REALISATION DU DISPOSITIF EXPERIMENTAL QUE NOUS AVONS MIS AU POINT. CE DISPOSITIF, PREVU POUR L'ETUDE DES TMOS, PERMET LA CARACTERISATION DE N'IMPORTE QUELLE STRUCTURE MOS DANS UNE TRES LARGE GAMME DE TEMPERATURE (77K-400K). NOUS PRESENTONS ENFIN LA METHODE D'EXTRACTION DES PARAMETRES DU TMOS VIEILLI, AINSI QUE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DE VIEILLISSEMENT OBTENUS SUR DEUX SERIES DIFFERENTES DE TMOS MICRONIQUES A CANAL N, SOUMIS A DIFFERENTS TYPES DE CONTRAINTES ELECTRIQUES. CES RESULTATS ONT PERMIS D'OBSERVER UN COMPORTEMENT INHABITUEL DE LA TRANSCONDUCTANCE APRES UN VIEILLISSEMENT DE COURTE DUREE SOUS FORTE TENSION DE DRAIN. DE MEME, POUR DES DUREES DE CONTRAINTES PLUS LONGUES, LA TENSION DE SEUIL PRESENTE UN COMPORTEMENT PARTICULIER. LES MESURES DE POMPAGE DE CHARGE NOUS ONT PERMIS DE MONTRER LE CARACTERE NON UNIFORME ET TRES LOCALISE DES DEGRADATIONS ENGENDREES PAR L'INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE. NOUS MONTRONS QUE LE PHENOMENE DE PIEGEAGE D'ELECTRONS ET LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE DEPENDENT DES CONDITIONS DES CONTRAINTES ET DES DIMENSIONS DES TRANSISTORS
Book Synopsis Etude des mécanismes de viellissement [i.e. vieillissement] sous contrainte électrique des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées by : Marie Ruat
Download or read book Etude des mécanismes de viellissement [i.e. vieillissement] sous contrainte électrique des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées written by Marie Ruat and published by . This book was released on 2006 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le vieillissement de transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées a été étudié, et ce pour les trois modes de dégradation connus du transistor bipolaire, correspondant à une polarisation du transistor en inverse, en direct et en «mixed-mode». L'effet de ces contraintes sur les caractéristiques électriques du transistor bipolaire, et en particulier sur le courant base, est unique quel que soit le mode de dégradation déclenché, avec l'apparition d'un courant base de génération-recombinaison issu de défauts d'interface Si/Si02 créés par des porteurs chauds au cours de la contrainte. L'extraction des facteurs d'accélération du vieillissement en fonction des nombreux paramètres de contrainte a permis la construction de modèles empiriques pour l'étude de chacun des modes de dégradation. Des mesures de bruit basse fréquence, et des simulations physiques TCAD ont également été utilisées pour la compréhension des mécanismes physiques à l'origine du vieillissement des transistors bipolaires. Enfin, une discussion sur l'unicité de comportement constatée quel que soit le mode de dégradation déclenché conclut ce manuscrit.
Book Synopsis MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI by : ABDELKADER.. HASSEIN-BEY
Download or read book MODELISATION PHYSIQUE DU VIEILLISSEMENT ET METHODES D'EXTRACTION DES PARAMETRES DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES SUR SILICIUM MASSIF ET SOI written by ABDELKADER.. HASSEIN-BEY and published by . This book was released on 1993 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES DISPOSITIFS ELEMENTAIRES COMPOSANT LES CIRCUITS INTEGRES, A ETE RENDUE POSSIBLE PAR LES PROGRES DE LA TECHNOLOGIE MICROELECTRONIQUE. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE D'INTEGRATION INDUIT UN ACCROISSEMENT DES CHAMPS ELECTRIQUES A L'INTERIEUR DU TRANSISTOR, D'OU UNE INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE ET UNE CREATION DE DEFAUTS. LA COMPREHENSION DES MECANISMES PHYSIQUES DE DEGRADATION EST FONDAMENTALE POUR ABOUTIR A DES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES PERMETTANT D'ATTENUER LE PHENOMENE DE VIEILLISSEMENT. CETTE COMPREHENSION EST LE FRUIT D'ETUDES MENEES SUR LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES DISPOSITIFS DANS LE BUT D'EVALUER L'AMPLEUR ET LA NATURE DES DOMMAGES ENGENDRES. L'OBJECTIF DE NOTRE TRAVAIL N'EST PAS D'EFFECTUER UNE ETUDE SYSTEMATIQUE DU VIEILLISSEMENT, MAIS DE DEVELOPPER ET DE METTRE AU POINT DES MODELES ET DES METHODES SPECIFIQUES DE CARACTERISATION DE TRANSISTORS MOS DEGRADES ULTRA-COURTS. AINSI, NOUS ABORDERONS LA SIMULATION ET LA MODELISATION DES TMOS, EN NOUS CONCENTRANT SUR LE CAS DES CANAUX DE TYPE P. CECI NOUS PERMETTRA DE METTRE AU POINT DES METHODES EFFICACES D'EXTRACTION DE PARAMETRES. LES TECHNOLOGIES SILICIUM SUR ISOLANT OU SOI (SILICON ON INSULATOR) APPARAISSENT COMME UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR LA MICROELECTRONIQUE, POUVANT SERIEUSEMENT CONCURRENCER LES TECHNOLOGIES PLUS CLASSIQUES SUR SILICIUM MASSIF. NOUS ABORDONS EN DETAIL LE PROBLEME DU COUPLAGE DES INTERFACES DANS LES TMOS SOI ULTRA-MINCES. ON TRAITE AUSSI DE LA MODELISATION DES EFFETS DES DEGRADATIONS DANS LES TMOS SOI ULTRA-COURTS AFIN DE MIEUX COMPRENDRE LES ASPECTS TYPIQUES ET COMPLEXES LIES AU VIEILLISSEMENT DE CES TRANSISTORS
Book Synopsis Modélisation physique des effets du vieillissement et méthodes d'extraction des paramètres des transistors MOS submicroniques sur silicium massif et S.O.I by : Abdelkader Hassein-Bey
Download or read book Modélisation physique des effets du vieillissement et méthodes d'extraction des paramètres des transistors MOS submicroniques sur silicium massif et S.O.I written by Abdelkader Hassein-Bey and published by . This book was released on 1993 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 μm by : Bertrand Marchand
Download or read book Génération des porteurs chauds et fiabilité des transistors mos sub-0,1 μm written by Bertrand Marchand and published by . This book was released on 1999 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES EFFETS DE PORTEURS CHAUDS POUVANT INDUIRE UNE DEGRADATION ELECTRIQUE DES CIRCUITS INTEGRES EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE POUR LES COMPOSANTS AVANCES. DANS LES TRANSISTORS FORTEMENT SUBMICRONIQUES, LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION A TEMPERATURE AMBIANTE ET A BASSES TEMPERATURES DE L'IONISATION SECONDAIRE PAR IMPACT ET DU COURANT DE GRILLE QUI EN RESULTE, COMPLETEE PAR L'ETUDE DE L'EMISSION LUMINEUSE LIEE A CE MECANISME, ONT ETE MENEES A BIEN, APPORTANT UNE MEILLEURE COMPREHENSION DE LA GENERATION DE PORTEURS CHAUDS DONT L'ENERGIE EST RESPONSABLE DE LA CREATION D'ETATS D'INTERFACE ET DE LA DEGRADATION DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS. TIRANT PROFIT DE L'ACCELERATION DU VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE PAR L'INTENSIFICATION DE L'IONISATION SECONDAIRE, UNE NOUVELLE METHODE DE PREDICTION DE LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS DANS LEURS CONDITIONS NOMINALES DE POLARISATION EST PROPOSEE. ENFIN, L'IMPACT DU TYPE DE CONTRAINTE ELECTRIQUE ET DE L'ARCHITECTURE TECHNOLOGIQUE SUR LA FIABILITE DES COMPOSANTS SONT ETUDIES.
Book Synopsis Contribution à l'étude des limites de fonctionnement des technologies MOS microniques by : Carlos Galup
Download or read book Contribution à l'étude des limites de fonctionnement des technologies MOS microniques written by Carlos Galup and published by . This book was released on 1982 with total page 95 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS MOS MICRONIQUES SOUMIS A UNE CONTRAINTE ELECTRIQUE DE LONGUE DUREE (1000 HEURES) AU VOISINAGE DU POINT DE SATURATION. UN MODELE DES TRANSISTORS AYANT SUBI UNE CONTRAINTE EST PROPOSE. UN PROFIL DE DEFAUTS ENTRE SOURCE ET DRAIN, NOTAMMENT UN PROFIL D'ETATS D'INTERFACE, PERMET DE RENDRE COMPTE DE LA PLUPART DES CARACTERISTIUQES DU MOS DEGRADE
Book Synopsis Caracterisation du vieillissement electrique de transistors microniques n-MOS par l'etude de la jonction substrat-drain by : Marc Faurichon de la Bardonnie
Download or read book Caracterisation du vieillissement electrique de transistors microniques n-MOS par l'etude de la jonction substrat-drain written by Marc Faurichon de la Bardonnie and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques by : Nathalie Revil
Download or read book Caractérisation et analyse de la dégradation induite par porteurs chauds dans les transistors MOS submicroniques et mésoscopiques written by Nathalie Revil and published by . This book was released on 1993 with total page 174 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION ET A L'ANALYSE DE LA DEGRADATION ENGENDREE PAR LES INJECTIONS DE PORTEURS CHAUDS DANS LES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ET MESOSCOPIQUES. LE PREMIER CHAPITRE DECRIT LES PRINCIPES DE BASE DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR MOS EN INSISTANT SUR LES EFFETS DE CANAUX COURTS ET, PLUS PARTICULIEREMENT, SUR LES PHENOMENES DE GENERATION ET INJECTION DE PORTEURS CHAUDS DANS L'OXYDE DE GRILLE. DIFFERENTES METHODES DE CARACTERISATION DE LA DEGRADATION INDUITE SONT ENSUITE RESUMEES ET COMPAREES DANS UN DEUXIEME CHAPITRE, CECI TOUT EN SOULIGNANT LE CARACTERE INHOMOGENE DE LA ZONE DE DEFAUTS. LE TROISIEME CHAPITRE PRESENTE UNE ANALYSE DU VIEILLISSEMENT DE TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES ISSUS DE FILIERES CMOS AVANCEES. L'ETUDE MENEE SUR UNE LARGE GAMME DE LONGUEURS DE CANAL (0,4 M A 2 M) A PERMIS DE REVELER DE NOUVEAUX MODES DE DEFAILLANCE QUI SE MANIFESTENT AVEC LA REDUCTION DES DIMENSIONS ET, PAR SUITE, DE PREDIRE A CHAQUE INSTANT LE PARAMETRE LE PLUS SENSIBLE AU VIEILLISSEMENT. LA COMPARAISON DES DEGRADATIONS INDUITES DANS LES TRANSISTORS N- ET P-MOS PAR DES CONTRAINTES STATIQUES, ALTERNEES ET DYNAMIQUES, A CONFIRME LES DIFFERENTS MECANISMES DE DEFAILLANCE ET PERMIS DE DEFINIR UNE PROCEDURE POUR LA QUALIFICATION EN PORTEURS CHAUDS DES FILIERES CMOS. LE DERNIER CHAPITRE REPOSE SUR L'ANALYSE DES PERFORMANCES DE TRANSISTORS N-MOS ULTRA-COURTS (L=0,1 M). DE NOUVEAUX PHENOMENES DE TRANSPORT ONT ETE MIS EN EVIDENCE AINSI QU'UNE ZONE DE DEFAUTS UNIFORME APRES INJECTION DE PORTEURS CHAUDS. ENFIN, NOS RESULTATS MONTRENT POUR CES DISPOSITIFS UNE DUREE DE VIE SUPERIEURE A 10 ANS, CE QUI PERMET D'ETRE TOUT A FAIT OPTIMISTE POUR UNE UTILISATION FUTURE
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES by : DAVID.. DORVAL
Download or read book CONTRIBUTION A L'ANALYSE ET A LA MODELISATION DU VIEILLISSEMENT STATIQUE DE TRANSISTORS NMOS SUBMICRONIQUES written by DAVID.. DORVAL and published by . This book was released on 1995 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AFIN DE QUALIFIER LA FIABILITE DES TRANSISTORS MOS SUBMICRONIQUES, NOUS AVONS ETUDIE LA TENUE AU VIEILLISSEMENT DE DIFFERENTES SOLUTIONS TECHNOLOGIQUES SENSEES LIMITER LES PHENOMENES DE PORTEURS CHAUDS. L'ANALYSE DES DEGRADATIONS INDUITES PAR LES PORTEURS CHAUDS NOUS A PERMIS DE MODELISER LES DEGRADATIONS DES PRINCIPAUX PARAMETRES ELECTRIQUES BAS-NIVEAU DU TRANSISTOR. CES DEGRADATIONS SONT ESSENTIELLEMENT RELIEES A LA GENERATION D'ETATS D'INTERFACE SOUS LA GRILLE DU TRANSISTOR DONT LA DENSITE PEUT ETRE REVELEE PAR LA TECHNIQUE DE POMPAGE DE CHARGES. LA SENSIBILITE DE CETTE TECHNIQUE ASSOCIEE A LA MODELISATION DES DEGRADATIONS PERMET DE DETERMINER LA DUREE DE VIE DES TRANSISTORS POUR DES POLARISATIONS DE STRESS PROCHES DES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT. LA DUREE DE VIE DES DIFFERENTES STRUCTURES POUR LES TENSIONS NOMINALES DE FONCTIONNEMENT EST ALORS DETERMINEE PAR INTERPOLATION ENTRE LES MESURES A FORTES ET FAIBLES TENSIONS. CETTE INTERPOLATION PERMET DE S'AFFRANCHIR PARTIELLEMENT DES INCERTITUDES INHERENTES A L'EXTRAPOLATION QUI EST UTILISEE LORSQUE SEULS LES POINTS DE MESURE A TENSIONS ELEVEES SONT PRIS EN COMPTE
Book Synopsis Etude et modélisation du comportement électrique des transistors MOS fortement submicroniques by : Fabien Prégaldiny
Download or read book Etude et modélisation du comportement électrique des transistors MOS fortement submicroniques written by Fabien Prégaldiny and published by . This book was released on 2003 with total page 185 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La modélisation précise des transistors MOS pour la conception et la simulation de circuits est un défi constant en raison de la nature évolutive de la technologie CMOS. L'objectif de cette thèse est d'une part d'étudier les principaux effets résultant de la miniaturisation des TMOS et d'autre part de proposer des modèles analytiques simples et originaux permettant de les prendre en compte. Les bases physiques nécessaires à la formulation d'un modèle idéal sont présentées au chapitre 2, de même qu'un état de l'art des principaux modèles compacts de TMOS (modèles destinés à la simulation de circuits) actuellement utilisés. Le troisième chapitre est consacré à une étude détaillée du comportement capacitif extrinsèque du TMOS fortement submicronique. Un nouveau modèle de capacités parasites est également proposé puis validé à partir de simulations numériques à deux dimensions. Le quatrième chapitre fait état d'une étude approfondie des effets quantiques au sein des transistors n-MOS. L'influence des effets quantiques sur les différentes caractéristiques électriques (I-V, C-V) du TMOS est discutée. Un nouveau modèle quantique, formulé intégralement en potentiel de surface, est alors développé. Ce modèle est complètement analytique, valable de l'accumulation à l'inversion, et ne nécessite aucun paramètre d'ajustement. Utilisé conjointement à un modèle en feuille de charge, il autorise une description précise et continue des caractéristiques électriques majeures du TMOS telles que les charges, les capacités, le courant de drain, la transconductance, etc. Le nouveau modèle est finalement validé par comparaison avec des résultats expérimentaux de différentes technologies CMOS avancées. En conclusion, cette thèse démontre qu'une approche pragmatique de la modélisation compacte permet de réaliser des modèles simples, efficaces et physiquement cohérents.
![Download Etude des mécanismes de viellissement [i.e. vieillissement] sous contrainte électrique des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées PDF Online Free](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/lynKOwAACAAJ?fife=w200-h370)
