Etude Des Proprietes Du Silicium Amorphe Hydrogene Par La Technique De La Photoconductivite Modulee A Deux Faisceaux

Author : Khelifati Nabil
Publisher : Presses Academiques Francophones
ISBN 13 : 9783838179919
Total Pages : 112 pages
Book Rating : 4.1/5 (799 download)

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Download or read book Dopage Au Bore Du Silicium Amorphe Hydrogene Depose Par Pulverisation written by Khelifati Nabil and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2013 with total page 112 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des la decouverte du silicium amorphe hydrogene vers la fin des annees soixante, de nombreux efforts de recherche ont ete entrepris sur ce materiau afin d'arriver a mieux comprendre ses proprietes et elargir ses domaines d'application. Le grand avantage que ce materiau procure est la possibilite de le deposer en couches minces sur de grandes surfaces avec un faible cout. A cote de ces avantages, la possibilite qu'il soit dope et de changer le type de porteurs ainsi que l'ordre de grandeur de sa conductivite, a permis d'envisager de nombreuses applications concernant la realisation de diverses structures electroniques. Il y a donc eu de rapides progres dans l'etude du silicium amorphe depuis 1975, date a laquelle les premieres experiences de dopage ont ete mentionnees. Le dopage au bore en faibles concentrations est utilise pour le rendre intrinseque et obtenir une conductivite minimum. Ce materiau est l'element actif de nombreux dispositifs electroniques comme les cellules solaires, les photorecepteurs et les transistors en couches minces (TFT). Les dopages eleves sont necessaires pour realiser les structures pin ou pour obtenir des contacts ohmiques sur le materiau intrinseque.