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Etude Des Mecanismes De Formation Du Silicium Poreux
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Book Synopsis Etude des mécanismes de formation du silicium poreux by : Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).)
Download or read book Etude des mécanismes de formation du silicium poreux written by Isabelle Ronga-Lefebvre (auteur en électrochimie).) and published by . This book was released on 1991 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré essentiellement à l'étude des transferts de charges à l'origine de la dissolution d'une anode de silicium en présence d'une solution électrolytique fortement concentrée en acide fluorhydrique. Les conditions de formation ainsi que les caractéristiques du silicium poreux sont données dans le premier chapitre. La seconde partie est constituée d'une présentation de l'interface semi-conducteur/électrolyte. Les trois chapitres suivants concernent les résultats expérimentaux et leurs interprétations dont nous donnerons les principales conclusions. Une étude détaillée du comportement électrique de l'interface silicium/électrolyte est présentée sur le silicium de type p. Ces investigations permettent de proposer un modèle qui repose sur le fait que la cinétique de dissolution du silicium est déterminée principalement par la densité de charges positives a l'interface silicium/électrolyte. Ces trous doivent franchir la barrière de Schottky correspondant à la zone de charge d'espace qui existe à l'interface. Un aspect particulièrement intéressant du modèle est qu'il permet de prévoir quantitativement la sélectivité de dissolution du matériau. Sur le silicium de type n l'analyse des caractéristiques i (v) et des mesures d'impédance a conduit à proposer un mécanisme diffèrent ou la cinétique de dissolution est limitée par le transfert d'électrons par effet tunnel à travers la barrière correspondant à la zone de charge d'espace. Enfin, la différence entre le comportement observe lors du premier balayage en potentiel et lors des balayages ultérieurs est étroitement liée à une adsorption de charges positives se produisant à la surface de l'électrode de silicium. Cette adsorption mise en évidence par les mesures d'impédance constitue vraisemblablement le phénomène déclenchant la réaction de dissolution du silicium en milieu acide fluorhydrique
Book Synopsis ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN by : STEPHANE.. BASTIDE
Download or read book ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX APPLIQUEE A LA TEXTURATION DU SILICIUM MULTICRISTALLIN written by STEPHANE.. BASTIDE and published by . This book was released on 1995 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE ET CHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE, CONDUIT SOUS CERTAINES CONDITIONS A LA FORMATION DE SILICIUM POREUX. L'ETUDE DES MECANISMES DE DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE P ET N#+, ET L'OBSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES DU SILICIUM POREUX, ONT ETE REALISEES. L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES DE CE MATERIAU ET DES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES DES JONCTIONS EN SILICIUM P-N#+ AVEC UN EMETTEUR PARTIELLEMENT POREUX, MONTRE QUE LA FORMATION D'UNE COUCHE DE SILICIUM POREUX EN FACE AVANT DES PHOTOPILES EN SILICIUM MULTICRISTALLIN, PEUT CONSTITUER UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE DIMINUTION DES PERTES PAR REFLEXION DES PHOTONS
Book Synopsis Etude des mécanismes de formation du silicium poreux by : Isabelle Ronga-Lefebvre
Download or read book Etude des mécanismes de formation du silicium poreux written by Isabelle Ronga-Lefebvre and published by . This book was released on 1991 with total page 119 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE ESSENTIELLEMENT A L'ETUDE DES TRANSFERTS DE CHARGES A L'ORIGINE DE LA DISSOLUTION D'UNE ANODE DE SILICIUM EN PRESENCE D'UNE SOLUTION ELECTROLYTIQUE FORTEMENT CONCENTREE EN ACIDE FLUORHYDRIQUE. LES CONDITIONS DE FORMATION AINSI QUE LES CARACTERISTIQUES DU SILICIUM POREUX SONT DONNEES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LA SECONDE PARTIE EST CONSTITUEE D'UNE PRESENTATION DE L'INTERFACE SEMI-CONDUCTEUR/ELECTROLYTE. LES TROIS CHAPITRES SUIVANTS CONCERNENT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LEURS INTERPRETATIONS DONT NOUS DONNERONS LES PRINCIPALES CONCLUSIONS. UNE ETUDE DETAILLEE DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE EST PRESENTEE SUR LE SILICIUM DE TYPE P. CES INVESTIGATIONS PERMETTENT DE PROPOSER UN MODELE QUI REPOSE SUR LE FAIT QUE LA CINETIQUE DE DISSOLUTION DU SILICIUM EST DETERMINEE PRINCIPALEMENT PAR LA DENSITE DE CHARGES POSITIVES A L'INTERFACE SILICIUM/ELECTROLYTE. CES TROUS DOIVENT FRANCHIR LA BARRIERE DE SCHOTTKY CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE QUI EXISTE A L'INTERFACE. UN ASPECT PARTICULIEREMENT INTERESSANT DU MODELE EST QU'IL PERMET DE PREVOIR QUANTITATIVEMENT LA SELECTIVITE DE DISSOLUTION DU MATERIAU. SUR LE SILICIUM DE TYPE N L'ANALYSE DES CARACTERISTIQUES I (V) ET DES MESURES D'IMPEDANCE A CONDUIT A PROPOSER UN MECANISME DIFFERENT OU LA CINETIQUE DE DISSOLUTION EST LIMITEE PAR LE TRANSFERT D'ELECTRONS PAR EFFET TUNNEL A TRAVERS LA BARRIERE CORRESPONDANT A LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE. ENFIN, LA DIFFERENCE ENTRE LE COMPORTEMENT OBSERVE LORS DU PREMIER BALAYAGE EN POTENTIEL ET LORS DES BALAYAGES ULTERIEURS EST ETROITEMENT LIEE A UNE ADSORPTION DE CHARGES POSITIVES SE PRODUISANT A LA SURFACE DE L'ELECTRODE DE SILICIUM. CETTE ADSORPTION MISE EN EVIDENCE PAR LES MESURES D'IMPEDANCE CONSTITUE VRAISEMBLABLEMENT LE PHENOMENE DECLENCHANT LA REACTION DE DISSOLUTION DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE
Book Synopsis Contribution à l'étude du silicium poreux by : Ahmad Bsiesy
Download or read book Contribution à l'étude du silicium poreux written by Ahmad Bsiesy and published by . This book was released on 1991 with total page 126 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES MECANISMES DE TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN SILICE PAR VOIE ANODIQUE ONT ETE ETUDIES. LES CARACTERISTIQUES ELECTROCHIMIQUES CORRESPONDANTES, ET LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES POREUSES OXYDEES ANODIQUEMENT ONT ETE ANALYSEES. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT QU'EN MODE INTENTIOSTATIQUE ET POUR DES FAIBLES COURANTS D'OXYDATION LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SE TROUVENT EN DEPLETION ET L'ECHANGE DES TROUS N'EST DONC POSSIBLE QU'AU FOND DES PORES OU L'OXYDATION AURA PRINCIPALEMENT LIEU. POUR DES COURANTS PLUS FORTS, LES COLONNES DE SILICIUM POREUX SONT DANS UN ETAT DE DEPLETION MOINS PROFOND, VOIRE EN ACCUMULATION, ET L'OXYDATION AURA LIEU A LA FOIS AU FOND DES PORES ET SUR LES FLANCS DE CEUX-CI. UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS PRELIMINAIRES ONT MONTRE QUE LE SILICIUM POREUX PEUT, DANS CERTAINES CONDITIONS, EMETTRE DE LA LUMIERE VISIBLE: LORSQUE LES DIMENSIONS DES FILAMENTS DE SILICIUM CONSTITUANT LE SILICIUM POREUX DEVIENNENT SUFFISAMMENT FINS, LES EFFETS DE CONFINEMENT QUANTIQUE DEPLACENT LES NIVEAUX ELECTRONIQUES ET FONT APPARAITRE UNE LUMINESCENCE DANS LA REGION CORRESPONDANT AUX LONGUEURS D'ONDE VISIBLES
Download or read book Silicium poreux written by and published by Presses Academiques Francophones. This book was released on 2021-02-15 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude du silicium poreux a connu un regain d'intérêt spectaculaire depuis sa découverte, en 1990, à cause de la possibilité de ce matériau d'émettre efficacement de la lumière visible à température ambiante, cette découverte a relancé l'ensemble des recherches sur ce matériau pourtant connu depuis plus de 70ans. Dans ce livre, on a préparé le silicium poreux par la technique d'électrodéposition et on a pu d'obtenir les différentes morphologies du silicium poreux (macro, méso et nano poreux), le mécanisme de la formation est bien expliqué, tout d'abord on a exposé une étude bibliographique de la fabrication du silicium poreux par la technique d'électrochimie, en décrivant les mécanismes et les paramètres qui gèrent le phénomène de formation des pores et les propriétés des couches poreuses, puis on a décrit les conditions expérimentales et techniques d'électrodéposition utilisées: Voltampérometrie, chronopotentiomertie et chronoamprometrie ainsi que les techniques de caractérisation: DRX, MEB et Spectroscopie (UV- Visible et FTIR). Enfin, on a analysé et interprété les résultats de caractérisation obtenus de nos échantillons pour les différentes morphologies de Si poreux.
Book Synopsis ETUDES STRUCTURALES DU SILICIUM POREUX PAR TECHNIQUES DE RAYONS X by : VIRGINIE.. CHAMARD
Download or read book ETUDES STRUCTURALES DU SILICIUM POREUX PAR TECHNIQUES DE RAYONS X written by VIRGINIE.. CHAMARD and published by . This book was released on 2000 with total page 198 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CETTE THESE EST D'ETUDIER LA STRUCTURE DU SILICIUM POREUX (SP) PAR DES TECHNIQUES DE RAYONS X POUR COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATION. L'ECHELLE NANOMETRIQUE DE LA STRUCTURE POREUSE NECESSITE DES MOYENS D'INVESTIGATION NON DESTRUCTIFS ET SENSIBLES A CETTE ECHELLE. DE PLUS, LE CARACTERE CRISTALLIN CONNU DANS LE CAS DU TYPE P, CONDUIT NATURELLEMENT A L'UTILISATION DE LA DIFFRACTION DES RAYONS X POUR TOUS TYPES DE SP. AINSI, NOUS AVONS SUIVI IN SITU LES DEFORMATIONS PENDANT LA FORMATION ET LA DISSOLUTION CHIMIQUE DU SP. POUR LE TYPE N, L'ETUDE SYSTEMATIQUE EN FONCTION DU TEMPS DE FORMATION, PAR DIFFRACTION ET REFLECTIVITE DE RAYONS X, COMPLETEE PAR DES MESURES DIRECTES, MONTRE DEUX TYPES DE MATERIAUX : FABRIQUE DANS L'OBSCURITE, LA STRUCTURE DU SP EST CONTINUE MAIS NON HOMOGENE EN PROFONDEUR ET LA FORMATION PRESENTE TROIS PHASES DISTINCTES DANS LE TEMPS. FABRIQUE SOUS ILLUMINATION, LA STRUCTURE, STRATIFIEE, SE COMPOSE D'UN CRATERE AU DESSUS DE COUCHES NANOPOREUSE ET MACROPOREUSE. LA DIFFUSION DES RAYONS X EST ENSUITE UTILISEE POUR LA CARACTERISATION STRUCTURALE DES DIVERS TYPES DE SP. LES REFLECTIVITES SPECULAIRE ET HORS SPECULAIRE PERMETTENT L'ETUDE DES INTERFACES DE LA COUCHE. POUR LE FRONT D'ATTAQUE DU TYPE P, LES MESURES SONT COMPAREES AU PROFIL DE LA SURFACE OBTENU DIRECTEMENT PAR MICROSCOPIE A FORCE ATOMIQUE ET PROFILOMETRIE. DEUX ECHELLES DE STRUCTURE APPARAISSENT : UNE ECHELLE MESOMETRIQUE OU L'INTERFACE N'EVOLUE PAS AVEC LE TEMPS D'ATTAQUE, POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION AUTOUR DE 100 NM ET UNE ECHELLE MACROSCOPIQUE OU DES DEFAUTS APPARAISSENT EN COURS D'ATTAQUE POUR UNE LONGUEUR DE CORRELATION POUVANT ATTEINDRE 600 NM. FINALEMENT, LA DIFFUSION DES RAYONS X EN INCIDENCE RASANTE MESUREE HORS DU PLAN CONDUIT A UNE TAILLE DE PARTICULE DE QUELQUES NANOMETRES DE DIAMETRE, ET UNE FORTE CORRELATION DANS LE PLAN DE LA SURFACE EST SYSTEMATIQUEMENT OBSERVEE. LA TRANSITION ENTRE DIFFUSION DE SURFACE ET DE VOLUME EST EGALEMENT MISE EN EVIDENCE.
Book Synopsis Oxydation du silicium poreux by : Jean-Jacques Yon
Download or read book Oxydation du silicium poreux written by Jean-Jacques Yon and published by . This book was released on 1986 with total page 134 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES A PARTIR DE SILICIUM POREUX A CONDITION DE CONTROLER L'OXYDATION THERMIQUE DU MATERIAU. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDATION DU SILICIUM POREUX. CE TRAVAIL A PERMIS DE FIXER LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A LA FORMATION REPRODUCTIBLE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX HOMOGENES. L'ETUDE DETAILLEE DE L'OXYDATION DE CE MATERIAU A PERMIS DE DEGAGER UN MECANISME PHENOMENOLOGIQUE QUI REND COMPTE DE LA TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN OXYDE AUX PROPRIETES IDENTIQUES A CELLES DE LA SILICE CLASSIQUE. LE MECANISME PROCEDE PAR UNE OXYDATION CHIMIQUE COUPLEE A UNE DENSIFICATION, TRES ACTIVEE EN TEMPERATURE, DE LA SILICE. CES RESULTATS ONT ETE APPLIQUES A LA REALISATION DE STRUCTURES SOI
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE AQUEUX by : Abdelhak Belaidi
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE AQUEUX written by Abdelhak Belaidi and published by . This book was released on 1999 with total page 149 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N DANS DES SOLUTIONS DE HF A ETE ETUDIEE DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. DANS L'OBSCURITE, UN FAIBLE COURANT ANODIQUE EST OBSERVE POUR DES POTENTIELS VARIANT ENTRE 0,37 ET 4V. LA VALEUR DE CE COURANT CHANGE AVEC LE PH, LA CONCENTRATION DE FLUOR ET LA NATURE DES CATIONS PRESENTS DANS LA SOLUTION. UN MODELE SIMPLE EST PROPOSE POUR EXPLIQUER LA DEPENDANCE DU COURANT ANODIQUE EN FONCTION DE CES PARAMETRES. SOUS FAIBLE INTENSITE LUMINEUSE, LA DISSOLUTION DU SILICIUM DE TYPE N CONDUIT A LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. SOUS FORTE INTENSITE LUMINEUSE, LE COMPORTEMENT DU SILICIUM DE TYPE N EST SIMILAIRE A CELUI DU TYPE P. LES MESURES D'IMPEDANCES ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT PERMIS D'ETUDIER LA CHIMIE DE SURFACE. L'EFFET DU PH, DE LA CONCENTRATION DE FLUOR ET DE LA NATURE DES CATIONS ONT EGALEMENT FAIT L'OBJET D'UNE ANALYSE DANS CE CAS. LA DISSOLUTION ANODIQUE DU SILICIUM DE TYPE N, EN PRESENCE DU COUPLE REDOX NO +/NO, A ETE DEMONTREE DANS L'OBSCURITE. LA CHIMIE DE SURFACE PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX PERMET DE MIEUX COMPRENDRE LES PROCESSUS INTERFACIAUX. POUR CETTE ETUDE, LES COURBES COURANT-TEMPS ET LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE UTILISEES. ON A CONCLU QUE L'OXYDE EST PRESENT PENDANT LA FORMATION DU SILICIUM POREUX. EN MEME TEMPS, LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H AUGMENTE A LA SURFACE DU SILICIUM. UN MODELE BASE SUR L'EXISTENCE D'UNE SURFACE ACTIVE ELECTROCHIMIQUEMENT EST PROPOSE. CE MODELE PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA CONCENTRATION DES LIAISONS SI-H ET SI-O A LA SURFACE. PAR AILLEURS, L'EFFET DE L'HYDROGENE SUR LA SURFACE DU SILICIUM A ETE EXAMINE. DANS L'OBSCURITE, UNE FAIBLE DISSOLUTION DU SILICIUM S'ACCOMPAGNE DE LA FORMATION D'HYDROGENE. L'ETAT DE SURFACE OBTENU DEPEND DE LA DUREE D'IMMERSION DU SILICIUM DANS HF. L'AUGMENTATION DE LA DENSITE DES ETATS DE SURFACE PEUT S'EXPLIQUER PAR LA DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LE SILICIUM.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE by : SOPHIE.. BILLAT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE written by SOPHIE.. BILLAT and published by . This book was released on 1994 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX DE TYPE P FORTEMENT DOPE QUI ACCOMPAGNE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE CE MATERIAU. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS PRESENTONS LES CONDITIONS ET LES MECANISMES DE FORMATION DU SILICIUM POREUX AINSI QUE LES PROPRIETES PRINCIPALES DU MATERIAU. NOUS ABORDONS ENSUITE LES DIFFERENTS MODELES INVOQUES POUR INTERPRETER L'ORIGINE DE LA PHOTOLUMINESCENCE OBSERVEE DANS LE DOMAINE DU VISIBLE. NOUS PRESENTONS DANS UNE SECONDE PARTIE L'ETUDE DE L'ELECTROLUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX EN RELATION AVEC LA MORPHOLOGIE DU MATERIAU. UNE ANALYSE CONJOINTE DE L'ELECTRO- ET DE LA PHOTO-LUMINESCENCE, MENEE LORS D'UNE ANODISATION A COURANT CONSTANT, MONTRE UNE VARIATION D'INTENSITE COMMUNE AINSI QU'UN DEPLACEMENT SPECTRAL EN FONCTION DU NIVEAU D'OXYDATION DE LA COUCHE. CES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES SONT DISCUTEES ET INTERPRETEES DANS LE CADRE D'UN MODELE SIMPLE REPOSANT SUR LA NOTION DE CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES DE SILICIUM CONSTITUANT LA STRUCTURE POREUSE. CE MODELE FAIT INTERVENIR SELECTIVITE D'INJECTION DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES ET EFFET DE PASSIVATION DU A LA FORMATION DE L'OXYDE. UNE ETUDE DES PHENOMENES DE LUMINESCENCE LORS D'UNE OXYDATION EFFECTUEE A POTENTIEL CONTROLE A PERMIS DE SEPARER LES DIFFERENTS PARAMETRES QUI DETERMINENT L'EMISSION LUMINEUSE. ELLE MONTRE NOTAMMENT QUE L'ENERGIE DES RADIATIONS EMISES EST RELIEE DE MANIERE LINEAIRE A LA TENSION APPLIQUEE. DANS UNE DERNIERE PARTIE, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AU CARACTERE TRANSITOIRE DU SIGNAL D'ELECTROLUMINESCENCE. NOUS AVONS MONTRE QUE LA CHUTE DE L'INTENSITE LUMINEUSE PEUT ETRE LIEE A UNE DEPASSIVATION DE LA SURFACE DES CRISTALLITES
Book Synopsis ANALYSE TEMPORELLE DES MECANISMES DE LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX by : IRINA.. MIHALCESCU
Download or read book ANALYSE TEMPORELLE DES MECANISMES DE LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX written by IRINA.. MIHALCESCU and published by . This book was released on 1994 with total page 205 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS ETUDIE CERTAINS ASPECTS DU MECANISME DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX. LA PARTICULARITE DE L'APPROCHE A ETE LE SUIVI SIMULTANE DE L'INTENSITE, DES TEMPS DE VIE ET DE LA FORME DU DECLIN DE LA PL EN FONCTION DES PLUSIEURS PARAMETRES TELS QUE: LA TEMPERATURE, LE NIVEAU D'OXYDATION ANODIQUE ET L'INTENSITE D'EXCITATION. NOUS DECRIVONS LA STRUCTURE POREUSE COMME UN ENSEMBLE DE CRISTALLITES DE DIMENSIONS NANOMETRIQUES, INTERCONNECTEES PAR DES PONTS DE SILICIUM OU DE SILICE. LE PREMIER NIVEAU EXCITE DANS CES CRISTALLITES EST LOCALISE, LES PORTEURS SE RETROUVANT CONFINES DANS UN POINT QUANTIQUE. PAR CONTRE, LES NIVEAUX EXCITES SUPERIEURS SONT ETENDUS SUR PLUSIEURS CRISTALLITES, LES PORTEURS ETANT CONFINES DANS UN FIL QUANTIQUE. POUR DES TEMPERATURES PLUS PETITES QUE 250K, NOUS AVONS CONCLU QUE LES PORTEURS SONT LOCALISES ET UNE DESCRIPTION DE LA DYNAMIQUE DE RECOMBINAISON LIMITEE PAR L'EFFET TUNNEL EST VALABLE DANS TOUTE CETTE GAMME DES TEMPERATURES. A PLUS HAUTES TEMPERATURES, LE CHANGEMENT DE LA FORME DU DECLIN ET LA FORTE DECROISSANCE DE L'INTENSITE DE LA PL ONT ETE ASSOCIES A UNE DELOCALISATION PROGRESSIVE DES PORTEURS PAR ACTIVATION THERMIQUE. DANS CE CADRE, L'EVOLUTION CONTRAIRE, ENREGISTREE AU COURS DE L'OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM POREUX, EST ASSIMILEE A UNE LOCALISATION PROGRESSIVE DES PORTEURS PAR L'ACCROISSEMENT DES BARRIERES DE POTENTIEL DU A L'OXYDATION DES PONTS RELIANT LES CRISTALLITES. LE DERNIER VOLET DE CE TRAVAIL COMPORTE UNE ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'INTENSITE DE LA PL EN FONCTION DE L'INTENSITE D'EXCITATION. LA SATURATION DE LA PL, DETECTEE DANS UN REGIME DE FORTES INTENSITES D'EXCITATION, A ETE ATTRIBUEE A UNE INTENSIFICATION DE LA RECOMBINAISON AUGER. LA MEME EXPLICATION EST ENSUITE UTILISEE POUR JUSTIFIER LA DIMINUTION DU RENDEMENT DE LUMINESCENCE DANS UN REGIME DE FORTE INJECTION ELECTRIQUE
Book Synopsis Préparation et caractérisation du silicium poreux obtenu sur substrats P et N by : Claude Bertrand
Download or read book Préparation et caractérisation du silicium poreux obtenu sur substrats P et N written by Claude Bertrand and published by . This book was released on 1986 with total page 127 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDES DU COMPORTEMENT DE L'INTERFACE SI-HF EN SOLUTION DANS DE L'ETHANOL A L'EQUILIBRE ET SOUS POLARISATION ANODIQUE, SUIVIES DE L'ETUDE DE LA FORMATION DU SILICIUM POREUX SUR DES SUPPORTS P ET N**(+), QUI MONTRE QUE LA FINESSE DE LA STRUCTURE DES COUCHES DEPEND DU SUPPORT
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX by : MARIE ANNE.. HORY
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX written by MARIE ANNE.. HORY and published by . This book was released on 1995 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES ETUDES PRESENTEES DANS CE MANUSCRIT PORTENT SUR LA PHOTO- (PL) ET L'ELECTRO-LUMINESCENCE (EL) DE COUCHES DE SILICIUM POREUX OBTENU PAR ATTAQUE ELECTROCHIMIQUE DE SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE PRESENTE LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DU MATERIAU ET LA DESCRIPTION DE SES PROPRIETES DE LUMINESCENCE ACCOMPAGNEE DES DIFFERENTS MODELES AVANCES POUR EN EXPLIQUER LES MECANISMES, EN S'ATTACHANT TOUT PARTICULIEREMENT A CELUI DU CONFINEMENT QUANTIQUE DES PORTEURS DANS LES CRISTALLITES QUI FORMENT LA COUCHE POREUSE, QUI EST LE PLUS GENERALEMENT RETENU. LA DEUXIEME PARTIE DECRIT LES DIFFERENTS MONTAGES EXPERIMENTAUX PERMETTANT LA FORMATION DES COUCHES POREUSES ET LEURS CARACTERISATIONS. DANS UNE TROISIEME PARTIE, NOUS PRESENTONS LES RESULTATS OBTENUS LORS DE L'ETUDE PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE DE L'INFLUENCE DES ESPECES PRESENTES EN SURFACE DES CRISTALLITES DE SILICIUM SUR LA PL DE LA COUCHE POREUSE. NOUS MONTRONS QUE LA DESORPTION DE L'HYDROGENE PRESENT EN SURFACE APRES FORMATION DU MATERIAU S'ACCOMPAGNE D'UNE DIMINUTION DE L'INTENSITE DE PL. L'ANALYSE DE LA COMPOSITION CHIMIQUE D'UNE COUCHE POREUSE OXYDEE ELECTROCHIMIQUEMENT NOUS PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LA CONSERVATION DE LA PASSIVATION PAR L'HYDROGENE AU COURS DE CE TRAITEMENT ET DE CONFIRMER QUE L'AUGMENTATION DU RENDEMENT QUANTIQUE DE L'EMISSION ASSOCIEE A L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE PEUT ETRE ATTRIBUEE A UNE MEILLEURE LOCALISATION DES PORTEURS PHOTOGENERES DANS LES CRISTALLITES. LA QUATRIEME PARTIE EST CONSACREE AUX EFFETS D'UNE POLARISATION ELECTRIQUE SUR LES PHENOMENES DE LUMINESCENCE. CE TRAVAIL A ETE MENE SUR DES COUCHES NANOPOREUSES FORMEES SUR SUBSTRAT DE TYPE N, POLARISEES PAR L'INTERMEDIAIRE D'UN CONTACT ELECTROLYTIQUE. ON OBSERVE UNE EXTINCTION SELECTIVE, PROGRESSIVE (MAIS REVERSIBLE) DE LA PL QUAND LA POLARISATION CATHODIQUE EST AUGMENTEE. PARALLELEMENT, L'EL OBSERVEE EN PRESENCE D'UNE ESPECE OXYDANTE DANS L'ELECTROLYTE SUBIT UN DEPLACEMENT SPECTRAL VERS LE BLEU. L'ETUDE DETAILLEE DES DIFFERENTES CARACTERISTIQUES DE CES DEUX PHENOMENES NOUS PERMET DE MONTRER QU'ILS RESULTENT DE L'INJECTION SELECTIVE DES ELECTRONS DEPUIS LE SUBSTRAT DANS LES CRISTALLITES DE PLUS EN PLUS CONFINEES AU FUR ET A MESURE QUE LA POLARISATION AUGMENTE. ON VERIFIE PAR AILLEURS QUE CE CARACTERE SELECTIF DISPARAIT PROGRESSIVEMENT AU COURS DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DE LA COUCHE POREUSE. L'EXTINCTION DE LA PL ET DE L'EL SOUS FORTE POLARISATION CATHODIQUE PEUT ETRE ATTRIBUEE A LA RECOMBINAISON NON RADIATIVE DES PORTEURS DE CHARGES PAR UN MECANISME DE TYPE AUGER
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION DU SILICIUM POREUX. APPLICATION AUX PHENOMENES DE LUMINESCENCE by : BERNARD.. GELLOZ
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES MECANISMES DE CONDUCTION DU SILICIUM POREUX. APPLICATION AUX PHENOMENES DE LUMINESCENCE written by BERNARD.. GELLOZ and published by . This book was released on 1997 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AUX MECANISMES DE CONDUCTION DU SILICIUM POREUX EN CONTACT AVEC UN ELECTROLYTE LIQUIDE CONDUCTEUR, AINSI QU'A L'ETUDE DU COMPORTEMENT DE LA LUMINESCENCE SOUS POLARISATION. LA PREMIERE PARTIE PRESENTE LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DE LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX AINSI QUE LES DIFFERENTS MODELES QUI ONT ETE PROPOSES POUR EN EXPLIQUER LES MECANISMES. LA DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE A LA DESCRIPTION DES METHODES EXPERIMENTALES UTILISEES POUR LA FABRICATION DES COUCHES POREUSES ET L'ETUDE DE LEURS PROPRIETES DE PHOTO ET D'ELECTROLUMINESCENCE. DANS UNE TROISIEME PARTIE, LES MECANISMES DE CONDUCTION DU SILICIUM POREUX ONT ETE ETUDIES. IL A ETE MONTRE QUE CES DERNIERS ETAIENT DETERMINES PAR LES FLUX D'IONS ET D'ELECTRONS EN PROVENANCE DE L'ELECTROLYTE ET DU SUBSTRAT DE SILICIUM AINSI QUE PAR LA CINETIQUE D'ECHANGE DE CHARGES A L'INTERFACE SILICIUM-ELECTROLYTE. UN MODELE QUANTITATIF A ETE DEVELOPPE QUI REND BIEN COMPTE DE L'ETAT DE PEUPLEMENT DE LA COUCHE POREUSE EN PORTEURS LIBRES ET PERMET D'INTERPRETER LA PRESENCE OU L'ABSENCE D'ELECTROLUMINESCENCE. UNE QUATRIEME PARTIE EST CONSACREE AUX PHENOMENES D'EXTINCTION DE LA LUMINESCENCE SOUS L'ACTION D'UNE POLARISATION ELECTRIQUE. ELLE A PERMIS DE DEGAGER DES ARGUMENTS DECISIFS EN FAVEUR D'UN MECANISME BASE SUR L'EFFET AUGER. ENFIN, DANS UNE DERNIERE PARTIE SITUEE EN ANNEXE, UN CERTAIN NOMBRE DE RESULTATS EXPERIMENTAUX COMPLEMENTAIRES SONT PRESENTES. IL S'AGIT D'UNE PART DU COMPORTEMENT ELECTROCHIMIQUE D'ELECTRODES DE SILICIUM POREUX DONT LES PORES ONT ETE TAPISSES DE GERMANIUM, ET D'AUTRE PART DE L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES TRAITEMENTS THERMIQUES SUR LA LUMINESCENCE DU SILICIUM POREUX.
Book Synopsis Analyse temporelle des mecanismes de luminescences du silicium poreux by : Irina Mihalcescu
Download or read book Analyse temporelle des mecanismes de luminescences du silicium poreux written by Irina Mihalcescu and published by . This book was released on 1994 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D'ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE. ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES, ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C(V) by : Christine Robert-Pierrisnard
Download or read book PROPRIETES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POREUX ET D'ALUMINE UTILISEES POUR LA MICROELECTRONIQUE. ETUDE PAR SPECTROSCOPIES ELECTRONIQUES, ELLIPSOMETRIE LASER ET CARACTERISATIONS ELECTRIQUES C(V) written by Christine Robert-Pierrisnard and published by . This book was released on 1996 with total page 202 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES
Book Synopsis ETUDE DES TRANSITIONS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX by : CENDRINE.. FAIVRE
Download or read book ETUDE DES TRANSITIONS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX written by CENDRINE.. FAIVRE and published by . This book was released on 1998 with total page 237 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PROPRIETE ORIGINALE DU SILICIUM POREUX D'ETRE A LA FOIS NANOPOREUX ET MONOCRISTALLIN NOUS A PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS NOUVELLES EN UTILISANT LA DIFFRACTION DES RAYONS X. LES RESULTATS CONCERNENT L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE TYPE P#+ FORMEES SUR UN SUBSTRAT ORIENTE (111), LA MESURE DU COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DU SILICIUM POREUX ET LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LA PRESENCE DE CDS DANS LES PORES. LA DEUXIEME MOTIVATION DE CETTE THESE CONCERNAIT L'ETUDE PLUS FONDAMENTALE DES CHANGEMENTS DE PHASES DE FLUIDES CONFINES DANS LE SILICIUM POREUX. DU POINT DE VUE DU FLUIDE, LA CALORIMETRIE DIFFERENTIELLE A ETE UTILISEE POUR MESURER LES DECALAGES EN TEMPERATURE DES TRANSITIONS DE PHASES, LIES AUX EFFETS DE CONFINEMENT. UN MODELE DECRIVANT LES MECANISMES THERMODYNAMIQUES DE LA TRANSITION CONFINEE ET TENANT COMPTE DE LA GEOMETRIE DES PORES, A PERMIS DE BIEN DECRIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET DE DEDUIRE LA DISTRIBUTION DE TAILLES DES PORES. CE TRAVAIL A PU ETRE APPLIQUE A DIFFERENTS EFFETS TELS QUE LA DISSOLUTION CHIMIQUE OU L'HOMOGENEITE DES COUCHES. DU POINT DE VUE DE LA MATRICE POREUSE, LES DEFORMATIONS INDUITES PAR LES TRANSITIONS LIQUIDE-VAPEUR ET SOLIDE-LIQUIDE DU FLUIDE CONFINE ONT ETE MESUREES IN SITU PAR DIFFRACTION DES RAYONS X. DANS LE CAS DE L'ADSORPTION, LA VALEUR DE LA PRESSION DE VAPEUR CORRESPONDANT A UNE AMPLITUDE DE DEFORMATION MAXIMALE A ETE MESUREE ET RELIEE A LA TAILLE DES PORES PAR L'EQUATION DE KELVIN. EN CONSIDERANT LES PROPRIETES ELASTIQUES DU SILICIUM POREUX, LES CONTRAINTES CAPILLAIRES INDUITES PAR LA PRESENCE DE MENISQUES DANS LES PORES ONT ETE ESTIMEES LORS DE L'EVAPORATION, ET LES RESULTATS ONT PU ETRE APPLIQUES AU PROBLEME DU SECHAGE DE COUCHES TRES POREUSES. D'AUTRE PART, LA CONSTRUCTION AU COURS DE MA THESE D'UN NOUVEAU DIFFRACTOMETRE A PERMIS DE MESURER IN SITU DES DEFORMATIONS DE LA COUCHE POREUSE LORS DE LA SOLIDIFICATION DU FLUIDE ORGANIQUE AU SEIN DES PORES, LIEES A L'EXISTENCE DE CONTRAINTES CAPILLAIRES.
Book Synopsis Optimisation des propriétés du silicium poreux pour l'intégration de composants RF passifs by : Benjamin Bardet
Download or read book Optimisation des propriétés du silicium poreux pour l'intégration de composants RF passifs written by Benjamin Bardet and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intégration monolithique de filtres et de diodes contre les décharges électrostatiques sur silicium est une solution à bas cout et fiable pour protéger les interfaces de transfert de données des appareils nomades. La formation de caissons isolants de silicium poreux sous les filtres permet d'améliorer en partie leur performance. Cette thèse avait pour but de poursuivre l'intégration de démonstrateurs RF sur silicium poreux et de proposer des voies de fonctionnalisation du matériau en vue d'optimiser les caractéristiques des filtres. Tout d'abord, les configurations bénéfiques d'intégration de caissons poreux à un filtre de mode commun (ECMF) ont été étudiées. Ensuite, une optimisation de l'étape d'oxydation post-anodisation a été réalisée afin d'améliorer la qualité et la stabilité de l'isolation électrique. Pour cela, les mécanismes d'oxydation, les propriétés chimiques et les propriétés électriques du silicium mésoporeux oxydé ont été mises en perspective avec la nature du traitement appliqué. Enfin, l'insertion dans les pores de nanoparticules ferromagnétiques de forte perméabilité a été menée dans le but d'augmenter la densité d'inductance par unité de surface.
