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Etude De La Passivation De Gaas 001 Par Un Depot De Nitrure De Silicium Realise Par Photolyse De Nh3 En Presence De Sih4
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Book Synopsis ETUDE DE LA PASSIVATION DE GAAS (001) PAR UN DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM REALISE PAR PHOTOLYSE DE NH#3 EN PRESENCE DE SIH#4 by : JEAN LUC.. GUIZOT
Download or read book ETUDE DE LA PASSIVATION DE GAAS (001) PAR UN DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM REALISE PAR PHOTOLYSE DE NH#3 EN PRESENCE DE SIH#4 written by JEAN LUC.. GUIZOT and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR ULTRAVIOLET CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (UVCVD) CONSTITUE UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE AUX DEPOTS ASSISTES PAR PLASMAS QUI SONT, A CE JOUR, UTILISES PAR LA PASSIVATION DE CIRCUITS ELECTRONIQUES REALISES SUR DES SUBSTRATS D'ARSENIURE DE GALLIUM. CETTE TECHNIQUE DE DEPOT EST BASEE SUR LA PHOTOLYSE DE MOLECULES D'AMMONIAC PAR UN RAYONNEMENT ULTRAVIOLET PROVENANT D'UNE LAMPE A MERCURE BASSE PRESSION EN PRESENCE DE MOLECULES DE SILANE. L'ENSEMBLE DES REACTIONS CHIMIQUES AYANT LIEU EN PHASE GAZEUSE, ENTRE LES RADICAUX ISSUS DE LA PHOTODISSOCIATION DE NH#3 ET LES MOLECULES DE SIH#4, PERMETTENT DE CREER LES RADICAUX SIH#2, SIH#3, NH#2 ET H RESPONSABLES DE LA CROISSANCE DU FILM DE NITRURE DE SILICIUM. UNE DES SPECIFICITES DES REACTEURS UVCVD RESIDE DANS L'ABSENCE D'IONS DANS LA PHASE GAZEUSE CE QUI SUPPRIME AINSI LE BOMBARDEMENT IONIQUE DE LA SURFACE DE GAAS (001) ET DONC SON AMORPHISATION PENDANT LA CROISSANCE DE LA COUCHE ISOLANTE COMME CELA EST LE CAS DANS DES REACTEURS ASSISTES PLASMAS. LA QUALITE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MESFETS OBTENUS SDUR GAAS DEPEND FORTEMENT DE LA COMPOSITION CHIMIQUE DE L'INTERFACE ISOLANT-SEMICONDUCTEUR AINSI QUE DE LA QUALITE CRYSTALLOGRAPHIQUE DE LA SURFACE DE GAAS. UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS AU SEIN DU REACTEUR DE DEPOT, PAR INTERACTION DE CELLE-CI AVEC DES HYDRURES OU DE L'HYDROGENE MOLECULAIRES, PEUT ETRE ENVISAGE POUR AMELIORER LES CARACTERISTIQUES DE CETTE INTERFACE. DANS LE CAS DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR UVCVD UN PRE-TRAITEMENT DE LA SURFACE DE GAAS (001) PAR PHOTOLYSE DE NH#3 PERMET D'ATTEINDRE UN DOUBLE OBJECTIF: SUPPRIMER LES OXYDES DE GALLIUM ET D'ARSENIC AINSI QUE LES IMPURETES TELLES QUE LE CARBONE PRESENTES A LA SURFACE DE GAAS AU MOMENT DE SON INTRODUCTION DANS LE REACTEUR UVCVD, ET CECI, SANS CREER DE DOMMAGES STRUCTURELS A LA SURFACE DE GAAS; FORMER UNE COUCHE DE NITRURE DE GALLIUM QUI MIN
Book Synopsis Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells by : Renaud Varache
Download or read book Development, characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.
Book Synopsis Passivation de GaAs par déposition PECVD basse fréquence du nitrure de silicium by : Abdelatif Jaouad
Download or read book Passivation de GaAs par déposition PECVD basse fréquence du nitrure de silicium written by Abdelatif Jaouad and published by . This book was released on 2005 with total page 300 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Dépôt LPCVD de nitrure de silicium à partir d'un mélange silane-ammoniac by : Khalid Yacoubi
Download or read book Dépôt LPCVD de nitrure de silicium à partir d'un mélange silane-ammoniac written by Khalid Yacoubi and published by . This book was released on 1996 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSISTE EN L'ANALYSE ET LA MODELISATION DU DEPOT PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) DE NITRURE DE SILICIUM, COURAMMENT UTILISE DANS L'INDUSTRIE MICROELECTRONIQUE COMME COUCHE DE PASSIVATION. LE DEPOT EST REALISE PAR PYROLYSE D'UN MELANGE SILANE-AMMONIAC DANS UN REACTEUR DE TYPE TUBULAIRE HORIZONTAL A PAROIS CHAUDES FONCTIONNANT A BASSE PRESSION. EN RAISON DU NOMBRE LIMITE DE DONNEES DE LA LITTERATURE, LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONSISTE EN UNE ETUDE EXPERIMENTALE, AFIN DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU DEPOT. NOUS MONTRONS QUE LE MECANISME CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE JOUE UN ROLE IMPORTANT, NOTAMMENT DANS LA FORMATION DE SUREPAISSEURS A LA PERIPHERIE DES PLAQUETTES. UNE ANALYSE APPROFONDIE DU SYSTEME CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE ET DU ROLE DES DIFFERENTES ESPECES SUSCEPTIBLES DE CONTRIBUER AU DEPOT NOUS AMENE A PROPOSER UN MECANISME CHIMIQUE SIMPLIFIE, MAIS SUFFISAMMENT REPRESENTATIF POUR RENDRE COMPTE DES OBSERVATIONS EXPERIMENTALES. LES CONSTANTES CINETIQUES EN PHASE GAZEUSE ONT ETE EVALUEES A PARTIR D'UN MODELE QRRK. NOUS PRESENTONS ENSUITE L'EXTENSION AU CAS DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM DU LOGICIEL CVD2, PRECEDEMMENT DEVELOPPE DANS NOTRE LABORATOIRE (MODELE BIDIMENSIONNEL D'ETUDE LOCALE QUI INTEGRE LES EQUATIONS DE NAVIER STOKES, DE TRANSFERT DE MATIERE COUPLEES AUX LOIS CINETIQUES DES REACTIONS CHIMIQUES MISES EN JEU). LA DETERMINATION DES CONSTANTES CINETIQUES EN PHASE HETEROGENE A ETE EFFECTUEE PAR IDENTIFICATION AVEC NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX (I. E., EPAISSEUR DU DEPOT ET RAPPORT MOLAIRE SI/N). L'ETUDE COMBINEE SIMULATION-EXPERIENCE A PERMIS DE VALIDER LES CHOIX EFFECTUES AU NIVEAU DES MECANISMES CHIMIQUES PROPOSES ET D'APPORTER UNE CONTRIBUTION A L'EXPLICATION DES PHENOMENES MIS EN JEU LORS DU DEPOT
Book Synopsis LA PASSIVATION DES COMPOSES EPITAXIES SUR INP PAR DEPOT PHOTOLYTIQUE DIRECT DE NITRURE DE SILICIUM by : LIP SUN.. HOW KEE CHUN
Download or read book LA PASSIVATION DES COMPOSES EPITAXIES SUR INP PAR DEPOT PHOTOLYTIQUE DIRECT DE NITRURE DE SILICIUM written by LIP SUN.. HOW KEE CHUN and published by . This book was released on 1997 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA STABILISATION ET LA PROTECTION DE LA SURFACE SONT LES PRINCIPAUX OBJECTIFS DE LA PASSIVATION EN VUE D'OBTENIR DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES STABLES ET PERFORMANTS. DANS LE CAS DES SEMICONDUCTEURS A BASE D'INP QUI SONT CONNUS POUR LEUR FRAGILITE, L'UTILISATION DE LA PHOTOLYSE DIRECTE POUR DEPOSER LE NITRURE DE SILICIUM APPARAIT APPROPRIEE CAR C'EST UNE TECHNIQUE BASSE TEMPERATURE ET SANS BOMBARDEMENT D'IONS ENERGETIQUES, L'ENERGIE REACTIONNELLE PROVENANT DES PHOTONS UV. CE PROCEDE EST APPLIQUE DANS NOTRE REACTEUR DANS LEQUEL LES GAZ REACTIFS SONT LE SILANE ET L'AMMONIAC. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE PAR LE BIAIS DES DIODES MIS SUR INP, GAINAS ET SI MONTRE DES BONNES QUALITES D'ISOLANT (RESISTIVITE ET CLAQUAGE) ET D'INTERFACE (DENSITE DE PIEGES D'INTERFACE) POUR LES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES. MAIS, EN RAISON DE LA CONTAMINATION DE SURFACE DUE AUX OXYDES NATIFS ET AU CARBONE, LE DEPOT DE NITRURE DOIT ETRE COUPLE AVEC UN TRAITEMENT DE SURFACE IN SITU, AVANT DEPOT, PAR L'AMMONIAC PHOTOEXCITE OU PAR LE DIFLUORURE DE XENON. CETTE ETAPE DE PREPARATION DE SURFACE DOIT ETRE BIEN CONTROLE, EN TEMPS REEL, PAR L'ELLIPSOMETRIE NOTAMMENT. CES DEUX TRAITEMENTS S'AVERENT ETRE BENEFIQUES, EN REDUISANT LES COURANTS D'OBSCURITE DES DIODES PN ET MSM. EN PARTICULIER, LE DIFLUORURE DE XENON SE MONTRE TRES EFFICACE SUR ALINAS OU LES OXYDES SONT DIFFICILES A ELIMINER. UN SCHEMA DE PASSIVATION A TROIS ETAPES A DONC ETE ELABORE : UNE DESOXYDATION EX SITU PAR VOIE HUMIDE SUIVI D'UN TRAITEMENT PHOTOCHIMIQUE IN SITU DE SURFACE ET ENFIN LE DEPOT DE NITRURE PAR PHOTOLYSE DIRECTE. CE SCHEMA DE PASSIVATION EST OPTIMISE POUR LA PHOTODIODE A AVALANCHE A MULTIPUITS QUANTIQUES EN GAINAS/ALINAS POUR QUE LES PROCEDES SOIENT COMPATIBLES AVEC LES DIFFERENTS MATERIAUX COMPOSANT CE DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE. CES PHOTODIODES SONT PASSIVEES AVEC SUCCES ; DES DIODES FONCTIONNELLES POSSEDANT DE FAIBLES COURANTS D'OBSCURITE ET D'EXCELLENTES PROPRIETES D'AVALANCHE SONT AINSI OBTENUES.
Book Synopsis ETUDE DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM SUR GAAS PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE RF MAGNETRON by : THIERRY.. CARRIERE
Download or read book ETUDE DU DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM SUR GAAS PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE RF MAGNETRON written by THIERRY.. CARRIERE and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM SUR GAAS A ETE REALISE, PAR LA PULVERISATION CATHODIQUE RF MAGNETRON D'UNE CIBLE DE SILICIUM DANS UN PLASMA AZOTE/ARGON. LES PARAMETRES DE DEPOTS TELS QUE LA PUISSANCE, LA PRESSION TOTALE ET LES CONCENTRATIONS RELATIVES D'AZOTE ET D'ARGON ONT ETE OPTIMISEES EN TERME DE COMPOSITION DES FILMS ET DE CONTRAINTES. CETTE ETUDE NOUS A PERMIS DE CORRELER LES TECHNIQUES DE CARACTERISATION AUSSI DIFFIRENTES QUE RNA, XPS OU L'ELLIPSOMETRIE. LE PROFILAGE AUGER ET L'ANALYSE PAR CANALISATION (RBS) ONT MONTRE QUE LE NITRURE DE SILICIUM EST UN ENCAPSULANT IDEAL. DE PLUS, CES FILMS SONT DE BONS ISOLANTS LORQU'ILS SONT RECUITS ET PRESENTENT DES DENSITES D'ETATS D'INTERFACE AVEC LE GAAS DE L'ORDRE DE 710#1#2 EV##1 CM##2 LORSQUE LES DEPOTS SONT PRECEDES D'UN NETTOYAGE IONIQUE N#2#+
Book Synopsis Passivation de la Surface Du Nitrure de Gallium Par Dépôt PECVD D'oxyde de Silicium by : Ahmed Chakroun
Download or read book Passivation de la Surface Du Nitrure de Gallium Par Dépôt PECVD D'oxyde de Silicium written by Ahmed Chakroun and published by . This book was released on 2015 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude des propriétés antireflectives et passivantes de couches de SiNx :Hy élaborées par plasma à pression atmosphérique pour application photovoltaïque by : Paul Lecouvreur
Download or read book Etude des propriétés antireflectives et passivantes de couches de SiNx :Hy élaborées par plasma à pression atmosphérique pour application photovoltaïque written by Paul Lecouvreur and published by . This book was released on 2011 with total page 206 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de cette thèse est d’étudier et de développer une nouvelle méthode de dépôt de couche mince assistée par plasma à Pression Atmosphérique (PA) pour des applications photovoltaïques. Aujourd’hui le dépôt de la couche antireflet est réalisé sous vide. L’innovation qui consiste à réaliser à PA l’étape de dépôt de SiNx:Hy sur cellule silicium répond à une problématique de réduction des coûts de fabrication des cellules photovoltaïques. Des conditions permettant d’obtenir une décharge homogène en Ar/NH3/SiH4 sur un substrat silicium à 500°C ont été trouvées. Le plasma est généré par une décharge contrôlée par barrière diélectrique dont le courant est limité par l’ajout d’une résistance en série. La vitesse de dépôt dépend fortement de la quantité des gaz précurseurs et de l’amplitude de la tension appliquée. La valeur maximale atteinte est de 40 nm.min-1. Le rapport NH3/SiH4 permet en priorité de contrôler l’indice de réfraction de 1,7 à 3,2. Les autres paramètres d’entrée ont une influence moindre sur l’indice de réfraction.La comparaison des propriétés optiques et physico chimiques de couches de même indice optique réalisées à basse pression et à PA montre que les couches PA sont plus absorbantes. Cette absorption est expliquée par la présence de nanopores liés aux passages successifs dans les zones plasmas et par un gradient de chimie du plasma en fonction du temps de résidence du gaz. Des solutions pour y remédier sont proposées. La comparaison des propriétés des cellules a montré une passivation de volume adéquate et une passivation de surface qui se dégrade trop fortement après recuit. Un rendement de 13.5% a été obtenu sur cellules silicium multicristallin
Book Synopsis Etude de procédés intégrés pour la passivation de matériaux semiconducteurs III-V combinant des traitements de surface par plasma et des dépôts photochimiques by : Olivier Dulac
Download or read book Etude de procédés intégrés pour la passivation de matériaux semiconducteurs III-V combinant des traitements de surface par plasma et des dépôts photochimiques written by Olivier Dulac and published by . This book was released on 1993 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE L'UTILISATION DES SEMICONDUCTEURS III-V EN MICRO-OPTOELECTRONIQUE ET LA REDUCTION DE LA TAILLE DES MOTIFS UTILISES ONT NECESSITE LE DEVELOPPEMENT DE NOUVELLES TECHNIQUES DE DEPOT DE DIELECTRIQUES ET DE TRAITEMENTS DE PASSIVATION DE SURFACE SPECIFIQUES A CES MATERIAUX. CES NOUVELLES TECHNIQUES DE DEPOT COMBINANT LE DEPOT PAR REACTION CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD) ET DES SOURCES DE LUMIERE INCOHERENTES EMETTANT DANS L'INFRAROUGE (RTCVD) ET L'ULTRAVIOLET (UVCVD) ONT ETE VALIDEES SUR UN EQUIPEMENT PROTOTYPE INDUSTRIEL, ET SUR DES SUBSTRATS DE GRANDE DIMENSION (50 MM DE DIAMETRE). EN OUTRE, L'UTILISATION D'UNE SOURCE UV PULSEE PUISSANTE A PERMIS DE DEVELOPPER UN NOUVEAU PROCEDE DE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM (SI#3N#4) A BASSE TEMPERATURE AVEC DES CINETIQUES DE DEPOT IMPORTANTES. LES FILMS DE SI#3N#4 AINSI OBTENUS ONT ETE UTILISES DANS DES STRUCTURES MIS SUR INP ET PRESENTENT D'EXCELLENTES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES SANS QU'AUCUN RECUIT DE GUERISON NE SOIT NECESSAIRE. NOUS AVONS REUSSI A PASSIVER EFFICACEMENT LA SURFACE DE L'ARSENIURE DE GALLIUM PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE DISTRIBUE FONCTIONNANT A LA RESONANCE ELECTRONIQUE CYCLOTRONIQUE (PMM-DRCE) D'HYDROGENE. L'EFFET DE PASSIVATION DE LA SURFACE A ETE MIS EN EVIDENCE PAR DES MESURES DE PHOTOLUMINESCENCE. NOUS AVONS AUSSI OBSERVE QUE L'EXPOSITION DE LA SURFACE AU PLASMA D'HYDROGENE CAUSAIT UNE NEUTRALISATION PARTIELLE DES PORTEURS ELECTRIQUES DANS LE VOLUME. DES TRAITEMENTS THERMIQUES RAPIDES A HAUTE TEMPERATURE (RTA) PERMETTENT ENSUITE DE RESTAURER COMPLETEMENT L'ACTIVITE ELECTRIQUE DU MATERIAU. NOUS PROPOSONS UN PROCEDE INTEGRE DE PASSIVATION DE LA SURFACE DE GAAS COMBINANT UN TRAITEMENT PAR PLASMA D'HYDROGENE, UN RECUIT RAPIDE ET LE DEPOT D'UN DIELECTRIQUE PAR UVCVD ET DEMONTRONS SON EFFICACITE SUR DES COMPOSANTS A BASE DE GAAS TELS QUE DES CAPACITES MIS ET DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH) GAAS/GAALAS
Book Synopsis Développement de techniques de dépôt plasma et photo assistées pour la réalisation de couches antireflets passivantes en SiNx by : Erwann Fourmond
Download or read book Développement de techniques de dépôt plasma et photo assistées pour la réalisation de couches antireflets passivantes en SiNx written by Erwann Fourmond and published by . This book was released on 2002 with total page 127 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de cette thèse est d'améliorer les performances des cellules photovoltaïques en silicium multicristallin en réalisant en une seule opération une couche antireflet efficace, la passivation de la surface et celle en volume du matériau. Le matériau étudié est le silicium multicristallin EMIX élaboré par tirage continu en creuset froid électromagnétique. Il est développé par EPM - Madylam, et présente un potentiel photovoltaïque intéressant (bonne uniformité et faible pollution du matériau par les impuretés métalliques, vitesse de production assez rapide). Des études précédentes ont montré que les techniques usuelles de "Gettering" (passivation par diffusion du phosphore) utilisées pour améliorer les propriétés de transport du silicium multicristallin sont inopérantes dans le cas du silicium élaboré en creuset froid électromagnétique, alors que la passivation par l'hydrogène reste efficace. La formation du nitrure de silicium (SiNx:H) en surface du matériau fait intervenir des réactifs hydrogénés (SiH4, NH3), et un des produits de la réaction est l'hydrogène (sous forme atomique ou moléculaire). Son coefficient de diffusion élevé lui permet de diffuser en profondeur dans le silicium multicristallin et de jouer un rôle passivant. A l'effet passivant de l'hydrogène contenu dans la couche de nitrure SiNx:H s'ajoute les propriétés optiques de cette couche. L'indice de réfraction des couches peut varier dans une gamme allant de 1.9 à 2.4, et son ajustement permet d'optimiser la réflectivité du matériau afin de maximiser l'absorption du rayonnement solaire incident. Le but de cette thèse est donc d'optimiser les paramètres des couches de nitrure déposées afin de maximiser les performances des cellules photovoltaïques, et d'étudier les mécanismes d'amélioration dus au dépôt de nitrure. Pour les dépôts, les méthodes UCVD (dépôt chimique en phase vapeur assisté par UV) et PECVD (CVD assisté par plasma) sont utilisées. Pour mener à bien les dépôts par PECVD, un réacteur a été conçu et développé, utilisant un plasma micro-ondes.
Book Synopsis Passivation Par Se Et S Pour Diodes Schottky en GaAs by : Huaiqi Xu
Download or read book Passivation Par Se Et S Pour Diodes Schottky en GaAs written by Huaiqi Xu and published by . This book was released on 1994 with total page 142 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude d’une nouvelle décharge à barrière diélectrique homogène en mélange Ar/NH3/SiH4 à la pression atmosphérique pour le dépôt en continu de SiNx:H sur cellule photovoltaïque silicium by : Sylvain Pouliquen
Download or read book Etude d’une nouvelle décharge à barrière diélectrique homogène en mélange Ar/NH3/SiH4 à la pression atmosphérique pour le dépôt en continu de SiNx:H sur cellule photovoltaïque silicium written by Sylvain Pouliquen and published by . This book was released on 2010 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’objectif de ce travail est de développer une nouvelle source plasma, fonctionnant à la pression atmosphérique, pour réaliser des dépôts de couches minces sur des cellules photovoltaïques silicium. Pour définir son régime, comprendre sa physique et cerner ses conditions d’obtention, cette nouvelle décharge, obtenue dans un mélange SiH4/NH3/Ar, est caractérisée électriquement et optiquement. La densité des métastables de l’argon est également mesurée par spectroscopie d’absorption optique. Les résultats, par mesures de courant et tension corrélées aux photographies rapides, montrent que la décharge s’amorce par un claquage de Townsend et, qu’au maximum de courant, la décharge transite en régime sub-luminescent entravée par la distance inter-électrode. L’obtention d’une décharge homogène pour réaliser des dépôts homogènes nécessite par ailleurs l’introduction d’une résistance en série avec la décharge pour faire diminuer rapidement la tension appliquée sur le gaz dès que le courant devient trop important. Les effets du wafer de silicium, de la température sont étudiés, comparés et discutés séparément puis ensemble.Le mélange de gaz a été choisi pour réaliser une couche mince de nitrure de silicium hydrogéné (SiNx:H) antireflet et passivante sur cellule silicium cristallin. Les propriétés chimiques, structurales et optiques de ces dépôts sont déterminées et corrélées aux paramètres du procédé. Le rapport des gaz précurseurs, NH3/SiH4, permet de choisir l’indice de réfraction de la couche antireflet entre 1,8 et 2,2, indice caractérisé par le rapport N-H/Si-H. L’étude de la croissance de la couche a été réalisée par des mesures d’ellipsométrie spectroscopique en fonction du temps de dépôt. Les résultats ont montré que le nitrure croissait premièrement par îlots puis que la couche tendait à se densifier en fonction du temps.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA PASSIVATION DE COMPOSANTS SUR ARSENIURE DE GALLIUM by : Sylvie Montpied
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA PASSIVATION DE COMPOSANTS SUR ARSENIURE DE GALLIUM written by Sylvie Montpied and published by . This book was released on 1986 with total page 199 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES TRANSISTORS A EFFET CHAMP A CONTACT METAL-SEMICONDUCTEUR, NON PASSIVES, REALISES SUR ARSENIURE DE GALLIUM SONT SUJET A UNE DEGRADATION PROGRESSIVE DE LEURS PERFORMANCES STATIQUES ET DYNAMIQUES AUX HYPERFREQUENCES. CE DEFAUT DE FONCTIONNEMENT EST EN PARTI ATTRIBUE AUX SURFACES D'ARSENIURE DE GALLIUM SITUEES DE PART ET D'AUTRES DE LA GRILLE. LA STABILISATION DES COMPOSANTS REQUIERT DONC DE LA PASSIVATION DE CES ZONES GRACE A DES MATERIAUX DE HAUTE QUALITE DIELECTRIQUE REALISANT UNE INTERFACE STABLE AVEC GAAS. DANS CETTE OPTIQUE, LES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DE FILMS DE SILICE ET DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA SONT ETUDIEES EN FONCTION DU RAPPORT DES DEBITS DES GAZ EMPLOYE, DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT, DE LA PUISSANCE ET DE LA FREQUENCE DE L'EXCITATION DU PLASMA... CETTE APPROCHE SYSTEMATIQUE PERMET DE DETERMINER DES PARAMETRES DE DEPOT QUI DONNENT DES FILMS AYANT TRES BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES: UNE RESISTIVITE DE 10**(14) A 10**(16) OHM.CM ET UN CHAMP DE CLAQUAGE SUPERIEUR A 10**(6) V/CM SONT AINSI OBTENUS APRES UN RECUIT DONT ON SOULIGNERA L'IMPORTANCE. APRES MISE AU POINT D'UNE PREPARATION DE SURFACE AVANT DEPOT, LA DENSITE D'ETATS SUR LA BANDE INTERDITE DU SEMICONDUCTEUR A L'INTERFACE GAAS/SI::(3)N::(4) PRESENTE UN MINIMUM DE 7.10**(11) EV**(-2). LES DEPOTS AINSI OPTIMALISES SONT UTILISES POUR LA PASSIVATION DES TRANSISTORS MESFET GAAS. LE RECOUVREMENT D'UN COMPOSANT PAR UNE COUCHE MINCE INTRODUIT UNE MODIFICATION DE SES CARACTERISTIQUES STATIQUES; CELLE-CI EST EXPLIQUEE CONJOINTEMENT PAR UN EFFET PIEZO-ELECTRIQUE ET PAR UN EFFET DE SURFACE INHERENT AU MODE DE DEPOT. SUIVANT LES RESULTATS OBTENUS EN TESTS DE FIABILITE, LE NITRURE DE SILICIUM S'AVERE ETRE LE MEILLEUR CHOIX POUR REUSSIR LA PASSIVATION DU COMPOSANT. DE PLUS, DES PRETRAITEMENTS PAR PLASMA ET UNE MEILLEURE ADAPTATION DU PROCEDE DE FABRICATION AU MODE DE PASSIVATION SONT PROPOSES POUR AMELIORER ENCORE LA STABILITE A LONG TERME DES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS
Book Synopsis Dépôt chimique en phase vapeur de Si3N4 by : Nicolas Roels
Download or read book Dépôt chimique en phase vapeur de Si3N4 written by Nicolas Roels and published by . This book was released on 1991 with total page 308 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Des dépôts de nitrure de silicium sont obtenus par pyrolyse de mélanges tétraméthylsilane/ammoniac en présence d'un gaz diluant (H2, N2, Ar) dans un réacteur vertical à paroi chaude, sous pression réduite (4-10 Torr). Dans la première partie, les conditions expérimentales conduisant au contrôle de la cinétique de dépôt par la réaction superficielle sont déterminées. Dans ce domaine, la mise en oeuvre d'une technique de planification expérimentale a permis la discrimination des paramètres influents et l'estimation des vitesses de dépôt. L'influence des principaux paramètres de dépôt (T, P, rapport des débits de gaz réactifs, débits de gaz réactifs, nature et débit du gaz diluant) sur les mécanismes réactionnels ainsi que sur la structure et la composition des films ( taux de carbone "libre") est discutée sur la base des résultats thermodynamiques et cinétiques. Dans la deuxième partie, l'influence d'un revêtement CVD de Si3N4 sur le comportement à l'oxydation et au frottement de céramiques non oxydes est étudiée. La première étude a porté sur la protection contre l'oxydation interne d'une nuance de nitrure de silicium fritté réaction (RBSN) poreux, par un revêtement superficiel. Celle-ci met en évidence l'existence d'une épaisseur critique (6 μm) et le moindre pouvoir protecteur des revêtements amorphes. Dans la deuxième étude, l'influence de revêtements à teneur contrôlée (2,5 - 14 wt%) en carbone "libre" sur les propriétés tribologiques de couples céramiques non oxydes (SiC/SiC ou Si3N4/Si3N4) est mise en évidence. Des résultats particulièrement prometteurs sont obtenus à haute température (600°C) pour le couple Si3N4/Si3N4).
Book Synopsis DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DU MELANGE AMMONIAC/SILANE. MODELISATION ET DIAGNOSTICS DE LA PHASE GAZEUSE by : Bruno Allain (dramaturge)
Download or read book DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DU MELANGE AMMONIAC/SILANE. MODELISATION ET DIAGNOSTICS DE LA PHASE GAZEUSE written by Bruno Allain (dramaturge) and published by . This book was released on 1990 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SONT OBTENUES PAR PHOTOSENSIBILISATION ASSISTEE PAR LE MERCURE A 254 NANOMETRE DES GAZ SILANE ET AMMONIAC. LE PRINCIPE DE DECOMPOSITION CONSISTE A EXCITER DES ATOMES DE MERCURE DANS L'ETAT #3P#1 A L'AIDE DE LA RAIE 254 NANOMETRE EMISE PAR UNE LAMPE A VAPEUR DE MERCURE BASSE PRESSION. CES ATOMES EXCITES PEUVENT TRANSFERER LEUR ENERGIE ELECTRONIQUE PAR COLLISION ET DISSOCIER LES MOLECULES DE SILANE ET D'AMMONIAC. LE SCHEMA REACTIONNEL DE LA PHASE GAZEUSE MONTRE QU'INTERVIENNENT NON SEULEMENT L'ETAT #3P#1 MAIS AUSSI L'ETAT #3P#0 PEUPLE PAR COLLISION DES ETATS #3P#1 AVEC L'AMMONIAC. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE NOUS AVONS DETERMINE LES SECTIONS EFFICACES DE COLLISION DES MOLECULES D'AMMONIAC ET DE SILANE AVEC LES ETATS EXCITES #3P#1 ET #3P#0 DU MERCURE. L'EVOLUTION DE LA VITESSE DE DEPOT ET DE LA COMPOSITION DES COUCHES EN FONCTION DU RAPPORT DES PRESSIONS PARTIELLES DE SILANE ET D'AMMONIAC MONTRE QUE LA PROBABILITE DE DECOMPOSITION DU SILANCE AUGMENTE CONSIDERABLEMENT AVEC LA DILUTION DU SILANE. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE CINETIQUE DE LA PHASE GAZEUSE PRENANT EN COMPTE LE TRANSFERT RADIATIF, LES REACTIONS EN PHASE GAZEUSE ET LE TRANSPORT DES RADICAUX SILYLE ET AMIDOGENE PARTICIPANT A LA CROISSANCE DU FILM. LES RESULTATS ONT ETE VERIFIES EXPERIMENTALEMENT A L'AIDE DE PLUSIEURS DIAGNOSTICS. D'UNE PART, NOUS AVONS MESURE LA LUMINESCENCE DES EXCIMERES HG-NH#3 PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION ET LE TAUX DE CONSOMMATION DU SILANCE PAR SPECTROMETRIE DE MASSE, CE QUI NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE QUE LE VECTEUR DE DISSOCIATION DU SILANE EST L'ETAT #3P#0 DU MERCURE. D'AUTRE PART, NOUS AVONS DETERMINE LA DENSITE DU RADICAL AMIDOGENE EN UN POINT DU REACTEUR PAR FLUORESCENCE INDUITE PAR LASER. DE PLUS LES COUCHES DE NITRURE DE SILICIUM ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE POUR DETERMINER LE SPECTRE OPTIQUE DE LA CONSTA
Book Synopsis OPTIMISATION DE STRUCTURES MIS SUR INP by : MATHIEU.. PETITJEAN
Download or read book OPTIMISATION DE STRUCTURES MIS SUR INP written by MATHIEU.. PETITJEAN and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS AVONS DEPOSE DU NITRURE DE SILICIUM SUR INP PAR PHOTOLYSE DIRECTE A 185 NM D'UN MELANGE GAZEUX D'AMMONIAC ET DE SILANE. LE TRAITEMENT DE SURFACE, LES CONDITIONS DE DEPOT ET DE RECUIT ONT ETE OPTIMISES: LE FILM EST STCHIOMETRIQUE (SI#3N#4H#3), LE CHAMP CRITIQUE EST DE 4 MV/CM ET LA RESISTIVITE DE 6.10#1#5.CM. DANS LE MEILLEUR DES CAS, LE MINIMUM DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE EST DE 2.10#1#1EV##1.CM##2. DE MANIERE ANALOGUE, EN UTILISANT DU PROTOXYDE D'AZOTE (N#2O) ET DU SILANE (SIH#4), NOUS AVONS DEPOSE DE LA SILICE SUR INP. LES PARAMETRES DE DEPOT SONT OPTIMISES ET DANS CE CAS, LA FORMULE BRUTE DU MATERIAU EST SIO#1#,#8#7N#0#,#2#0H#0#,#5#5. LES MAXIMA DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA RESISTIVITE SONT 4,50,3 MV.CM##1 ET 1,40,1 10#1#5.CM RESPECTIVEMENT. UN RECUIT A 300C PENDANT 15 MINUTES PERMET DE REDUIRE LA LARGEUR DE L'HYSTERESIS DES COURBES C(V) AINSI QUE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE QUI RESTE CEPENDANT SUPERIEURE A 4-5 10#1#2EV##1CM##2. LA FORMATION DE POUDRES DANS LE REACTEUR ET L'INCORPORATION D'AZOTE DANS LE FILM SONT REDUITES EN AJOUTANT QUELQUES % DE NEOPENTANE (C(CH#3)#4). LES PROPRIETES ELECTRIQUES N'EN SONT PAS ALTEREES. DANS LE CAS DU DEPOT DE SILICE, LES REACTIONS AYANT LIEU EN PHASE GAZEUSE ONT ETE ETUDIEES ET UN MODELE CINETIQUE DE LA PHASE GAZEUSE EST PROPOSE. NOUS AVONS TRAITE LA SURFACE D'INP PAR DES SOLUTIONS DE SULFURE D'AMMONIUM. CE TRAITEMENT DESOXYDE ET PASSIVE LA SURFACE D'INP. APRES SULFURATION, UN RECUIT D'UNE HEURE A 350C REALISE AVANT DEPOT PROVOQUE UNE RECONSTRUCTION DE LA SURFACE SANS DEGRADER LE RAPPORT P/IN. CE TRAITEMENT REDUIT LA DENSITE D'ETATS DE L'INTERFACE INP(5.10#1#6CM##3)/SILICE A UNE VALEUR COMPRISE ENTRE 7.10#1#0EV##1CM##2 ET 2.10#1#1EV##1CM##2. IL CONFERE A L'INTERFACE SILICE/INP DE TRES BONNES PROPRIETES
Book Synopsis Etude de la décomposition de pH3 en EPVOM by : Abdelaziz Bekkaoui
Download or read book Etude de la décomposition de pH3 en EPVOM written by Abdelaziz Bekkaoui and published by . This book was released on 1990 with total page 242 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours de ce travail nous avons étudié le traitement d'un matériau semi-conducteur gaas afin d'obtenir un dispositif électronique depuis l'analyse de la phase gazeuse initiale jusqu'à la caractérisation du dépôt résultant. L'analyse qualitative et quantitative de la décomposition de la phosphine dans un réacteur industriel d'épitaxie en phase vapeur à partir des composés organométalliques (EPVOM) a été réalisée par spectrométrie Raman. Cette méthode permet des analyses in situ dans le réacteur fonctionnant dans les conditions de dépôts des semi-conducteurs iii-v. Nous avons montré que la phosphine se décompose à des températures beaucoup plus basses que celles précédemment admises et nous avons mis en évidence pour la première fois l'espèce pH2 dans les produits de pyrolyse de la phosphine. La détermination complète de l'aeothermie du réacteur a été réalisé est partir des spectres de bandes de rotation Raman des gaz vecteurs pour la cartographie des températures et l'allure des écoulements a été suivie par la technique de visualisation laser. La connaissance de la phase gazeuse a été mise à profit pour proposer un nouveau procédé de traitement de la surface de gaas par la phosphine. Cette passivation de gaas, mise en évidence par spectroscopie de photoélectrons (XPS), résulte du remplacement des atomes d'arsenic par des atomes de phosphore conduisant à la formation d'un dépôt mince de gap. ce traitement a pour effet d'améliorer les propriétés électroniques de gaas et de faciliter le dépôt ultérieur d'isolant nécessaire pour l'obtention de dispositifs électroniques
