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Depot De Nitrure De Silicium Assiste Par Plasma Etude Des Proprietes Structurales Du Materiau Et Correlations Avec Ses Proprietes Electriques
Download Depot De Nitrure De Silicium Assiste Par Plasma Etude Des Proprietes Structurales Du Materiau Et Correlations Avec Ses Proprietes Electriques full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Depot De Nitrure De Silicium Assiste Par Plasma Etude Des Proprietes Structurales Du Materiau Et Correlations Avec Ses Proprietes Electriques ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis Depot de nitrure de silicium assiste par plasma : etude des proprietes structurales du materiau et correlations avec ses proprietes electriques by : Gisèle Serrano
Download or read book Depot de nitrure de silicium assiste par plasma : etude des proprietes structurales du materiau et correlations avec ses proprietes electriques written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Dépôt de nitrure de silicium assisté par plasma by : Gisèle Serrano
Download or read book Dépôt de nitrure de silicium assisté par plasma written by Gisèle Serrano and published by . This book was released on 1996 with total page 11 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Book Synopsis DEPOSITION DE NITRURE DE SILICIUM PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE CONTINUE by : Dominique Duchesne
Download or read book DEPOSITION DE NITRURE DE SILICIUM PAR CVD ASSISTEE PAR PLASMA DE DECHARGE CONTINUE written by Dominique Duchesne and published by . This book was released on 1988 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE SPECTROSCOPIQUE DES DIFFERENTS ASPECTS DE LA PHASE AQUEUSE D'UNE DECHARGE LUMINESCENTE BASSE PRESSION DANS UN MELANGE AR/SIH::(4)-N::(2). LES PREMIERS RESULTATS OBTENUS SUR LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SONT ENSUITE PRESENTES ET QUELQUES POINTS DE SIMILARITE ENTRE LES CARACTERISTIQUES DE LA PHASE GAZEUSE ET LES PROPRIETES DES DEPOTS SONT DONNES
Book Synopsis Fabrication et caractérisation de nanocristaux de silicium encapsulés dans des matrices siliciées amorphes by : Jérémy Barbé
Download or read book Fabrication et caractérisation de nanocristaux de silicium encapsulés dans des matrices siliciées amorphes written by Jérémy Barbé and published by . This book was released on 2013 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compatible avec les technologies existantes. Toutefois, afin d'être intégrés avec succès dans ces dispositifs, les nc-Si et leur environnement doivent avoir des propriétés maitrisées. Dans ce contexte, le travail de thèse a consisté en l'élaboration et la caractérisation de couches de carbure et nitrure de silicium contenant des nc-Si. Ces deux matrices ont retenu notre attention en raison de leur gap intermédiaire entre la silice et le silicium qui permettrait d'obtenir des propriétés améliorées pour les composants électriques. Deux techniques de fabrication ont été étudiées : la nucléation/croissance de nc-Si sur des couches minces a-SiCx par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), et le dépôt par CVD assisté par plasma pulsé (PPECVD) d'alliages a-SiNx riches en Si, suivi d'un recuit à haute température. Lors de l'interprétation des résultats, une attention particulière a été portée aux effets de surface/interface et au rôle de la matrice sur les propriétés mesurées. Après avoir étudié et maitrisé les conditions de dépôt d'alliages a-SiCx:H par PECVD, nous montrons que la nucléation/croissance de nc-Si sur une surface a-Si0,8C0,2 par LPCVD est favorisée en raison de la concentration en Si élevée de la matrice. Des densités surfaciques de nc-Si supérieures à 1012 cm-2 ont ainsi été atteintes, même pour des temps de dépôt courts ou des débits de silane faibles. Ces premiers résultats indiquent la faisabilité de ce type de structure. Une étude approfondie sur le couple nc-Si/nitrure de silicium a ensuite été menée. Les propriétés structurales, optiques et électriques de couches de nitrure contenant des nc-Si ont été caractérisées à partir d'un large éventail de techniques. Après avoir estimé la taille des nc-Si par spectroscopie Raman, la déconvolution des spectres XPS nous a permis d'expliquer les processus de formation des nc-Si lors du recuit et de proposer un modèle pour décrire la structure des interfaces nc-Si/a-Si3N4. Les propriétés optiques des nc-Si ont ensuite été déterminées par ellipsométrie spectroscopique et spectrophotométrie UV-Vis. L'élargissement du gap, le lissage des constantes diélectriques et l'augmentation du coefficient d'absorption aux faibles énergies avec la diminution de la taille des particules suggèrent un effet de confinement quantique au sein des nc-Si. Des mesures de photoluminescence résolue en temps nous ont permis de conclure que l'utilisation d'une matrice de nitrure est peu appropriée à l'étude de l'émission optique des nc-Si en raison des nombreux défauts radiatifs et non radiatifs présents dans la matrice et aux interfaces. Enfin, les mécanismes de transport des porteurs de charge à travers la couche nanocomposite ont été étudiés à partir de mesures courant-tension. En raison de son caractère percolé, la couche se comporte de façon analogue à une couche de Si polycristallin avec une faible concentration de liaisons pendantes du Si. Un effet de photoconduction attribué aux nc-Si est observé, ce qui offre des perspectives de travail intéressantes.
Book Synopsis Structure et propriétés optiques et électriques de nitrure de silicium obtenu par CVD assisté par plasma by : Hicham Charifi
Download or read book Structure et propriétés optiques et électriques de nitrure de silicium obtenu par CVD assisté par plasma written by Hicham Charifi and published by . This book was released on 2008 with total page 208 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse, qui est inscrit dans le cadre d’un projet national de recherche appliqué à vocation industrielle intitulé ́PHARE ́, a pour but de mieux appréhender les propriétés optiques, structurales et de passivation des couches de nitrure de silicium SiN:H élaborées par un réacteur prototype ́PECVD ́ de la société ́Roth & Rau ́ en fonction de ses différents paramètres technologiques afin de les optimiser en vue de leur utilisation pour des cellules photovoltaïques. Nous avons pu élaborer une large gamme d’indice de réfraction (1,9
Book Synopsis DEPOT D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE by : ROXANA.. ETEMADI
Download or read book DEPOT D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM PAR DOUBLE PLASMA MICROONDE ET RADIOFREQUENCE written by ROXANA.. ETEMADI and published by . This book was released on 1996 with total page 266 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES DECHARGES MICROONDE (CREEES PAR ONDES DE SURFACE) ET RADIOFREQUENCE, UTILISEES POUR LES DEPOTS A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES DIELECTRIQUES. ELLE PERMET DE VALIDER LE CONCEPT DE REACTEUR A DOUBLE PLASMA POUR LES DEPOTS D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM. ELLE COMPORTE DEUX ASPECTS DIFFERENTS FAISANT APPEL A LA PHYSICO-CHIMIE DES PLASMAS ET A LA SCIENCE DES MATERIAUX. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PLASMAS (MICROONDE ET/OU RADIOFREQUENCE) D'AR, D'O#2, D'AR-O#2 ET D'AR-HE-O#2 A DEUX POSITIONS DIFFERENTES DE LA DECHARGE. L'INTERFEROMETRIE MICROONDE ET LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE (TECHNIQUES D'AUTOABSORPTION ET D'ACTINOMETRIE) SONT UTILISEES POUR DETERMINER RESPECTIVEMENT LA DENSITE ELECTRONIQUE, LA DENSITE DES METASTABLES D'ARGON ET LA DENSITE D'OXYGENES ATOMIQUES. UNE DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE D'UNE PART A L'ETUDE DES CONDITIONS DE DEPOT, D'AUTRE PART A L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES DES FILMS DEPOSES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES COMME LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA PUISSANCE MICROONDE, LES DIFFERENTS DEBITS DE GAZ OU LES DIFFERENTES DILUTIONS, AINSI QUE LES EFFETS DE COUPLAGE DES DEUX PLASMAS. LES COUCHES MINCES DEPOSEES ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE IN SITU, TRANSMISSION INFRAROUGE, MESURES NUCLEAIRES (ERDA, RBS), EDX ET ABSORPTION DANS L'UV LOINTAIN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE DU BOMBARDEMENT IONIQUE ET LE FAIT QU'IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA QUANTITE D'HYDROGENE (SOUS FORME DE GROUPEMENT O-H) CONTENU DANS LES FILMS EN LES EXPOSANT A UNE ILLUMINATION UV
Book Synopsis Utilisation des plasmas micro-ondes RCE pour préparer des films minces de nitrure de silicium by : Mickael Lapeyrade
Download or read book Utilisation des plasmas micro-ondes RCE pour préparer des films minces de nitrure de silicium written by Mickael Lapeyrade and published by . This book was released on 1999 with total page 234 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette étude démontre la possibilité de déposer, à basse température (200-300°C) et avec une puissance micro-onde limitée (220 W), des films de nitrure de silicium de qualité électronique (résistivité de 1015 Q.cm) avec des propriétés physico-chimiques proches du nitrure de silicium stœchiométrique élaboré à haute température, et qui soit compatible avec une technologie de passivation de matériaux III-V. Des mesures par sonde de Langmuir ont permis de caractériser le plasma d'azote dans les conditions expérimentales utilisées. Une étude approfondie des propriétés électriques, structurales et physico-chimiques des films montre que les propriétés des films sont très dépendantes des paramètres de la source RCE et de la nature du substrat initial. Un procédé de passivation a été défini. Les traitements de surface combinent désoxydation chimique en voie humide et nitruration en voie sèche. Le dépôt de nitrure de silicium peut être réalisé depuis la température ambiante jusqu'à 300°C. Une étude des propriétés physico-chimiques et électriques des interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs a été réalisée. La préparation de surfaces idéales à partir de surfaces "technologiquement contaminées" et d'interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs de qualité à partir de surfaces vierges ou de surfaces technologiques, est délicate à optimiser, notamment en raison de la présence d'arsenic élémentaire, source d'états d'interfaces. Ce procédé de passivation a été appliqué avec succès sur des transistors HEMT et des photodiodes de la filière InGaAlAs/InP. Il est actuellement utilisé de façon courante au laboratoire pour passiver les composants optoélectroniques de type photodiodes.
Book Synopsis Proprietes physicochimiques et electriques du nitrure de silicium hydrogene prepare par decomposition plasma by : Maria Bensouda
Download or read book Proprietes physicochimiques et electriques du nitrure de silicium hydrogene prepare par decomposition plasma written by Maria Bensouda and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Microstructure chimique et defauts electroniques dans les nitrures de silicium peu hydrogenes by : Catherine Savall
Download or read book Microstructure chimique et defauts electroniques dans les nitrures de silicium peu hydrogenes written by Catherine Savall and published by . This book was released on 1994 with total page 207 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES DE NITRURES DE SILICIUM PEU HYDROGENES, AUTOUR DE LA STCHIOMETRIE (N/SI=1,3), ELABORES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA (PECVD). DANS UN PREMIER TEMPS, NOUS PRESENTONS L'INFLUENCE DE CERTAINS PARAMETRES D'ELABORATION SUR LA COMPOSITION CHIMIQUE DES COUCHES MINCES, DETERMINEE PAR PLUSIEURS TECHNIQUES (ANALYSE NUCLEAIRE, ELLIPSOMETRIE). DANS LA DEUXIEME PARTIE, NOUS MONTRONS QUE LES SITES CHIMIQUES HYDROGENES, ACCESSIBLES PAR SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION DANS L'INFRAROUGE, SUBISSENT DES VARIATIONS IMPORTANTES POUR DE PETITES MODIFICATIONS DE COMPOSITION. UN SITE CHIMIQUE PARTICULIEREMENT STABLE SITUE A 2200 CM#-#1, ASSOCIE A DES LIAISONS SI-H PRESENTANT UNE FORCE D'OSCILLATEUR ANORMALEMENT ELEVEE, EST MIS EN EVIDENCE. SON EVOLUTION AVEC LES RECUITS THERMIQUES EST SURPRENANTE. UNE MODELISATION, BASEE SUR UNE APPROCHE DE CHAMP LOCAL SUGGERE QU'UNE MODIFICATION DU PROCHE ENVIRONNEMENT EST RESPONSABLE DE LA PARTICULARITE DE CE SITE. DANS LA TROISIEME PARTIE, NOUS NOUS INTERESSONS A QUELQUES PROPRIETES ELECTRONIQUES (ABSORPTION UV-VISIBLE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE), PHOTOLUMINESCENCE). L'INFLUENCE DES RECUITS THERMIQUES EST ETUDIEE, ILLUSTRANT LE ROLE DE L'HYDROGENE. DES CORRELATIONS INTERESSANTES ENTRE LES RESULTATS DE RPE ET DE PHOTOLUMINESCENCE SONT ETABLIES, SUGGERANT QU'UN DEFAUT SUR L'AZOTE POURRAIT ETRE LE CENTRE RADIATIF. LE COMPORTEMENT ORIGINAL OBSERVE A LA FOIS EN INFRAROUGE, EN RPE ET EN PHOTOLUMINESCENCE SOULIGNE L'IMPORTANCE DE LA MICROSTRUCTURE LOCALE SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DANS LES NITRURES DENSES AUTOUR DE LA STCHIOMETRIE
Book Synopsis Dépôt d'oxydes et de nitrures de silicium par double plasma microonde et radiofréquence by : Roxana Etemadi
Download or read book Dépôt d'oxydes et de nitrures de silicium par double plasma microonde et radiofréquence written by Roxana Etemadi and published by . This book was released on 1996 with total page 262 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique et étude de leur intégration pour des cellules photovoltaïques à haut rendement by : Béchir Rezgui
Download or read book Etude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique et étude de leur intégration pour des cellules photovoltaïques à haut rendement written by Béchir Rezgui and published by . This book was released on 2010 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Outre les applications photoniques et nanoélectroniques, les structures formées de nanoparticules de silicium insérées dans une matrice diélectrique pourraient jouer un rôle important dans le développement de concepts innovants de cellules photovoltaïques dits de 3ème génération, permettant d’atteindre des rendements de conversion largement supérieurs à celui des cellules actuelles (31 %). Néanmoins, les propriétés optoélectroniques de ces nanostructures doivent être maîtrisées de manière à obtenir un matériau de bonne qualité pour les applications photovoltaïques. Le présent travail s’inscrit dans le cadre de l’étude des propriétés optiques, électriques et structurales de nanoparticules de silicium (Np-Si) immergées dans une matrice d’oxyde ou de nitrure de silicium sous forme de couches minces obtenues par différentes techniques de dépôt. Dans un premier temps, les conditions de formation de ces nanostructures dans des couches de nitrure enrichies en silicium déposées par PECVD sont étudiées afin de trouver les conditions de dépôt optimales permettant d’avoir une forte densité de nanoparticules ainsi qu’une taille contrôlée. L’étude de l’influence d’un traitement thermique sur les caractéristiques des Np-Si sera présentée. Afin de contrôler la taille de Np-Si, des structures en multicouches élaborées en utilisant différents procédures de dépôt sont analysées. Les résultats de photoluminescence obtenus sur les multicouches SiO2/SiOx/SiO2 déposées par pulvérisation magnétron permettent de valider les performances de telles structures. Des structures similaires préparées par PECVD en alternant une couche de nitrure stoechiométrique et une couche de nitrure riche en silicium sont aussi étudiées. L’accent est mis particulièrement sur l’analyse des propriétés d’absorption et de transport de charges dans ces nanostructures afin de tester leur efficacité "photovoltaïque" et évaluer la possibilité de réaliser des cellules multijonctions à base de ces nanomatériaux. La dépendance du coefficient d’absorption et du courant photogénéré en fonction de la taille et la densité des Np-Si est ainsi présentée. Une partie de ce travail est dédiée à l’étude de l’effet de dopage sur les propriétés optiques des couches nanocomposites.
Book Synopsis PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM ELABOREES PAR PLASMA BASSE TEMPERATURE D'OXYGENE by : DIDIER.. GOGHERO
Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRIQUES DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM ELABOREES PAR PLASMA BASSE TEMPERATURE D'OXYGENE written by DIDIER.. GOGHERO and published by . This book was released on 2001 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AU DEPOT BASSE TEMPERATURE DE COUCHES D'OXYDE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM ET D'ALLIAGES SILICIUM-GERMANIUM DANS UN REACTEUR HELICON (13,56 MHZ). DES COUCHES DE SIO 2, PROCHES DE LA SILICE THERMIQUE, SONT OBTENUES EN UTILISANT UN TRES FAIBLE POURCENTAGE DE TETRAETHOXYSILANE (TEOS). UNE ANALYSE DU PLASMA A ETE EFFECTUEE PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE ET SONDE DE LANGMUIR POUR ETUDIER LES PERTURBATIONS EVENTUELLES DE LA POLARISATION RADIOFREQUENCE DU SUBSTRAT ET DE LA PRESSION SUR LA DECHARGE. L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE UV-VISIBLE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE EN TRANSMISSION ET L'ANALYSE XPS ONT ETE UTILISES POUR L'ETUDE STRUCTURALE DES COUCHES DE SIO 2. NOUS AVONS DISTINGUE, POUR CETTE ETUDE, LE PROCEDE D'OXYDATION DE CELUI DE DEPOT PLASMA ET NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE QU'IL PEUR EXISTER UN LIEN ENTRE CES DEUX PHENOMENES LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE SUR UN ALLIAGE SILICIUM-GERMANIUM. NOUS AVONS EGALEMENT OPTIMISE NOS CONDITIONS DE DEPOT EN VUE D'OBTENIR UNE INTERFACE OXYDE/SUBSTRAT DE BONNE QUALITE ELECTRIQUE ET POUR CONSTITUER UNE SOLUTION POSSIBLE AU PROBLEME DE L'OXYDATION DIRECTE DE SIGE. ENFIN, NOUS NOUS ATTACHES A ETABLIR UNE CORRELATION ENTRE LES RESULTATS D'ANALYSE STRUCTURALE ET ELECTRIQUE.
Book Synopsis ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE. APPLICATION AUX STRUCTURES SI/SI#3N#4 ET INP/SI#3N#4 by : STEPHANE.. SITBON
Download or read book ETUDE DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PAR PLASMA MULTIPOLAIRE MICRO-ONDE. APPLICATION AUX STRUCTURES SI/SI#3N#4 ET INP/SI#3N#4 written by STEPHANE.. SITBON and published by . This book was released on 1996 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES FILMS MINCES DIELECTRIQUES DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PRESENTENT ACTUELLEMENT ET PRESENTERONT DANS LE FUTUR DE MULTIPLES APPLICATIONS POUR REPONDRE AUX NOUVELLES SPECIFICATIONS DE L'INDUSTRIE DE LA MICRO-ELECTRONIQUE ET DE L'OPTO-ELECTRONIQUE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE, L'ETUDE ET L'OPTIMISATION DU DEPOT DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES DANS UN TYPE DE REACTEUR A PLASMA MICRO-ONDE: LE REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE REPARTIE (RCER). DE NOMBREUX MOYENS DE CARACTERISATION ONT ETE EMPLOYES, POUR MAITRISER LE DEPOT, TELS QUE LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR L'ANALYSE DU PLASMA, L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET A ANNULATION POUR DETERMINER L'EPAISSEUR ET L'INDICE DES FILMS, LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRA-ROUGE POUR ELUCIDER LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES. LA COMPOSITION ATOMIQUE DES FILMS A ETE DETERMINEE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS D'AUGER. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE L'EVOLUTION DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM RCER REALISES A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE SILANE ET D'AZOTE, EN FONCTION DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE (N#2/SIH#4) ET DE LA PUISSANCE MICRO-ONDE. UNE PHASE GAZEUSE FORTEMENT DILUEE EN SILANE ET UNE PUISSANCE MICRO-ONDE ELEVEE PERMETTENT D'ELABORER DES FILMS DENSES, LEGEREMENT SUR-STOECHIOMETRIQUES EN AZOTE. DANS LA DEUXIEME PARTIE POUR CONFIRMER NOTRE POINT DE FONCTIONNEMENT, NOUS PRESENTONS UN ENSEMBLE DE MESURES ELECTRIQUES REALISEES SUR DES STRUCTURES MIS (AL/SIN/SI ET AL/SIN/INP). LES VALEURS DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, DEDUITES DES CARACTERISTIQUES RESPECTIVEMENT I(V) ET C(V) SONT LES PLUS ELEVEES DANS LE CAS DE L'INP. TOUTEFOIS, LE MECANISME DE CONDUCTION DOMINANT EST CELUI DE FRENKEL-POOLE, QUELLE QUE SOIT LA NATURE DU SUBSTRAT, LA VALEUR DE LA RESISTIVITE ETANT DE 10#1#6 OHM.CM
Book Synopsis Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales by : Jumana Boussey
Download or read book Etude de la restructuration de couches de silicium desordonne par implantation ionique. Effet du recuit thermique sur les proprietes electriques et structurales written by Jumana Boussey and published by . This book was released on 1990 with total page 157 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE TRAVAIL, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX MECANISMES DE RESTRUCTURATION DE COUCHES DE SILICIUM FORTEMENT ENDOMMAGEES PAR L'IMPLANTATION A L'ARSENIC. LES ECHANTILLONS CARACTERISES ONT ETE ELABORES A PARTIR D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM 100 DE TYPE P BOMBARDE, A LA TEMPERATURE AMBIANTE, AVEC UN FAISCEAU D'IONS D'ARSENIC ACCELERE A 200 KEV. EN FAISANT VARIER LA DOSE D'IMPLANTATION, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE, A L'AIDE DE LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE, LA TRANSITION CRISTAL-AMORPHE LORSQUE LA DOSE D'IMPLANTATION EST SUPERIEURE A LA DOSE CRITIQUE D'AMORPHISATION. LA COMBINAISON DE PLUSIEURS METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUES ET PHYSIQUES NOUS A PERMIS D'ETUDIER L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE POST-IMPLANTATION SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES ET STRUCTURALES DE CE MATERIAU. LA CORRELATION DES RESULTATS ISSUS DE CES DIFFERENTES METHODES A RENDU POSSIBLE LA MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE D'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES APRES RECUIT A BASSE TEMPERATURE INTERVENANT INDEPENDAMMENT DE LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE. L'ANALYSE DETAILLEE DE CE PHENOMENE A DEMONTRE QU'IL SE PRODUIT PAR UN PROCESSUS DE RELAXATION LOCALE CARACTERISEE PAR UNE FAIBLE ENERGIE D'ACTIVATION. L'ETUDE DE L'EFFET DU RECUIT THERMIQUE SUR LES PROPRIETES STRUCTURALES DES COUCHES DE SILICIUM DESORDONNE A PERMIS DE CONCLURE QUE LA MIGRATION DES DEFAUTS PONCTUELS ET DE LEURS COMPLEXES EST A L'ORIGINE DE LA RELAXATION LOCALE
Book Synopsis Etude du silicium polymorphe hydrogéné en couches minces pour applications photovoltaïques by : Ouafa Saadane
Download or read book Etude du silicium polymorphe hydrogéné en couches minces pour applications photovoltaïques written by Ouafa Saadane and published by . This book was released on 2003 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The work presented in this thesis is devoted to the study of the metastability in the hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H). The pm-Si:H films deposited in a plasma regime close to the powder formation, which promoted the incorporation of nanocrystallites and/or clusters in amorphous matrix of the layers. Previous results have shown the promising potentiality of the pm-Si:H for photovoltaic conversion. The aim of this study is to bring a better comprehension between the structural and optoelectronic properties of pm-Si:H films prepared under different deposition conditions. We used various methods of characterizations, and in particular some electrical techniques of characterizations: measurements of conductivity and photoconductivity (constant photocourant method, modulated photocurrent, steady state photocarrier gratings)), which we coupled with methods of structural characterizations (Fourier transform infrared spectroscopy and hydrogen effusion experiments). We particularly studied the metastability of the pm-Si:H. After a systematic study of a large number of pm-Si:H films, we highlighted the deposition conditions which lead to films with good properties transport (high deposition rate, high and excellent stability of the ambipolar diffusion length of the minority carriers, better efficiency of the solar cells). A link between hydrogen bonding and transport properties is made that shows that to exhibit good transport properties the material has to present a peculiar microstructure revealed by the hydrogen bonding. However, the hydrogen bonding and/or content in this structure has to be adjusted via the deposition conditions to reach an optimum hydrogen incorporation leading to the best layers and the best solar cell devices.
Book Synopsis Physique de dépôt par plasma et propriétés optiques de silicium amorphe et microcristallin by : Ming Fang
Download or read book Physique de dépôt par plasma et propriétés optiques de silicium amorphe et microcristallin written by Ming Fang and published by . This book was released on 1992 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET MICROCRISTALLIN (C-SI) A L'UTILISATION DES TECHNIQUES OPTIQUES IN SITU ET SPECTROSCOPIQUES (DE PROCHE INFRAROUGE A ULTRAVIOLET). NOUS AVONS DEVELOPPE LA LOI DE DISPERSION DIELECTRIQUE EN TENANT COMPTE DE LA STRUCTURE DES BANDES AU LIEU DU MODELE A DEUX NIVEAUX (SEUL OSCILLATEUR) UTILISE HABITUELLEMENT. NOUS AVONS MONTRE QU'IL N'Y A PAS DE DEPENDANCE AVEC L'EPAISSEUR DE STRUCTURE DE BANDE DE COUCHE TRES MINCE DU A-SI:H (SI L'EPAISSEUR D>500A). L'ETUDE EN TEMPS REEL DE LA STRUCTURE DU C-SI MONTRE QUE LA CROISSANCE DE C-SI SE PASSE EN TROIS PERIODES: LA NUCLEATION, LA FORMATION DE RUGOSITE DE SURFACE ET LA CROISSANCE INHOMOGENE. LA GRANDE POROSITE TROUVEE DANS CE MATERIAU EXPLIQUE PLUSIEURS OBSERVATIONS NON EXPLIQUEE PRECEDEMMENT. LES RESULTATS OBTENUS SUR L'ETUDE DES INTERFACES DU C-SI AVEC DIVERS SUBSTRATS SONT DIRECTEMENT UTILISABLES POUR LES APPLICATIONS PRATIQUES. LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM EN COUCHE MINCE SOULEVE DES PROBLEMES FONDAMENTAUX COMPLEXES. DE PLUS IL Y A AUSSI DES IMPLICATIONS PRATIQUES IMPORTANTES POUR L'INDUSTRIE OPTOELECTRONIQUE. DEPUIS 10 ANS, ON PENSE QUE C-SI EST DEPOSE EN CONDITION D'EQUILIBRE CHIMIQUE PARTIEL. EN VUE DE CERTAINES DIFFICULTES, NOUS AVONS PRESENTE NOTRE MODELE GRAVURE PREFERENTIELLE DE PHASE AMORPHE ET L'AVONS PROUVE AVEC UNE SERIE D'EXPERIENCES CRUCIALES. CETTE CONNAISSANCE NOUS PERMET DE MIEUX COMPRENDRE L'ORIGINE DU DESORDRE ET DE LA FORMATION DE DEFAUTS
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'élaboration du nitrure de silicium par un nouveau procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma by : Chakib Fakih
Download or read book Contribution à l'étude de l'élaboration du nitrure de silicium par un nouveau procédé de dépôt chimique en phase gazeuse assisté par plasma written by Chakib Fakih and published by . This book was released on 1991 with total page 312 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: FONCTIONNEMENT SELON LE PRINCIPE DE LA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION BY DISTINCT ELECTRONIC AND THERMAL ACTIVATIONS, UN NOUVEAU DISPOSITIF EST MIS EN UVRE POUR LE DEPOT DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE SILICIUM. LES DEPOTS ONT ETE CARACTERISES PAR DIFFERENTES METHODES ANALYTIQUES TELLES QUE, ELLIPSOMETRIE DANS LE VISIBLE, SPECTROSCOPIES I.R.-T.F., AUGER, ESCA ET MEME PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A 1,2 MV EN UTILISANT L'APPAREIL DU LABORATOIRE D'OPTIQUE ELECTRONIQUE DU CEMES/CNRS DE TOULOUSE. LES CONDITIONS OPERATOIRES REQUISES POUR L'ELABORATION DE FILMS DE NITRURE DE SILICIUM DE TRES HAUTE QUALITE ONT ETE MISES EN EXERGUE
