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Contribution A Letude Dun Procede Reproductible De Dopage A Lor Du Silicium Pour Les Elements A Commutation Rapide
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Book Synopsis Contribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide by : Guy Clément
Download or read book Contribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide written by Guy Clément and published by . This book was released on 1966 with total page 76 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des propriétés de l'or dans le silicium by : Jean-Paul Pialoux
Download or read book Contribution à l'étude des propriétés de l'or dans le silicium written by Jean-Paul Pialoux and published by . This book was released on 1969 with total page 47 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné by : Didier Jousse
Download or read book Contribution À L'étude Des États Localisés Et Du Dopage Du Silicium Amorphe Hydrogéné written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 280 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR PHOTODEFLECTION THERMIQUE, RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE, ABSORPTION OPTIQUE ET MESURES DE LA PHOTOCONDUCTIVITE ET DE CAPACITE DE DIODE SCHOTTKY. IDENTIFICATION DE DEFAUTS DIAMAGNETIQUES, ASSOCIES A LA PRESENCE DE MICROCAVITES ET DES LIAISONS DISPONIBLES COMME DEFAUTS PRINCIPAUX DANS A-SI:H NON DOPE, LES LIAISONS DISPONIBLES DEVENANT DOMINANTES DANS LE CAS DE DOPAGE PAR B OU AS; MISE EN EVIDENCE D'UN ELARGISSEMENT DE LA QUEUE DE BANDE DE VALENCE POUR DES RAPPORTS DOPANT/SILICIUM SUPERIEURS A 0,1%AT; SIGNATURE DES NIVEAUX DE LA LIAISON DISPONIBLE
Book Synopsis Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné by : Frédéric Vaillant (auteur en microélectronique).)
Download or read book Contribution à l'étude du dopage et de la recombinaison dans le silicium amorphe hydrogéné written by Frédéric Vaillant (auteur en microélectronique).) and published by . This book was released on 1987 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Effet de l'introduction de diborane et de phosphine dans le melange gazeux depose par decharge electroluminescente a 50 h::(3). Caracterisation par methode optique dans le visible et l'ir, deflexion photothermique, conductivite et photoconductivite stationnaire. Variation avec le dopage de proprietes electriques. Proposition d'un nouveau modele de recombinaison
Book Synopsis Contribution à l'étude des dépôts LPCVD de silicium polycristallin par pyrolyse de disilane. Cas du dopage in-situ au phosphore by : Jacques Simon
Download or read book Contribution à l'étude des dépôts LPCVD de silicium polycristallin par pyrolyse de disilane. Cas du dopage in-situ au phosphore written by Jacques Simon and published by . This book was released on 1993 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE SILICIUM POLYCRISTALLIN OU AMORPHE HYDROGENE EST UN MATERIAU TRES INTERESSANT, UTILISE EN MICRO-ELECTRONIQUE POUR LA REALISATION DE NOMBREUX DISPOSITIFS. L'ANALYSE DE LA PHASE GAZEUSE DE DECOMPOSITION A MIS EN EXERGUE L'IMPORTANCE DU ROLE DES REACTIONS CHIMIQUES EN PHASE HOMOGENE DANS LE MECANISME DE DISSOCIATION THERMIQUE DU DISILANE. L'AJOUT DE PHOSPHINE DANS LA PHASE GAZEUSE ENTRAINE DES MODIFICATIONS DE SA COMPOSITION. LES AVANTAGES APPORTES PAR L'UTILISATION DU DISILANE EN TERMES DE TEMPERATURE D'ELABORATION ET DE VITESSE DE CROISSANCE EN PRESENCE DE PHOSPHINE SONT MIS EN EVIDENCE ET CORRELES AVEC LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE ET EN PARTICULIER AVEC LA QUANTITE DE RADICAUX SILYLENES PRESENTS. L'INFLUENCE DE DIVERS PARAMETRES TELS QUE LA TEMPERATURE, LA PRESSION TOTALE OU LA FRACTION MOLAIRE A ETE ETUDIEE AUX TRAVERS DE DEUX PLANS D'EXPERIENCES. LA POTENTIALITE DU DISILANE EN TANT QUE NOUVEAU PRECURSEUR GAZEUX DE SILICIUM EN REMPLACEMENT DU MONOSILANE A ETE DEMONTREE. DANS LE CAS DU DOMMAGE IN-SITU, IL PERMET L'OBTENTION DE FILMS AYANT LES MEMES PROPRIETES (CONCENTRATION EN DOPANTS, RESISTIVITE) AVEC UN TAUX D'INHIBITION DE LA VITESSE DE CROISSANCE BEAUCOUP PLUS FAIBLE
Book Synopsis Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene by : Didier Jousse
Download or read book Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance by : Mihai Bogdan Lazar
Download or read book Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance written by Mihai Bogdan Lazar and published by . This book was released on 2002 with total page 219 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Afin de doper localement le carbure de silicium l’implantation ionique est la seule méthode utilisable à cause des faibles coefficients de diffusion thermique des impuretés dopantes. L’étude s’est portée sur la réalisation de couches de type p par implantation ionique d’aluminium en ayant comme objectif la réalisation de composants de puissance bipolaires. Suite aux analyses physico-chimiques (SIMS, RBS/C, XPS, AFM) et électriques (mesures quatre pointes directement sur les couches SiC ou effectuées sur des structures-test VdP et TLM) des couches implantées dans différentes conditions (température, dose), une configuration de recuit post-implantation a été mise au point. On préserve la dose de dopants implantés avec une faible redistribution (voire aucune) après le recuit, dépendante des paramètres d’implantation. L’analyse de la recristallisation montre une bonne récupération de l’état cristallin (équivalent à ceux des échantillons vierges) dans le cas où l’implantation ionique ne crée pas de couche amorphe, en s’effectuant soit à température élevée (300°C) soit à la température ambiante en restant en-dessous du seuil d’amorphisation. On élimine les couches amorphes par le recuit post-implantation, l’endommagement résiduel étant d’autant plus important que la couche amorphe initiale est profonde. L’activation électrique des dopants (leur mise en sites substitutionnels) augmente avec le temps et la température de recuit, une activation complète nécessite des températures de recuit proches de 1800°C avec une durée de 30 min. Cette étude a été validée par la réalisation de composants de puissance en SiC. Plusieurs lots de plaquettes avec des diodes bipolaires protégées par JTE ont été réalisés par implantation ionique d’Al pour l’émetteur et sa protection JTE. L’homogénéité et la reproductibilité des caractéristiques directes confirment la qualité de l’implantation ionique et surtout du recuit post-implantation. Un meilleur comportement sous polarisations directe et inverse est trouvé pour les diodes réalisées par implantation à 300°C, ce qui confirme une meilleure activation électrique des dopants implantés à température élevée, ainsi qu’une meilleure qualité cristalline des couches. Les diodes réalisées à température ambiante montrent cependant des caractéristiques assez proches de celles implantées à 300°C. Des densités de courant aussi élevées que 200 A.cm-2 ont été obtenues pour une polarisation directe de 5V. La tenue en tension augmente avec la longueur des JTE ce qui montre le rôle bénéfique de cette protection. Le comportement électrique des diodes dépend de la taille de l’émetteur. La qualité des substrats SiC reste ainsi à améliorer. Des tenues en tension supérieures à 2 kV ont été obtenues.
Book Synopsis Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium by : Pascal Normand
Download or read book Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
Book Synopsis Contribution à l'étude des spectres des composés diatomiques de l'or avec le calcium et le silicium by : Colette Coquant
Download or read book Contribution à l'étude des spectres des composés diatomiques de l'or avec le calcium et le silicium written by Colette Coquant and published by . This book was released on 1976 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de l'implantation par recul dans le silicium by :
Download or read book Contribution à l'étude de l'implantation par recul dans le silicium written by and published by . This book was released on 1983 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude du cuivre dans le silicium et d'une technique de caractérisation associée by : Assia Farid
Download or read book Contribution à l'étude du cuivre dans le silicium et d'une technique de caractérisation associée written by Assia Farid and published by . This book was released on 2003 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le cuivre est un contaminant majeur du silicium, connu pour être à l'origine de défaillances de composants intégrés. Son introduction dans les composants submicroniques engendre un risque supplémentaire de contamination et de fait accentue le besoin d'outils pour la détection du cuivre à l'état de trace dans le silicium. Cette thèse a pour but d'étudier les propriétés physiques du cuivre dans le silicium en utilisant la technique TID (pour Transient Ion Drift) comme outil de détection.Le chapitre I expose le comportement des impuretés métalliques en particulier le cuivre dans le silicium et les enjeux technologiques quant à la détection du cuivre à l'état de trace. Une description de la méthode utilisée dans ce travail a été détaillée dans le deuxième chapitre. L'optimisation de la cinétique d'activation, étape thermique nécessaire avant toute mesure TID, pour minimiser le risque de contamination supplémentaire a fait l'objet du troisième chapitre. Le chapitre IV a été consacré à l'étude du comportement du cuivre interstitiel sous l'effet de la lumière visible. Des modèles théoriques à l'appuis ont été utilisés pour expliquer les différents résultats obtenus. La dernière partie du manuscrit a été consacrée à l'étude du comportement du cuivre dans le silicium de type FZ (Fusion de Zone).
Book Synopsis Contribution à l'étude de la déposition chimique en phase gazeuse du molybdène sur le silicium et des réactions dans l'état solide entre ces deux éléments by : Jean-François Leger
Download or read book Contribution à l'étude de la déposition chimique en phase gazeuse du molybdène sur le silicium et des réactions dans l'état solide entre ces deux éléments written by Jean-François Leger and published by . This book was released on 1975 with total page 104 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la purification du silicium par voie plasma pour obtention de silicium haute pureté [microforme] by : Robert, William
Download or read book Contribution à l'étude de la purification du silicium par voie plasma pour obtention de silicium haute pureté [microforme] written by Robert, William and published by Bibliothèque nationale du Canada. This book was released on 1986 with total page 724 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude analytique du silicium, application biologiques by : Pierre Aumonier
Download or read book Contribution à l'étude analytique du silicium, application biologiques written by Pierre Aumonier and published by . This book was released on 1962 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis L'étude du dopage de carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur by : Denis David
Download or read book L'étude du dopage de carbure de silicium par dépôt chimique en phase vapeur written by Denis David and published by . This book was released on 1995 with total page 53 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude de la photoconductivité extrinsèque du silicium dopé au phosphore by : Guy-Michel Guichar
Download or read book Contribution à l'étude de la photoconductivité extrinsèque du silicium dopé au phosphore written by Guy-Michel Guichar and published by . This book was released on 1971 with total page 82 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des carbonitrures de silicium by : Mme Colombeau (Françoise, née Lamande)
Download or read book Contribution à l'étude des carbonitrures de silicium written by Mme Colombeau (Françoise, née Lamande) and published by . This book was released on 19?? with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
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