Read Books Online and Download eBooks, EPub, PDF, Mobi, Kindle, Text Full Free.
Contribution A Letude Du Transport Electronique Dans Le Silicium Amorphe Hydrogene
Download Contribution A Letude Du Transport Electronique Dans Le Silicium Amorphe Hydrogene full books in PDF, epub, and Kindle. Read online Contribution A Letude Du Transport Electronique Dans Le Silicium Amorphe Hydrogene ebook anywhere anytime directly on your device. Fast Download speed and no annoying ads. We cannot guarantee that every ebooks is available!
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : OLIVIER.. GLODT
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : Christophe Longeaud
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by Christophe Longeaud and published by . This book was released on 1982 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE by : JEAN-PIERRE.. PEYRE
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by JEAN-PIERRE.. PEYRE and published by . This book was released on 1980 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : N'GUESSAN.. KRE
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by N'GUESSAN.. KRE and published by . This book was released on 1993 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DU DESORDRE STRUCTURAL SUR LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE PUR (ASI) ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (ASI:H). POUR CELA, LE COEFFICIENT D'ABSORPTION A ETE DEDUIT DE MESURES DE TRANSMISSION OPTIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). EN OUTRE, DES MESURES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE EGALEMENT UTILISEES. LES FILMS DE ASI ONT ETE OBTENUS PAR EVAPORATION EN ULTRA-VIDE SUR SUBSTRAT DE QUARTZ A LA TEMPERATURE AMBIANTE; ON A FAIT VARIER LE DESORDRE DE CES FILMS PAR RECUIT. POUR LES FILMS DE SSI:H, UNE CELLULE A PLASMA RF A PERMIS DE FAIRE VARIER LA CONCENTRATION D'HYDROGENE, DONC LE DESORDRE DES FILMS. POUR LES FILMS DE ASI, ON A OBTENU UNE DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETATS EN CONSIDERANT DIFFERENTES APPROXIMATIONS TANT SUR LE MODELE DE LA DENSITE D'ETATS QUE SUR LA DEPENDANCE EN ENERGIE DES ELEMENTS DE MATRICE. ON TROUVE QUE LE GAP OPTIQUE ET LA DENSITE DE SPINS (LIAISONS PENDANTES) VARIENT RELATIVEMENT PEU AVEC LE DESORDRE PAR RAPPORT AUX FILMS DE ASI:H. ON TROUVE EGALEMENT QUE LA POSITION EN ENERGIE DES ETATS PARAMAGNETIQUES EST D'ENVIRON 0,9 EV PAR RAPPORT AU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. POUR LES FILMS DE ASI:H, ON A OBTENU DES RESULTATS QUI SONT TRES PROCHES DE CEUX DES FILMS PREPARES PAR DECOMPOSITION DU SILANE. ON A EGALEMENT OBTENU UNE BONNE CORRELATION ENTRE LA DENSITE DE SPINS ET L'ABSORPTION A BASSE ENERGIE. LA FORTE VARIATION RELATIVE DU GAP OPTIQUE AVEC LE DESORDRE STRUCTURAL, COMPAREE A CELLE DE ASI, PERMET DE SUGGERER QUE LA VARIATION DU GAP N'EST PAS SEULEMENT DUE A UN EFFET DU DESORDRE MAIS EGALEMENT A UN EFFET D'ALLIAGE DU SILICIUM AVEC L'HYDROGENE. LA DENSITE DE SPINS DANS LES MEILLEURS FILMS OBTENUS SANS RECUITS (10#1#7 SPINS CM##3) N'EST PAS TRES ELOIGNEE DE CELLE DES MEILLEURS FILMS RECUITS OBTENUS PAR DECOMPOSITION DU SILANE (10#1#6 SPINS CM##3)
Book Synopsis Contribution à l'étude de la structure électronique du silicium amorphe hydrogéné by : François Boulitrop
Download or read book Contribution à l'étude de la structure électronique du silicium amorphe hydrogéné written by François Boulitrop and published by . This book was released on 1982 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE A-SI:H PAR RPE, PHOTOLUMINESCENCE ET DOUBLE RESONANCE OPTIQUE HERTZIENNE. PROPOSITION D'UN MODELE D'ETATS RADIATIFS DE QUEUES DE BANDE. ESTIMATION DES PROFONDEURS DES QUEUES DE BANDES DE VALENCE ET DE CONDUCTION. ESTIMATION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS PHOTOEXCITES ET DE LEUR LONGUEUR DE DIFFUSION
Book Synopsis Contribution a l'étude du silicium amorphe évapore en ultra-vide et post-hydrogène by : Jean-Christophe Flachet
Download or read book Contribution a l'étude du silicium amorphe évapore en ultra-vide et post-hydrogène written by Jean-Christophe Flachet and published by . This book was released on 1983 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D'HYDROGENE by : D.. MENCARAGLIA
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE OBTENU PAR PULVERISATION CATHODIQUE EN COURANT CONTINU EN PRESENCE D'HYDROGENE written by D.. MENCARAGLIA and published by . This book was released on 1978 with total page 35 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA CONDUCTIVITE A L'OBSCURITE ET LA PHOTOCONDUCTIVITE DU MATERIAU. L'ADJONCTION D'AZOTE AU PLASMA DE PULVERISATION A PERMIS DE DOPER LE MATERIAU ET SE TRADUIT PAR UNE AUGMENTATION DE PLUSIEURS ORDRES DE GRANDEUR DE LA CONDUCTIVITE ET DE LA PHOTOCONDUCTIVITE. INTERPRETATION DES MECANISMES QUI REGISSENT LA CONDUCTION.
Book Synopsis CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L'APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES by : Hassen Dahman
Download or read book CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L'APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by Hassen Dahman and published by . This book was released on 1986 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR UNE TECHNIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITE, DE L'INFLUENCE DU DOPAGE PAR P SUR LE PRODUIT MOBILITE-DUREE DE VIE DES ELECTRONS ET SUR LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DE S-SI: H PREPARE PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. ETUDE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA MOBILITE PAR UNE METHODE DE TEMPS DE VOL; MISE EN EVIDENCE DE L'ACTIVATION THERMIQUE DE LA MOBILITE DANS UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURES. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR UN MODELE DE CONDUCTION, BASE SUR L'EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL
Book Synopsis ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS DES DISPOSITIFS PIN OU NIPIN EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SOUS FORT CHAMP ELECTRIQUE. ROLE DE LA COUCHE DOPEE P by : JEAN-BAPTISTE.. CHEVRIER
Download or read book ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS DES DISPOSITIFS PIN OU NIPIN EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE SOUS FORT CHAMP ELECTRIQUE. ROLE DE LA COUCHE DOPEE P written by JEAN-BAPTISTE.. CHEVRIER and published by . This book was released on 1993 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA PIN EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) EST LA STRUCTURE DE BASE DES PHOTOPILES. AVEC UNE COUCHE INTRINSEQUE PLUS EPAISSE ELLE EST BIEN ADAPTEE A LA DETECTION DE RAYONNEMENTS EN GRANDE SURFACE. L'APPLICATION D'UN TRES FORT CHAMP ELECTRIQUE S'EST AVERE NECESSAIRE SI L'ON VEUT OBTENIR UNE COLLECTION DES CHARGES EFFICACE. NOUS MONTRONS LA NECESSITE D'UNE COUCHE P EPAISSE POUR L'APPLICATION DE FORTES POLARISATIONS. UNE DIODE D'UNE EPAISSEUR DE 5 MICRONS A PU, AINSI, ETRE SOUMISE A DES CHAMPS EXTREMEMENT ELEVES ALLANT JUSQU'A 100 VOLTS/MICRON. UN MODELE REPOSANT, NOTAMMENT, SUR LA STATISTIQUE DE SHOCKLEY-READ DANS DES CONDITIONS DE TOTALE DESERTION, A PERMIS DE DECRIRE DE FACON SATISFAISANTE LES MODES DE TRANSPORT AYANT LIEU (COURANT THERMOIONIQUE ASSISTE PAR LE CHAMP A TRAVERS LA COUCHE DOPEE P). L'APPLICATION D'UN CHAMP ELECTRIQUE INTENSE A PERMIS DE DETERMINER UN SEUIL, AU-DESSOUS DUQUEL AUCUN EFFET D'AVALANCHE ELECTRONIQUE, DECLENCHEE PAR LA PHOTO-EXCITATION DE PAIRES ELECTRON/TROU N'A LIEU DANS LE A-SI:H NON DOPE. EN COMPLEMENT A LA PIN, LA STRUCTURE NIPIN A PARU UNE NOUVELLE ET INTERESSANTE APPROCHE DANS L'ETUDE DES MODES DE CONDUCTION DANS LA COUCHE P. LA REPONSE TRANSITOIRE EN COURANT DE CE TYPE DE DISPOSITIFS A UN CRENEAU DE TENSION A MONTRE DES VARIATIONS PARTICULIEREMENT COMPLEXES ET SPECTACULAIRES COMPORTANT PLUSIEURS EXTREMA. UN MODELE QUALITATIF RENDANT COMPTE DE CES PROPRIETES REMARQUABLES EST SUGGERE. IL MET EN CAUSE DES MECANISMES SUCCESSIFS D'INJECTION DE PORTEURS LIMITEE PAR LA CHARGE D'ESPACE, LA COUCHE P SE COMPORTE COMME UN RESERVOIR FINI DE TROUS. ENFIN, LA PIN ET LA NIPIN ONT ABOUTI, TOUTES LES DEUX, A DES APPLICATIONS EFFECTIVES, DANS DES DOMAINES POURTANT ELOIGNES. LA PREMIERE EST BIEN ADAPTEE A LA DETECTION DE RAYONNEMENTS, LA SECONDE ASSOCIEE A UN CRISTAL LIQUIDE FERROELECTRIQUE A PERMIS DE REALISER UNE VALVE OPTIQUE TRES PERFORMANTE
Book Synopsis Contribution à l'étude du silicium amorphe hydrogéné by : Adnan Mini
Download or read book Contribution à l'étude du silicium amorphe hydrogéné written by Adnan Mini and published by . This book was released on 1982 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution à l'étude des phénomènes électriques et photoélectriques dans le silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation cathodique by : Hassan Hamdi
Download or read book Contribution à l'étude des phénomènes électriques et photoélectriques dans le silicium amorphe hydrogéné préparé par pulvérisation cathodique written by Hassan Hamdi and published by . This book was released on 1984 with total page 444 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, RPE, PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE, PHOTOLUMINESCENCE, CONDUCTION THERMOSTIMULEE, SPECTRES RAMAN ET IR, DIFFRACTION RX. PROPOSITION D'UN MODELE STRUCTURAL BASE SUR UNE DOUBLE INHOMOGENEITE MACROSCOPIQUE ET MICROSCOPIQUE. DETERMINATION DE NIVEAUX D'ENERGIE ET DES DENSITES D'ETATS CORRESPONDANTES
Book Synopsis Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux by : Gabriel Mawawa
Download or read book Étude du transport des charges dans le silicium amorphe hydrogéné à l'aide d'une technique de photoconductivité modulée à deux faisceaux written by Gabriel Mawawa and published by . This book was released on 1988 with total page 187 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE METHODE UTILISE DEUX FAISCEAUX: UN FAISCEAU POMPE STATIONNAIRE D'ENERGIE SUPERIEURE A LA BANDE INTERDITE OPTIQUE ET UN FAISCEAU MODULE MONOCHROMATIQUE D'ENERGIE VARIABLE. LE FAISCEAU DE POMPE CREE DES ELECTRONS ET DES TROUS LIBRES QUI PEUPLENT LES ETATS DE BANDE TANDIS QUE LE FAISCEAU MODULE INDUIT UNE FAIBLE PERTURBATION DE L'ETAT STATIONNAIRE CREE PAR LA POMPE. L'EXPERIENCE REVELE LA PRESENCE DE DEUX GROUPES D'ELECTRONS PIEGES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE NON DOPE, QUI PROVIENNENT DE LA LIAISON DISPONIBLE DU SILICIUM CHARGEE NEGATIVEMENT ET DE LA QUEUE DE BANDE DE CONDUCTION
Book Synopsis Contribution à l’étude des propriétés photoélectriques du silicium amorphe hydrogène préparé par pulvérisation cathodique by : Emmanuel Arene
Download or read book Contribution à l’étude des propriétés photoélectriques du silicium amorphe hydrogène préparé par pulvérisation cathodique written by Emmanuel Arene and published by . This book was released on 1983 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE by : RACHID.. AMOKRANE
Download or read book ETUE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE STRUCTURE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by RACHID.. AMOKRANE and published by . This book was released on 1993 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CET OUVRAGE TRAITE DU TRANSPORT DE CHARGES DANS UNE DIODE N-I-P EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H). SOUS POLARISATION INVERSE, NOUS ANALYSONS LA RELAXATION DES PORTEURS DE CHARGES A PARTIR DE L'ETUDE DE PHOTOCOURANTS TRANSITOIRES A L'EXTINCTION. CETTE ETUDE CONCERNE LES CIBLES PHOTOCONDUCTRICES EN A-SI:H DES TUBES VIDICON, QUI CONVERTISSENT UNE IMAGE OPTIQUE EN UN SIGNAL ELECTRIQUE. LA RELAXATION DES PORTEURS S'Y TRADUIT EN TERME DE REMANENCE, CELLE-CI REPRESENTE LE SOUVENIR QUE CONSERVE LE DISPOSITIF D'UNE IMAGE ANTERIEURE. NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION PERMETTANT D'EN DETERMINER LA NATURE. NOUS MONTRONS QUE POUR LES STRUCTURES ETUDIEES, ELLE PROVIENT DES INTERFACES. NOS MESURES DES GRANDEURS CARACTERISTIQUES DU TRANSPORT DE CHARGES S'INTERPRETENT PAR LE MODELE DECRIVANT LE TRANSPORT DANS CE MATERIAU. NOUS OBTENONS UNE STRUCTURE DE CIBLE DETENANT UNE REMANENCE INFERIEURE A 2%. EN APPLIQUANT UNE POLARISATION DIRECTE A NOTRE DIODE N-I-P NOUS ETUDIONS LA RECOMBINAISON DES PORTEURS DE CHARGES. POUR DES NIVEAUX D'INJECTION ELEVES, NOUS ATTEIGNONS LE REGIME DIT DE DOUBLE INJECTION DANS LEQUEL LA RECOMBINAISON CONTROLE LE COURANT, NOUS EXPLORONS LA DUREE DE VIE SUR UN VASTE DOMAINE D'INJECTION. NOUS MESURONS DES GAINS DE DOUBLE INJECTION ET DE PHOTOCONDUCTION S'EXPRIMANT AU PREMIER ORDRE COMME LE RAPPORT DE LA DUREE DE VIE SUR LE TEMPS DE TRANSIT. NOUS MONTRONS QUE, POUR LE A-SI:H, LE GAIN DE DOUBLE INJECTION, CONTRAIREMENT AU GAIN DE PHOTOCONDUCTION, N'EST PAS UNE BONNE MESURE DE LA DUREE DE VIE. NOUS OBTENONS DES GAINS DE PHOTOCONDUCTION DE L'ORDRE DE 800. NOUS MONTRONS LE ROLE ESSENTIEL DES INTERFACES SUR LA LIMITATION DU COURANT ELECTRIQUE. NOUS ETUDIONS EGALEMENT, DANS CE REGIME, LA DEGRADATION, PAR EXPOSITION DE LUMIERE PROLONGEE, DU TRANSPORT DE CHARGES. NOUS CONSTATONS UNE DIMINUTION DU PHOTOCOURANT ET DU COURANT D'OBSCURITE COMPATIBLE AVEC UNE AUGMENTATION DE LA DENSITE DE DEFAUTS PROFONDS
Book Synopsis Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene by : Didier Jousse
Download or read book Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Effets des états localisés du silicium amorphe hydrogéné sur le transport électronique by : Jacques Hubin
Download or read book Effets des états localisés du silicium amorphe hydrogéné sur le transport électronique written by Jacques Hubin and published by . This book was released on 1994 with total page 171 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Book Synopsis Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique by : Laurent Lusson
Download or read book Contribution a l'etude des configurations de l'hydrogene dans le silicium amorphe et micro-cristallin depose par pulverisation cathodique written by Laurent Lusson and published by . This book was released on 1997 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
